JP2002043392A - 半導体製造装置及びチップアライメント方法 - Google Patents

半導体製造装置及びチップアライメント方法

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JP2002043392A
JP2002043392A JP2000227703A JP2000227703A JP2002043392A JP 2002043392 A JP2002043392 A JP 2002043392A JP 2000227703 A JP2000227703 A JP 2000227703A JP 2000227703 A JP2000227703 A JP 2000227703A JP 2002043392 A JP2002043392 A JP 2002043392A
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Japan
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chip
chip alignment
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processed
alignment area
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Application number
JP2000227703A
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Hideki Fujii
英樹 藤井
Hiroshi Ueda
浩史 上田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ウエハによって処理対象チップが散在している
場合に、アライメント回数を低減し、トータルスループ
ットを向上させ、最適なアライメント領域の設定を効率
よく行える半導体製造装置及びチップアライメント方法
を提供する。 【解決手段】処理データ読込手段11により読み込まれ
た処理データと製品データ読込手段12により読み込ま
れた製品に関するデータとによりウエハ上の処理対象チ
ップの散在状況を解析する処理対象チップ散在状況解析
手段13と、読み込まれた製品に関するデータにより最
適なチップアライメント領域を設定する最適チップアラ
イメント領域設定手段14と、解析されたウエハ上の処
理対象チップの散在状況と設定されたチップアライメン
ト領域とにより最適なチップアライメント領域区分を設
定する最適チップアライメント領域区分設定手段15と
を有するデータ解析部(CPU)10を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に形
成された半導体チップの処理を行うため半導体チップの
チップアライメントが行われる半導体製造装置及びチッ
プアライメント方法に関し、特に半導体基板上に処理対
象の半導体チップと処理非対象の半導体チップが混在す
る場合の半導体製造装置及びチップアライメント方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置においては、半導体基板
上に形成された半導体チップの処理を行うため、半導体
チップの位置決めつまりチップアライメントが行われ
る。
【0003】従来の半導体製造装置及びチップアライメ
ント方法は、図11のブロック図、図12のフローチャ
ート及び図13の説明図で説明される。なおここでは、
半導体基板上に処理対象の半導体チップと処理非対象の
半導体チップが混在する場合として、半導体チップの歩
留りを向上させるDRAM製造プロセスのリダンダンシ
工程に用いられる(半導体製造装置である)メモリリペ
ア装置を用いて説明する。
【0004】メモリリペア装置は、半導体基板上に形成
された半導体チップの(リペアすれは良品になる)不良
を救済するため、各不良半導体チップの必要な部位(ヒ
ューズ)にレーザビームを照射してヒューズを切断し、
半導体チップ内に予め作製されている予備の回路(冗長
回路)に切り替えるものです。このため、メモリリペア
装置では、半導体チップ中のリペア対象部位(ヒュー
ズ)の位置決めのため、半導体チップの位置決めつまり
チップアライメントが行わる。そしてその後、半導体チ
ップの処理(レーザビームの照射)が行われる。そして
この場合、半導体基板上のリペア対象半導体チップが処
理対象の半導体チップであり、半導体基板上の良品半導
体チップ及び完全不良(リペアしても良品にならない)
半導体チップが処理非対象の半導体チップである。
【0005】まず、図11及び図12に示すように、チ
ップアライメントを行う製品(半導体チップ)毎に、一
回毎のチップアライメントを行う領域(チップアライメ
ント領域(5))を、チップアライメント領域設定入力
手段14Aにより、設定する(図12のステップ120
1)。
【0006】チップアライメント領域(5)は、一般的
に、その半導体製造装置の持つ位置決め精度保証範囲に
よって決める。従って、チップアライメント領域(5)
は、半導体チップ1チップ分の場合も有るし、複数チッ
プ分の場合も有る。そして、半導体チップのチップアラ
イメント結果(位置決め精度)を試ながら、設定する
(メモリリペア装置では、ヒューズのレーザビームの照
射位置を試ながら、設定する)。また、チップアライメ
ント領域(5)の一設定方法として、その製品のフォト
リソグラフィ工程のステッパで用いられる、複数個の半
