JP5629816B2 - 窒素酸化物の吸蔵還元触媒を硫黄被毒から保護するための改良硫黄酸化物/窒素酸化物トラップシステムおよび方法 - Google Patents

窒素酸化物の吸蔵還元触媒を硫黄被毒から保護するための改良硫黄酸化物/窒素酸化物トラップシステムおよび方法 Download PDF

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Description

本発明は、燃焼機関の排気ガス浄化システムの分野に関する。それは、より詳しくは、水素リッチガス源、硫黄(SO)触媒トラップ、および窒素酸化物(NO)吸蔵還元(NSR)触媒トラップからなる排気ガス処理装置の改良運転方法に関する。更により詳しくは、本発明は、硫黄(SO)トラップから放出された硫黄が、NO吸蔵還元(NSR)触媒トラップを、NO吸蔵および還元成分を被毒することなく通過させるのにリッチなHガスを用いる点に基づくプロセスである。
日本では、NOトラップまたはNO吸着剤として知られるNOの吸蔵還元(NSR)触媒はまた、リーンバーンガソリンエンジンを装備される車両におけるHC、CO、およびNOの制御のための後処理技術を示す。この触媒は、二つの重要な機能を示す。エンジンが、化学量論空/燃比で作動する場合には、それは、標準的な三元転化触媒として機能する。リーン運転条件下では、排気中のCOおよびHCは燃焼されるものの、NSR触媒トラップは、NO(NO+NO)のトラップとして機能する。NSR触媒トラップによるNOの吸蔵および還元の反応メカニズムは、式1〜4で表される。一般に、NSR触媒トラップは、酸化および還元の両機能を示すであろう。リーン環境では、NOは、NOへ酸化される(式1)。この反応は、貴金属(例えば、Pt)によって触媒作用を及ぼされる。NOの硝酸塩への更なる酸化は、原子酸素の組込みによって生じる。硝酸塩は、次いで、選択金属成分に吸蔵される(式2)。連続して継続するNO制御を確実にするためには、NSR触媒トラップは、制御された短時間のリッチパルスによる定期的な再生を必要とする。これは、吸蔵されたNOの放出(式3)、およびその還元(式4)に資する。再度、Pt族金属は、NOの放出および還元に用いられる。硫黄酸化物によるNSR触媒トラップの被毒は、原則として、窒素酸化物の吸蔵と同じ方式で起こる。エンジンから放出される二酸化硫黄は、NSR触媒トラップの触媒活性貴金属成分(例えば、Pt)で、三酸化硫黄へ酸化される(式5)。三酸化硫黄(SO)は、NSR触媒トラップの吸蔵物質(例えば、Ba)と反応し、対応する硫酸塩を形成する(式6)。活性の低下前に硫黄を保持するトラップの低い容量、および硫酸塩被毒の安定性のために、燃料リッチ条件下での頻繁な高温脱硫酸化が必要とされる(>650℃)。これは、NSR触媒トラップの熱安定性に応力を加え、最終的には、高温脱硫酸化に必要とされるように、燃料リッチ混合物を流す結果として、実質的な燃料ペナルティーをもたらす。これは、対応して、NSR触媒トラップの寿命を短縮する。
式:
(1)NO+1/2O=NO NOのNOへの酸化
(2)2NO+MCO+1/2O=M(NO+CO 硝酸塩としてのNOの吸蔵
(3)M(NO+2CO=MCO+NO+NO+CO NOの放出
(4)NO+NO+3CO=N+3COへのNO還元
(5)SO+1/2O=SO SO被毒過程
(6)SO+MCO=MSO+CO SO被毒過程
式2、3、および6において、Mは、二価卑金属カチオン(例えば、Ba)を表す。Mはまた、一価または三価金属化合物である。その場合には、式は、再度平衡をとられる必要がある。
NSR触媒トラップを被毒する硫酸塩の形成を低減するための一つの方法は、SOトラップを、NSR触媒トラップの上流に提供することである。これは、連続的な硫黄の取込みおよび放出を、空/燃比(A/F比)の関数として経る。排気ガス条件をリーンからリッチへ定期的に変更することによって、硫黄トラップに吸蔵された硫酸塩は、分解されて、硫黄種が得られ、NSR触媒トラップに吸蔵された硝酸塩は、窒素へ還元される。重要な要件は、放出された硫黄種のかなりの部分が、NSR触媒トラップを、NOの吸蔵(例えば、Ba)および還元成分(例えば、Pt)を被毒することなしに通過することである。
特許文献1には、硫黄による吸蔵触媒の被毒は、吸蔵触媒の上流で排気ガスストリームに挿入される硫黄トラップによって減少されることができることが開示される。アルカリ金属(カリウム、ナトリウム、リチウム、およびセシウム)、アルカリ土類金属(バリウムおよびカルシウム)、および希土類金属(ランタンおよびイットリウム)が、硫黄トラップのための吸蔵物質として開示される。硫黄トラップにはまた、白金(Pt)が、触媒活性成分として含まれる。しかし、特許文献1の実施形態の欠点は、硫黄吸蔵容量が、過度に大きなトラップが提供されないか、またはトラップが非常頻繁な間隔で交換されない限り、限定されることである。硫黄トラップがその全吸蔵容量に達するや、排気ガス中に含まれる硫黄酸化物は、硫黄トラップを通過し、NSR触媒トラップを被毒するであろう。
特許文献2には、アルカリ、アルカリ土類、および希土類金属から選択されるSOトラップ組成物が開示される。Ptはまた、この処方に加えられる。高温再生(>650℃)は、これらのシステムに必要とされる。これは、これが、熱損傷を、同じ流れラインのこのトラップおよびNSR装置へもたらすであろうことから、実用的な解決でない。特許文献2には、SOトラップが引用される。これは、銅、鉄、マンガン、ニッケル、ナトリウム、チタン、リチウム、およびチタニアから選択される少なくとも一つの部材を含む。加えて、Ptが、触媒へ添加される。Pt含有吸着剤は、実質量のHS放出を、リッチ条件下でもたらす。これは、硫黄トラップ成分と反応して、安定な金属硫化物が形成されるであろう。これは、単にSOトラップの部分再生をもたらす。著者らは、システムのいかなる試験成果をも示さなかった。
特許文献3には、非常に複雑な酸化物組成物が開示される。これは、アルカリ土類酸化物(Mg、Ca、Sr、Ba、Zn)から選択される。加えて、Cuおよび貴金属(Pt、Pd、Ru)がまた添加された。再度、これらのシステムは、650℃再生の必要性およびHS放出の被毒効果により、再生可能なSOトラップとして実用的でない。
特許文献4には、SOトラップが開示される。これは、Mg、Ca、Sr、Baから選択されるアルカリ土類金属酸化物を、セリウム酸化物および原子番号22〜29の元素群との組み合わせで含む。Ptはまた、触媒処方へ添加される。再度、これらのシステムは、再生に高温(>650℃)を必要とする。
特許文献5には、銅酸化物を含むSOトラップが開示される。著者らは、システムが、担体により、低温(250〜400℃)で再生されることができることを示す。しかし、著者らは、NSR触媒トラップに対する放出された硫黄種(例えば、SO)の効果について、いかなるデータも示さなかった。後述するように、これらの低温で放出されたSOは、リッチ条件下ではNSR還元点を被毒するであろう。
特許文献6には、リッチ条件下でのHS形成、および空/燃比が殆ど化学量論である場合に、それを抑制する方法が開示される。HSの形成を抑制するこの提案は、硫黄トラップの部分的かつ長い再生期間に至る。更に、より高い温度は、脱硫酸化に必要とされる。これはまた、硫黄トラップの熱安定性を強調することができる。
特許文献7には、リッチ条件下での硫黄の放出が、NSR上への硫黄種の吸着をもたらすことが開示される。また、これらの硫黄吸着はNSR触媒トラップに影響を与えるであろうこと、およびNSR触媒トラップの高温脱硫酸化手順が必要とされることが開示される。
欧州特許出願公開第0582917A1号明細書 米国特許第5,473,890号明細書 米国特許第5,687,565号明細書 米国特許第5,792,436号明細書 欧州特許出願公開第1374978A1号明細書 米国特許第6,145,303号明細書 国際公開第01/56686号パンフレット 米国特許第6,176,078号明細書 米国特許出願公開第2004/0170559号明細書 米国特許出願公開第2004/1911166号明細書 国際公開第01/34950号パンフレット 米国特許第4,308,176号明細書 Brian Westら著(SAE、2004−01−3023) Heimrichら著(SAE、2001−01−1841) T.Shidoら著(J.Catal.、第141号、第105頁、1994年) J.T.Kummer著(J.Phys.Chem.、第90号、第4747頁、1986年) H.C.Yaoら著(J.Catal.第86号、第254頁、1984) Shelefら著「セリアおよび関連物質による触媒作用」(Imperial College出版、第243頁、ロンドン、2002年) Summerら(Applied Catalysis B、第10号、第139〜156頁、1996年) www.dieselnet.com W.B.Piersonら著(SAE文献、第790942号、1979年) W.B.Williamsonら著(Env.Sci.Tech.、第14号、第319頁、1980年) J.C.SummersおよびK.Baron著(J.Catal.第57号、第266頁、1979年) G.C.Joyら著(SAE文献、第790943号、1979年) H.S.Gandhiら著(SAE文献、第780606号、1978年)
硫黄トラップおよび窒素酸化物吸蔵還元触媒からなる排気ガス処理装置を作動するための前述の方法は、二つの明確な欠点を有する。第一の欠点は、硫黄種を、NOの吸蔵および還元点を被毒することなしに、NSR触媒トラップを通して移動する手順の欠如である。第二の欠点は、殆どの報告される硫黄トラップは、Ptを含み、高温で部分還元されて、HSが主生成物として放出されることである。加えて、HSは、将来の規制に対する問題であり、かつ制御される必要があってもよい。
一列で作動される硫黄トラップおよびNSR触媒トラップを含む排気ガス処理装置を運転するための改良プロセスに対する必要性が存在する。システムは、理想的には、再生ガス媒体を用いることによって、中温(約400〜600℃)で再生可能なSOトラップを有するであろう。これは、硫黄トラップから開放される硫黄種が、NSR触媒トラップを、NO吸蔵および還元成分を被毒することなく通過させることができる。
本発明の開示に従って、燃焼源のための好都合な排気ガス浄化システムは、a)Hリッチガス生成装置システム、b)硫黄酸化物トラップ、およびc)窒素吸蔵還元(NSR)触媒トラップを含む。その際、NSR触媒トラップは、硫黄酸化物トラップおよびHリッチガス生成装置システムの下流に配置される。
