JP5621712B2 - 半導体チップ - Google Patents

Description

本発明は、ワイヤボンディング接続が行われる半導体チップに関する。

一般に、この種の半導体チップとしては、シリコンなどの半導体よりなる半導体部と、この半導体部の一面上に設けられたアルミ等よりなるワイヤボンディング用の電極パッドとを備えるものが提案されている。

ここで、一般には、直接電極パッドにワイヤを当てて超音波振動などを行いながら、荷重を加えることにより、ワイヤボンディングを行うが、このワイヤボンディングによる荷重が、電極パッドの下の半導体部に印加され、ダメージを与える恐れがある。

このような問題に対して、従来では、電極パッド上にさらに衝撃吸収材としてのバンプを形成し、このバンプにワイヤボンディングを打つことで、バンプによって電極パッドおよびその下の半導体部に加わる衝撃を緩和させるようにしたものが提案されている（特許文献１参照）。

特開２００１−３０８１３９号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載のものでは、バンプは、その周囲の保護膜よりも突出し、また、保護膜との間に隙間を有するものとなっており、これらの突出や隙間によりバンプと保護膜との間に段差が存在する。

そのため、ワイヤボンディング時にワイヤが位置ずれし、バンプからはみ出して当該段差上に位置したときには、ワイヤが当該段差に沿って変形し、クラック等を生じる可能性がある。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ワイヤボンディング接続が行われる半導体チップにおいて、ワイヤボンディング時における電極パッド下の半導体部へのダメージの低減、および、ワイヤの位置ずれによる当該ワイヤのダメージの低減を図ることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体よりなる半導体部（１１）と、前記半導体部（１１）の一面（１２）上に設けられたワイヤボンディング用の電極パッド（１４）とを備える半導体チップにおいて、
電極パッド（１４）上に積層されて接続され、半導体部（１１）の一面（１２）上に突出する導電性材料よりなるバンプ（１５）と、
半導体部（１１）の一面（１２）上に設けられ、電極パッド（１４）およびバンプ（１５）を封止する電気絶縁性の保護膜（１６）と、を備え、
バンプ（１５）の先端面（１５ａ）は保護膜（１６）より露出するとともに、保護膜（１６）とバンプ（１５）の先端面（１５ａ）とは連続した同一平面を構成しており、
バンプ（１５）の先端面（１５ａ）にワイヤボンディングがなされるようになっており、
バンプ（１５）の先端面（１５ａ）上には、当該先端面（１５ａ）よりも広いサイズの金属箔（１８）が、当該先端面（１５ａ）から保護膜（１６）上まではみ出した状態で積層されていることを特徴とする。

それによれば、バンプ（１５）を介して電極パッド（１４）にワイヤボンディングすることになるから、電極パッド（１４）上のバンプ（１５）がワイヤボンディング時の衝撃を緩和する。

また、保護膜（１６）とバンプ（１５）の先端面（１５ａ）とが、連続した同一平面を構成することで、バンプ（１５）の先端面（１５ａ）とその周囲の保護膜（１６）との間には、段差が無いものとなるから、ワイヤボンディングの位置ずれが生じてバンプ（１５）の先端面（１５ａ）からワイヤ（４０）がはみ出しても、従来のような段差によるワイヤの変形が防止される。

よって、本発明によれば、ワイヤボンディング時における電極パッド（１４）下の半導体部（１１）へのダメージの低減、および、ワイヤ（４０）の位置ずれによる当該ワイヤのダメージの低減が図れる。

さらに、本発明によれば、ワイヤボンディングの位置ずれが生じてバンプ（１５）の先端面（１５ａ）からワイヤ（４０）がはみ出しても、金属箔（１８）は当該先端面（１５ａ）からはみ出す広いものであるから、適切にワイヤボンディングが行え、また、金属箔（１８）として、バンプ（１５）よりもワイヤボンディング性に優れたものを用いることができ、ワイヤボンディングの信頼性向上が期待できる。