導体チップが面付けされたレチクルに合わせて、設定す
ることもある。
【0007】そして、データ解析部(CPU)10Aに
て、ウエハ処理データファイル20に格納されている、
処理するウエハ(1)についての処理データ(ウエハN
o.、ウエハ(1)上の処理対象チップ(3)の場所を
示すチップアドレス)を、処理データ読込手段11に
て、読み込む(ステップ1202)。
【0008】次に、製品データファイル30Aに格納さ
れている、製品に関するデータ(チップサイズ、ウエハ
マップ、ノッチの方向、等)を、製品データ読込手段1
2にて、読み込む(ステップ1203)。
【0009】そして次に、チップアライメント領域設定
入力手段14Aにより入力された(設定された)チップ
アライメント領域(5)と、処理データ読込手段11に
より読み込まれた処理データと、製品データ読込手段1
2により読み込まれた製品に関するデータとにより、チ
ップアライメント領域区分設定手段15Aにて、チップ
アライメント領域区分を設定する(ステップ120
4)。
【0010】ここで、チップアライメント領域区分の設
定方法は、図13に示すように、設定したチップアライ
メント領域5により、半導体基板1(以下ウエハ1とい
う)上に形成された半導体チップ2(以下チップ2とい
う、処理対象チップ3及び処理非対象チップ4)が順次
区分けされ、チップアライメント領域区分が設定され
る。そして、設定されたチップアライメント領域区分
は、製品単位で固定である。
【0011】そしてここで、区分けはウエハ1上に形成
された全チップ2が対象であり、ウエハ1の例えば上側
から下側に、且つ左側から右側に、順次区分けされる。
また、チップアライメント領域区分の一設定方法とし
て、その製品のフォトリソグラフィ工程のステッパで用
いられる、複数個の半導体チップが面付けされたレチク
ルのウエハ(1)のショットマップに合わせて、設定す
ることもある。
【0012】図13に示す具体例では、ウエハ1に対
し、2(横)×2(縦)の4チップ分のチップアライメ
ント領域5で区分けされ、22回のチップアライメント
が行われる。(なお図13に示す具体例では、処理対象
チップ3は36チップである)。
【0013】そして、各チップアライメントにおいて
は、チップアライメント領域5の対角の二隅に位置す
る、ウエハ1の各チップ2に形成されたチップアライメ
ントマーク(図示せず)の位置をレーザスキャンなどの
位置検出方法によって検出し、例えばウエハステージ
(図示せず)上に載置されているチップ2(ウエハ1)
の位置を補正して、チップアライメント領域5内のチッ
プ2の位置決めを行う。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
製造装置及びチップアライメント方法では、設定された
チップアライメント領域区分は、製品単位で固定であ
り、ウエハ(1)単位や製品ロット単位では変更(設
定)できない。そのため、例えばメモリリペア装置のよ
うな場合において、ウエハ1上に形成された全チップ2
が処理対象でなく、ウエハ1によって処理対象チップ3
が散在している場合では、処理非対象チップ4も含めた
チップアライメントにより、チップアライメント回数が
増加し、トータルスループットが低下するという問題が
ある。
【0015】また、チップアライメント領域5は、チッ
プ2(処理対象チップ3)のチップアライメント結果
(位置決め精度)を試ながら、試行錯誤的に設定する。
そのため、最適なチップアライメント領域5の設定に時
間が掛かってしまうという問題がある。
【0016】従って、本発明の目的は、ウエハに形成さ
れた全チップが処理対象でなく、ウエハによって処理対
象チップが散在している場合に、チップアライメント回
数を低減し、トータルスループットを向上させる半導体
製造装置及びチップアライメント方法を提供することに
ある。
【0017】本発明の他の目的は、最適なチップアライ
メント領域の設定を効率よく行える半導体製造装置及び
チップアライメント方法を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、処理を行う半導体基板上に形成された半導体チップ
についてのデータを格納するデータファイルと、前記デ
ータファイルに格納されている前記データを読み込む手
段であるデータ読込手段と、前記データ読込手段により
読み込まれた前記データにより前記半導体基板上の処理
対象チップの散在状況を解析する処理対象チップ散在状
況解析手段と、前記データ読込手段により読み込まれた
前記データによりチップアライメント領域を設定するチ
ップアライメント領域設定手段と、前記処理対象チップ
散在状況解析手段により解析された前記半導体基板上の
前記処理対象チップの散在状況と前記チップアライメン
ト領域設定手段により設定された前記チップアライメン
ト領域とによりチップアライメント領域区分を設定する
チップアライメント領域区分設定手段とを有するデータ
解析部と、を備えたことを特徴とする。
【0019】本発明のチップアライメント方法は、コン
ピュータを利用したチップアライメント方法において、
格納されている処理を行う半導体基板上に形成された半
導体チップについてのデータを読み込む工程と、読み込
まれた前記データにより前記半導体基板上の処理対象チ
ップの散在状況を解析する工程とを有することを特徴と
する。
【0020】また、前記半導体基板上の前記処理対象チ
ップの散在状況を解析する前記工程は、ウエハマップ上
のどのチップアドレスの前記半導体チップが前記処理対
象チップなのか、マッピングする工程である。