本開示の更なる態様は、排気ガス処理の向上方法に関する。該方法は、i)燃焼源を、Hリッチガス生成装置システム、硫黄酸化物吸蔵還元トラップ、および窒素吸蔵還元(NSR)触媒トラップを含む排気ガス浄化システムに供給する工程であって、その際NSR触媒トラップは、硫黄酸化物トラップおよびHリッチガス生成装置システムの下流に配置される工程、およびii)硫黄酸化物トラップおよびNSR触媒トラップを、Hリッチガスおよび燃料リッチ燃/空エンジン排気ガスで再生する工程を含む。
本開示の他の態様は、燃焼源のための好都合な排気ガス浄化システムに関する。該排気ガス浄化システムは、a)Hリッチガス生成装置システム、b)隣接層として担体物質上に析出される窒素吸蔵還元(NSR)触媒、およびc)隣接層としてNSR触媒トラップ上に析出される硫黄酸化物触媒を含み、その際硫黄酸化物触媒およびNSR触媒の組み合わせトラップは、Hリッチガス生成装置システムの下流に配置される。
本開示の他の態様は、燃焼源のための好都合な排気ガス浄化システムに関する。該排気ガス浄化システムは、a)Hリッチガス生成装置システム、b)隣接層として担体物質上に析出される窒素吸蔵還元(NSR)触媒、c)隣接層としてNSR触媒トラップ上に析出される水性ガスシフト(WGS)触媒、およびd)隣接層としてWGS触媒上に析出される硫黄酸化物触媒を含み、その際硫黄酸化物触媒、WGS触媒、およびNSR触媒の組み合わせトラップは、Hリッチガス生成装置システムの下流に配置される。
本開示の他の態様は、排気ガス処理の好都合な向上方法に関する。該方法は、燃焼源に、a)Hリッチガス生成装置システム、b)硫黄酸化物トラップ、およびc)窒素吸蔵還元(NSR)触媒トラップを含む排気ガス浄化システムに供給し、その際中程度量のHの存在下におけるSOトラップからの硫黄種の放出(主に、HSを全くまたは殆ど有しないSOとして)は、炭化水素および/またはCOの存在下における硫黄種の放出に比較してNSR点の被毒が全くない工程を含む。
本開示の他の態様は、排気ガス処理の好都合な向上方法に関する。該方法は、燃焼源を、a)Hリッチガス生成装置システム、b)硫黄酸化物トラップ、およびc)窒素吸蔵還元(NSR)触媒トラップを含む排気ガス浄化システムに供給し、その際硫黄の再生は、NSR触媒トラップが再生されるたびに温度約400〜500℃で行われ、そのために形成されるいかなるHSも、d)清浄触媒トラップによって、NSR触媒トラップの下流でリッチ条件下に捕捉され、リーン条件においてSOとして放出されるであろう工程を含む。
本開示の他の態様は、排気ガス処理の好都合な向上方法に関する。該方法は、燃焼源を、a)リッチ空/燃比によるエンジンの運転であって、それによりHは、直接、調整された遅延主噴射によって、および/または後噴射の使用によってエンジン排気中に生成される運転、b)硫黄酸化物トラップ、およびc)窒素吸蔵還元(NSR)触媒トラップを含む排気ガス浄化システムに供給し、その際硫黄の再生は、NSR触媒トラップが再生されるたびに温度約400〜600℃で行われ、そのために形成されるいかなるHSも、d)NSR触媒トラップの下流の清浄化HSトラップによって、リッチ条件下で捕捉され、リーン条件においてSOとして放出されるであろう工程を含む。
多数の利点は、本明細書に開示される好都合な排気ガス浄化システムおよび排気ガス処理の向上方法、並びに従って使用/適用に起因する。
例えば、本開示の例示の実施形態においては、硫黄トラップ、水素源、およびNSR触媒トラップを含む開示される排気ガス浄化システムは、硫黄トラップから放出される硫黄は、引続いて、NSR触媒トラップを、NO吸蔵および還元成分を被毒することなく通過することを示す。
本開示の更なる例示の実施形態においては、硫黄トラップ、水素源、およびNSR触媒トラップを含む開示される排気ガス浄化システムは、硫黄トラップの下流に配置される場合には、NSR触媒トラップの向上された耐久性を示す。
本開示の更なる例示の実施形態においては、硫黄トラップ、水素源、およびNSR触媒トラップを含む開示される排気ガス浄化システムは、硫黄およびNSR触媒の両トラップを、温度600℃未満で再生する能力を示す。これは、触媒の熱応力および燃料ペナルティーを減少する。
本開示の更なる例示の実施形態においては、硫黄トラップ、水素源、およびNSR触媒トラップを含む開示される排気ガス浄化システムは、向上されたNSR触媒寿命および性能を示す。
本開示の更なる例示の実施形態においては、硫黄トラップ、水素源、およびNSR触媒トラップを含む開示される排気ガス浄化システムには、向上された触媒組成物のシフト転化装置(水性ガスシフト(WGS)触媒)が含まれて、効率的に、一酸化炭素が、特別の触媒回復を必要とせずに二酸化炭素および水素へ転化される。
本開示の更なる例示の実施形態においては、硫黄トラップ、水素源、およびNSR触媒トラップを含む開示される排気ガス浄化システムには、増大された活性を有する向上された組成物のWGS触媒が、シフト転化反応器に含まれて、一酸化炭素が、WGS触媒をリーン条件から保護する必要なく二酸化炭素および水素へ転化される。
本開示の更なる例示の実施形態においては、硫黄トラップ、水素源、およびNSR触媒トラップを含む開示される排気ガス浄化システムには、向上された触媒組成物のWGS触媒が含まれる。これは、水性ガスシフト反応の既存の触媒に勝る向上された活性および耐久性をもたらす。
本開示の硫黄トラップ、水素源、およびNSR触媒トラップを含む開示される排気ガス浄化システムおよび方法のこれらおよび他の利点、特徴、および寄与、並びにその好都合な適用および/または使用は、特に本明細書に添付される図面との組み合わせで解する場合には、以下の詳細な説明から明らかであろう。
本明細書の主題物を作製し、かつそれを使用するに際して、当業者を補助するために、添付の図面が参照される。
本発明は、燃焼源のための改良排気ガス処理システムおよび方法に関する。本発明の排気ガス処理システムおよび方法は、硫黄トラップ(硫黄酸化物トラップまたはSOトラップとも呼ばれる)、水素源(水素生成装置または生成システムとも呼ばれる)、および窒素酸化物トラップ(NOトラップ、NO吸着剤、またはNO吸蔵還元(NSR)触媒とも呼ばれる)の組み合わせを含む点で、先行技術よりも際立っている。これは、組み合わせで、好都合に、硫黄吸着、およびNSR触媒トラップの被毒を低減する。より詳しくは、本発明は、硫黄トラップ、水素源、およびNSR触媒トラップを含む排気ガス処理装置を運転するための改良システムおよび方法に関する。それにより、本方法は、Hを車載で生成して、硫黄トラップ(SO、HS、COS)から放出される硫黄が、NO吸蔵および還元成分を被毒することなく、NSR触媒トラップを通過することに基づく。排気ガス処理装置を運転するための改良方法にはまた、任意に、水性ガスシフト触媒トラップ、および清浄化触媒トラップを加えることが含まれてもよい。
本発明はまた、排気ガス浄化システムの向上に関する。これは、運転期間の殆どにわたって、リーン空燃比で作動される。排気ガス処理装置は、窒素酸化物トラップ(NSR)触媒、および窒素酸化物トラップの上流に配置される硫黄トラップを含む。本発明者らは、中程度量のHの存在下に、SOトラップから硫黄をSOまたはHSとして放出することが、炭化水素(HC)および/または一酸化炭素(CO)の存在下における硫黄種の放出に比較して、NSR触媒トラップ上へ硫黄を全く吸着しないか、またはその吸着を最小にすることを発見した。この飛躍的な進歩は、実質的に、NSR触媒トラップの寿命および性能を向上するであろう。これはまた、硫黄の再生が、中程度の温度(400〜600℃)で行われることを可能にする。加えて、形成されるいかなるHSも、NSR触媒トラップの下流の清浄化触媒トラップを用いて、リッチ条件下で捕捉され、リーン条件でSOとして放出されるであろう。
硫黄トラップを排気システム内に組込むことの有利な効果は、得られる改良NO吸着効率を監視することによって示される。NSR触媒トラップによるNO吸蔵が、C/COを含む模擬リッチ排気下での硫黄種の放出に続いて、低減することを示す図が引用される(図9、10を参照されたい)。一方、NO吸蔵は、Hの存在下での硫黄種の放出によって影響を及ぼされなかった(図11、12を参照されたい)。この点から、本システムの更なる利点は、NSR触媒トラップの耐久性が、硫黄トラップの下流に配置される場合に、かなり増大されることができることである。他の利点には、硫黄トラップおよびNSR触媒トラップを温度600℃未満で再生する能力が含まれる。これは、触媒の熱応力および付随する燃料ペナルティーを回避することができる。本発明の更なる利点は、NSR触媒トラップのすぐ下流に配置された清浄化触媒トラップを用いて、硫化水素、炭化水素、およびNHの排出の制御を向上することである。これらおよび他の利点は、以下の詳細な開示により明白であろう。
本発明の改良排気ガス処理装置には、水素源、硫黄トラップ(SOトラップまたは硫黄酸化物トラップとも呼ばれる)、および窒素酸化物トラップ(NSR触媒トラップ)が含まれる。本発明の他の例示の実施形態においては、改良排気ガス処理システムには、更に、水性ガスシフト触媒、清浄化トラップ、およびディーゼルパティキュレート収集システムの種々の組み合わせが含まれる。排気ガス処理装置内のこれらの成分の構成は、以下の実施形態によって示されるであろうように様々であってもよい。
排気ガス処理システムへ入力するための水素源は、種々の方法および装置によって、車載でもたらされるか、または車載の補充可能貯蔵器内に貯蔵されてもよい。排気ガス処理システムへ入力するために、Hを車載で生成する例示の方法は、エンジン制御方法(過剰燃料のシリンダー内噴射、またはリッチ燃焼)を用いることである。エンジン制御の方策は、排気酸素濃度を低下させるために吸気スロットリングを用い、その際過剰な燃料供給は、リッチに移行するのに用いられる。例えば、Delayed Extended Main(DEM)策は、吸気スロットリングを用いて、空燃比が低下され、その際主注入時間は、リッチ条件を達成するように伸ばされる。一方、後注入は、リッチ運転を達成するための主注入後に注入を添加することを含む。いずれの方策も、燃料を、COおよびHの混合物へ転化することをもたらす(非特許文献1)。COは、更に、WGS触媒を用いて、HおよびCOに転化されることができる。他の例示の方法は、炭化水素燃料からのHの車載プラズマトロン生成を含む。これは、特許文献8に開示される。Hを生成するための他の例示の方法は、接触装置を用いる。例えば、Hは、脱イオン水および炭化水素燃料の混合物が、燃焼室に取付けられたスチーム改質装置へ供給されるスチーム改質によって製造されることができる。これは、特許文献8に開示される。排気ガス処理システムへ投入するためのHを生成する更なる例示の接触装置には、限定されることなく、自動熱改質(ATR)、圧力スイング改質(特許文献9および特許文献10に開示される)、並びにOおよびHOを用いる炭化水素燃料の部分酸化(特許文献11)が含まれる。接触装置は、常に、CO+H混合物を製造し、WGS触媒は、COを,水の存在下にHおよびCOへ転化するのに必要とされる。Hを生成する他の可能性は、電解装置を用いることである。これは、文献(非特許文献2)に記載される。電解装置は、水素を、水素および酸素への水の解離により製造する(即ち、HO=H+1/2O)。製造された水素は、排気システムに注入されるか、または比較的高い圧力下に、車載で貯蔵されることができる。