また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体チップにおいて、バンプ（１５）は半導体部（１１）よりも軟らかい材料よりなるものであることを特徴とする。

それによれば、バンプ（１５）によるワイヤボンディング時の衝撃緩和の点で好ましい。

また、請求項３に記載の発明では、請求項１または２に記載の半導体チップにおいて、保護膜（１６）は、半導体部（１１）の一面（１２）に直接接触して設けられていることを特徴とする。

本発明のように、保護膜（１６）を、半導体部（１１）の一面（１２）に直接接触して設けたものにすることで、保護膜（１６）に、半導体チップ（１０）における従来の表面保護膜の役割を持たせてもよい。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態に係る半導体チップを示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の上視概略平面図である。 図１中の半導体チップを含むモールドパッケージの概略断面図である。 第１実施形態に係る半導体チップにおけるバンプおよび保護膜の形成工程を示す工程図である。 従来の一般的な半導体チップにワイヤボンディングを行う場合を示す概略断面図である。 第１実施形態の半導体チップについてワイヤボンディングを行う場合を示す概略断面図である。 第１実施形態における保護膜の構成のバリエーションを示す概略断面図である。 本発明の第２実施形態に係る半導体チップの概略断面図である。 本発明の第３実施形態に係る半導体チップの概略断面図である。 本発明の第４実施形態に係る半導体チップの応用例を示す概略断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体チップ１０を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の上視概略平面図である。また、図２は、図１中の半導体チップ１０を含むモールドパッケージ１の概略断面構成を示す図である。

本実施形態の半導体チップ１０は、半導体よりなりベースとなる半導体部１１と、半導体部１１の一面１２上に設けられたワイヤボンディング用の電極パッド１４とを備えている。半導体部１１は、シリコン半導体などの半導体よりなる板状をなすもので、ここでは、一方の板面１２を一面１２、他方の板面１３を他面１３とする典型的な矩形板状をなしている。

この半導体部１１には、一般的な半導体プロセスにより形成されたトランジスタ素子などが形成され、たとえばＩＣチップを構成している。電極パッド１４は、一般的なアルミニウムなどよりなるもので、スパッタや蒸着などにより形成されたものである。ここでは、図１に示されるように、電極パッド１４は、平面矩形のものであり、複数個の電極パッド１４が半導体部１１の一面１２の周辺部に環状に配置されている。

そして、半導体チップ１０においては、導電性材料よりなるバンプ１５が、各電極パッド１４上に積層されており、半導体部１１の一面１２上に突出している。ここで、バンプ１５と電極パッド１４とは直接接触して電気的に接続されている。

このバンプ１５は、ＳｎＡｇ（銀スズ合金）やＣｕ（銅）などの導電性材料よりなるものであり、これらの導電性材料よりなるペーストを焼成してなるものである。また、バンプ１５は半導体部１１よりも軟らかい材料よりなるものであることが望ましい。具体的には、バンプ１５を構成する上記導電性材料は、半導体部１１を構成するＳｉなどの半導体材料よりも軟らかいものである。

また、バンプ１５は、柱状のものであればよいが、ここでは図１に示されるように、軸方向の断面が根元である電極パッド１４側の部位から、電極パッド１４の上方に向かって細くなる台形をなす円柱形状である。

そして、半導体チップ１０は、半導体部１１の一面１２上に、電極パッド１４およびバンプ１５を封止する電気絶縁性の保護膜１６を備えている。ここで、図１に示されるように、バンプ１５の先端面１５ａは保護膜１６の上面１６ａにて保護膜１６より露出しており、保護膜１６とバンプ１５の先端面１５ａとは連続した同一平面を構成している。

つまり、バンプ１５の先端面１５ａとその周囲の保護膜１６の上面１６ａとは、半導体部１１の一面１２の高さが実質同一であって隙間なく連続してつながった同一平面、いわゆる面一（ツライチ）とされている。

