JP5630400B2 - 単結晶の製造装置及び製造方法 - Google Patents
単結晶の製造装置及び製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5630400B2 JP5630400B2 JP2011171732A JP2011171732A JP5630400B2 JP 5630400 B2 JP5630400 B2 JP 5630400B2 JP 2011171732 A JP2011171732 A JP 2011171732A JP 2011171732 A JP2011171732 A JP 2011171732A JP 5630400 B2 JP5630400 B2 JP 5630400B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- graphite
- single crystal
- heat
- insulating material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
<単結晶製造装置の構成>
図1を用いて本発明の実施の形態1の単結晶製造装置の構成を説明する。図1は本発明の実施の形態1に示す単結晶製造装置の断面図である。
次に単結晶の製造方法を説明する。まず、坩堝1、グラファイト製円筒耐熱材3、成形断熱材2、側面断熱材5、坩堝上部断熱材6及びこれらの周囲の誘導加熱コイル7を用いて単結晶製造装置8を組み立てる。次に昇華用原料を坩堝1内に収容し、種結晶を坩堝1上部の所定の位置に設置した後、単結晶製造装置8を圧力調整炉の中に入れ、圧力調整炉内の圧力を10−3Pa以下に減圧する。圧力調整炉内に不活性ガスを充填し、800hPaに保つ。本実施の形態1では、充填する不活性ガスはアルゴンガスを用いるが、他の不活性ガスも用いることができる。圧力調整炉内の圧力を800hPaに保持したまま、誘導加熱により坩堝1の底部温度をSiCの結晶成長温度(坩堝1の底部の温度が2400℃)にまで加熱する。誘導加熱の周波数は10kHzとした。本実施の形態1においては、単結晶製造装置8を組み立て後、坩堝1内に種結晶の設置、昇華用原料の収容を行ない、圧力調整炉に入れたが、坩堝1内に種結晶の設置、昇華用原料の収容を行なったのちに単結晶製造装置8を組み立て、圧力調整炉に入れることもでき、また単結晶製造装置8を組み立て、圧力調整炉に入れた後に、坩堝1内に種結晶を設置し、昇華用原料を収容することもできる。
実施の形態1では密度0.138g/cm3の成形断熱材2を用いたが、本実施の形態2では0.127g/cm3の成形断熱材2を用いた。その他の条件は実施の形態1に示した単結晶製造装置8と同じに設定した。
グラファイト製円筒耐熱材3を用いず、成形断熱材2の上に直接坩堝1を配置して単結晶の作成を行なった。成形断熱材2として密度0.138g/cm3と0.127g/cm3の2種類を用いた。
図2を用いて本発明の実施の形態3の単結晶製造装置8の構成を説明する。図2は本発明の実施の形態3に示す単結晶製造装置8の断面図である。図2において、前記図1と同一の符号を付した部分は、前記図1と同一又は相当部分を示すものである。
Claims (10)
- 坩堝と、
前記坩堝の周囲に設置された誘導加熱コイルと、
前記坩堝の下方に設けられた炭素繊維で形成された布状のフェルト断熱材に樹脂を含浸固化し成形した成形断熱材と、
前記坩堝と前記成形断熱材の間に設けられたグラファイト製円筒耐熱材と、を備える単結晶製造装置。 - 前記坩堝の下端が、前記誘導加熱コイルの長さ方向の中心から10mm〜20mm高い位置であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶製造装置。
- 前記グラファイト製円筒耐熱材の長さが、前記誘導加熱コイルの長さの1/4〜1/3であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の単結晶製造装置。
- 前記グラファイト製円筒耐熱材の直径が、前記坩堝の直径と略同一であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。
- 前記グラファイト製円筒耐熱材及び前記坩堝の外周に、円筒形状のグラファイト製炉芯管を備え、前記グラファイト製炉芯管の下端が前記グラファイト製円筒耐熱材の下端より低いことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。
- 坩堝内に昇華用原料を収容させ、種結晶を設置させる工程と、
炭素繊維で形成された布状のフェルト断熱材に樹脂を含浸固化し成形した成形断熱材上にグラファイト製円筒耐熱材を介して配置された坩堝を誘導加熱コイルを用いて加熱し、前記昇華用原料を昇華させ前記種結晶上に結晶成長させる結晶成長工程と、
を備える単結晶の製造方法。 - 前記坩堝の下端が、前記誘導加熱コイルの長さ方向の中心より10mm〜20mm高い位置であることを特徴とする請求項6に記載の単結晶の製造方法。
- 前記グラファイト製円筒耐熱材の長さが、前記誘導加熱コイルの長さの1/4〜1/3であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の単結晶の製造方法。
- 前記グラファイト製円筒耐熱材の直径が、前記坩堝の直径と略同一であることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか一項に記載の単結晶の製造方法。
- 前記グラファイト製円筒耐熱材及び前記坩堝の外周に、円筒形状のグラファイト製炉芯管を備え、前記グラファイト製炉芯管の下端が前記グラファイト製円筒耐熱材の下端より低いことを特徴とする請求項6乃至請求項9のいずれか一項に記載の単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011171732A JP5630400B2 (ja) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 単結晶の製造装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011171732A JP5630400B2 (ja) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 単結晶の製造装置及び製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013035705A JP2013035705A (ja) | 2013-02-21 |
JP5630400B2 true JP5630400B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=47885678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011171732A Active JP5630400B2 (ja) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 単結晶の製造装置及び製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5630400B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11939698B2 (en) | 2020-05-29 | 2024-03-26 | Senic Inc. | Wafer manufacturing method, epitaxial wafer manufacturing method, and wafer and epitaxial wafer manufactured thereby |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5892209B2 (ja) | 2014-08-01 | 2016-03-23 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶の製造方法 |