排気システムにおいて更なる水素を生成する他の方法は、水性ガスシフト(WGS)触媒を用いて、CO(シリンダー内噴射によるか、または接触装置により製造される)が、そのための適切な元素および担体を用いることによって、水の存在下にCOおよびHへ転化されることである。全体の反応は、以下の通りである。即ち、CO+HO=CO+Hであり、その際ΔH=−41.2kj/モル、およびΔG=−28.6kj/モルである。WGS反応に通常用いられる触媒は、CuO−ZnO−Alベースの触媒(特許文献12)である。しかし、一酸化炭素の転化および水素の生成をもたらす触媒の性能は、触媒の失活により、通常の運転中に徐々に低下する。加えて、空気および凝縮水に対するこの触媒の敏感性のために、自動車燃料処理装置にそれらが用いられない理由がある。
金属助触セリア触媒は、水性ガスシフト触媒として試験されてきた(非特許文献3、非特許文献4)。セリアおよび白金の組み合わせは、早くから知られる触媒より耐酸素性である触媒を提供する。更に、セリアは、その酸素吸蔵容量のために、自動車の三元排出制御で重要な役割を果たすことが知られている(非特許文献5)。自動車用途における高温によるセリアの酸素吸蔵容量の不活性化は、周知であり、ジルコニアと混合することによって、その用途のセリアの還元性を安定化することが必要である(非特許文献6)。
シフト転化装置で用いられる本発明のWGSのための改良触媒組成物は、助触担体を有する貴金属触媒を含む。担体は、少なくとも酸化セリウムおよび酸化ジルコニウムの混合金属酸化物を含む。ジルコニアは、セリアの焼結耐性を増大し、それにより触媒組成物の耐久性が向上される。加えて、アルミナは、触媒組成物に添加されて、モノリス基体上へのウォシュコートのためのその適合性が向上されてもよい。WGS触媒のための本発明の触媒元素および担体物質の例示の組み合わせは、Pt担持セリア、Pt担持セリア−ジルコニア、Rh担持セリア、Rh担持セリア−ジルコニア、またはそれらの組み合わせである。
本発明には、更に、硫黄(SO)トラップが、WGS触媒の上流に含まれて、WGSおよびNSRトラップが、リーン条件下での硫黄被毒から保護される。硫黄種の放出は、温度範囲400〜600℃で生じて、NSR上への硫黄種のいかなる吸着もが回避されるであろう。硫黄(SO)トラップは、車両の排気ガス触媒の調製に関する既知の技術によって調製されてもよい。硫黄トラップには、SOを、リーン(酸化)条件下で金属硫酸塩として吸着し、吸蔵された硫酸塩を、リッチ(還元)条件下でSOとして脱着するのに適切な触媒組成物が含まれる。硫黄トラップの組成物は、更に、後処理装置、特にNSR触媒トラップの硫黄被毒を防止するように設計される。硫黄酸化物トラップの元素は、硫黄を、低温(<600℃)でリッチ排気条件下に放出するその能力に基づいて選択される。
適切な硫黄(SO)トラップは、銅、鉄、コバルト、マンガン、錫、セリア、ジルコニア、リチウム、チタニア、およびそれらの組み合わせの酸化物から選択される。上記のSO吸着剤物質は、混合金属酸化物として用いられるか、またはアルミナ、安定化ガンマアルミナ、シリカ、MCM−41、ゼオライト、チタニア、およびチタニア−ジルコニア上に担持されてもよい。例えば、硫黄酸化物トラップには、構造体Fe/x酸化物の酸化物が含まれてもよい、その際、xは、Al、SiO、ZrO、CeO−ZrO、TiO−Al、MCM−41、およびゼオライトからなる群から選択される。低温におけるSO吸着を向上する他の適切な方法は、上流のPt酸化触媒を用いることである。
窒素吸蔵還元(NSR)触媒(窒素酸化物トラップ、NOトラップ、NO吸着剤とも呼ばれる)は、貴金属(限定されることなく、Pt、Pd、Rh、およびそれらの組み合わせが含まれる)、および多孔質キャリヤーまたは貴金属を運搬する基体(限定されることなく、アルミナ、MCM−41、ゼオライト、チタニア、およびチタニア−ジルコニアが含まれる)から選択されてもよい。NSR触媒トラップには、更に、アルカリ金属および/またはアルカリ土類金属が含まれてもよい。例えば、Li、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、並びにアルカリ金属およびアルカリ土類金属の組み合わせである。NSR触媒トラップにはまた、セリア、ジルコニア、チタニア、ランタン、および他の類似物質が含まれてもよい。これは、典型的には、三元触媒で用いられる。文献に記載される他のNSR処方もまた、用いられてもよい。
更に好ましい実施形態においては、本発明の排気システムには、NSRの下流の清浄化触媒トラップが含まれる。これは、特に、SOトラップと共に有用である。これは、再生中に、不愉快な匂いを有するHSを製造する。これに対処するために、清浄化触媒トラップは、HSを抑制するための成分を含む。例えば、ニッケル、マンガン、コバルト、および鉄の一種以上の酸化物である。これらの成分は、少なくとも、硫化水素をリッチまたは化学量論条件下で捕捉するその能力、およびリーン条件下で、二酸化硫黄への硫化水素の酸化を促進するその能力の理由で有用である。他の実施形態においては、清浄化触媒はまた、本発明の酸化触媒以上に、HCスリップと競うように構成されることができる。これは、HCをHOおよびCOへ酸化するのに、ガスストリーム中の酸素が不十分である場合に、生じることができる。この場合には、清浄化触媒には、触媒活性を有する酸素吸蔵成分が含まれる。セリアおよび/またはPt族金属(PGM)などである。清浄化触媒トラップはまた、NSR触媒トラップの再生中に形成してもよいNHトラップを含んでもよい。NHトラップには、好ましくは、ZSM−5、ベータ、MCM−68、または金属含有ゼオライトなどのゼオライトが含まれる。その際、金属は、Fe、Co、およびCuから選択されることができる。捕捉されたNHは、次いで、NOと反応して、Nが、リーン条件下で形成されることができる。必要に応じて、空気が、清浄化触媒の上流で、SOトラップのリッチ再生中に注入されることができる。
上記される全ての触媒システム(接触H添加、SOトラップ、NSR、WGS、および清浄化触媒)は、流通形ハニカムモノリスなどの別個の基体上に提供されてもよい。モノリスは、金属またはセラミックであってもよく、その際セラミックは、アルミナ、ムライト、炭化ケイ素、ジルコニアが選択肢ではあるものの、コーディエライトであることができる。被覆基体の製造は、当業者に知られる方法によって行われてもよい。
接触ディーゼルパティキュレートフィルター(DPF)システムは、任意に、硫黄トラップの(ディーゼルエンジンに関して)上流に配置されて、パティキュレート物質がエンジン排気源から除去されてもよい。DPFシステムは、特に、ディーゼル燃料を燃焼する場合に有利である。種々のDPFおよびフィルター構成が、今日の市場において利用可能である(非特許文献7)。DPFの最も一般的な設計は、ウォールフローモノリスである。これは、軸方向に部分を通って走る多数の小さな平行セラミック通路からなる(ディーゼルパティキュレートトラップ、ウォールフローモノリス、非特許文献8のディーゼル技術規準)。隣接する通路は、別に、各端部でふさがれて、ディーゼル排気ガスが多孔質の基体壁を通って押しやられる。これは、機械的フィルターとして機能する。パティキュレート(すす)の負荷が増大するにつれて、再生の必要性が増大する。再生は、収集されたパティキュレート物質の酸化を必要とする。Ptは、DPFへ添加されて、それらの酸化が強化されてもよい。
上記のシステムは、種々の構成に配置されて、排気ガス処理システムが向上されてもよい。種々の構成には、限定されることなく、連続配置システム、層状配置システム、並びに連続および層状配置システムの組み合わせが含まれる。排気ガス処理システムの種々の構成は、以下の例示の実施形態によって示されるであろう。
図1は、改良排気ガス処理装置のための本発明の例示の実施形態を示す。これは、燃焼機関の排気源、水素生成装置システム(1)、H生成装置システム(1)の下流のSOトラップ(2)、およびSOトラップ(2)の下流のNSR触媒トラップ(3)を含む。エンジンのリーン運転中には、SOは、SOへ酸化される。これは、硫酸塩として、硫黄トラップ(2)の成分上に捕捉される。エンジンのリッチ運転中かつ温度450℃では、硫酸塩は分解され、開放された硫黄種は、H(1)の存在下にNSR触媒トラップ(3)を通過する。内燃機関からの排気ガス中に含まれる硫黄酸化物の量は、窒素酸化物の量よりはるかに少ない。従って、窒素酸化物が吸蔵触媒から放出される度に、硫黄を、硫黄酸化物トラップから除去することは必要でない。窒素酸化物をNSR触媒トラップから放出するためのサイクル期間は、約1分である。その際、硫黄トラップから放出するための時間は、数時間である。水素が硫黄トラップの上流で生成される図1の例示の実施形態は、水素源が燃焼機関から始まる場合に適切である。
図2は、本発明による排気ガスの処理装置の別の例示の実施形態を示す。これは、燃焼機関の排気源、SOトラップ(2)、SOトラップ(2)の下流の水素生成装置システム(1)、および水素生成装置システム(1)の下流のNSR触媒トラップ(3)を含む。図1との唯一の相違は、SOトラップ(2)の下流、およびNSR触媒トラップ(3)の上流に配置されるH生成装置システム(1)の位置である。水素が硫黄トラップおよびNSR触媒トラップの間で注入される図2の例示の実施形態は、特に、水素源が、燃焼機関以外の供給源から始まる場合に適切である。
図3は、本発明による内燃機関の排気ガス浄化システムの別の例示の実施形態を示す。これには、H生成システム(1)および3触媒システム(硫黄トラップ(2)、水性ガスシフト(WGS)触媒(2’)、およびNSR触媒トラップ(3))が含まれる。H生成システム(1)は、エンジン排気源の下流、および硫黄トラップ(2)の上流に配置される。WGS触媒(2’)は、硫黄トラップ(2)の下流、およびNSR触媒トラップ(3)の上流に配置される。図1との唯一の相違は、WGS触媒(2’)が、NSR触媒トラップ(3)の上流で加えられることである。