さらに言えば、保護膜１６はバンプ１５の側面に接触して隙間なく封止しており、保護膜１６の厚さは、半導体部１１の一面１２上における電極パッド１４およびバンプ１５の高さの合計分と実質同一とされている。以下、これら両面１５ａ、１６ａの連続した同一平面構成を、単に、「同一平面構成」ということにする。

そして、本実施形態では、この保護膜１６より露出するバンプ１５の先端面１５ａに、ワイヤボンディングがなされるようになっている。具体的には、たとえば半導体チップ１０を配線基板やリードフレームなどに搭載し、この半導体チップ１０のバンプ１５と、外部のリードあるいは他の基板やチップとの間でワイヤボンディングを行う。

本実施形態では、この半導体チップ１０を用いて、図２に示されるようなモールドパッケージ１を構成している。このモールドパッケージ１においては、半導体チップ１０は、他面１２側にて、はんだや接着剤などのダイマウント材３０を介してリードフレームアイランド部２０に搭載され固定されている。

半導体チップ１０の外側には、リードフレームリード部２１が配置されており、半導体チップ１０におけるバンプ１５の上面１５ａとリードフレームリード部２１との間でワイヤボンディングが行われ、これら両部間が金やアルミなどよりなるボンディングワイヤ４０により結線されて、電気的に接続されている。

そして、これらリードフレーム、半導体チップ１０、ボンディングワイヤ４０が、エポキシ樹脂等よりなるモールド樹脂５０で封止されてモールドパッケージ１を構成している。ここで、リードフレームリード部２１の一部がモールド樹脂５０より露出して外部との電気接続部とされている。このように、本実施形態のモールドパッケージ１は、ＳＯＰやＱＦＰなど一般的なパッケージ形態に準じている。

次に、本実施形態の半導体チップ１０の製造方法について、図３を参照して述べる。図３は、本半導体チップ１０におけるバンプ１５および保護膜１６の形成工程を示す工程図である。図３では、各ワークの概略断面構成を示している。

まず、半導体プロセスにより、一面１２に電極パッド１４が設けられた半導体部１１を用意するとともに、一方で、図３（ａ）に示されるように、保護膜１６の素材として樹脂よりなるシート６０を用意する（用意工程）。なお、この半導体部１１は、１個のチップ単位のものでもよいが、通常はウェハ状態のものである。

このシート６０は、電極パッド１４に対応した位置にバンプ１５に対応した形状をなす貫通穴６１を有するもので、貫通穴６１は、シート６０の厚さ方向に貫通し、シート６０の一面６０ａからこれと反対側の他面６０ｂに向かって広がる丸穴形状とされている。ここで、シート６０の一面６０ａは、上記同一平面構成を形成する保護膜１６の上面１６ａとなる面である。

このようなシート６０は、液晶ポリマーやポリイミドなどの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂であって半硬化状態いわゆるＢステージ状態のものよりなる。そして、貫通穴６１は、たとえばレーザ加工や型成形などにより形成される。また、ここでは、シート６０の一面６０ａには、平板形状をなす銅やアルミなどの金属フィルム６２が貼り付けられ、これにより貫通穴６１の一方を塞いでいる。

次に、図３（ｂ）に示されるように、シート６０の貫通穴６１に、バンプ１５の素材である導電性ペースト７０を充填する（充填工程）。導電性ペースト７０としては、上記したＳｎＡｇやＣｕなどの金属を含む金属ペーストなどが用いられる。

ここでは、シート６０の他面６０ｂ側から、スキージＫを用いた印刷法により、導電性ペースト７０を充填している。それにより、当該充填後において、シート６０の両面６０ａ、６０ｂにて当該面６０ａ、６０ｂと導電性ペースト７０とが同一平面となるようにしている。