【0021】本発明のチップアライメント方法は、コン
ピュータを利用したチップアライメント方法において、
格納されている処理を行う半導体基板上に形成された半
導体チップについてのデータを読み込む工程と、読み込
まれた前記データによりチップアライメント領域を設定
する工程とを有することを特徴とする。
【0022】また、前記チップアライメント領域を設定
する前記工程は、チップアライメントの精度余裕を算出
し、算出した前記チップアライメントの精度余裕から前
記チップアライメント領域の大きさを設定し、設定され
た前記チップアライメント領域の大きさ内に前記半導体
チップが含まれるように前記チップアライメント領域を
設定する工程である。
【0023】また、前記半導体チップに形成されたヒュ
ーズのピッチと、前記ヒューズを切断するレーザビーム
の大きさから、前記チップアライメントの前記精度余裕
を算出する。
【0024】本発明のチップアライメント方法は、コン
ピュータを利用したチップアライメント方法において、
解析された半導体基板上の処理対象チップの散在状況と
設定されたチップアライメント領域とによりチップアラ
イメント領域区分を設定する工程を有することを特徴と
する。
【0025】また、前記チップアライメント領域区分を
設定する前記工程は、一つの前記処理対象チップを選定
し、選定した一つの前記処理対象チップに対し前記チッ
プアライメント領域内の半導体チップ位置に前記処理対
象チップが位置するように前記チップアライメント領域
の位置を移動させ、前記チップアライメント領域内に含
まれる前記処理対象チップ数が最も多い前記チップアラ
イメント領域の位置を選択し、選択した前記チップアラ
イメント領域の位置を一つの前記チップアライメント領
域区分として設定し、選択した前記位置の前記チップア
ライメント領域内に含まれる前記処理対象チップを選定
対象から除外し、選定する前記処理対象チップはないか
判断し、選定する前記処理対象チップがある場合は上記
処理を繰り返して、前記チップアライメント領域区分を
設定する工程である。
【0026】また、前記チップアライメント領域区分を
設定する前記工程は、前記チップアライメント領域内に
含まれる前記処理対象チップ数が同一である前記チップ
アライメント領域の前記チップアライメント領域区分を
前記チップアライメント領域内に含まれる前記処理対象
チップ数が多い順に順次設定して、前記チップアライメ
ント領域区分を設定する工程である。
【0027】また、前記チップアライメント領域内に含
まれる前記処理対象チップ数が同一である前記チップア
ライメント領域の前記チップアライメント領域区分を設
定する工程は、一つの前記処理対象チップを選定し、選
定した一つの前記処理対象チップに対し前記チップアラ
イメント領域内の半導体チップ位置に前記処理対象チッ
プが位置するように前記チップアライメント領域の位置
を移動させ、前記チップアライメント領域内に含まれる
前記処理対象チップ数が最も多い前記チップアライメン
ト領域の位置を選択し、選択した前記位置の前記チップ
アライメント領域内に含まれる前記処理対象チップ数が
所定数か判断し、選択した前記位置の前記チップアライ
メント領域内に含まれる前記処理対象チップ数が前記所
定数である場合は選択した前記チップアライメント領域
の位置を一つの前記チップアライメント領域区分として
設定し、選択した前記位置の前記チップアライメント領
域内に含まれる前記処理対象チップを選定対象から除外
し、選択した前記位置の前記チップアライメント領域内
に含まれる前記処理対象チップ数が前記所定数でない場
合は選定した前記処理対象チップを前記選定対象から除
外し、選定する前記処理対象チップはないか判断し、選
定する前記処理対象チップがある場合は上記処理を繰り
返す、工程である。
【0028】この様な本発明によれば、処理対象チップ
散在状況解析手段により解析された半導体基板上の処理
対象チップの散在状況と、チップアライメント領域設定
手段により設定されたチップアライメント領域とによ
り、チップアライメント領域区分設定手段にて、チップ
アライメント領域区分を設定する。
【0029】また、データ読込手段により読み込まれた
処理を行う半導体基板上に形成された半導体チップにつ
いてのデータにより、チップアライメント領域設定手段
にて、チップアライメント領域を設定する。
【0030】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の半導
体製造装置の一実施形態を示すブロック図である。
【0031】なおここでは、半導体基板上に処理対象の
半導体チップと処理非対象の半導体チップが混在する場
合として、半導体製造装置であるメモリリペア装置を用
いて説明する。メモリリペア装置では、半導体チップ中
のリペア対象部位(ヒューズ)の位置決めのため、半導
体チップの位置決めつまりチップアライメントが行わ
る。そしてその後、半導体チップの処理(レーザビーム
の照射)が行われる。そしてこの場合、半導体基板上の
リペア対象半導体チップが処理対象の半導体チップであ
り、半導体基板上の良品半導体チップ及び完全不良半導
体チップが処理非対象の半導体チップである。
【0032】図1に示すように、本実施形態の半導体製
造装置(メモリリペア装置)は、処理するウエハ(1)
についての処理データ(ウエハNo.、ウエハ(1)上
の処理対象チップ(3)の場所を示すチップアドレス)
を格納するウエハ処理データファイル20、製品に関す
るデータ(チップサイズ、ウエハマップ、ノッチの方
向、ヒューズ幅、ヒューズピッチ、レーザビームサイ
ズ、等)を格納する製品データファイル30、ウエハ処