図4は、本発明による内燃機関の排気ガス浄化システムの更なる例示の実施形態を示す。これは、H生成装置システム(1)、3触媒システム(硫黄トラップ(2)、WGS触媒(2’)、NSR触媒トラップ(3))、および更に清浄化触媒(4)を有する。H生成システム(1)は、エンジン排気源の下流、および硫黄トラップ(2)の上流に配置される。WGS触媒(2’)は、硫黄トラップ(2)の下流、およびNSR触媒トラップ(3)の上流に配置される。清浄化触媒(4)は、次いで、NSR触媒トラップ(3)の下流に配置される。図3との唯一の相違は、清浄化触媒トラップ(4)を、NSR触媒トラップ(3)の下流で加えることである。
上記の例示の実施形態には、更に、パティキュレート除去システムが、エンジン排気源の下流、並びに水素生成システム(1)および硫黄トラップ(2)の両方の上流に含まれてもよい。パティキュレート除去システムは、特に、拡散炎タイプの燃焼が用いられる場合(例えば、今日のディーゼルエンジンにおける場合)に有利である。何故なら、これはスートの形成をもたらすからである。
排気ガス処理システムを含む触媒は、別に、種々の触媒(SO、WGS、NSR触媒)の一つ以上の層を互いの上部に形成することによって、層状配置で構成されてもよい。例えば、NSR触媒トラップは、適切な担体物質上に連続層として析出され、次いで硫黄酸化物触媒が、NSR触媒トラップ層の上部に連続層として析出される。別の例示の実施形態においては、NSR触媒トラップは、適切な担体物質上に連続層として析出され、WGS触媒が、NSR触媒トラップ層の上部に連続層として析出され、次いで硫黄酸化物触媒は、WGS触媒層の上部に連続層として析出される。これらの層状触媒の構成においては、排気ガスは、先ず、外側の硫黄酸化物触媒層を通り、引続きWGS触媒層、最終的にNSR触媒トラップ層を通って拡散する。これらの例示の層状触媒の構成は、上流の水素生成源と連結される。加えて、これらの例示の層状触媒の構成は、任意に、上流のパティキュレート除去システムおよび下流の清浄化触媒トラップと構成されてもよい。
出願人らは、妥当に予測されることができる開示の主題について、全ての実施形態および適用性を開示しようとしてきた。しかし、均等物として残る予測できない非現実的な修正が存在してもよい。本発明は、それらの特定の例示の実施形態に関連して記載されているものの、多くの変更、修正、および変化が、本開示の趣旨または範囲から逸脱することなく、上記の記載に照らして当業者に明らかであろうことは、明白である。従って、本開示は、上記の詳細な説明のこれらの変更、修正、および変化の全てを包含するものである。
硫黄トラップ再生中に、硫黄種(SO、HS)をNSR触媒トラップに通して送るための、実行可能な研究による次の実施例は、それらの範囲を限定することなく、本発明、およびそれに対する利点を示す。
試験方法
触媒の調製に関して、これらの研究に用いられるNSR触媒トラップは、商業供給源からのウォッシュコートモノリスで供給された。ウォッシュコート組成物は、NO還元点(Pt/Rh)、吸蔵化合物(Ba)、担体(γ−Al)、並びにセリア、チタニア、ジルコニア、およびランタンから選択される他の助触媒を含む。触媒は、試験の前に、模擬リッチ排気下450℃で15分間前処理された(表1の原料1を参照されたい)。
モノリスNSRコア(長さ0.75インチ×直径0.5インチ)は、石英反応器中に、石英ウールの一片の上部に、予熱域として添加される数インチの粉砕溶融石英と共に置かれる。石英反応器は、加熱炉によって加熱される。温度は、タイプ−K熱電対によって制御される。これは、モノリスコアの下に配置される反応器の狭い出口部分内の石英サーモウェル内に配置される。活性試験は、流通形反応器システムで、異なるガス混合物(表1に表される)を用いることによって行われた。FTIRおよび質量分光計(MS)が、ガス相流出物(例えば、NO、NO、HS、SO、NO、NH、CO、CO等)を分析するのに用いられた。二つのリッチガス混合物は、触媒上の硫黄種吸着に対して考慮された。第一のガスは、He中に、SO(またはHS)90ppm、C2000ppm、CO1000ppm、CO11%、6%HOからなる(表1、原料2a)。第二のガスは、He中に、SO(またはHS)90ppm、H1%、CO11%、6%HO/Heからなる(表1、原料2b)。リッチガス混合物を流しながら吸着された硫黄種は、次いで、触媒のNO吸蔵容量を測定する前に、リーンガス混合物(表1、原料3)下で酸化された。NO吸蔵容量の試験は、300℃で行われた。これは、NOを含むリーンガス混合物(表1、原料4)を流して、新規および硫黄被毒NSR触媒の両方によった。NOを硝酸塩として吸着した後、再生工程が用いられて、硝酸塩が、SOまたはHSを含まないリッチガス混合物(原料2aまたは原料2b)を用いて分解される。
Figure 0005629816
FTIR
用いられる分光計は、Nicolet670であった。液体窒素冷却MCT(Hg/Cd/Te)IR検知器は、高い信号/雑音比を提供するのに用いられた。研究される小さなガス分子の狭い自然線幅から、解像度0.5cm−1で運転された。この解像度では、1スキャンは1.5秒を要する。バックグラウンドスペクトルは、乾燥He流で充填されたセルを用いて、毎日収集された。ZnSe窓を装備した路長2および10mを有する二つのガスセルが用いられた。セルは、温度165℃へ加熱された。
質量分光計
四極子MS(Pfeifer真空系)が、硫黄種の分析に用いられた。
XRD
X線粉末回折パターンは、Siemens D500回折計で、Cu Kα放射を用いて記録された。
熱力学計算
熱力学計算は、市販ソフトウェアHSC化学を用いて行われた。
実施例1:NO還元効率(450℃)に対するSOおよびHSの効果
硫黄種と貴金属点(例えば、Ptおよび/またはRh)との相互作用を、直接、リッチ条件下でNO還元に着目することによって決定することができる。貴金属点のいかなる被毒も、NO転化率の減少をもたらすであろう。図5には、C/COを含む模擬リッチ排気下でのNO還元(450℃)に対して、捕捉されるSOおよびHSの効果を示すグラフが表される(原料2a)。図5からわかるように、NO転化率100%は、硫黄なしに達成される。硫黄種(SOまたはHS)が添加された場合には、NO転化率は、暴露時間の関数として減少する。例えば、SOへの暴露15分後には、NO転化率は、約20%減少する。この減少は、HSの存在で50%に達した。これは、貴金属点の硫黄被毒は、SOよりHSでより激しいことを示す。NO転化率は、ほぼ40%で安定化する。これは、貴金属点のまさに部分被毒を示す。図6には、1%Hを含む模擬リッチ排気下でのNO還元(450℃)に対して、SOの効果を示すグラフが表される(原料2b)。図面に表されるように、NO転化率100%が得られる。これは、貴金属点の被毒が全くないことを示す。図7には、Hを含むリッチガス混合物下でのNO還元(300℃および450℃)に対して、HSの効果を示すグラフが表される(原料2b)。図からわかるように、300℃では、NO転化率は減少するが、ほぼ50%で安定化する。これは、貴金属点のまさに一部の被毒を示す。一方450℃では、NO転化率100%が得られる。これは、貴金属点の被毒が全くないことを示す。図8には、C/COを含むリッチガス混合物下でのNO還元(300℃)に対して、HSの効果を示すグラフが表される(原料2a)。図からわかるように、NSR触媒トラップが、CO/Cを含むリッチガス混合物に、HSの存在下に300℃で暴露される場合には、貴金属点(PtおよびRh)の完全な被毒が示される。実際に、NO転化率は、完全に、HSへの暴露10分後には失われる。HSの除去後でさえ、NO転化率は、回復されなかった。これは、貴金属点の不可逆被毒を示す。しかし、リッチ混合物への酸素500ppmの添加(原料2a)後には、NO転化率の完全な回復が観察される。これは、再生された貴金属点を示す。
硫黄種が存在する際のNO転化率の減少(図5)は、貴金属点におけるSOおよびHSの解離による金属硫化物(例えば、PtS)の形成に起因する。用いられる条件下で、NO転化率が、硫黄種が存在する際に、ほぼ40〜50%で安定化するという事実(図5、7)は、貴金属点の限定部分が、硫黄によって被毒されることを示す。出版文献に基づいて、NO転化率の減少は、Pt点の被毒に起因すると考えられる。しかしRh点に関しては起因しない。実際に、三元触媒(TWC)におけるPtおよびRhに関する初期の実験室試験では、触媒活性の硫黄阻害が、触媒組成および運転条件の両方に依存すると示される(非特許文献9、非特許文献10、非特許文献11、非特許文献12)。SOは、激しく、燃料リッチ運転条件下で、PtによるNO転化およびアンモニア形成を阻害するが、Rh触媒のNO性能に対しては最小の効果をもたらしたことが見出された。硫黄阻害は、化学量論条件下でははるかに低いことが見出された。また、RhによるNO還元率は、SOの存在下および非存在下の両方で、Ptによるより高いことが見出された。RhおよびPtの間の性能差は、SOが存在する場合には、Pt触媒のより大きな硫黄阻害により、より顕著である(非特許文献11)。COが存在する場合には、SOは、Rh触媒に吸着されないが、COおよびSOの共吸着が、Pt触媒で観察された(非特許文献13)。これらの文献は、硫黄種と、RhとよりPtとの強い相互作用を明らかにする。他の興味ある観察は、リッチ排気への少量のOの添加が、NO還元率の完全な回復をもたらすことである(図8)。これは、硫化物種が、貴金属表面から除去されることができることを示す。これは、明らかに、反応3の逆、および次の反応で示されるSOの形成によって達成される。
(S)吸着+3(O)吸着=(SO吸着=(SOガス
酸素を添加して貴金属被毒を回避することに伴う一つの問題は、吸着された硫化物種の酸化が、SOの形成をもたらすことができることである。これは、次いで、NO吸蔵成分(例えば、Ba点)を被毒することができる。
実施例2:吸着された硫黄種の酸化後におけるリーン条件(300℃)下でのNO(NO+NO)の吸着(原料3)
NO吸蔵点(例えば、Ba)が、捕捉された硫黄種によって被毒される程度を示すために、NO吸蔵効率を、リーン条件下300℃で、新規NSRトラップに対して、および硫黄被毒の異なるサイクルの後に評価した(表1、原料4)。被毒の各サイクルは、Pt含有NOトラップを、SOまたはHSを含むリッチガス原料を用いて、300℃または450℃で30分間処理する工程(表1、原料2aまたは2b)、続いてリーン条件下で15分間酸化する(表1、原料3)工程からなる。NO吸蔵点(例えば、Ba)の硫黄によるいかなる被毒も、NO吸蔵効率の減少をもたらす。NO吸蔵を、原料4を用いて評価した(表1)。