次に、図３（ｃ）に示されるように、導電性ペースト７０を電極パッド１４に接触させつつ、シート６０を半導体部１１の一面１２上に積層する（積層工程）。具体的には、導電性ペースト７０が充填されたシート６０の他面６０ｂを、半導体部１１の一面１２に対向させ、導電性ペースト７０と電極パッド１４とが正対するように位置合わせを行い、シート６０を半導体部１１に重ねる。

その後、積層されたシート６０と半導体部１１とを加熱および加圧することにより導電性ペースト７０を焼成し、焼結体としてのバンプ１５を形成するとともに、シート６０を半導体部１１の一面１２に貼り付けて保護膜１６を形成する（加熱加圧工程）。この加熱加圧は、一般的な熱プレス装置により行える。

ここで、バンプ１５と電極パッド１４とは、上記焼成による接合力により接続される。また、シート６０が熱可塑性樹脂の場合は、熱圧着による貼り付けが行われ、Ｂステージの熱硬化性樹脂の場合には、その熱硬化の接合力による貼り付けが行われる。

次に、図３（ｄ）に示されるように、半導体部１１に貼り付けられたシート６０すなわち保護膜１６から金属フィルム６２を剥離またはエッチング等により除去する。その後は、ウェハ状態の半導体部１１および保護膜１６を、ダイシングカットなどによって、１個のチップ単位に分割することにより、本実施形態の半導体チップ１０ができあがる。

このように、図３に示される製造方法によれば、上記したような半導体部１１と、電極パッド１４と、バンプ１５と、保護膜１６と、を備え、上記同一平面構成とされている半導体チップ１０を適切に製造できる。また、保護膜１６とバンプ１５とを素材の段階で一括して組み付けできるから、保護膜１６とバンプ１５とを別々に半導体部１１に形成する場合に比べて、工程が簡素化する。

そして、この製造された半導体チップ１０は、リードフレームアイランド部２０にダイマウント材３０を介して固定され、リードフレームリード部２１との間でワイヤボンディングを行った後、トランスファーモールド法などによるモールド樹脂５０の封止を行うことにより、上記図２のモールドパッケージ１として提供される。

ところで、本実施形態によれば、バンプ１５を介して電極パッド１４にワイヤボンディングすることになるから、電極パッド１４上のバンプ１５がワイヤボンディング時の衝撃を緩和する。

また、保護膜１６とバンプ１５の先端面１５ａとが、連続した同一平面を構成すること、つまり、上記同一平面構成を採用することで、バンプ１５の先端面１５ａとその周囲の保護膜１６との間には、段差が無いものとなるから、ワイヤボンディングの位置ずれが生じたり、ワイヤボールのサイズが大きすぎたりすることにより、バンプ１５の先端面１５ａから保護膜１６へワイヤ４０がはみ出しても、従来のような段差によるワイヤの変形が防止される。

本実施形態では、図２に示されるように、ワイヤ４０のボール部分がバンプ１５の先端面１５ａから保護膜１６へはみ出しているが、ワイヤ４０は正常な形状を維持しており、接合信頼性は確保されている。

よって、本実施形態によれば、ワイヤボンディング時における電極パッド１４下の半導体部１１へのダメージの低減、および、ワイヤ４０の位置ずれによる当該ワイヤ４０のダメージの低減が図れる。

ここで、上記同一平面構成による効果について、図４、図５を参照して、さらに詳述する。図４は、従来の一般的な半導体チップにワイヤボンディングを行う場合を示す概略断面図、図５は、本実施形態の半導体チップについてワイヤボンディングを行う場合を示す概略断面図であり、図４、図５のそれぞれにおいて、（ａ）は一次ボンディングの場合、（ｂ）は二次ボンディングの場合を示す。

ここで、一般に、一次ボンディングはボールボンディングであり、二次ボンディングはステッチボンディングであるが、たとえば半導体チップ１０とリードフレームリード部２１との間や、異なる半導体チップ１０間において、一方を一次、他方を二次としてワイヤボンディングを行うことが可能である。