理データファイル20に格納されている処理データを読
み込む処理データ読込手段11と、製品データファイル
30に格納されている製品に関するデータを読み込む製
品データ読込手段12と、処理データ読込手段11によ
り読み込まれた処理データと製品データ読込手段12に
より読み込まれた製品に関するデータとによりウエハ
(1)上の処理対象チップ(3)の散在状況を解析する
処理対象チップ散在状況解析手段13と、製品データ読
込手段12により読み込まれた製品に関するデータによ
り最適なチップアライメント領域(5)を設定する最適
チップアライメント領域設定手段14と、処理対象チッ
プ散在状況解析手段13により解析されたウエハ(1)
上の処理対象チップ(3)の散在状況と最適チップアラ
イメント領域設定手段14により設定されたチップアラ
イメント領域(5)とにより最適なチップアライメント
領域区分を設定する最適チップアライメント領域区分設
定手段15とを有するデータ解析部(CPU)10、を
備えている。
【0033】そして次に、図2は本発明のチップアライ
メント方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【0034】図2に示すように、本実施形態のチップア
ライメント方法は、まず、データ解析部(CPU)10
にて、ウエハ処理データファイル20に格納されてい
る、処理するウエハ(1)についての処理データ(ウエ
ハNo.、ウエハ(1)上の処理対象チップ(3)の場
所を示すチップアドレス)を、処理データ読込手段11
にて、読み込む(図2のステップ201)。
【0035】そして、製品データファイル30に格納さ
れている、製品に関するデータ(チップサイズ、ウエハ
マップ、ノッチの方向、ヒューズ幅、ヒューズピッチ、
レーザビームサイズ、等)を、製品データ読込手段12
にて、読み込む(ステップ202)。
【0036】そして、処理データ読込手段11により読
み込まれた処理データ(ウエハNo.、ウエハ(1)上
の処理対象チップ(3)の場所を示すチップアドレス)
と、製品データ読込手段12により読み込まれた製品に
関するデータ(チップサイズ、ウエハマップ、ノッチの
方向)とにより、処理対象チップ散在状況解析手段13
にて、ウエハ(1)上の処理対象チップ(3)の散在状
況を解析する(ステップ203)。
【0037】そして、製品データ読込手段12により読
み込まれた製品に関するデータ(ヒューズピッチ、レー
ザビームサイズ)により、最適チップアライメント領域
設定手段14にて、最適なチップアライメント領域
(5)を設定する(ステップ204)。
【0038】そして、処理対象チップ散在状況解析手段
13により解析されたウエハ(1)上の処理対象チップ
(3)の散在状況と、最適チップアライメント領域設定
手段14により設定されたチップアライメント領域
(5)とにより、最適チップアライメント領域区分設定
手段15にて、最適なチップアライメント領域区分を設
定する(ステップ205)。
【0039】ここで、処理するウエハについての処理デ
ータは、図3の説明図に例を示すような、データ形式で
ある。ここで、W**は処理するウエハNo.、C*,
*はウエハ1上の処理対象チップ3の場所を示すチップ
アドレス、/Eはデータの終わりを示している。
【0040】またここで、製品に関するデータのチップ
サイズ、ウエハマップ、ノッチ(6)の方向は、図3に
例を示すようなものである。
【0041】またここで、ウエハ(1)上の処理対象チ
ップ(3)の散在状況を解析する、処理対象チップ散在
状況解析方法(処理対象チップ散在状況解析手段13)
は、読み込まれた処理データ(ウエハNo.、ウエハ
(1)上の処理対象チップ(3)の場所を示すチップア
ドレス)と、読み込まれた製品に関するデータ(チップ
サイズ、ウエハマップ、ノッチの方向)とにより、ウエ
ハ1のノッチ6の方向を基準にして、ウエハマップ上の
どのチップアドレスのチップ2が処理対象チップ3なの
か、マッピングする。(図3、図6及び図7参照)。
【0042】またここで、読み込まれた製品に関するデ
ータ(ヒューズピッチ、レーザビームサイズ)により、
最適なチップアライメント領域(5)を設定する、最適
チップアライメント領域設定方法(最適チップアライメ
ント領域設定手段14)について、図4の説明図、表1
及び図5のフローチャートを用いて、説明する。
【0043】まず、図4(a)に示すように、チップア
ライメント領域(5)は、(製品に関するデータであ
る、)次の2つの要素(1)及び(2)から、チップア
ライメントの精度余裕(SY)を算出し、算出したチッ
プアライメントの精度余裕(SY)から、必要なチップ
アライメント領域(5)の大きさ(以下チップアライメ
ントサイズ(CAS)という)を設定する。 (1)予め決まっているヒューズ7の幅(FW)及びピ
ッチ(FP)。 (2)予め設定された安定してヒューズ7を切断できる
レーザビーム8のサイズ(大きさ、LBS)。
【0044】チップアライメントサイズ(CAS)は、
チップアライメントの精度余裕(SY)があれば、大き
く取ることができ、逆に、チップアライメントの精度余
裕(SY)が無ければ、チップアライメントサイズ(C
AS)を小さくせざるを得ない。
【0045】ここで、具体例により説明する。チップア
ライメントの精度余裕(SY)、ヒューズ7のピッチ
(FP)及びレーザビーム8のサイズ(LBS)の関係
は、次の計算式(A)で表わされる。 SY=FP−LBS…(A) そしてここで、例えば、FP=4.0μm、LBS=
3.0μmとすると、計算式(A)により、SY=1.