図9には、C/COを含む模擬リッチ条件下でのSO による被毒1サイクル(原料2a)、および吸着されたSOの酸化(450℃)(原料3)に続く、NO吸蔵効率(300℃)(原料3)を示すグラフが表される。図10には、C/COを含む模擬リッチ条件下でのHSによる被毒1および5サイクル(原料2a)に続くNSR触媒トラップのNO吸蔵効率(300℃)(原料3)、および各サイクルの間で吸着されたHSの酸化(450℃)(原料3)を示すグラフが表される。図11には、Hを含む模擬リッチ条件下でのSOによる被毒1および5サイクル(原料2b)に続くNO吸蔵効率(300℃)(原料4)、および各サイクルの間で吸着されたSOの酸化(450℃)(原料3)を示すグラフが表される。図12には、Hを含む模擬リッチ条件下でのHSによる被毒1および5サイクル(原料2b)に続くNO吸蔵効率(300℃)(原料4)、および各サイクルの間で吸着されたHSの酸化(450℃)(原料3)を示すグラフが表される。図13には、Hを含む模擬リッチ条件下でのHSによる被毒1および5サイクル(原料2b)に続くNO吸蔵効率(300℃)(原料4)、および各サイクルの間で吸着されたHSの酸化(450℃)(原料3)を示すグラフが表される。
図8〜13には、被毒NSR触媒トラップのリーン条件下でのNO吸蔵効率(原料4)が、SOによるか(図9、11)、またはHSによるか(図10、12、13)のいずれかで表される。C/COを含む模擬リッチ条件において吸着された硫黄種の原料3による酸化(原料2a)は、それぞれSO(図9)およびHS(図10、13)によるNO吸蔵容量の減少12および20%による被毒1サイクル後に、NO吸蔵成分(例えば、Ba)に影響を及ぼす。NO吸蔵効率は、HS被毒5サイクルの後に減少し続け(図10、13)、減失40〜50%が、NO吸蔵成分の被毒により、直列で観察される(例えば、吸着された硫黄種の酸化の後のBaSOの生成)。一方、NO吸蔵効率は、NSR触媒トラップが、Hの存在下450℃で硫黄種に暴露される場合に、影響されない(図11、および図12)。SOが存在する際には(図11)、NO吸蔵容量は、被毒5サイクルの後でさえ、新規触媒に相当する。HSが存在する際には(図12)、新規、および最初の10分間に被毒された触媒の間の差は全くなく、唯一の若干の変化は、その後、実験誤差に関して観察される。Hが存在する場合でさえ、温度は、いかなる吸蔵効率減をも回避するように制御されることが必要である。実際に、NO吸蔵容量は、NSR触媒トラップが、Hの存在下300℃でHSへ暴露された場合に、20〜50%減少する。
実施例3:NO吸蔵点(例えば、Ba)およびNO還元点(例えば、Pt)との硫黄の相互作用の理解
硫黄種とバリウム点との相互作用を理解するためには、どの条件(リッチ/リーン)でバリウム点が硫黄によって被毒されるかを決定することが重要である。リッチ条件下では、バリウム点は、主に、炭酸バリウムとして存在する。これは、XRDによって示される(図14)。熱力学計算(図15)は、SOまたはHS種90ppmが、炭酸バリウムを、BaSOまたはBaSを形成することなく、450℃で通過することができることを示す。従って、リッチガス混合物および温度450℃の下では、バリウム点への硫黄種の吸着は、全く生じないことが、結論付けられることができる。何故炭酸バリウム点は、リーン条件下で捕捉された硫黄種によって被毒されるかを理解することは重要である。リッチ条件化での貴金属点およびリーン条件下でのバリウム点の硫黄被毒の間には相関がある。実際に、リッチ条件下で硫黄種が存在する場合に、NSR触媒トラップによるNO還元効率のいかなる減少(図5、7、8を参照されたい)も、リーン条件下でのNO吸蔵容量の減少をもたらす(図6、9、10、13を参照されたい)。一方、NO還元100%は、リッチ条件下で観察される場合(図6、7)には、リーン条件下でのNO吸蔵の減失は、全く観察されない(図11、12)。バリウムおよびPt点の被毒を説明する簡単な図式は、図16に示される。リッチ条件下では、(C/CO)硫黄種は、PtSを形成するPt点と相互作用し、次いでリーン条件へ切替えられた場合に、吸着された硫化物は、SOへ酸化される。これは、次いで、炭酸バリウムと反応して、BaSOが形成される。PtSの形成を回避するために、Hが、反応(Pt+HS=PtS+H)の平衡をシフトするのに必要とされる。平衡を右へシフトするには、温度およびH濃度を制御することが重要である。図17に類型化されるように、H/HSは、PtSの形成を回避するのに必要とされる。例えば450℃では、H/HSは、50より高いことが必要である。H/HS比は、温度の上昇と共に減少する。
要約すると、この研究は、模擬リッチ条件(CおよびCOは存在し、酸素は全く存在しない)下では、硫黄種は、NSR触媒トラップに、温度300℃〜450℃で捕捉されたことを示す。これらの吸着は、貴金属点の被毒をもたらす。これは、NO還元の減少によって証明される。リーン条件へ切替えた場合には、捕捉された硫黄種は、バリウム点を被毒する。これは、NO吸蔵容量の減少によって証明される。これらの条件下では、商業NSR触媒トラップの上流の硫黄トラップは、実行不可であり、NSRをバイパスすることが、これらの条件が用いられないであろう場合に必要である。一方、この研究は、リッチ条件下での硫黄吸着が、硫黄種SO/HSをHの存在下に、温度450℃で放出することによって最小化されるか/排除されることができることを示す。この温度においては、BaSO/BaSの形成は、好ましくなく、Hが、硫黄のPt点への吸着を阻害することがわかる。加えて、NO吸蔵容量について、新規および硫黄被毒NSR触媒トラップの間の比較は、バリウム点の硫黄被毒が全くないことと一致して、類似の捕捉効率を示す。この発見の意味は、硫黄トラップを商業NSR触媒トラップの上流に展開することは、Hが、硫黄トラップの再生中に提供されることができる場合には、実行可能である。これらの発見を利用するためには、Hを車載で生成するように開発される戦略が必要とされる。加えて、温度範囲400〜600℃で再生可能なSOトラップが、NSR触媒トラップによる硫黄の吸着を回避し、触媒の高温脱硫酸化(>650℃)を限定するのに必要とされる。
実施例4〜9:硫黄トラップの調製、硫酸化、および再生の準備:
硫黄トラップの調製:
この試験で用いられた担体は、市販のAl(異なる表面積を有する)であった。Al担体を、先ず、550℃で4時間焼成した。乾燥されたAlを、次いで、Fe、Cu、Mn、Ce、Co、Pt、および他の成分から選択される金属塩溶液で含浸した。金属含有量は、それぞれ、Al担体100重量%に対して、0.5〜30重量%で異なった。SiO、ZrO、CeO−ZrO、およびZSM−5などの他の担体もまた用いられた。
Cu/Al触媒(実施例4)を、初期法技術によって完成した。この技術は、銅塩水溶液を、乾燥Alキャリヤーへ初期湿潤に達するまで添加することを含む。銅水溶液の濃度を、所望のCu充填量まで調整した。典型的な例として、硝酸銅ヘミペンタ水和物(Cu(NO 2.5HO))1.8301gを、脱イオン水5.2mlに溶解した。この溶液に、乾燥Al5gを添加した。調製されたままの固体を混合し、次いで、減圧オーブン中80℃で乾燥し、空気中550℃で4時間焼成した。最終硫黄トラップは、銅を、10重量%/100重量%Alの量で含んだ。銅は、酸化銅として、焼成試料中に存在する。
Mn/Al触媒(実施例5)を、実施例4におけると同じ方法で調製した。実施例4と相違して、Alを、硝酸マンガン水和物で含浸した。最終硫黄トラップは、マンガンを、10重量%/100重量%Alの量で含んだ。マンガンは、酸化マンガンとして、焼成試料中に存在する。
Co/Al触媒(実施例6)を、実施例4におけると同じ方法で調製した。実施例4と相違して、Alを、酢酸コバルト(II)四水和物で含浸した。最終硫黄トラップは、コバルトを、10重量%/100重量%Alの量で含んだ。コバルトは、酸化コバルトとして、焼成試料中に存在する。
Fe/Al触媒(実施例7)を、実施例4におけると同じ方法で調製した。実施例4と相違して、Alを、硝酸鉄(III)九水和物で含浸した。最終硫黄トラップは、鉄を、10重量%/100重量%Alの量で含んだ。鉄は、酸化鉄として、焼成試料中に存在する。
Ce/Al触媒(実施例8)を、実施例4におけると同じ方法で調製した。実施例4と相違して、Alを、硝酸セリウム(III)六水和物で含浸した。最終硫黄トラップは、セリウムを、20重量%/100重量%Alの量で含んだ。セリウムは、酸化セリウムとして、焼成試料中に存在する。
Pt−Fe/Al触媒(実施例9)を、以下のように調製した。即ち、Al担体を、白金(II)テトラアミン水溶液で含浸し、80℃で乾燥し、次いでHe中450℃で1時間焼成した。最終試料は、Pt2重量%を含む。これらの工程に続いて、乾燥Pt/Alを、次いで、硝酸鉄(III)九水和物の水溶液中で再含浸することによって含浸し、80℃で乾燥し、空気中550℃で4時間焼成した。焼成試料は、Pt2重量%およびFe10重量%を含んだ。
酸化Pt/Al触媒(実施例10)を、実施例9に類似の手順に従って調製した。この酸化触媒を、実施例4〜7に記載される硫黄トラップの上流で用いた。
硫酸化:
実施例4〜9の硫黄トラップ触媒を、ベンチ流通形反応器において、SOを含む模擬リーン排気ガスを用いて試験した。模擬リーン排気ガスは、SO30ppm、HO5%、CO5%、およびO10%を、ガス空間速度60,000/時で含んだ。典型的より高い二酸化硫黄濃度30ppmを用いて、硫酸化が促進される。実施例4〜9の触媒(14〜25メッシュサイズ)典型的に0.5gを、石英反応器に充填し、次いで温度加熱を、25℃から550℃へ、O10%下に10℃/分で昇温し、試料を550℃で1時間保持し、200〜500℃の範囲の所望温度へ冷却した。所望の温度で、SOを含む模擬リーン排気原料を、次いで、触媒に20時間通し、次いで触媒を、10%O/ヘリウムを用いて30分間パージした。比較のために、Pt/Al酸化触媒(実施例10)を、実施例4〜8の硫黄トラップの上流に置いた。層状触媒を、次いで、同じ条件で硫酸化した(上記参照)。
再生:
硫酸化硫黄トラップ(上記の硫酸化手順を参照されたい)を、10%H/Heで再生した。また、金属硫酸塩の熱分解を、He中で行った。硫酸化試料約20mgを、TGA天秤(TGA/SDTA851、Mettler Toledo Inc.)に入れ、ガス原料(H/HeまたはHe)を試料に通し、一方温度を、30℃から800℃へ温度傾斜速度10℃/分で昇温した。硫酸化試料から放出された硫黄種を、オンライン質量分光計(Pfeiffer Vacuum System)によって分析した。図18は、金属硫酸塩(例えば、400℃における硫酸化)の還元中の重量減(TGAによって決定される)の一次微分を示す。図からわかるように、重量減の異なる最大値が、異なる金属硫酸塩に対して観察される。例えば、最大温度重量減は、Cu/Al対しては300℃で、Fe/Alに対しては460℃で、Co/Alに対しては520℃で、およびMn/Alに対しては620℃で観察される。H下でのこの重量減に対応する放出された硫黄種のMS信号(SO:m/e=64、およびHS:m/e=34)を、図19〜22に示す。図からわかるように、SOは、硫黄還元の主生成物である。Cu/Al試料については、SO放出の二つのピークを、300℃および350℃に見ることができる。また、HS脱着のピークは、高温(>450℃)で観察される(図19)。Fe/Alについては、単一のSO脱着ピークが、460℃で観察され、完全な脱着は、500℃未満である(図20)。Co/Alについては、SOの単一の脱着ピークが、最大温度520℃で観察される(図21)。加えて、HSはまた、高温(>600℃)で観察された。Mn/Alについては、最大のSO脱着ピークは、625℃で見られルことができ、完全な脱着は、温度650℃である(図22)。
硫酸化Ce/Al(200℃で硫酸化)の10%H/He中での再生は、SO(580℃)およびHS(630℃)の二つの脱着ピークをもたらす。これは、図23に示される。温度を600℃未満に制御することにより、HSの排出を回避することが可能であろう。
硫酸化Pt−Fe/Al(400℃で硫酸化)の10%H/He中での再生は、硫黄種の脱着を、温度600℃未満で全く示さず、HSのみが、温度650℃超で観察される(図24)。一方、Hが、Heと置換えられる場合には、硫酸塩の硫酸化試料からの分解は、温度範囲400〜650℃で起こる(図25)。硫黄は、主にSOとして放出される。これらの結果は、明らかに、H流下では、硫黄は、触媒上に保持されることを示す。Ptが存在する場合には、硫酸塩は、HSへ還元され、次いで鉄と反応して、安定な硫酸鉄(例えば、FeS)が形成される。結論として、Ptを含まない硫黄トラップを保持することが重要である。Ptを利用する一つの方法は、それを、上流の酸化触媒として、下流のPtを含まない硫黄トラップ(層状触媒)と共に用いることである。これは、実施例4〜7から選択される。この場合には、SOのSOへの酸化は、硫黄トラップの上流で、硫黄トラップからの硫黄種の脱着に影響を及ぼすことなく起こる。典型的な実施例として、図26〜27は、硫酸化Fe/Al触媒(硫酸化は、実施例10からの上流のPt/Alによりなされた)からの硫黄種の放出を示す。唯一の脱着ピークは、最大温度460℃で観察される(図26)。また、等温が用いられた場合(450℃)には、SOとしての硫黄の完全な脱着が起こり、温度が、450℃から700℃へ昇温された場合には、硫黄の脱着は、全く観察されない。これは、450℃における鉄からの完全な硫黄脱着を示す(図27)。
要約すれば、Cu/アルミナ系は、SOとしての硫黄の脱着ピークを300〜350℃以下で示す。しかし、この温度では、SOは、NSR触媒トラップ点を被毒するであろう(図5、8、および7を参照されたい)。また、Mn/Alは、より高い温度の脱着ピーク(>600℃)を示す。これは、再生可能な硫黄トラップとして実用的でない。Co/AlおよびFe/Alは、硫黄が、温度範囲400〜600℃で放出されることができる場合には、好ましい硫黄トラップの候補である。また、単にSOを製造するが、HSを全く製造しない硫酸化Fe/Alの完全な等温再生(例えば、450℃)を、述べることは非常に重要である。これは、わが発明を実質的な利点を示すことができる。この温度では、硫黄種は、NSR触媒トラップを、所望量のHの存在下に活性点のいかなる被毒もなしに、通過することができる。また、貴金属(例えば、Pt)を含まない硫黄トラップを、保持することは重要である。Pt族金属は、上流位置で用いられて、SOへのSOの酸化を強化することによって、低温吸着(300℃未満)が促進されることができる。低温吸着の他の可能性は、セリア担持触媒または安定化セリア−ジルコニアを、Ptを含まない硫黄トラップの下流で用いることである。典型的に最適化された硫黄トラップは、上流のPt含有酸化触媒(例えば、Pt/AlまたはPt含有DPF系)、Ptを含まないSOトラップ(例えば、Fe/Al)、および下流のセリア含有試料を有するであろう。
排気自動車適用については、これらの触媒は、別個の基体(流通形ハニカムモノリスなど)に提供されることができる。モノリスは、金属またはセラミックであることができ、その際セラミックは、アルミナ、ムライト、炭化ケイ素、ジルコニアは選択肢であるものの、コーディエライトであることができる。被覆された基体の製造は、当業者に知られる方法によって行われることができ、更なる説明は、ここでは、示されないであろう。
実施例11〜12:水性ガスシフト触媒の調製、およびCeO−ZrO担体の前処理
2.6%CeO−ZrO試料(実施例11)
ZrOCl・8HO500gおよびCe(SO14gを、蒸留水3.0lに、撹拌しながら溶解した。濃NHOH260gおよび蒸留水3.0lを含む他の溶液を調製した。これらの二つの溶液を、混合用ノズルを用いて、速度50ml/分で組み合わせた。最終複合物のpHを、濃水酸化アンモニウムを添加することによって、約8に調整した。このスラリーを、次いで、ポリプロピレンボトルに入れ、スチームボックス(100℃)中に72時間入れた。形成された生成物を、ろ過によって回収し、過剰水によって洗浄し、フィルターケーキとして貯蔵した。フィルターケーキを、終夜100℃で乾燥した。その後、乾燥フィルターケーキの一部を、空気流中で、700℃で全3時間焼成し、次いで冷却させた。セリウムの含有量は、2.6%であった。試料の名称は、2.6%CeO−ZrOであった。
17.65%CeO−ZrO試料(実施例12)
ZrOCl・8HO500gおよびCe(SO140gを、蒸留水3.0lに、撹拌しながら溶解した。濃NHOH260gおよび蒸留水3.0lを含む他の溶液を調製した。これらの二つの溶液を、混合用ノズルを用いて、速度50ml/分で組み合わせた。最終複合物のpHを、濃水酸化アンモニウムを添加することによって、約8に調整した。このスラリーを、次いで、ポリプロピレンボトルに入れ、スチームボックス(100℃)中に72時間入れた。形成された生成物を、ろ過によって回収し、過剰水によって洗浄し、フィルターケーキとして貯蔵した。フィルターケーキを、終夜100℃で乾燥した。その後、フィルターケーキの一部を、空気流中で、700℃で全3時間焼成した。セリウムの含有量は、17.6%であった。試料の名称は、17.65%CeO−ZrOであった。
WGSの試験を、ステンレススチール製実験室マイクロリアクターを用いて行った。触媒(25〜30メッシュサイズ)を、反応器に充填し、次いでWGS反応の前に、4%H/ヘリウム中400℃で2時間還元した。水を、次いで、蒸発装置へ供給した(120℃)。次いで、蒸発装置中で、一酸化炭素(CO)および窒素(N)原料ガスと混合した。ガス混合物を、加熱ライン(110℃)を経て、固定床実験室マイクロリアクターに通した。反応器からのガス状生成物(CO、H)を、ヒューレットパッカード6890ガスクロマトグラフの熱伝導率検出器(TCD)を用いて定量した。ガス混合物は、以下からなった。即ち、CO=4%、HO=17%、および全流速(GHSV=14,638時−1など)である。
CeO−ZrO触媒は、温度範囲150〜450℃では、WGS反応に対して不活性であった。
実施例13および14:Pt担持CeO−ZrOに対する水性ガスシフト触媒の調製
実施例4および実施例6で調製された2.6%CeO−ZrOおよび17.6%CeO−ZrO担体を、以下のようにPtで充填した。即ち、塩化テトラアンミンプラチン(II)水和物51mgを、水30mlに溶解し、次いでCeO−ZrO3gを添加した。混合物を4時間混合した。溶液のpHは、2.6%CeO−ZrOでは2.41であり、一方この値は、17.6%CeO−ZrOが用いられた場合には2.83に達した。過剰の溶液を、撹拌しながら、90℃で加熱することによって除去した。オーブン中で終夜乾燥した後、固体を、空気中400℃で4時間焼成した。試料中のPt充填量は、1重量%であった。
Pt/2.6%CeO−ZrO(実施例13)およびPt/17.6%CeO−ZrO(実施例14)を、4%H/He中400℃で還元し、次いでそれらのWGS性能を、異なる温度および全流速(GHSV=14,638時−1(図28)、またはGHSV=73,194時−1(図29)など)で試験した。図からわかるように、図28および29から、触媒は、広い温度窓で活性である。温度350℃未満では、Pt/2.6%CeO−ZrOは、Pt/17.6%CeO−ZrOより、高いH製造を示す。これは、担体の酸性度およびPtの分散を制御する際のセリウム充填の重要性を示す。GHSVの増大は、両触媒のWGS活性の減少をもたらす。本発明者らの適用に対する当該温度(例えば、450℃)では、製造されるHは、CO転化率60〜70%で、範囲2.3〜2.6%にある。
実施例15および16:水性ガスシフト触媒の調製、およびRh担持CeO−ZrO触媒の試験
実施例11〜12で調製された2.6%CeO−ZrOおよび17.6%CeO−ZrO担体を、以下のようにRhで充填した。即ち、三塩化ロジウム(III)37.5mgを、水30mlに溶解し、次いでCeO−ZrO3gを添加した。混合物を4時間撹拌した。溶液のpHは、2.6%CeO−ZrO(実施例11)では2.25であり、この値は、17.6%CeO−ZrO(実施例12)が用いられた場合には2.58に達した。過剰の溶液を、撹拌しながら、90℃で加熱することによって除去した。オーブン中、終夜80℃で乾燥した後、固体を、空気中400℃で4時間焼成した。試料中のRh充填量は、0.5重量%であった。
調製されたままの触媒を、4%H/He中400℃で還元し、次いでそれらのWGS性能を、CO=4%、HO17%、および全流速(GHSV=14,638時−1(図30)など)で試験した。図からわかるように、両触媒は、最大H濃度約2.5%の同等の活性を、450℃で、およびCO転化率70%で示す。
WGS触媒を、別の基体上に提供することができる。流通形ハニカムモノリスなどである。モノリスは、金属またはセラミックであることができ、その際セラミックは、アルミナ、ムライト、炭化ケイ素、ジルコニアが代替物であるものの、コーディエライトであることができる。被覆基体の製造は、当選業者に知られる方法によって行われることができ、更なる説明は、本明細書には示されないであろう。他の実施形態においては、WGS成分は、NSR触媒トラップの処方に含まれることができる。また、WGS成分は、同じモノリス上にNSR成分と共に層状にされることができる。
本発明に従って、エンジンからの排気ガスの処理装置を示す概略図を表す。排気ガス処理装置には、Hリッチガス生成装置システム(1)、Hリッチガス生成装置システム(1)の下流のSOトラップ(2)、およびSOトラップ(2)の下流のNSR触媒トラップ(3)が含まれる。 エンジンからの排気ガスの処理装置を示す概略図を表す。図1から唯一の相違点は、リッチガスH生成装置システム(1)が、SOトラップ(2)の下流、かつNSR触媒トラップ(3)の上流に配置されることである。 内燃機関の排気ガス浄化システムを示す概略図を表す。これは、Hリッチガス生成システム(1)、および3触媒システム(硫黄トラップ(2)、水性ガスシフト(WGS)触媒(2’)、およびNSR触媒トラップ(3))を有する。図1からの唯一の相違点は、WGS触媒(2’)がNSR触媒トラップ(3)の上流に加えられることである。 本発明に従って、内燃機関の排気ガス浄化システムを示す概略図を表す。これは、Hリッチガス生成装置システム(1)、および3触媒システム(硫黄トラップ(2)、WGS(2’)、NSR触媒トラップ(3))、並びにそのうえ清浄化トラップ/触媒(4)を有する。 NSR触媒トラップによる、C/COを含む模擬リッチ条件下でのNO還元(450℃)を、硫黄種を含みかつHなしの場合(原料2a、表1)、および硫黄種を含まずかつHなしの場合(原料1、表1)に示すグラフを表す。 NSR触媒トラップによる、Hを含む模擬リッチ条件下でのNO還元(450℃)に対するSOの効果を示すグラフを表す(原料2b)。 NSR触媒トラップによる、Hを含む模擬リッチ条件下でのNO還元(300℃および450℃)に対するHSの効果を示すグラフを表す(原料2b)。 NSR触媒トラップによる、C/COを含む模擬リッチ条件下でのNO還元(300℃)に対するHSの効果を示すグラフを表す(原料2a)。 /COを含む模擬リッチ条件下で、SOによる1サイクル被毒(原料2a)に続く300℃におけるNO吸蔵(原料4)、および吸着されたSOの酸化(450℃)(原料3)を示すグラフを表す。 /COを含む模擬リッチ条件下でのHSによる1および5サイクル被毒(原料2a)に続くNSR触媒トラップによるNO吸蔵(300℃)(原料4)、および各サイクルの間での吸着されたHSの酸化(450℃)(原料3)を示すグラフを表す。 を含む模擬リッチ条件下でのSOによる1および5サイクル被毒(原料2b)に続くNSR触媒トラップによるNO吸蔵(300℃)(原料4)、および各サイクルの間での吸着されたHSの酸化(450℃)(原料3)を示すグラフを表す。 を含む模擬リッチ条件下でのHSによる1および5サイクル被毒(原料2b)に続くNSR触媒トラップによるNO吸蔵(300℃)(原料4)、および各サイクルの間での吸着されたHSの酸化(450℃)(原料3)を示すグラフを表す。 を含む模擬リッチ条件下でのHSによる1および5サイクル被毒(原料2b)に続くNSR触媒トラップによるNO吸蔵(300℃)(原料4)、および各サイクルの間での吸着されたHSの酸化(300℃)(原料3)を示すグラフを表す。 前処理された新規NSRのXRDパターンを表す。 SOおよびHSレベルを示すグラフを表す。それ未満では、NSR触媒トラップのバルク固体被毒は、温度の関数として生じないであろう。 リッチからリーンの条件でサイクルする場合に、NSR触媒トラップにおけるPtおよびBa点の硫黄被毒を示す概略図を表す。 PtSの形成を回避するのに必要とされるH/HS比を、SO触媒トラップの再生中に、温度の関数として示すグラフを表す。 硫酸化金属含有アルミナ(金属=Cu、Fe、Co、およびMn)の還元における、重量減の一次微分を示すグラフを表す。 硫酸化Cu/Al(400℃で硫酸化)の還元中に放出される硫黄種を示すグラフを表す。 硫酸化Fe/Al(400℃で硫酸化)の還元中に放出される硫黄種を示すグラフを表す。 硫酸化Co/Al(400℃で硫酸化)の還元中に放出される硫黄種を示すグラフを表す。 硫酸化Mn/Al(400℃で硫酸化)の還元中に放出される硫黄種を示すグラフを表す。 硫酸化Ce/Al(200℃で硫酸化)の還元中に放出される硫黄種を示すグラフを表す。 硫酸化Pt−Fe/Al(400℃で硫酸化)の還元中に放出される硫黄種を示すグラフを表す。 硫酸化Pt−Fe/Al(400℃で硫酸化)のHe中熱分解中に放出される硫黄種を示すグラフを表す。 硫酸化Fe/Alの還元中に放出される硫黄種を示すグラフを表す。その際、上流のPt/Alが、硫酸化(400℃で硫酸化)中に用いられた。 硫酸化Fe/Alの等温還元(450℃)中に開放される硫黄種を示すグラフを表す。その際、上流のPt/Alが、リーン硫酸化(400℃で硫酸化)中に用いられた。 水素濃度:温度、およびCe充填量を、原料(4%CO+17%HO)に対するPt担持CeO−ZrOによる水性ガスシフト反応(GHSV=14,683時−1)に対して示すグラフを表す。 水素濃度:温度、およびCe充填量を、原料(4%CO+17%HO)に対するPt担持CeO−ZrOによる水性ガスシフト反応(GHSV=73,194時−1)に対して示すグラフを表す。 水素濃度:温度、およびCe充填量を、原料(4%CO+17%HO)に対するRh担持CeO−ZrOによる水性ガスシフト反応(GHSV=14,683時−1)に対して示すグラフを表す。

Claims (48)

  1. 燃焼源のための排気ガス浄化システムであって、
    a)Hリッチガス生成装置システム;
    b)硫黄酸化物トラップ;および
    c)窒素吸蔵還元(NSR)触媒トラップ
    を含み、
    前記NSR触媒トラップは、前記硫黄酸化物トラップおよび前記Hリッチガス生成装置システムの下流に配置され、
    前記硫黄酸化物トラップは、リッチ燃/空比条件下で再生中、前記下流のNSR触媒トラップへ硫黄原子種を放出し、
    前記NSR触媒トラップは、前記Hリッチガス生成装置システムからのH存在下、450〜600℃の温度であり、前記硫黄酸化物トラップの再生中、前記放出された硫黄原子種(H S)に対するHの原子比(H /H S)50以上であり、
    前記硫黄酸化物トラップから放出された硫黄原子種は、NO吸蔵及びNO還元成分を被毒することなく前記NSR触媒トラップを通過する
    ことを特徴とする排気ガス浄化システム。
  2. 前記Hリッチガス生成装置システムは、前記硫黄酸化物トラップの上流に配置されることを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  3. 前記Hリッチガス生成装置システムは、前記硫黄酸化物トラップの下流に配置されることを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  4. 前記Hリッチガス生成装置システムは、シリンダー内燃料噴射を用いるエンジン管理システム、車載補充可能水素貯蔵容器、車載プラズマトロン生成装置、車載スチーム改質装置、車載自動熱改質装置、車載圧力スイング改質装置および車載水電解システムからなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  5. 前記硫黄酸化物トラップの下流かつ前記NSR触媒トラップの上流に配置される水性ガスシフト触媒を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の排気ガス浄化システム。
  6. 前記水性ガスシフト触媒は、Pt担持セリア−ジルコニア、Pt担持セリア、Rh担持セリア−ジルコニア、Rh担持セリアまたはそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項5に記載の排気ガス浄化システム。
  7. 前記NSR触媒トラップ内に水性ガスシフト触媒を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の排気ガス浄化システム。
  8. 前記水性ガスシフト触媒は、Pt担持セリア−ジルコニア、Pt担持セリア、Rh担持セリア−ジルコニア、Rh担持セリアまたはそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項7に記載の排気ガス浄化システム。
  9. 前記硫黄酸化物トラップは、銅、鉄、マンガン、コバルト、セリア、ジルコニア、錫、チタン、ランタン、リチウム、ビスマスおよびそれらの組み合わせの酸化物からなる群から選択される酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  10. 前記硫黄酸化物トラップは、SOを、金属硫酸塩として、リーン燃/空比条件下に温度200℃〜550℃で吸着することを特徴とする請求項9に記載の排気ガス浄化システム。
  11. 前記硫黄酸化物トラップは、原子状硫黄種を、リッチ燃/空比条件下、温度300℃〜600℃で、Hリッチガス生成装置システムからのHの非存在下または存在下に放出することを特徴とする請求項10に記載の排気ガス浄化システム。
  12. 前記硫黄酸化物トラップは、原子状硫黄種を、リッチ燃/空比条件下に温度400℃〜550℃で放出することを特徴とする請求項11に記載の排気ガス浄化システム。
  13. 前記硫黄酸化物トラップは、アルミナ、安定化ガンマアルミナ、MCM−41、ゼオライト、シリカ−チタニア、チタニア−ジルコニアおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される担体物質を更に含むことを特徴とする請求項9に記載の排気ガス浄化システム。
  14. 前記硫黄酸化物トラップは、SOを、金属硫酸塩として、リーン燃/空比条件下に温度200℃〜550℃で吸着することを特徴とする請求項13に記載の排気ガス浄化システム。
  15. 前記硫黄酸化物トラップは、原子状硫黄種を、リッチ燃/空比条件下、温度300℃〜600℃で、Hリッチガス生成装置システムからのHの非存在または存在下に放出することを特徴とする請求項14に記載の排気ガス浄化システム。