図４に示されるように、従来一般の半導体チップの場合、電極パッド１４の周囲には、半導体部１１の一面１２を被覆して保護する表面保護膜１７ａ、１７ｂが設けられている。一般には、この表面保護膜１７ａ、１７ｂは、ＳｉＮなどよりなる下側の膜１７ａとポリイミドなどよりなる上側の膜１７ｂとの積層膜とされる。

そのため、従来一般の半導体チップでは、電極パッド１４と表面保護膜１７ａ、１７ｂとの間に段差が生じ、電極パッド１４が表面保護膜１７ａ、１７ｂからへこんだ状態となっている。

そして、図４に示されるように、この状態で、ワイヤボンディングが行われると、ワイヤ４０の位置ずれにより、ワイヤ４０が表面保護膜１７ａ、１７ｂに乗り上げてしまい、ボンディングが困難になる。さらに、表面保護膜１７ａ、１７ｂによる段差により、ワイヤ４０が変形してしまう可能性がある。

それに対して、図５に示されるように、本実施形態の半導体チップ１０においては、上記同一平面構成を採用しているため、一次ボンディングの場合でも、二次ボンディングの場合でも、ワイヤ４０が段差に乗り上げるような事態はそもそも生じることはない。そのため、本実施形態は、従来に比べて、ワイヤボンディングの位置ずれの許容範囲が大きくなり、生産性に優れるなどの利点が期待される。

また、上述したが、本実施形態では、バンプ１５は半導体部１１よりも軟らかい材料よりなるものであることが好ましい。それによれば、上記したバンプ１５によるワイヤボンディング時の衝撃緩和という本実施形態の効果をより適切に発揮できる。

また、本実施形態の半導体チップ１０による効果としては、次のようなことも挙げられる。上記図２に示したように、半導体チップ１０をモールド樹脂５０で封止する場合、封止時におけるモールド樹脂５０との接触により半導体部１１内の素子がダメージを受ける可能性があるが、そのダメージは保護膜１６により防止される。

特にモールド樹脂５０内には、セラミック等よりなる電気絶縁性のフィラーが含有されていることが多く、そのフィラーのアタックによる半導体部１１のダメージが効果的に防止される。

また、半導体部１１が薄い場合、機械的強度が弱く、ハンドリング性の点で注意を要するが、本実施形態によれば、保護膜１６によりチップ全体の厚さが増すため、ハンドリング性に優れた半導体チップ１０を提供できる。

また、本実施形態における保護膜１６の構成について、図６を参照して、さらに述べる。図６において（ａ）は、本実施形態においてバンプ１５および保護膜１６を省略した構成を示す概略断面図、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）はそれぞれ本実施形態における保護膜１６の構成のバリエーションを示す概略断面図である。

上記図４にも示したが、図６（ａ）に示されるように、本実施形態の半導体チップ１０においても、電極パッド１４の周囲には、半導体部１１の一面１２を被覆して保護する表面保護膜１７ａ、１７ｂが設けられている。ここでも、表面保護膜１７ａ、１７ｂは、下側の膜１７ａと上側の膜１７ｂとの積層膜とされている。

ここで、本実施形態において、この図６（ａ）に示される状態にて、電極パッド１４上にバンプ１５を設け、表面保護膜１７ａ、１７ｂ上に保護膜１６を設けてもよい。さらに、本実施形態では、保護膜１６は、半導体部１１を被覆して保護する役割も果たすため、従来からある表面保護膜１７ａ、１７ｂを一部、もしくは全部省略してもよい。

たとえば、図６（ｂ）では、上側の膜１７ｂの厚さをより薄くしており、図６（ｃ）では、上側の膜１７ｂをすべて無くし、下側の膜１７ａのみとしている。さらに、図６（ｄ）では、表面保護膜１７ａ、１７ｂをすべて無くし、保護膜１６は、半導体部１１の一面１２に直接接触して設けられている。