0μmになる。
【0046】なお図4(b)に示すような、ヒューズ7
のピッチ(FP)<レーザビーム8のサイズ(LBS)
の場合は、チップアライメントの精度余裕(SY)=0
とする。
【0047】そして、次の表1を用いて、算出したチッ
プアライメントの精度余裕(SY)から、チップアライ
メントサイズ(CAS)を求める。この場合、SY=
1.0μmなので、チップアライメントサイズ(CA
S)は、□3.6cm以下になる。このようにして、算
出したチップアライメントの精度余裕(SY)から、チ
ップアライメントサイズ(CAS)を設定する。
【0048】
【表1】
【0049】そして、設定されたチップアライメントサ
イズ(CAS)から、このチップアライメントサイズ
(CAS)内に、チップ2が含まれるように、チップ2
のチップサイズから、チップアライメント領域(5)を
設定する。
【0050】この例ではチップサイズを□1.8cmと
すれば、□3.6cm(2(横)×2(縦)の4チップ
分)のチップアライメント領域(5)が設定される。
【0051】ここで、最適チップアライメント領域設定
方法(最適チップアライメント領域設定手段14)につ
いて、再度、図5のフローチャートを用いて、説明す
る。
【0052】図5に示すように、まず、読み込まれた製
品に関するデータ(ヒューズピッチ、レーザビームサイ
ズ)から、チップアライメントの精度余裕を算出する
(図5のステップ501)。
【0053】そして、算出したチップアライメントの精
度余裕から、表(テーブル)を参照して、必要なチップ
アライメント領域(5)の大きさ(チップアライメント
サイズ)を設定する(ステップ502)。
【0054】そして、設定されたチップアライメントサ
イズから、このチップアライメントサイズ内に、チップ
(2)が含まれるように、チップ(2)のチップサイズ
から、チップアライメント領域(5)を設定する(ステ
ップ503)。
【0055】またここで、処理対象チップ散在状況解析
手段13により解析されたウエハ1上の処理対象チップ
3の散在状況と、最適チップアライメント領域設定手段
14により設定されたチップアライメント領域(5)と
により、最適なチップアライメント領域区分を設定す
る、最適チップアライメント領域区分設定方法(第1の
設定方法)(最適チップアライメント領域区分設定手段
15)について、図6のフローチャート及び図7の具体
例を示す説明図を用いて、説明する。なおここでは、図
7に示すような、ウエハ1上の処理対象チップ3の散在
状況であり、また、2(横)×2(縦)の4チップ分の
チップアライメント領域5が設定されている。
【0056】図6及び図7に示すように、まず、ウエハ
マップ上の上側から下側に一列毎に且つ列の一端側から
他端側に、順次一つの処理対象チップ3を選定する(図
6のステップ601)。
【0057】そして、選定した一つの処理対象チップ3
に対し、チップアライメント領域5内のチップ位置の左
上のチップ位置を基準位置(1)として、左上(1)→
右上(2)→左下(3)→右下(4)と処理対象チップ
3が位置するように、チップアライメント領域5の位置
を移動させる。そしてこのとき、チップアライメント領
域5内に含まれる処理対象チップ(3)数が最も多いチ
ップアライメント領域5の位置を選択する。図7に示す
具体例の場合は、図に示す処理対象チップ3Aに対し、
含まれる処理対象チップ(3)数が最も多い(3個)、
(B)のチップアライメント領域5の位置を選択する。
そして、選択したチップアライメント領域5の位置を、
一つのチップアライメント領域区分として設定する(ス
テップ602)。
【0058】そして、選択した位置のチップアライメン
ト領域5内に含まれる処理対象チップ3を、選定対象か
ら除外する(ステップ603)。
【0059】そして、選定する処理対象チップ3はない
か、判断する(ステップ604)。選定する処理対象チ
ップ3がある(NOの)場合は、ステップ601からス
テップ604を繰り返す。
【0060】このようにして、チップアライメント領域
区分を設定する。図7に示す具体例では、このようにし
て、16のチップアライメント領域区分を設定する。
(チップアライメント回数は16回である)。
【0061】また、本実施形態では、ウエハマップ上の
上側から下側に一列毎に且つ列の一端側から他端側に、
順次一つの処理対象チップ3を選定したが、本発明はこ
れに限定されず、例えば、ウエハマップ上の下側から上
側に、左側から右側に、または右側から左側に、順次一
つの処理対象チップ3を選定しても良い。
【0062】そしてまた、他の最適チップアライメント
領域区分設定方法(第2の設定方法)(他の最適チップ
アライメント領域区分設定手段15)について、図8、
図9のフローチャート及び図10の具体例を示す説明図
を用いて、説明する。なおここでは、図10に示すよう
な、ウエハ1上の処理対象チップ3の散在状況であり、
また、2(横)×2(縦)の4チップ分のチップアライ
メント領域5が設定されている。