JP2016037441A (ja) | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶の製造方法 |
JP6668674B2 (ja) | 2015-10-15 | 2020-03-18 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61191536A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバの線引装置 |
WO1997005659A1 (en) * | 1995-07-31 | 1997-02-13 | Litton Systems Canada Limited | Flat panel detector for radiation imaging with reduced trapped charges |
JP2004277228A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶成長方法 |
EP2171134B1 (en) * | 2007-06-27 | 2016-10-19 | II-VI Incorporated | Fabrication of sic substrates with low warp and bow |
EP2471981A4 (en) * | 2009-08-27 | 2013-04-17 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp | SIC MONOCRYSTAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
KR101666596B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2016-10-14 | 후지 덴키 가부시키가이샤 | SiC 단결정 및 그 제조 방법 |
-
2011
- 2011-08-05 JP JP2011171732A patent/JP5630400B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11939698B2 (en) | 2020-05-29 | 2024-03-26 | Senic Inc. | Wafer manufacturing method, epitaxial wafer manufacturing method, and wafer and epitaxial wafer manufactured thereby |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013035705A (ja) | 2013-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5630400B2 (ja) | 単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP2008105896A (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
KR102163489B1 (ko) | 탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치 | |
JP2018140884A (ja) | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | |
US20140216348A1 (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
KR20120140547A (ko) | 잉곳 제조 장치 | |
JP2014144880A (ja) | 単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5602093B2 (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP2015040146A (ja) | 単結晶製造装置及びこれを用いた単結晶製造方法 | |
JP2011168431A (ja) | 単結晶の製造装置 | |
JPWO2009060561A1 (ja) | 単結晶成長装置 | |
US20140366807A1 (en) | Apparatus for fabricating ingot and method of fabricating ingot | |
KR101645650B1 (ko) | 단결정 제조 장치 및 단결정 제조 방법 | |
KR20130022596A (ko) | 잉곳 제조 장치 및 원료 제공 방법 | |
JP2016117624A (ja) | 坩堝 | |
KR20120140151A (ko) | 잉곳 제조 장치 | |
JP5573753B2 (ja) | SiC成長装置 | |
KR101882317B1 (ko) | 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법 | |
KR20130013709A (ko) | 잉곳 제조 장치 및 원료 제공 방법 | |
KR20130020488A (ko) | 잉곳 제조 장치 | |
US11453959B2 (en) | Crystal growth apparatus including heater with multiple regions and crystal growth method therefor | |
US11453958B2 (en) | Heat-insulating shield member and single crystal manufacturing apparatus having the same | |
KR20130035137A (ko) | 잉곳 제조 장치 | |
KR20120135743A (ko) | 잉곳 제조 장치 및 원료 제공 방법 | |
KR101882321B1 (ko) | 잉곳 제조 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131017 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140320 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20140326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140909 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140922 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5630400 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |