JP5628935B2 - メモリ修正用の適応可能な処理制約 - Google Patents

Description

本明細書の開示は、主に、半導体集積回路上または半導体集積回路内の構造を処理するためのレーザービームの使用に関する。

レーザーを基にした半導体処理システムは、主に、半導体基板上または半導体基板内の構造またはその材料を、例えば、穿孔し、加工し、トリミングし、切断し、スクライブし、マーキングし、分割し、形成し、加熱し、変形し、拡散し、焼鈍し、及び／または計測するために用いられる。集積回路（ＩＣ）の製造におけるスループットを向上させるため、レーザーを基にした処理システムは、半導体基板上または半導体基板内の選択された構造を精密にかつ急速に処理することが望ましい。しかしながら、既存のレーザーを基にした処理システムは、典型的には、当該システムによって処理されるあらゆる種類のＩＣに対して良好な精密性を提供できるように、保守的なパラメータのセットを用いて動作するように調整されている。かかる「ワンサイズフィットオール」式のアプローチは、しばしば、処理スピードの低下及び全体のスループットの低下につながる。

半導体リンク処理システムは、例えば、典型的には任意のＩＣ上のリンクを切断する際に、同レベルの精密性を提供する。製造の際に、ＩＣは、様々な理由からしばしば欠陥が生じる。このため、ＩＣデバイスは、通常は、例えば、メモリセルの予備の行及び列のような冗長回路構造を、ダイナミック・ランダム・アクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、スタティック・ランダム・アクセスメモリ（ＳＲＡＭ）あるいは内蔵メモリ等の半導体メモリデバイス内に備えるように設計されている。かかるデバイスは、また、冗長回路構造の電気接点の間に配置される、レーザーで切断可能な特定のリンクを備えるように設計されている。かかるリンクは、例えば、故障したメモリセルの接続を切り、及び、交換用の余分なセルに切り替えること等によって除去することができる。リンクは、また、同一化（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、形成（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）及び電圧調整のために除去されることもある。同様の技術が、ゲートアレイまたはアプリケーション・スペシフィック集積回路（ＡＳＩＣ）等のロジック構造をプログラミングまたは形成するためにリンクを切断する際に適用される。ＩＣが製造された後、その回路素子が欠陥がないかどうかテストされ、欠陥の位置がデータベースに記録される。ＩＣのレイアウトについての位置情報及びその回路素子の位置と組み合わされて、レーザーを基にしたリンク処理システムが、ＩＣを使用可能な状態にするため、選択されたリンクを除去する際に用いられる。

レーザーで切断可能なリンクは、典型的には、略０．５〜１マイクロン（μｍ）の厚さ、略０．５〜１μｍの幅、及び略８μｍの長さを有する。ＩＣ内の回路素子、ひいては、それらの素子の間のリンクは、典型的には、規則的な列のような規則的な幾何学的配列で配置されている。リンクの典型的な列においては、隣接するリンクの間のセンター・トウ・センターピッチは、略２〜３μｍである。かかる寸法は代表的なものであり、技術の進歩によって縮小され、より小さなワークピースの製造、及び、さらに精密で小さな焦点の合ったレーザービームスポットを用いるレーザー処理システムの製造が可能になる。広く普及しているほとんどのリンクの材料は、ポリシリコン及び同様の物質であるが、メモリの製造の分野においては、近年、様々な導電性の金属リンク材料を適用しており、かかる金属リンク材料としては、例えば、以下に限定されるものではないが、アルミニウム、銅、ゴールドニッケル、チタニウム、タングステン、プラチナが挙げられ、また、同様に、他の金属、金属合金及び金属窒化物として、チタニウムまたはタンタル窒化物、タングステンシリサイド等の金属シリサイド、あるいは他の金属類似材料が用いられている。

既存のレーザーを基にした半導体リンク処理システムは、各リンクにおいて、略４〜３０ナノセカンド（ｎｓ）のパルス幅を有するレーザー出力の単一のパルスに焦点を置く。レーザービームは、１または１つのみのリンクを一度に除去するのに十分なサイズを有するフットプリントまたはスポットを有するＩＣに対して照射される。レーザーパルスが、シリコン基板上、及び、上部保護層並びに下部保護層を含む保護層であって典型的には２０００〜１００００オングストロームの厚さを有する保護層の積層体の成分層の間にあるポリシリコンまたは金属のリンクに作用すると、シリコン基板は、比較的小さな量の照射された赤外線（ＩＲ）を吸収し、また、保護層（酸化シリコンまたはシリコン窒化物）は、照射されたＩＲを透過させる。回路のリンクを除去するため、これまで２０年以上にわたり、ＩＲ及び可視レーザーの波長（例えば、０．５３２μｍ、１．０４７μｍ、１．０６４μｍ、１．３２１μｍ、及び１．３４μｍ）が採用されてきた。

既存の半導体リンク処理システムの多くは、リンクの除去ために、小さなスポットに焦点を合わせられた単一のレーザーパルスを採用する。除去すべきリンクのバンクは、典型的には、直線的な列におけるウェーハ上に配置され、その一例を図２０に示す。かかる列は必ずしも完全に直線である必要はないが、典型的には非常に直線に近い。リンクは、リンクラン１２０においてシステムによって処理され、かかるリンクランは、また、オン・ザ・フライ（ＯＴＦ）ランとも呼ばれている。リンクランにおいて、レーザービームは、ステージポジショナが、集束したレーザースポット１１０にわたってリンクの列を通過することにより、パルス化される。ステージは、典型的には、単一の軸に沿って一度に移動し、各リンク位置において停止しない。そのため、リンクランは、一般的には、長さ方向（例えば、図面のページに対して平行方向）にリンクの列を横切る処理である。また、リンクラン１２０の長さ方向は、列を構成する各リンクの長さ方向に対して厳密に直交する必要はないが、典型的には直交する。

軸に沿った伝搬路を有するレーザービームが、リンクラン１２０内の選択されたリンクに作用する。当該軸がワークピースと交差する位置は、リンクラン１２０に沿って連続的に進行するとともに、レーザーをパルス化して選択的にリンクを除去する。ウェーハと光学部材とが、パルスエネルギーがリンクに作用するような相対位置（例えば、トリガ位置１３０）を有する場合、レーザーはパルスを発射するように作用してリンクを切断する。リンクのうちのいくつかは、レーザーが照射されることなく、非処理リンク１４０として残存し、その他のリンクはレーザーが照射されて切断リンク１５０となる。

図２１は、典型的なリンク処理システムを示し、このシステムは、ウェーハ２４０を、固定式の光学テーブル２１０の下側のＸＹ平面において移動することにより、スポット１１０の位置を調整する。光学テーブル２１０は、レーザー２２０、ミラー２２５、焦点レンズ２３０、及び、その他の光学的ハードウェアを支持する。ウェーハ２４０は、移動ステージ２６０によって搬送されるチャック２５０上に配置され、ＸＹ平面において下側に移動される。

図２２は、ウェーハ２４０の処理を示す。従来の連続式リンクブローイング（ｂｌｏｗｉｎｇ）処理は、１度に各リンクランごとに、ウェーハ２４０に沿ってＸＹ移動ステージ２６０をスキャンすることを必要とする。ウェーハ２４０に沿って前後にスキャンを繰り返すことにより、ウェーハ処理が完全に行われる。典型的には、装置は、Ｙ軸方向のリンクラン３２０（図中破線で示す）を処理する前に、全てのＸ軸方向のリンクラン３１０を前後にスキャンして処理する。この例はあくまでも説明のためのものである。リンクラン及び処理方法については、他の構成を採用することが可能である。例えば、ウェーハまたは光学レールを移動させることによってリンクを処理することが可能である。また、リンクバンク及びリンクランは、連続的な移動によって処理されなくてもよい場合もある。

ＤＲＡＭを構成するウェーハ２４０については、例えば、メモリセル（図示せず）がＸ軸方向リンクラン３１０とＹ軸方向リンクラン３２０との間の領域３２２に配置される。説明の便宜のため、Ｘ軸方向リンクラン３１０とＹ軸方向リンクラン３２０とが交差する位置の近傍のウェーハ２４０の部位を拡大して示し、これにより、グループまたはリンクバンクに配置された複数のリンク３２４を示す。一般的に、リンクバンクは、ダイの中央の近傍、デコーダ回路の近傍に配置されるが、メモリセルのいずれのアレイの上にも配置されない。リンク３２４は、全ウェーハ２４０の比較的小さな領域をカバーする。

リンクランの処理に費やされる時間、ひいてはスループットに影響するシステムパラメータは、レーザーパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）及び移動ステージパラメータを含み、この移動ステージパラメータには、例えば、ステージ加速度、帯域幅、静置（ｓｅｔｔｌｉｎｇ）時間、及び指示ステージ軌道が含まれる。指示ステージ軌道は、加速及び減速区域、リンクバンクの定速処理、及び、「ギャッププロファイル」またはリンクラン内の処理対象のリンクの間の大きなギャップに渡る加速を含む。

これらのシステムパラメータ及び他のシステムパラメータは、半導体ウェーハ、異なる種類の半導体ウェーハ、及び／または時間によって変更されるが、従来の半導体リンク処理システムは、典型的には、半導体ウェーハごとの差異、及び／または時間とともに変化するシステムの特性に関わらず、所定のハードウェア構成とモーションプロファイルパラメータとを用いている。従って、半導体ウェーハによっては、処理精度がスループットの低下を犠牲にしないと予測されたまたは望ましいレベル以下となってしまうことがあった。

レーザーを基にしたシステムにおいて複数の半導体部品を処理するための方法の実施形態を、以下に教示する。この方法の一例は、初期設定レシピを用いてレーザーによって前記複数の半導体部品における個別の部品に対して行うべき加工を分析し、前記個別の部品を処理する前に、前記初期設定レシピを用いて前記個別部品を処理した場合の初期処理結果を取得するステップであって、前記初期設定レシピは、前記複数の半導体部品を処理するためのパラメータのグループを含むステップと、前記初期設定レシピのパラメータを変更し、個別部品特有レシピを前記パラメータに関連付けて作成するステップと、前記個別部品特有レシピを用いてレーザーによって前記個別部品に対して行うべき加工を分析し、前記個別部品を処理する前に、前記個別部品特有レシピを用いて前記個別部品を処理した場合の代替処理結果を取得するステップと、前記初期処理結果及び前記代替処理結果のいずれが望ましい処理結果に近似するかに基づいて、前記個別部品を処理するために前記初期設定レシピまたは前記個別部品特有レシピのいずれかを選択するステップと、前記レーザーを基にしたシステムにおいて前記選択したレシピを用いて前記個別部品に行うべき加工を実行するステップと、を含む。

また、レーザーを基にしたシステムにおいて複数の半導体部品を処理するための装置の実施形態が本明細書によって教示される。

これらの実施形態及び他の実施形態の詳細及び変形は、以下の図面及び実施形態の詳細な説明によって明らかとなる。

本発明によれば、スループットを犠牲にせずに処理精度を望ましいレベルにすることができる。

本発明の実施形態を具体化する装置を示す概略図である。

本発明の一実施形態にかかる、複数の半導体ウェーハに対して行われる加工に基づく、図２０に示す既存のリンク処理レシピファイルを変更する方法を示すフローチャートである。

仮想のウェーハデザインについての位置合わせフィールドの初期レイアウトを示す平面図である。

仮想のウェーハデザインについての位置合わせフィールドの代替的なレイアウトを示す平面図である。

ウェーハのダイ境界線に関連付けて示す修正データの第一の組の例を示す平面図である。

ウェーハのダイ境界線に関連付けて示す修正データの第二の組の例を示す平面図である。

ウェーハのダイ境界線に関連付けて示す修正データの第三の組の例を示す平面図である。

位置合わせフィールドについての様々なレイアウトを適用して図５に示す修正データを処理するための時間を示すグラフである。

位置合わせフィールドについての様々なレイアウトを適用して図６に示す修正データを処理するための時間を示すグラフである。

位置合わせフィールドについての様々なレイアウトを適用して図７に示す修正データを処理するための時間を示すグラフである。

規則的な矩形のタイル状パターンを形成しない場合の位置合わせフィールドの代替的なレイアウトを示す平面図である。

初期設定レシピに従った処理順序での２０個の処理フィールドの可能なレイアウトを示す平面図である。

処理フィールドのいくつかのみについて行うべき加工がある場合にシステムがフィールドを処理する順序を示す平面図である。

本発明の一実施形態に係る、図１３に示すような行うべき加工を有するフィールドをシステムが処理をする代替的な順序を示す平面図である。

単一ウェーハについての位置合わせフィールドのレイアウトを示すとともに、基準フィールドを示す平面図である。

他のウェーハについて、図１５に示す位置合わせフィールドのレイアウトを示すとともに、ウェーハに対して行うべき加工に基づいて変更された基準フィールドを示す平面図である。

修正すべきダイを含む単一ウェーハについての位置合わせフィールドのレイアウトを示す平面図である。

図１７に示す単一ウェーハについての位置合わせフィールドの代替的なレイアウトを示す平面図である。

図１７に示す単一ウェーハについての位置合わせフィールドの代替的なレイアウトを示す平面図である。

バンクの長さ方向に沿ってスキャンするレーザースポットが選択的に照射されたリンクの列またはバンクの従来例を示す概略図である。

従来技術のリンク処理システムを示す概略図である。

複数のリンクランを含む従来技術の半導体ウェーハを示す概略図である。

既存のリンク処理レシピファイルについてのデータ構造を示すブロック図である。

以下に詳細な構成及び動作を含む本発明の具体的な実施形態を添付の図面を参照して説明する。本明細書に開示する原理、方法、及びシステムは、任意の用途に応じて半導体基板上または半導体基板内の構造にレーザーを照射することによる処理に対して一般的な適応性がある。以下の例及び実施形態は、上述した構造が、ＩＣ（例えば、メモリデバイス、ロジックデバイス、ＬＥＤを含む光学または光電気デバイス、及び電磁波またはＲＦデバイス）上のまたは当該ＩＣ内のリンクであってレーザーで切断されるリンクである場合について説明するが、レーザーで切断されるリンクに加え、他の構造も同様または類似の手法によって処理することができる。従って、本明細書に開示する教示は、多種の構造、例えば、レーザーを照射することによって導電性を有するようになる電気的構造、他の電気構造、光学または光電気構造、及び、機械的または電気機械的構造（例えば、マイクロ電気機械的構造（ＭＥＭＳ）または、マイクロ光電機械的構造（ＭＯＥＭＳ））のレーザーによる処理に等しく適用可能である。

レーザーの照射は、構造またはその材料を切断し、分割し、形成し、加熱し、変形し、拡散し、焼鈍し、または測定するために行われる。例えば、レーザーを照射することにより、構造の内部の材料が状態を変化させたり、ドーパントが移動し、あるいは、磁気的特性が変化する。これらは、電気回路または他の構造を接続し、電気的に分離し、調整し、変更し、または修正するために適用される。

リンク処理システムは、通常、「レシピ」を備え、このレシピは、ウェーハがどのように処理されるかを記述するものである。例えば、図２３は、既存のリンク処理レシピファイル４００のデータ構造を示すブロック図である。既存のリンク処理レシピファイル４００は、一般に、物理レイアウトパラメータ４１０と、レーザーエネルギーパラメータ４１２と、フィールドセットアップパラメータ４１４と、エラー対処パラメータ４１６とを含む。

物理レイアウトパラメータ４１０は、ウェーハの物理的寸法、例えば、ダイのサイズ、位置決め目標の位置を特定する。レーザーエネルギーパラメータ４１２は、位置決め目標をスキャンするために用いられる第一のレーザーエネルギーと、リンクを処理するために用いられる第二のレーザーエネルギーとを特定する。フィールドセットアップパラメータ４１４は、目標、目的とするタイムアウト、位置合わせフィールドにおける各目標の形状、焦点フィールド、及び、処理フィールドを特定する。位置合わせフィールドは、ワークピースの一部に対するレーザーのＸＹ方向の位置合わせに関する校正データを含む。焦点フィールドは、ワークピースに対するレーザーのＺ方向の位置合わせに関する校正データを含む。処理フィールドは、典型的には、位置合わせフィールドよりも更に大きく、リンクランを処理するためにフィールドのサイズを規定する。例えば、３００ｍｍのウェーハは、４〜６つの処理フィールドを使用して処理される。しかしながら、１〜３つの処理フィールド、または、６つ以上の処理フィールドを用いることも可能である。リンクランは、位置合わせフィールドのＸまたはＹ方向に延伸し、複数の位置合わせ／焦点フィールドに及ぶ。エラー対処パラメータ４１６は、例えば、低品質のスキャンが検出された際のリカバリ機構、及び、位置決めスキャン（場合によっては、ビームトゥワーク（ＢＴＷ）スキャンと呼ばれる）の間に集められたデータをシステムが使用する最大期間を特定する「目標タイムアウト時間」を特定する。エラー対処パラメータ４１６は、また、例えば目標スキャン位置許容誤差を含む。

半導体リンク処理システム上の材料を処理するため、ユーザは、修正を望む材料を記述する特定のパラメータと、半導体基板（例えば、ウェーハ）の処理に影響を与えるパラメータとを特定する必要がある。一例として、ユーザは、処理チャック２５０上に配置されるウェーハ２４０の配向（０、９０、１８０、または２７０度）を特定する必要がある。これは、物理レイアウトパラメータ４１０の典型的な一例である。また、ユーザは、上述した位置合わせフィールドを記述する必要がある。各位置合わせフィールドは、後述して詳細に説明する位置合わせフィールドに対して相関関係にあるウェーハのセクションの処理の間に位置が特定される位置決め目標の組を特定する。

各ウェーハ２４０に対してなされる加工もまた特定される必要があるが、これは、ウェーハごとに異なるのが通常である。これは、ウェーハが同一の施設において同一の処理によって製造されたとしても、汚染及び他の予期できない製造不具合によって起こり得る。ユーザによって特定された、各ウェーハ２４０に対してなされる加工を、以下、説明の便宜のために修正データと呼ぶが、行われる加工はこれに限られるものではない。

ウェーハ２４０は、一般的にはカセットまたはトレイに配置され、グループで同一のリンク処理レシピファイル４００を用いて処理される。このリンク処理レシピファイル４００を、以下、初期ファイル４００という。修正データは異なるため、修正データのすべての可能性のある（または実際の）組について最適な単一の初期設定レシピ４００というものは存在しない場合がある。しかしながら、本発明の実施形態は、修正データに基づいて既存の初期設定レシピ４００を変更することによってスループットを向上する方法及び装置を提供する。行うべき加工を計画するための方策は、適宜変更されるが、スポットサイズ、エネルギー等の処理結果に実際に影響を与えるパラメータはそうではない。従って、行われる実際の加工が劣るようになることなく、処理スピードを向上させることができる。

ウェーハごと、あるいは、行うべき加工の組ごとに代替的なレシピを提供するようにするため、初期設定レシピ４００に対して様々な変更を加えることができる。全てのパラメータは、ウェーハ上の位置合わせフィールドの位置、チャックに対するウェーハの配向、位置合わせ、焦点及び処理フィールドの配置、処理フィールドが処理される順序、映像による位置決め目標の位置、等の処理方策を特定し、それらパラメータについての任意の設定と比較して処理を最適化するためにウェーハごと（あるいは、行われる加工の組ごと）に選択することができる。

本発明の実施形態は、行われる加工を、初期設定レシピと加工を行う機械との両方を考慮して分析することに依拠する。かかる分析を行う一例を、図１及び図２を参照して説明する。

本発明の実施形態は、例えば、図１に概略的に示すコンピュータ１０によって具現される。コンピュータ１０は、中央演算装置（ＣＰＵ）１２と、１以上の入力装置または接続装置１４と、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）及びリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）等を含むメモリ１６と、１以上の外部接続装置１８と、ディスプレイ２０とを備える。図示するコンピュータ１０は、スタンドアロン型であるが、コンピュータ１０及びそのＣＰＵ１２の機能は、ディスプレイ２０等の周辺機器とともに、図１８に示すリンク処理システム専用のコンピュータまたは制御装置によって具現されてもよい。

ＣＰＵ１２は、図２に示す機能を有する複数の演算処理部を備える。図１に示すように、演算処理部は、シミュレーション部１２ａと、パラメータ調整部１２ｂと、レシピ判定部１２ｃとを備える。公知のとおり、コンピュータ１０によって実行される演算及び論理処理（すなわち、制御）は、主に、コンピュータ読み取り可能な媒体に記憶されたコンピュータが実行可能な指示のセット（例えば、ソフトウェア）に従って行われる。例えば、以下に説明する各部は、メモリ１６に保存されてＣＰＵ１２によって実行される１以上のソフトウェアプログラムによる機能部を具現化する。もちろん、以下に説明する機能の一部または全てがハードウェア資源によって代替的に実現されてもよい。

図２は、好適には、１以上のウェーハについてそれに行われる加工に基づいて処理性能を向上させるために初期設定レシピ４００を変更するための方法を示す。ステップ２２において、入力接続１４を介して初期設定レシピ４００がＣＰＵ１２に入力される。例えば、入力接続１４は、初期設定レシピ４００に関するデータを手動で入力するためのキーボードから構成される。あるいは、入力接続１４は、ストレージ装置、ポータブル装置、あるいは、ＣＰＵ１２にデータベース、パラメータファイル、ソースコード、コンピュータが実行可能な指示のセット等の形で初期設定レシピ４００をアップロードすることを許容する装置への接続であってもよい。入力接続１４は、シリアル接続であったり、あるいは、初期設定レシピ４００を記憶する装置であって図２１のリンク処理システム用のコンピュータ等の他の装置への接続であってもよい。初期設定レシピ４００は、レーザー及びリンク処理システムの他の構成要素に関するパラメータに加え、ウェーハに関するパラメータを含む。これらのパラメータは、多数の処理すべきウェーハを規定し、ウェーハ上の位置合わせフィールドの位置、チャックに対するウェーハの配向、位置合わせ、焦点及び処理フィールドの位置、処理フィールドが処理される順序、映像による位置決め目標の位置、及び、その他当業者によく知られたものを含む。かかるデータは、ウェーハの製造者によって指定され、及び／または、ウェーハ処理についての過去の経験に基づいてリンク処理システムのユーザによって指定される。

ステップ２４において、ウェーハまたはウェーハの組に対して行うべき加工が入力される。上述したように、行うべき加工は、例えば、ウェーハ上またはウェーハ内のメモリに対する修正データである。このデータは、ウェーハの製造者によって指定され、レーザーによる各作業が行われる位置を、当該作業の内容とともに含む。これは、例えば、メモリテストのようなすでに行われた処理ステップの結果として取得することもできる。例えば、修正データは、図２０とともに説明したように、どのリンクがどの位置（例えば、ＸＹ座標）において切断されるのかを含むものである。

初期設定レシピ４００及び行うべき加工の両方が入力されると、ウェーハスループットシミュレーションがステップ２６においてシミュレーション部１２ａによって実行される。ウェーハスループットシミュレーションは、当業者に知られたソフトウェアによるモデル化技術であり、リンク処理システムの様々なシステム制約の特定の設定に基づいて処理時間を評価する。関連するパラメータを変更することにより、処理時間の変化の影響を、かかるシミュレーションから評価できる。様々な制約についての値の組み合わせを評価するための包括的な方策を適用することが可能である。しかしながら、かかる分析は、実際には、結果として得られる値を台無しにしてしまいかねないくらい時間がかかるものである。従って、図２は、主に、１以上のパラメータの連続的な分析を示すが、本発明は以下に説明するようなかかる分析に限定されるものではない。

ステップ２６において実行されるシミュレーションから、ウェーハ２４０に対して行われる特定の加工に基づく初期設定レシピ４００の処理時間が得られる。シミュレーションのパラメータ、及び、その結果の処理時間は、ディスプレイ２０に表示されうるが、必須ではない。ステップ２６の後に、ステップ２８において、パラメータ調整部１２ｂによる、第一のパラメータの調整を含むパラメータ調整が開始され、ステップ３０へと続き、このステップ３０において、変更されたパラメータを用いて新たなシミュレーションが行われるが、ここでは初期設定レシピ４００の他の値は変更されない。ステップ３０における新たなシミュレーションから、変更されたパラメータに関連して新たな処理時間が得られる。この処理は、ステップ３２の判断に応じて、第一のパラメータに対する望ましい調整が全て行われ、各処理時間が得られるまで繰り返し実行される。続いて、任意の判断処理であるが、ステップ３４において分析すべき追加のパラメータが存在するか否かが判断される。

判断すべき他のパラメータが存在する場合、当該パラメータは、ステップ３６において調整され、ステップ３８において、変更パラメータを用いてシミュレーションが実行され、新たな処理時間が得られる。この処理は、ステップ４０の判断に応じて、当該次のパラメータに対する望ましい調整が全て行われて各処理時間が得られるまで、繰り返し実行される。続いて、任意の判断処理であるが、分析すべき追加のパラメータが存在するか否かの判断を行うステップ３４が繰り返される。各パラメータの処理の影響は、本処理に応じてウェーハのグループごと、あるいは、ウェーハごとに分析される。パラメータは、以下に記載する実施形態において説明するように、ウェーハのサブセットごとの処理をシミュレーションするように変更されてもよい。

全てのパラメータがシミュレーションされたら、ステップ３４における判断の否定的結果として示すように、ステップ４２において、レシピ判定部１２ｃが修正レシピを出力する。例えば、レシピ判定部１２ｃは、最も短い全体処理時間を得られるパラメータ値を選択する。修正レシピは、次に、出力接続１８に提供される。出力接続１８は、例えば、ストレージ装置、ポータブル装置、あるいは、データベース、パラメータファイル、ソースコード、コンピュータが実行可能な指示のセット等の形でＣＰＵ１２に修正レシピをダウンロードすることを許容する装置への接続である。また、出力接続１８は、入力接続１４と同様に、シリアル接続であったり、あるいは、図２１に示すリンク処理システム用のコンピュータ等の修正レシピを使用する他の装置への接続であってもよい。コンピュータ１０の機能が図２１に示すリンク処理システム用のオペレーティングシステムによって具現化される場合は、入力接続１４及び／または出力接続１８は、処理の間におけるオペレーティングシステム内の通信路によって具現化される。

あるいは、修正レシピについて使用する変更したパラメータを選択するコンピュータ１０に代えて、ユーザが結果を検討し、どのパラメータを変更することが望ましいのか判断してもよい。かかる選択は、手動操作によってユーザが初期設定レシピ４００を変更することによって具現化され、あるいは、初期設定レシピ４００を出発点として修正レシピを作成することによって具現化される。

修正レシピを、初期設定レシピと置き換える。修正レシピは、個別部品特有レシピであり、半導体部品、例えばウェーハに対して行うべき加工に基づいて少なくとも１つのパラメータによって変更された初期設定レシピでもある。特定の実施形態においては、修正レシピは、共に分析されたウェーハのグループについての共通のレシピである。これは、複数のウェーハについて修正データを組み合わせると、修正データにおけるウェーハごとのバリエーションをあいまいにするので、個別にウェーハを分析した場合に得られるほどの利点は得られない。しかしながら、これは、（半導体）部品の実際の処理に対してシミュレーションが時間がかかり、及び／またはコストがかかる場合には有用である。他の実施形態においては、修正レシピは、処理すべきウェーハのグループ内の全てのウェーハについての個別部品特有用レシピを組み合わせて得られるレシピである。個別部品特有レシピは、以下に説明する技術とともに、当業者にとってよく知られた様々な手法で組み合わせることができる。例えば、２０枚のウェーハの組を、それぞれの修正データに基づいて配向に関して分析する場合、多数のウェーハについては、その配向を９０度変更することが望ましく、修正レシピは、９０度の配向の変更を含むものである。このような場合、修正レシピを用いて、その変更されたパラメータ、あるいは、修正レシピを用いて特定のウェーハに対して利点が得られると確証されたパラメータを用いて、その得られる利点を損なわないようにしてウェーハのグループを分析することが望ましい。以下、個別部品特有レシピを、ウェーハ特有レシピという。

図２は、１度にひとつのパラメータを変更してテストすることによるパラメータの連続的な選択を示しているが、これはあくまでも例示であり、図２は、分析されたパラメータのそれぞれを最適化することによって最適な全体時間を得られるという仮定に基づくものであるので、必ずしも最適な結果が得られるとは限らない。シミュレーションにおいて、ステップを追加してもよく、この追加ステップは、パラメータのいずれかを調整して修正レシピを作成したほうが、パラメータの全てを変更して修正レシピを作成するよりもよいかどうかを判断するために最適な個別の結果を得られたパラメータ値を含むものである。ここで、反復処理を含めてもよく、シミュレーションにおいて、第二のパラメータの一回以上の調整とともに第一のパラメータの複数回の調整が行われ、行うべき加工についての処理時間に関する第一及び第二のパラメータの関係が評価される。続いて、第一及び第二のパラメータは、他のシミュレーションによって発見されるとともに分析された関係に基づいて調整される。

本発明は、様々なパラメータについての値を選択するための特定のアルゴリズムに限定されるものではない。これは、様々なパラメータについての値を選択する最適な方策は、一般には、特定され、及び／または、制限される機械特性に応じて異なるものだからである。このため、上述したように、既存の技術を用いたシミュレーションは、行うべき加工に基づいて様々なパラメータの影響を分析する際に必ずしも必要ではない。シミュレーションが不要な一例としては、システムが一般的にＹ軸方向よりもＸ軸方向に高いスループットで処理を行うことができる場合に、行うべき加工に基づいてパラメータの変更の分析をする場合が挙げられる。この場合、チャック２５０に対する各ウェーハ２４０の配置の角度が、シミュレーションを経ることなく、高いスループットを有する軸方向において、行うべき加工の量を最大にするように単純に選択される。従って、本発明の、ウェーハに対して行うべき加工に基づいて一のウェーハまたは複数のウェーハについての処理用に１以上のパラメータを変更するという教示は、ルールに基づく判別、システムのパラメータ、モデル化、予測、及び特性評価、システムの構成要素の特性、ウェーハ特性、精密性の割り当て（ｂｕｄｇｅｔｉｎｇ）、人口知能、ファジー論理、ニューラルネットワーク、費用関数の最小化、あるいは、他のアルゴリズムまたは手法によって具現化することができる。

本発明の実施形態を具現化した具体的な実施例を以下に例示のために説明する。

本発明の実施形態の例として、行うべき加工に基づいて位置合わせフィールドを変更することが挙げられ、図３〜１１を参照して説明する。図３〜１０に示す例では、ウェーハに渡り、位置合わせフィールドが矩形のタイル状パターンで異なっていて、１行または１列ずつ移動される。すなわち、図３は、仮定のウェーハデザインに基づいた位置合わせフィールドの初期レイアウトを示し、図４は、比較として、図３に示す初期レイアウトが１行または１列ずつ移動された場合の位置合わせフィールドの代替的なレイアウトを示す。図３及び４において、実線はダイの境界線を示し、破線は位置合わせフィールドの縁を示す。Ｘ及びＹ軸の数字は、それぞれ、行及び列のマーカーである。

図５、６及び７は、レシピとともに処理をするための修正データの代表的な組の例を３つ示す。図３及び４に示すように、実線はダイの境界線を示し、Ｘ及びＹ軸の数字は、行及び列のマーカーである。加工を行うべきダイは、「＋」の符号で示し、行うべき加工がないダイは、空白、または、１あるいは２本の細線で示す。

図５、６及び７は、それぞれ、図３に示す位置合わせフィールドの初期レイアウトを含む初期設定レシピと、初期レイアウトに対する様々な修正のバラエティーとともに分析される。この分析の結果を、それぞれ、図８、９及び１０に示し、これらの図は、レイアウトと比較した修正時間をグラフ化したものである。より詳細に説明すると、図８は、図５の例を修正した場合の時間を示し、図９は、図６の例を修正した場合の時間を示し、図１０は、図７の例を修正した場合の時間を示す。位置合わせフィールドの様々なレイアウトを、シフト００、シフト０１、等で示し、「シフト」の語の後に続く数字は、位置合わせフィールドの初期レイアウトがどの程度の行及び列だけ移動させられたのかを示す。例えば、図４は、シフト１１で表される１行及び１列分だけ移動させられたレイアウトを例示する。図８に示すように、図５の例は、初期設定レシピにおける位置決めレイアウトに対して１行及び２列（シフト１２）だけ移動させられた位置決めレイアウトに対して最速の処理を有する。図９に示すように、図６の例は、初期設定レシピにおける位置決めレイアウトに対して０行及び０列（シフト００）だけ移動させられた位置決めレイアウトに対して最速の処理を有する。すなわち、位置決めレイアウトについての初期設定レシピは、図６に示す修正データの組に関して最速のものである。そして、図１０に示すように、図７に示す例は、初期設定レシピにおける位置決めレイアウトに対して０行及び２列（シフト０２）だけ移動させられた位置決めレイアウトに対して最速の処理を有する。

これらのテストにおいては、位置合わせフィールドのレイアウトが変更され、位置合わせフィールドと一致するように焦点フィールドも変更されている。各ウェーハ（すなわち、特定のウェーハ用のレシピ）ごとの最適なフィールドレイアウトを採用した、様々な修正データを用いた２０枚のウェーハについての合計の処理時間は、初期レイアウトを有する２０枚のウェーハについての最適で単一かつ一定のフィールドレイアウトを用いた全ての２０枚のウェーハについての合計の処理時間と比較される。総合的に、検討された例に対して、データは平均でウェーハごとに１〜３秒の改善、あるいは、略１％の処理時間の改善を提案する。

上述したように、この最新鋭の技術は、同一のデザインを採用した全てのウェーハについてパラメータを特定してこれらを一定に維持したい顧客のためのものである。図８〜１０は、パラメータの有力候補の組み合わせが、全てのウェーハに対して最適でない場合を示している。実際に行うべき加工あるいは各ウェーハに行われた加工に応じてこれらのパラメータを変更することによって、処理結果を損なうことなく処理を最適化することが可能になる。

この例では、全ウェーハに渡り、位置合わせフィールドが矩形のタイル状パターンで異なっていて、１度に１行または１列ずつ移動され、シミュレーションを通じてその結果の評価が行われた。しかしながら、上述したように、包括的なシミュレーションは必ずしも必要ではないし、望ましいわけでもない。位置合わせフィールドのレイアウトを選択するための仮想アルゴリズムは、全てのウェーハに適用される任意のレイアウトと比較してウェーハごとに得られる利点を得るようにするためには、すべての候補のレイアウトを考慮する必要がない。例えば、図１１は、位置合わせフィールドのパターンを示し、このパターンにおいては、フィールドは、均一の矩形のタイル状パターンを形成していない。かかるパターンは、特定のウェーハに対して行うべき加工あるいは行った加工が非常にまばらな場合には、最適である。

本発明を実施する別の例は、ウェーハ上に行う加工に基づいて処理フィールドを変更することに関する。ウェーハは、通常は、複数の処理フィールドに分割される。定義として、任意の処理フィールドにおいて行う全ての加工は、他のフィールドの加工を行う前に完了するものとする。ユーザは、ウェーハ全体のうち、１の処理フィールドを使用し、あるいは、単一のウェーハに多数の処理フィールドを含ませることができる。処理フィールドを規定するために用いられる主要な方策は、各ダイに対して最大量の加工を行うための修正データの組の存在を想定して各処理フィールドにおける処理を完了するために予測される時間を最小化することである。例えば、ユーザは、ウェーハをそれぞれが等しいサイズの４つの処理フィールドに分割することができる。実際のウェーハが、３／４（またはそれよりも少数）の加工を行うべきダイしか備えていない場合、あるいは、各ダイにおいて実際に行う加工が最大量よりも略少ない場合がある。行うべき加工を考慮して、ウェーハはより少ない数の処理フィールドに分割されることもある。これは、特定の加工、例えば位置合わせが、各処理フィールドにおいて再度行われる必要があり、処理フィールドの数を減らすことにより、合計の処理時間を減らすことができるからである。

加えて、多数の処理フィールドが存在する場合は、フィールドを処理する順序が初期設定レシピ内に置いて規定されている。その結果、修正される全てのウェーハにおいて同一の順序が適用される。例えば、初期設定レシピは、図１２に示す処理順序で、２０の処理フィールドのレイアウトを含むように規定されている。一例として、ウェーハに対して行うべき加工が処理フィールド３、６、１０及び１４にのみ行われるとする。図１３に示すように、処理フィールド１及び２には、行うべき加工が存在せず、スキップすることができる。処理フィールド３は、行うべき加工が存在する。そこで、システムは、処理フィールド４及び５をスキップして、処理フィールド６に対して行うべき加工を行う。処理フィールド７、８及び９がスキップされて処理フィールド１０に到達し、続いて処理フィールド１１、１２及び１３がスキップされて処理フィールド１４に到達する。残りの処理フィールドについても、スキップする。

本明細書に開示する技術に基づく、同一の行うべき加工についての異なった順序を図１４に示す。この変更例においては、処理の異なる順序が、ウェーハに対して行うべき加工の情報に基づいて、ウェーハの１の領域から他方の領域への前後移動を最低限にするために選択される。すなわち、ウェーハの中心線（すなわち、直径）をまたぐレーザーの進路の移動の回数が、減らされている。この特定のウェーハ用のレシピは、図１３に示す初期設定レシピに求められるものと比較して、行うべき加工が存在する全ての処理フィールドを通る移動の合計時間の短縮につながる。

本発明を実施する他の例は、ウェーハに対して行うべき加工に基づいて、基準位置合わせにおける基準フィールドを変更することに関連する。図１５及び１６は、この例を示す。チャック２５０に対してウェーハ２４０を取り付ける位置の判断は、上述した許容誤差の問題から、レーザー処理に置いて重要である。これは、映像による位置合わせから始まる複数のステップを含む処理である。当業者に知られているように、映像による位置合わせは、１以上の機械目標（ｍａｃｈｉｎｅ ｔａｒｇｅｔ）に向かって、特定の画像、すなわち、ウェーハ上の当該目標の位置を判定するために機械式の視覚アルゴリズムを用いることを含む。

基準位置合わせは、映像による位置合わせの後に行われ、処理チャック上のこのウェーハの位置を特定するための最終ステップである。一般的に、かかる位置合わせに用いる基準フィールド、及び、基準、焦点及び位置決め目標は、初期設定レシピにおいて、全てのウェーハに対して一定である。基準位置合わせが完了した後、システムは、最初の処理フィールドにおけるリンクランを処理するために必要な焦点及び位置合わせフィールドについて目標をスキャンすることにより、ウェーハに対して行うべき加工を実行する。続いて、それに続く処理フィールドについて処理を行う。

基準フィールドに対して用いた目標のうちのいずれかが、焦点または位置合わせフィールドにとって物理的に同一の目標として用いた場合、システムは、当該焦点または位置合わせフィールドを評価する際に、当該目標に対してスキャン結果を再度使用することができる。このため、位置合わせフィールドの近傍にある物理的に同一の目標を基準位置合わせ用の目標として選択することが一般的である。例えば、図１５では、基準フィールド４４が、８つの位置合わせフィールドを包囲している。１６個の位置合わせフィールドのいずれかであって、基準フィールド４４の角に隣接するもの（例えば、ハッチングした６つのフィールド）が、基準フィールド４４に対して物理的に共通な目標となり得る。なお、これは、位置合わせ、焦点または基準フィールドの角の直近に位置する物理的な位置決め及び焦点目標について習慣的な事項である。また、各フィールドに対して、目標の位置が３つまたは４つであることが典型的である。

しかしながら、ウェーハに対して行うべき加工が、上述したように基準フィールドと物理的に同一の目標を有する位置合わせまたは焦点フィールドに対する加工を含まない場合、目標の共通化による利益は得られない。しかし、本発明の一実施形態では、基準フィールド４４の位置が変更される。同じように、基準フィールドに用いる、物理的に異なった位置合わせまたは焦点目標の選択が行われる。この場合は、目標の共通化が生じ得る。この場合を図１６に示し、初期設定レシピの基準フィールド４４が破線で示されている。図１６のウェーハにおいては、行うべき加工は、図示する４つの点描された位置合わせフィールドにおいてのみ行われる。特定のウェーハ用のレシピにおける代替基準フィールド４６を用いることにより、基準位置合わせに用いられる全ての４つの物理的目標は、位置合わせフィールドの少なくとも一つによって再利用することができる。初期設定レシピの基準フィールド４４は、行うべき加工が存在する位置合わせフィールドのいずれかに対して共通な物理的目標（例えば、右上の角）を一つのみ有していたので、特定のウェーハ用のレシピにおける基準フィールド４６を使用する場合と比べて、追加のスキャンが必要であった。

以上の説明は、レシピの処理結果として処理時間をモニタリングすることに関連するとともに、本発明の実施形態を通じて得られる処理時間の短縮を強調したものである。しかしながら、これらの実施形態を通じて、処理に関するその他の観点、例えば、システム精度を改善することも可能である。システム精度は、処理対象部分、または、予測される結果と比較した部分の分析の結果として得られる測定または計算である。これらは、かかる測定を行う当業者によって知られた手順及びアルゴリズムのバラエティーでもある。

システム精度を向上するために本発明を実施する例を、図１７〜１９に示す。ここで、小さい位置合わせフィールドは、システムスループットの代償としてよりよいシステム精度が得られるものとし、ウェーハごとに、行うべき加工を考慮していくつかの位置合わせフィールドのサイズを自動的に小さくしても、スループットをできる限り損なうことなく、この高い精度が維持できるものとする。すなわち、初期設定レシピを用いた処理結果から、妥当な精度及び処理（スループット）時間が得られるが、修正したレシピを用いた処理結果からは、スループット時間に与える影響を最小限にしてより高度な精度が得られる。

図１７に、位置合わせフィールドのレイアウトの候補を破線で示す。図１７に示すように、各位置合わせフィールドは、縦２横３のパターンで最大で６つのダイを含んでいる。この例のウェーハでは、点描した領域が修正対象のダイを有する位置を示している。図１８は、３つの位置合わせフィールド５０がサイズを小さくした以外は同一のレシピを示している。これら３つの位置合わせフィールド５０のサイズを小さくしたが、これらは依然として修正が必要なダイを包囲している。すなわち、本発明の一実施形態によれば、領域内の位置合わせフィールドのサイズを小さくすることができ、まばらな修正データであっても、フィールドのサイズを小さくしても加工を行うべき任意の区域を除外することがない。図１７にも、位置合わせフィールドが同じ数（１０）だけ存在するが、いずれかの位置合わせフィールドには、加工を必要としないダイが含まれていない。このレイアウトは、追加のスキャンを必要としないので、変更されたフィールドについて、異なる位置で数回のスキャンが行われたとしても、結果として、加工を行うべきダイがより小さな位置合わせフィールド内に含まれることとなり、これによってスループットを若干あるいはほとんど損なうことなくシステム精度を向上させることができる。図１９は、全ての位置合わせフィールドがサイズを小さくして修正を必要とするダイの包囲をごくわずかにした以外は図１７と同一のレシピを示す。図１７及び１８には位置合わせフィールドが同じ数だけ存在するが、いずれの位置合わせフィールドにも、行うべき加工がないダイが含まれていない。この例では、位置合わせフィールドのサイズを小さくすることにより、隣接するフィールド間の位置決めターゲットの共有化の程度が小さくなる。これにより、図１７の位置合わせに対してシステム精度が向上するが、ターゲットの共有化の程度が減少しているので、若干システムスループットを犠牲にすることになる。

簡単に上述したように、パラメータは、ウェーハのサブセットの性能をシミュレーションできるように変更されてもよい。すなわち、ウェーハは、実際には処理フィールドによって連続して修正されるので、処理フィールド（すなわち、焦点及び位置合わせフィールド）の境界内に適用する初期設定レシピの関連部分について以下の教示を適用してもよい。この分析は、上述と同様にウェーハの処理の前に完了させることができ、あるいは、現在の処理フィールドに対する処理と同時に次の処理フィールド用に行ってもよい。後者の場合は、結局は、シミュレーションによらないと、最初の処理フィールドについての処理を開始する前に分析をウェーハの全域について完了させることができない、という効果をもたらす。

処理を開始する前に初期設定レシピの分析及び変更の全てが一度に完了していない場合は、処理を行うための方法として、まず、最初の処理フィールドにおける加工を開始するのに十分な量の修正データを集めることが考えられる。あるいは、初期設定レシピを、最初の処理フィールド用の修正データに基づいて変更することも考えられる。次に、ウェーハ２４０をチャック２５０上に配置し、最初の処理フィールドにおいて処理を開始する前に位置合わせを行う。最初の処理フィールドに対する処理の間に、次の処理フィールドにおける加工を規定するのに十分な量の修正データが集められる。次の処理フィールド用の修正データに基づく初期設定レシピは、変更され、これによって次の処理フィールドを処理するための調整済みレシピが作成される。これらのステップは、順次、全ての処理フィールドについて繰り返し実行される。

一般的に、次の処理領域についてのデータの収集と、必要であれば、次の処理領域についての初期設定レシピの変更とは、現在の処理領域内の部分に対する加工が完了する前に完了することができ、当該実施形態は、部分の処理を開始する前に行うべき加工が完全に把握できていないとしても初期設定レシピの変更が可能になるという利点をもたらす。

上記のとおり、本発明の実施形態は、行うべき加工の計画を修正することに関連するが、処理の結果に実際に影響を与えるパラメータ、例えば、スポットサイズ、エネルギーは修正しない。また、修正したレシピは、かかるパラメータ、及びハードウェア構成等のシステムパラメータにおける変更に対しておおむね独自なものである。少なくともこれらの理由から、本発明の実施形態は、例えば、本発明の譲受人に譲渡された米国特許公報第２００８／０３１４８７９Ａ１に開示されたシステムスループットを向上する他のシステム及び方法に取り込むことができる。この文献の内容を、参照として本明細書に取り込む。当該文献の開示によれば、レーザーを基にした処理におけるウェーハスループットを向上するシステム及び方法が提供され、ハードウェア構成等のレシピファイルのパラメータが、行うべき加工を参照せずに修正される。

当業者であれば、本明細書に開示するシステム及び方法は、リンク処理、トリミング、穿孔、ルーティング、小孔の形成、スクライブ、マーキング、単一化、ダイシング、コンポーネントトリミング／チューニング、その他材料オルタネーション（ａｌｔｅｒｎａｔｉｏｎ）処理に適用可能であることは明らかであり、当該処理は、レーザ、ドリル、他の切削工具、及び／または、焦点イオンビーム（ＦＩＢ）等のエネルギー利用技術によって実行される。さらに、本明細書に開示するシステム及び方法は、処理ツールとともに他の装置にも有用である。例えば、本明細書に開示するシステム及び方法は、電子顕微鏡等の計測ツールにとっても有用である。

特定の実施形態とともに本発明について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲内における様々な応用及び均等な範囲での変更を含むものである。特許請求の範囲は、特許法が許容する限りにおける当該応用及び均等な構成を含むように、最大限の範囲で解釈されるべきである。

１０ コンピュータ
１２ ＣＰＵ
１２ａ シミュレーション部
１２ｂ パラメータ調整部
１２ｃ レシピ判定部
１４ 入力接続
１６ メモリ
１８ 出力接続
２０ ディスプレイ

Claims (10)

1. レーザを基にしたシステムにおいて複数の半導体部品を処理するための方法であって、
   前記複数の半導体部品は、同じ設計を有し、且つ前記複数の半導体部品を処理するための前記レーザを基にしたシステムのパラメータの共通のグループを含んだ初期設定レシピを持ち、前記複数の半導体部品の少なくとも１つの部品に対して行うべき加工は前記複数の半導体部品の残りの部品の少なくとも１つに対して行うべき加工と異なり、
   前記複数の半導体部品毎に、
   Ａ）前記初期設定レシピを用いて前記レーザを基にしたシステムのレーザによって前記複数の半導体部品における個別の部品に対して行うべき加工を該加工のコンピュータシミュレーションを実行することによって分析し、前記個別の部品を処理する前に、前記初期設定レシピを用いて前記個別部品を処理した場合の初期処理結果を取得するステップと、
   Ｂ）前記初期設定レシピのパラメータを変更し、個別部品特有レシピを前記パラメータに関連付けて作成するステップであって、このパラメータは前記個別の部品に対して行うべき加工の計画に影響を与えるステップと、
   Ｃ）前記個別部品特有レシピを用いてレーザによって前記個別部品に対して行うべき加工を該加工のコンピュータシミュレーションを実行することによって分析し、前記個別部品を処理する前に、前記個別部品特有レシピを用いて前記個別部品を処理した場合の代替処理結果を取得するステップと、
   Ｄ）前記初期処理結果及び前記代替処理結果のいずれが望ましい処理結果に近似するかに基づいて、前記個別部品を処理するために前記初期設定レシピ及び前記個別部品特有レシピのいずれかを選択するステップと、
   を実行し、
   代替レシピにおいて、前記複数の半導体部品の各々について選択したレシピを組み合わせ、
   前記レーザを基にしたシステムにおいて前記代替レシピを用いて前記複数の半導体部品の各々に対して行うべき加工を実行することを特徴とする方法。
2. 前記代替処理結果は、前記個別部品特有レシピを用いて前記個別部品に行うべき加工が完了する処理時間である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記複数の部品は、複数枚の半導体ウェーハを含み、前記個別の部品は一枚の半導体ウェーハであり、レーザによって行う加工は、前記半導体ウェーハ上に位置するメモリ用の修正データを含む、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
4. 前記初期設定レシピは、レーザを前記半導体ウェーハに対して、第一の方向及び前記第一の方向と直交する第二の方向において位置決めするための位置合わせフィールドの初期レイアウトを含み、前記初期設定レシピのパラメータを変更して前記個別部品特有レシピを作成するステップは、少なくとも前記第一の方向及び前記第二の方向のいずれかに前記位置合わせフィールドの初期レイアウトを調整して前記個別部品特有レシピにおいて前記位置合わせフィールドの変更されたレイアウトを作成することを含む、
   ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
5. 前記初期設定レシピは、前記半導体ウェーハのメモリ修正のためのリンクランを処理するためのフィールドサイズを規定する処理フィールドを含み、前記初期設定レシピのパラメータを変更して前記個別部品特有レシピを作成するステップは、前記ウェーハに対して行うべき加工に基づいて、前記初期設定レシピにおける前記処理フィールドの数から、前記半導体ウェーハ用の前記処理フィールドの数を減らすことを含む、
   ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
6. 前記初期設定レシピは、前記半導体ウェーハのメモリ修正のためのリンクランを処理するためのフィールドサイズを規定する処理フィールドを含み、前記初期設定レシピのパラメータを変更して前記個別部品特有レシピを作成するステップは、前記ウェーハに対して行うべき加工に基づいて、前記初期設定レシピにおける前記処理フィールドの処理の順序から、前記半導体ウェーハ用の前記処理フィールドの順序を変更することを含む、
   ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
7. 前記初期設定レシピのパラメータを変更して前記パラメータに関連して前記個別部品特有レシピを作成するステップは、前記パラメータを複数回変更して前記パラメータの変更のそれぞれに関連付けされた複数の個別部品特有レシピを作成することを含み、前記個別部品特有レシピを用いてレーザによって前記個別部品に対して行うべき加工を分析するステップは、前記複数の個別部品特有レシピのそれぞれを用いてレーザによって前記個別部品に行うべき加工を分析して前記複数の個別部品特有レシピのそれぞれに関連付けされたそれぞれの代替処理結果を得ることを含み、前記個別部品を処理するために前記初期設定レシピ及び前記個別部品特有レシピのいずれかを選択するステップは、前記初期処理結果または前記複数の個別部品特有レシピに関連付けされた前記代替処理結果のそれぞれのいずれが前記個別部品に対してより速い処理時間を含むか否かに基づいて、前記初期設定レシピまたは前記複数の個別部品特有レシピのいずれかを選択することを含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. 前記初期設定レシピは、前記レーザを基にしたシステムの部品支持構造に対して前記個別部品を位置合わせするために用いる基準フィールドを含み、前記基準フィールドは、目標位置を含み、前記初期設定レシピのパラメータを変更して前記個別部品特有レシピを作成するステップは、前記初期設定レシピにおける前記基準フィールドのサイズ及び位置から、前記基準フィールドのサイズ及び位置の少なくとも一つを調整して前記目標位置が、レーザを第一の方向及び前記第一の方向に直交する第二の方向に位置決めするための位置合わせフィールド、及び、レーザを前記個別部品に対して前記第一及び第二の方向に直交する第三の方向に位置決めするための焦点フィールドの少なくとも一つと共通の物理的目標を規定し、前記調整が前記個別部品に対して行うべき加工に基づいて行われる、
   ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
9. 前記代替レシピは、前記複数の半導体部品に共通のレシピであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
10. レーザを基にしたシステムにおいて複数の半導体部品を処理するための装置であって、
    Ａ）初期設定レシピを用いて前記レーザを基にしたシステムのレーザによって前記複数の半導体部品における個別の部品の各々に対して行うべき加工を該加工のコンピュータシミュレーションを実行することによって分析し、前記個別の部品を処理する前に、前記初期設定レシピを用いて前記個別部品を処理した場合の初期処理結果を取得するための手段であって、前記初期設定レシピは、同じ設計を有する前記複数の半導体部品を処理するための前記レーザを基にしたシステムのパラメータの共通のグループを含み、前記複数の半導体部品の少なくとも１つの部品に対して行うべき加工は前記複数の半導体部品の残りの部品の少なくとも１つに対して行うべき加工と異なる手段と、
    Ｂ）前記初期設定レシピのパラメータを変更し、個別部品特有レシピを前記パラメータに関連付けて作成するための手段であって、このパラメータは前記個別の部品に対して行うべき加工の計画に影響を与える手段と、
    Ｃ）前記個別部品特有レシピを用いて前記レーザを基にしたシステムによって前記個別部品に対して行うべき加工を該加工のコンピュータシミュレーションを実行することによって分析し、前記個別部品を処理する前に、前記個別部品特有レシピを用いて前記個別部品を処理した場合の代替処理結果を取得するための手段と、
    Ｄ）前記初期処理結果及び前記代替処理結果のいずれが望ましい処理結果に近似するかに基づいて、前記個別部品を処理するために前記初期設定レシピ及び前記個別部品特有レシピのいずれかを選択するための手段と、
    Ｅ）代替レシピにおいて、前記複数の半導体部品の各々について選択したレシピを組み合わせる手段と、
    を備え、
    前記レーザを基にしたシステムは、前記代替レシピを用いて前記複数の半導体部品の各々に対して行うべき加工を実行する、
    ことを特徴とする装置。

Images