この図６（ｄ）に示されるように、保護膜１６を、半導体部１１の一面１２に直接接触して設けたものにすることで、保護膜１６に、半導体チップ１０における従来の表面保護膜の役割を持たせることができ、従来の表面保護膜１７ａ、１７ｂが不要となる。なお、これら図６（ｂ）〜（ｄ）の各構成は、半導体部１１に設けられた素子の脆弱性等を考慮して、適宜選択すればよい。

また、本実施形態では、上記図３に示される製造方法において、保護膜１６となるシート６０を加熱により硬化する熱硬化性樹脂よりなるものとした場合、バンプ１５となる導電性ペースト７０の硬化温度がシート６０の硬化温度よりも低いことが望ましい。これは、両者６０、７０の材料を適宜選択することで容易に実現できる。

仮に、導電性ペースト７０よりも先にシート６０が硬化すると、そのシート６０の硬化時の収縮変形により、未硬化である導電性ペースト７０が電極パッド１４に対して位置ずれし、その結果、バンプ１４の位置ずれが生じる可能性がある。しかし、本実施形態では、導電性ペースト７０が硬化した後、シート６０が硬化するから、そのようなバンプ１４の位置ずれを防止できる。

（第２実施形態）
図７は、本発明の第２実施形態に係る半導体チップ１０の概略断面構成を示す図である。本実施形態では、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

図７に示されるように、本実施形態では、バンプ１５の先端面１５ａ上には、当該先端面１５ａよりも広いサイズの金属箔１８が、当該先端面１５ａからその周囲の保護膜１６の上面１６ａまではみ出した状態で積層されている。

ここで、金属箔１８とバンプ１５とは金属結合などにより電気的および機械的に接続されており、また、金属箔１８と保護膜１６とは保護膜１６の樹脂の接着力により接合されている。この金属箔１８は、たとえばバンプ１５の先端面１５ａよりも一回り大きな円形の箔または矩形の箔とすることができる。

また、金属箔１８は、バンプ１５よりもワイヤボンディング接続性に優れるものが望ましい。たとえばバンプ１５がＳｎＡｇの焼結体よりなる場合、金属箔１８は銅箔よりなるものとすればよい。

この場合、たとえば上記図３に示した製造方法において、加熱加圧工程の後、シート６０に貼りついている金属フィルム６２をエッチングして、このエッチングの残り部分を金属箔１８とすればよい。また、別途、金属箔１８を熱圧着などにより貼り付けることで配置してもよい。

本実施形態によれば、ワイヤボンディングの位置ずれが生じてバンプ１５の先端面１５ａからワイヤ４０がはみ出しても、金属箔１８は当該先端面１５ａからはみ出す広いものであるから、適切にワイヤボンディングが行える。また、上述したように、金属箔１８として、バンプ１５よりもワイヤボンディング性に優れたものを用いれば、ワイヤボンディングの信頼性向上が期待できる。

（第３実施形態）
図８は、本発明の第３実施形態に係る半導体チップ１０の概略断面構成を示す図である。本実施形態では、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

図８に示されるように、半導体チップ１０においては、半導体部１１の一面１２にある電極パッド１４のすべてについてバンプ１５を積層しなくてもよく、一部の電極パッド１４にのみバンプ１５を積層してもよい。

たとえば、図８に示される例では、半導体部１１においてトランジスタなどの素子が形成されている中央部側に位置する電極パッド１４には、その下の素子へのダメージを緩衝するために、バンプ１５を設け、素子が形成されていない半導体部１１の周辺部に位置する電極パッド１４にはバンプ１５を設けずに、直接ワイヤボンディングしている。

この場合、バンプ１５の有無により、ワイヤボンディングにより形成されるワイヤ４０の高さを、同一の半導体チップ１０内で変えることができるため、ワイヤ４０間の短絡を抑制しやすくなる。