  16. 前記硫黄酸化物トラップは、原子状硫黄種を、温度400℃〜550℃で放出することを特徴とする請求項15に記載の排気ガス浄化システム。
  17. 前記硫黄酸化物トラップの上流に配置される、白金(Pt)族金属含有酸化触媒、非Pt族金属含有ディーゼルパティキュレートフィルターまたはPt族金属含有ディーゼルパティキュレートフィルターを更に含み、
    前記白金族金属は、Pt、Rh、Pdおよびそれらの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  18. 前記ディーゼルパティキュレートフィルターは、硫黄酸化物トラップ成分でウォッシュコートされることを特徴とする請求項17に記載の排気ガス浄化システム。
  19. 前記NSR触媒トラップは、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  20. 前記NSR触媒トラップは、Pt、Rh、Pdおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される白金族金属を更に含むことを特徴とする請求項19に記載の排気ガス浄化システム。
  21. 前記NSR触媒トラップは、セリア、ジルコニア、チタニア、鉄、コバルト、マンガン、ニッケル、ランタン、アルミナまたはそれらの組み合わせを更に含むことを特徴とする請求項19に記載の排気ガス浄化システム。
  22. 前記NSR触媒トラップは、温度が400〜550℃であることを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  23. 前記NSR触媒トラップは、温度が400〜500℃であることを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  24. 前記NSR触媒トラップは、温度が400〜450℃であることを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  25. 前記NSR触媒トラップは、前記Hリッチガス生成装置からのH存在下、温度が550〜600℃であり、放出された硫黄原子種に対するHの原子比が13以上であることを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  26. 前記NSR触媒トラップは、前記Hリッチガス生成装置からのH2存在下、温度が500〜600℃であり、放出された硫黄原子種に対するHの原子比が18以上であることを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  27. 前記NSR触媒トラップは、前記Hリッチガス生成装置からのH存在下、温度が450〜600℃であり、放出された硫黄原子種に対するHの原子比が42以上であることを特徴とする請求項1に記載の排気ガス浄化システム。
  28. 排気ガス処理の向上方法であって、
    i)燃焼源を、
    a)Hリッチガス生成装置システム;
    b)硫黄酸化物トラップ;および
    c)窒素吸蔵還元(NSR)触媒トラップ
    を含む排気ガス浄化システムに供給する工程であって、
    前記NSR触媒トラップは、前記硫黄酸化物トラップおよび前記Hリッチガス生成装置システムの下流に配置される工程;
    ii)前記硫黄酸化物トラップを、リッチ燃/空比条件下、前記下流のNSR触媒トラップへ硫黄原子種を放出することにより再生する工程;および
    iii)前記NSR触媒トラップを、前記硫黄酸化物トラップの再生工程中、放出された硫黄原子種(H S)に対するHの原子比(H /H S)50以上で、Hリッチガス生成装置からのH存在下、450〜600℃の温度に維持する工程;
    を含み、
    前記硫黄酸化物トラップにより放出された前記硫黄原子種は、前記NO吸蔵およびNO還元成分を被毒することなく前記NSR触媒トラップを通過する
    ことを特徴とする方法。
  29. 前記NSR触媒トラップの下流に配置される清浄化触媒トラップを更に含むことを特徴とする請求項28に記載の排気ガス処理の向上方法。
  30. 前記清浄化触媒トラップは、硫化水素を、リッチ燃/空比条件で吸着し、SOを、リーン燃/空比条件で放出することを特徴とする請求項29に記載の排気ガス処理の向上方法。
  31. 前記清浄化触媒トラップは、鉄酸化物、ニッケル酸化物、マンガン酸化物、コバルト酸化物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される卑金属酸化物を含むことを特徴とする請求項30に記載の排気ガス処理の向上方法。
  32. 前記卑金属酸化物は、アルミナ、安定化ガンマアルミナ、MCM−41、ゼオライト、チタニア、チタニア−ジルコニアおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される物質上に担持されることを特徴とする請求項31に記載の排気ガス処理の向上方法。
  33. 前記清浄化触媒トラップは、セリア、白金族金属およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるHC/CO酸化のための成分を含むことを特徴とする請求項29に記載の排気ガス処理の向上方法。
  34. 前記HC/CO酸化のための成分は、アルミナ、安定化ガンマアルミナ、MCM−41、ゼオライト、チタニア、チタニア−ジルコニアおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される物質上に担持されることを特徴とする請求項33に記載の排気ガス処理の向上方法。
  35. 前記清浄化触媒は、酸性金属酸化物、ゼオライトおよび金属含有ゼオライトからなる群から選択されるNH捕捉のための成分を含むことを特徴とする請求項29に記載の排気ガス処理の向上方法。
  36. 前記酸性金属酸化物は、タングステン−ジルコニア、硫酸化ジルコニア、硫酸化セリア−ジルコニア、リン酸化ジルコニアおよびリン酸化セリア−ジルコニアからなる群から選択されることを特徴とする請求項35に記載の排気ガス処理の向上方法。
  37. 前記ゼオライトは、ZSM−5、ベータ、MCM−68、フォージャサイトおよびMCM−41からなる群から選択されることを特徴とする請求項35に記載の排気ガス処理の向上方法。
  38. 前記金属含有ゼオライトは、銅、鉄、コバルトおよび銀からなる群から選択される金属を含むことを特徴とする請求項35に記載の排気ガス処理の向上方法。
  39. 前記硫黄酸化物トラップの上流に、触媒ディーゼルパティキュレートフィルターが配置されることを特徴とする請求項28に記載の排気ガス処理の向上方法。
  40. 前記硫黄トラップ触媒トラップおよび前記NSR触媒トラップを、燃料リッチ空/燃比で再生する工程を、低濃度Hの存在下に温度450℃〜550℃で行うことを特徴とする請求項28に記載の排気ガス処理の向上方法。
  41. 前記iii)工程は、前記NSR触媒トラップを400〜550℃の温度で維持することを特徴とする請求項28に記載の排気ガス処理の向上方法。
  42. 前記iii)工程は、前記NSR触媒トラップを400〜500℃の温度で維持することを特徴とする請求項28に記載の排気ガス処理の向上方法。
  43. 前記iii)工程は、前記NSR触媒トラップを400〜450℃の温度で維持することを特徴とする請求項28に記載の排気ガス処理の向上方法。
  44. 前記iii)工程は、前記NSR触媒トラップを、前記放出された硫黄原子種に対するHの原子比が13以上、Hリッチガス生成装置からのHの存在下、550〜600℃の温度で、維持することを特徴とする請求項28に記載の排気ガス処理の向上方法。
  45. 前記iii)工程は、前記NSR触媒トラップを、前記放出された硫黄原子種に対するHの原子比が18以上、Hリッチガス生成装置からのHの存在下、500〜600℃の温度で、維持することを特徴とする請求項28に記載の排気ガス処理の向上方法。
  46. 前記iii)工程は、前記NSR触媒トラップを、前記放出された硫黄原子種に対するHの原子比が42以上、Hリッチガス生成装置からのHの存在下、450〜600℃の温度で、維持することを特徴とする請求項28に記載の排気ガス処理の向上方法。
  47. 燃焼源のための排気ガス浄化システムであって、
    a)Hリッチガス生成装置システム;
    b)隣接層として担体物質上に析出される窒素吸蔵還元(NSR)触媒;および
    c)隣接層として前記NSR触媒上に析出される硫黄酸化物触媒
    を含み、
    前記硫黄酸化物触媒およびNSR触媒の組み合わせトラップは、前記Hリッチガス生成装置システムの下流に配置され、
    前記硫黄酸化物触媒は、硫黄原子種を、リッチ燃/空比条件下で再生中、NSR触媒へ放出し、
    前記NSR触媒は、Hリッチガス生成装置システムからのHの存在下、450〜600℃の温度であり、前記硫黄酸化物の再生中、前記放出された硫黄原子種(H S)に対するHの原子比(H /H S)50以上であり、
    前記硫黄酸化物トラップにより放出された前記硫黄原子種は、NO吸蔵およびNO還元成分を被毒することなく前記NSR触媒トラップを通過する
    ことを特徴とする排気ガス浄化システム。
  48. 燃焼源のための排気ガス浄化システムであって、
    a)Hリッチガス生成装置システム;
    b)隣接層として担体物質上に析出される窒素吸蔵還元(NSR)触媒;
    c)隣接層として前記NSR触媒トラップ上に析出される水性ガスシフト(WGS)触媒;および
    d)隣接層として前記水性ガスシフト触媒上に析出される硫黄酸化物トラップ
    を含み、
    前記硫黄酸化物触媒、WGS触媒およびNSR触媒の組み合わせトラップは、前記Hリッチガス生成装置システムの下流に配置され、
    前記硫黄酸化物触媒は、硫黄原子種を、リッチ燃/空比条件下で再生中、NSR触媒へ放出し、
    前記NSR触媒は、Hリッチガス生成装置システムからのHの存在下、450〜600℃の温度であり、前記硫黄酸化物の再生中、前記放出された硫黄原子種(H S)に対するHの原子比(H /H S)50以上であり、
    前記硫黄酸化物トラップにより放出された前記硫黄原子種は、NO吸蔵およびNO還元成分を被毒することなく前記NSR触媒トラップを通過する
    ことを特徴とする燃焼源に対する排気ガス浄化システム。
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