【0063】まず、図8及び図10に示すように、そし
てまず、チップアライメント領域5内に含まれる処理対
象チップ(3)数が全数(N個、この例の場合は4個)
であるチップアライメント領域5の、チップアライメン
ト領域区分を設定する(図8のステップ801)。(図
10に示す具体例で、Aのチップアライメント領域区分
である)。
【0064】そして、チップアライメント領域5内に含
まれる処理対象チップ(3)数が(N−1)個(この例
の場合は3個)であるチップアライメント領域5の、チ
ップアライメント領域区分を設定する(ステップ80
2)。(図10に示す具体例で、Bのチップアライメン
ト領域区分である)。
【0065】そして、チップアライメント領域5内に含
まれる処理対象チップ(3)数が(N−2)個(この例
の場合は2個)であるチップアライメント領域5の、チ
ップアライメント領域区分を設定する(ステップ80
3)。(図10に示す具体例で、Cのチップアライメン
ト領域区分である)。
【0066】そして、チップアライメント領域5内に含
まれる処理対象チップ(3)数が(N−3)個、(N−
4)個、…、であるチップアライメント領域5の、チッ
プアライメント領域区分を、順次設定する(この例の場
合、このステップはない)。
【0067】そして、(最後に)チップアライメント領
域5内に含まれる処理対象チップ(3)数が1個である
チップアライメント領域5の、チップアライメント領域
区分を設定する(ステップ804)。(図10に示す具
体例で、Dのチップアライメント領域区分である)。
【0068】次に、上述した各ステップ(ステップ80
1〜804)での、チップアライメント領域区分を設定
するチップアライメント領域区分設定方法に付いて、図
9を用いて説明する。ここでは、ステップ801につい
て説明するが、各ステップ同様である。
【0069】図9に示すように、まず、ウエハマップ上
の上側から下側に一列毎に且つ列の一端側から他端側
に、順次一つの処理対象チップ3を選定する(図9のス
テップ901)。
【0070】そして、選定した一つの処理対象チップ3
に対し、チップアライメント領域5内のチップ位置の左
上のチップ位置を基準位置(1)として、左上(1)→
右上(2)→左下(3)→右下(4)と処理対象チップ
3が位置するように、チップアライメント領域5の位置
を移動させる。そしてこのとき、チップアライメント領
域5内に含まれる処理対象チップ(3)数が最も多いチ
ップアライメント領域5の位置を選択する(ステップ9
02)。
【0071】そして、選択した位置のチップアライメン
ト領域5内に含まれる処理対象チップ(3)数はN個
(全数)か、判断する(ステップ903)。(ステップ
802の場合は(N−1)個か、ステップ803の場合
は(N−2)個か、ステップ804の場合は1個か、判
断する)。
【0072】そして、そうである(YESの)場合は、
選択したチップアライメント領域5の位置を、一つのチ
ップアライメント領域区分として設定する(ステップ9
04)。
【0073】そして、選択した位置のチップアライメン
ト領域5内に含まれる処理対象チップ3を、選定対象か
ら除外する(ステップ905)。
【0074】そしてまた、ステップ903の判断にて、
そうでない(NOの)場合は、選定した処理対象チップ
3を、選定対象から除外する(ステップ906)。
【0075】そして、選定する処理対象チップ3はない
か、判断する(ステップ907)。選定する処理対象チ
ップ3がある(NOの)場合は、ステップ901からス
テップ907を繰り返す。
【0076】このようにして、チップアライメント領域
区分を設定する。図10に示す具体例では、このように
して、15のチップアライメント領域区分を設定する。
(チップアライメント回数は15回である)。
【0077】また、本実施形態では、ウエハマップ上の
上側から下側に一列毎に且つ列の一端側から他端側に、
順次一つの処理対象チップ3を選定したが、本発明はこ
れに限定されず、例えば、ウエハマップ上の下側から上
側に、左側から右側に、または右側から左側に、順次一
つの処理対象チップ3を選定しても良い。
【0078】ここで、上述した本発明の実施形態の具体
例と従来技術の具体例との、比較を行う。なおここで、
比較する条件(ウエハ1上の処理対象チップ3の散在状
況及び設定されたチップアライメント領域5)は同一で
ある。図13に示す従来技術の具体例では、チップアラ
イメント回数が22回であるのに対し、図7に示す本発
明の実施形態の第1のチップアライメント領域区分設定
方法の具体例では、チップアライメント回数は16回
(16のチップアライメント領域区分を設定する)であ
り、また、図10に示す本発明の実施形態の第2のチッ
プアライメント領域区分設定方法の具体例では、チップ
アライメント回数は15回(15のチップアライメント
領域区分を設定する)である。このように、チップアラ
イメント回数は、この具体例の場合(1ウエハ当たり)
7回(22回−15回)低減される(第2のチップアラ