（第４実施形態）
図９は、本発明の第４実施形態に係る半導体チップ１０の応用例を示す概略断面図である。本実施形態では、上記第１実施形態と同様の半導体チップ１０を用いて、チップ間ワイヤボンディングを行う構造を示す。

図９では、図中の右側に位置する一般構成の半導体チップＪ１０を一次ボンディング側、図中の左側に位置する本実施形態の半導体チップ１０を二次ボンディング側として、これら両半導体チップ１０、Ｊ１０をワイヤボンディングで接続している。

この場合、右側の半導体チップ１０は、左側の本実施形態の半導体チップ１０よりも高い位置にあるが、本実施形態の半導体チップ１０に設けられているバンプ１５の高さの分、これら両半導体チップ１０、Ｊ１０の段差を埋めることができ、ワイヤボンディングしやすいものとなる。

（他の実施形態）
なお、バンプ１５は上記した形状以外にも、電極パッド１４上に積層されて半導体部１１の一面１２上に突出する形状であればよく、たとえば角錐、円柱、角柱などの柱状のものでもよい。

また、バンプ１５は、上記した製造方法以外にも、予め電極パッド１４上にペースト塗布および焼成や、めっきなどの方法により形成しておき、その後、保護膜１６を印刷やポッティングなどにより形成してもよい。

さらに、この場合において、保護膜１６の形成後に保護膜１６がバンプ１５の先端面１５ａを被覆した状態となるようなときには、保護膜１６を研磨するなどにより、バンプ１５の先端面１５ａを露出させるようにしてもよい。

また、上記図３に示した製造方法では、シート６０の一面６０ａ側に平板としての金属フィルム６２を貼り付けていたが、この金属フィルム６２は無いものであってもよい。この場合、加圧加熱工程において、シート６０の一面６０ａ側からシート６０の一面６０ａおよび導電性ペースト７０を別体の平板で押さえるようにして、加圧加熱を行えば、上記同一平面構成が容易に形成できる。

さらには、このような平板で押さえなくても、各部の熱収縮を考慮して導電性ペースト７０の充填量を調整したり、場合によっては、加熱加圧後に研磨を行ったりすることで、上記同一平面構成を容易に実現できることは言うまでもない。

１ モールドパッケージ
１０ 半導体チップ
１１ 半導体部
１２ 半導体部の一面
１４ 電極パッド
１５ バンプ
１５ａ バンプの先端面
１６ 保護膜
１８ 金属箔
６０ シート
６１ シートの貫通穴
７０ 導電性ペースト

Claims (3)

1. 半導体よりなる半導体部（１１）と、前記半導体部（１１）の一面（１２）上に設けられたワイヤボンディング用の電極パッド（１４）とを備える半導体チップにおいて、
   前記電極パッド（１４）上に積層されて接続され、前記半導体部（１１）の一面（１２）上に突出する導電性材料よりなるバンプ（１５）と、
   前記半導体部（１１）の一面（１２）上に設けられ、前記電極パッド（１４）および前記バンプ（１５）を封止する電気絶縁性の保護膜（１６）と、を備え、
   前記バンプ（１５）の先端面（１５ａ）は前記保護膜（１６）より露出するとともに、前記保護膜（１６）と前記バンプ（１５）の先端面（１５ａ）とは連続した同一平面を構成しており、
   前記バンプ（１５）の先端面（１５ａ）にワイヤボンディングがなされるようになっており、
   前記バンプ（１５）の先端面（１５ａ）上には、当該先端面（１５ａ）よりも広いサイズの金属箔（１８）が、当該先端面（１５ａ）から前記保護膜（１６）上まではみ出した状態で積層されていることを特徴とする半導体チップ。
2. 前記バンプ（１５）は前記半導体部（１１）よりも軟らかい材料よりなるものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ。
3. 前記保護膜（１６）は、前記半導体部（１１）の一面（１２）に直接接触して設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体チップ。

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