イメント領域区分設定方法の場合)。
【0079】そして、例えば、1回のチップアライメン
ト時間を1.7秒、1ウエハの平均処理時間を5分とす
ると、1日(24時間)に処理できるウエハ処理能力
は、この具体例の場合次のようになる。 従来技術:24時間/5分=288ウエハ/日 本発明の実施形態:24時間/(5分−1.7秒*7
回)=299.9ウエハ/日となり、トータルスループ
ットが4.1%向上する。
【0080】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ウ
エハに形成された全チップが処理対象でなく、ウエハに
よって処理対象チップが散在している場合に、処理対象
チップ散在状況解析手段により解析されたウエハ上の処
理対象チップの散在状況と、最適チップアライメント領
域設定手段により設定されたチップアライメント領域と
により、最適チップアライメント領域区分設定手段に
て、最適なチップアライメント領域区分を設定するの
で、チップアライメント回数を低減し、トータルスルー
プットを向上させるという効果が得られる。
【0081】また、製品データ読込手段により読み込ま
れた製品に関するデータにより、最適チップアライメン
ト領域設定手段にて、チップアライメント領域を設定す
るので、最適なチップアライメント領域の設定を効率よ
く行えるという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体製造装置の一実施形態を示すブ
ロック図である。
【図2】本発明のチップアライメント方法の一実施形態
を示すフローチャートである。
【図3】図2の処理データ及び製品に関するデータを示
す説明図である。
【図4】図2のチップアライメント領域の設定を示す説
明図である。
【図5】図4と共に、図2のチップアライメント領域の
設定を示すフローチャートである。
【図6】図2の最適なチップアライメント領域区分を設
定する最適チップアライメント領域区分設定方法(第1
の設定方法)を示すフローチャートである。
【図7】図6の最適チップアライメント領域区分設定方
法(第1の設定方法)の具体例を示す説明図である。
【図8】図2の最適なチップアライメント領域区分を設
定する最適チップアライメント領域区分設定方法(第2
の設定方法)を示すフローチャートである。
【図9】図8のチップアライメント領域区分を設定する
チップアライメント領域区分設定方法を示すフローチャ
ートである。
【図10】図8の最適チップアライメント領域区分設定
方法(第2の設定方法)の具体例を示す説明図である。
【図11】従来技術を示すブロック図である。
【図12】図11と共に、従来技術を示すフローチャー
トである。
【図13】図11及び図12と共に、従来技術を示す説
明図である。
【符号の説明】
1 半導体基板(ウエハ) 2 半導体チップ(チップ) 3 処理対象チップ 4 処理非対象チップ 5 チップアライメント領域 6 ノッチ 7 ヒューズ 8 レーザビーム 10,10A データ解析部(CPU) 11 処理データ読込手段 12 製品データ読込手段 13 処理対象チップ散在状況解析手段 14 最適チップアライメント領域設定手段 14A チップアライメント領域設定入力手段 15 最適チップアライメント領域区分設定手段 15A チップアライメント領域区分設定手段 20 ウエハ処理データファイル 30,30A 製品データファイル

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理を行う半導体基板上に形成された半
    導体チップについてのデータを格納するデータファイル
    と、前記データファイルに格納されている前記データを
    読み込む手段であるデータ読込手段と、前記データ読込
    手段により読み込まれた前記データにより前記半導体基
    板上の処理対象チップの散在状況を解析する処理対象チ
    ップ散在状況解析手段と、前記データ読込手段により読
    み込まれた前記データによりチップアライメント領域を
    設定するチップアライメント領域設定手段と、前記処理
    対象チップ散在状況解析手段により解析された前記半導
    体基板上の前記処理対象チップの散在状況と前記チップ
    アライメント領域設定手段により設定された前記チップ
    アライメント領域とによりチップアライメント領域区分
    を設定するチップアライメント領域区分設定手段とを有
    するデータ解析部と、を備えたことを特徴とする半導体
    製造装置。
  2. 【請求項2】 コンピュータを利用したチップアライメ
    ント方法において、格納されている処理を行う半導体基
    板上に形成された半導体チップについてのデータを読み
    込む工程と、読み込まれた前記データにより前記半導体
    基板上の処理対象チップの散在状況を解析する工程とを
    有することを特徴とするチップアライメント方法。
  3. 【請求項3】 前記半導体基板上の前記処理対象チップ
    の散在状況を解析する前記工程は、ウエハマップ上のど
    のチップアドレスの前記半導体チップが前記処理対象チ
    ップなのか、マッピングする工程である請求項2記載の
    チップアライメント方法。
  4. 【請求項4】 コンピュータを利用したチップアライメ
    ント方法において、格納されている処理を行う半導体基
    板上に形成された半導体チップについてのデータを読み
    込む工程と、読み込まれた前記データによりチップアラ
    イメント領域を設定する工程とを有することを特徴とす
    るチップアライメント方法。
  5. 【請求項5】 前記チップアライメント領域を設定する
    前記工程は、チップアライメントの精度余裕を算出し、
    算出した前記チップアライメントの精度余裕から前記チ
    ップアライメント領域の大きさを設定し、設定された前
    記チップアライメント領域の大きさ内に前記半導体チッ
    プが含まれるように前記チップアライメント領域を設定
    する工程である請求項4記載のチップアライメント方
    法。
  6. 【請求項6】 前記半導体チップに形成されたヒューズ
    のピッチと、前記ヒューズを切断するレーザビームの大
    きさから、前記チップアライメントの前記精度余裕を算
    出する請求項5記載のチップアライメント方法。
  7. 【請求項7】 コンピュータを利用したチップアライメ
    ント方法において、解析された半導体基板上の処理対象
    チップの散在状況と設定されたチップアライメント領域
    とによりチップアライメント領域区分を設定する工程を
    有することを特徴とするチップアライメント方法。
  8. 【請求項8】 前記チップアライメント領域区分を設定
    する前記工程は、一つの前記処理対象チップを選定し、
    選定した一つの前記処理対象チップに対し前記チップア
    ライメント領域内の半導体チップ位置に前記処理対象チ
    ップが位置するように前記チップアライメント領域の位
    置を移動させ、前記チップアライメント領域内に含まれ
    る前記処理対象チップ数が最も多い前記チップアライメ
    ント領域の位置を選択し、選択した前記チップアライメ
    ント領域の位置を一つの前記チップアライメント領域区
    分として設定し、選択した前記位置の前記チップアライ
    メント領域内に含まれる前記処理対象チップを選定対象
    から除外し、選定する前記処理対象チップはないか判断
    し、選定する前記処理対象チップがある場合は上記処理
    を繰り返して、前記チップアライメント領域区分を設定
    する工程である請求項7記載のチップアライメント方
    法。
  9. 【請求項9】 前記チップアライメント領域区分を設定
    する前記工程は、前記チップアライメント領域内に含ま
    れる前記処理対象チップ数が同一である前記チップアラ
    イメント領域の前記チップアライメント領域区分を前記
    チップアライメント領域内に含まれる前記処理対象チッ
    プ数が多い順に順次設定して、前記チップアライメント
    領域区分を設定する工程である請求項7記載のチップア
    ライメント方法。
  10. 【請求項10】 前記チップアライメント領域内に含ま
    れる前記処理対象チップ数が同一である前記チップアラ
    イメント領域の前記チップアライメント領域区分を設定
    する工程は、一つの前記処理対象チップを選定し、選定
    した一つの前記処理対象チップに対し前記チップアライ
    メント領域内の半導体チップ位置に前記処理対象チップ
    が位置するように前記チップアライメント領域の位置を
    移動させ、前記チップアライメント領域内に含まれる前
    記処理対象チップ数が最も多い前記チップアライメント
    領域の位置を選択し、選択した前記位置の前記チップア
    ライメント領域内に含まれる前記処理対象チップ数が所
    定数か判断し、選択した前記位置の前記チップアライメ
    ント領域内に含まれる前記処理対象チップ数が前記所定
    数である場合は選択した前記チップアライメント領域の
    位置を一つの前記チップアライメント領域区分として設
    定し、選択した前記位置の前記チップアライメント領域
    内に含まれる前記処理対象チップを選定対象から除外
    し、選択した前記位置の前記チップアライメント領域内
    に含まれる前記処理対象チップ数が前記所定数でない場
    合は選定した前記処理対象チップを前記選定対象から除
    外し、選定する前記処理対象チップはないか判断し、選
    定する前記処理対象チップがある場合は上記処理を繰り
    返す、工程である請求項9記載のチップアライメント方
    法。
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