JP5620627B2 - レジスト用重合体の製造方法、レジスト組成物、および微細パターンが形成された基板の製造方法 - Google Patents
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-
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Description
P[A]/P H [A]≦0.99・・・(1)
P[B]/P H [B]≦0.99・・・(2)
(P[A]:重合体(P)中の酸脱離性基(A)の含有量率、
P H [A]:重合体(P H )中の酸脱離性基(A)の含有量率、
P[B]:重合体(P)中の親水性基(B)の含有量率、
P H [B]:重合体(P H )中の親水性基(B)の含有量率、
重合体(P H )は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーによって重合体(P)から分取した、重合体(P)の質量平均分子量(Mw(P))よりも分子量の大きい重合体であり、重合体中の酸脱離性基、親水性基の含有量率は、NMRによって測定した重合体の全ピークの積分値の和に対する酸脱離性基または親水性基のピークの積分値の比率である。)
P[B]/PH[B]≦0.99 ・・・(2)
(P[A]:重合体(P)中の酸脱離性基(A)の含有量率。
PH[A]:重合体(PH)中の酸脱離性基(A)の含有量率。
P[B]:重合体(P)中の親水性基(B)の含有量率。
PH[B]:重合体(PH)中の親水性基(B)の含有量率。
(1)式を満足する場合、重合体(P)の質量平均分子量以下の分子量の重合体(PL)と質量平均分子量よりも分子量の大きい重合体(PH)を比較した場合、重合体(PH)のほうが酸脱離性基(A)をより多く含んでいることを意味する。
重合体(P)の質量平均分子量(Mw(P))は、下記GPC条件IにてGPCにより求めたポリスチレン換算値である。
装置:東ソー社製、東ソー高速GPC装置 HLC−8220GPC(商品名)分離カラム:昭和電工社製、Shodex GPC K−805L(商品名)を3本直列に連結したもの
測定温度:40℃
溶離液:テトラヒドロフラン(以下、THFと記す。)
試料:重合体(P)約20mgを5mLのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液
流量:1mL/分
注入量:0.1mL
検出器:示差屈折計
検量線I:標準ポリスチレン約20mgを5mLのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液を用いて、上記条件で分離カラムに注入し、溶出時間と分子量との関係を求める。標準ポリスチレンは、下記東ソー社製の標準ポリスチレン(いずれも商品名)を用いる。
F−20(Mw=190,000)
F−4(Mw=37,900)
F−1(Mw=10,200)
A−2500(Mw=2,630)
A−500(Mw=682、578、474、370、260の混合物)。
GPC条件をGPC条件IIに変更し、標準ポリスチレンを用いて検量線II(溶出時間と分子量との関係)を求める。
装置:東ソー社製、東ソー高速GPC装置 HLC−8220GPC(商品名)
分取カラム:昭和電工社製、Shodex GPC K−2005(商品名)を2本直列に連結したもの
測定温度:40℃
溶離液:THF
試料:重合体(P)約120mgを5mLのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液、
流量:4mL/分
注入量:1mL
検出器:示差屈折計
検量線II:標準ポリスチレン約120mgを5mLのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液を用いて、上記条件で分取カラムに注入し、溶出時間と分子量との関係を求める。標準ポリスチレンは、下記東ソー社製の標準ポリスチレン(いずれも商品名)を用いる。
F−20(Mw=190,000)
F−4(Mw=37,900)
F−1(Mw=10,200)
A−2500(Mw=2,630)
A−500(Mw=682、578、474、370、260の混合物)
手順(3):
検量線IIにおいて、分子量が手順(i)で求めたMw(P)となる溶出時間Tを求める。
分取カラムに重合体(P)の溶液を注入し、GPC条件IIにて、手順(3)で求めた溶出時間Tより前に溶出してきた成分を重合体(PH)として分取し、溶出時間T以降に溶出してきた成分を重合体(PL)として分取する。
重合体中のラクトン骨格、親水性基の含有量率は、NMRによって測定した重合体の全ピークの積分値の和に対するラクトン骨格または親水性基のピークの積分値の比率である。 各含有率は、1H−NMR測定で求めることができる場合には1H−NMR測定により求め、プロトンピークの重なり等により1H−NMR測定で求めることができない場合には、13C−NMR測定により求める。
1H−NMR測定は、日本電子社製、GSX−400型FT−NMR(商品名)を用いて、約5質量%の重合体(P)または重合体(PH)の溶液(重水素化クロロホルム溶液または重水素化ジメチルスルホキシド溶液)を直径5mmφの試験管に入れ、観測周波数400MHz、シングルパルスモードにて、64回の積算で行う。なお、測定温度は、重水素化クロロホルムを溶媒とした場合は40℃、重水素化ジメチルスルホキシドを溶媒とした場合は60℃で行う。
13C−NMR測定は、バリアンテクノロジーズ社製、UNITY−INOVA型FT−NMR(商品名)を用いて、約20質量%の重合体(P)または重合体(PH)の重水素化ジメチルスルホキシドの溶液を直径5mmφの試験管に入れ、測定温度60℃、観測周波数125MHz、核オーバーハウザー効果(NOE)が除去されたプロトン完全デカップリング法にて、50000回の積算で行う。
次に、本願発明のレジスト用重合体の製造方法を説明する。
光酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物の光酸発生剤として使用可能なものの中から任意に選択できる。光酸発生剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
化学増幅型レジスト組成物は、含窒素化合物を含んでいてもよい。含窒素化合物を含むことにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等がさらに向上する。つまり、レジストパターンの断面形状が矩形により近くなり、また、レジスト膜に光を照射し、ついでベーク(PEB)した後、次の現像処理までの間に数時間放置されることが半導体素子の量産ラインではあるが、そのような放置(経時)したときにレジストパターンの断面形状の劣化の発生がより抑制される。
化学増幅型レジスト組成物は、有機カルボン酸、リンのオキソ酸またはその誘導体(以下、これらをまとめて酸化合物と記す。)を含んでいてもよい。酸化合物を含むことにより、含窒素化合物の配合による感度劣化を抑えることができ、また、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等がさらに向上する。
本発明のレジスト組成物には、必要に応じて、界面活性剤、その他のクエンチャー、増感剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。これら添加剤は、当該分野で公知のものであればいずれも使用可能である。また、これら添加剤の量は、特に限定されず、適宜決めればよい。
<実施例>
重合体(P)の質量平均分子量(Mw(P))は、下記の条件(GPC条件I)でゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより、ポリスチレン換算で求めた。
装置:東ソー(株)製、東ソー高速GPC装置 HLC−8220GPC(商品名)
分離カラム:昭和電工製、Shodex GPC K−805L(商品名)を3本直列に連結したもの
測定温度:40℃
溶離液:THF
試料:重合体(P)約20mgを5mlのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液
流量:1ml/分
注入量:0.1ml
検出器:示差屈折計
検量線I:標準ポリスチレン約20mgを5mlのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液を用いて、上記の条件で分離カラムに注入し、溶出時間と分子量の関係を求めた。標準ポリスチレンは、以下の東ソー製の標準ポリスチレン(いずれも商品名)を用いた。
F−20(Mw=190,000)
F−4(Mw=37,900)
F−1(Mw=10,200)
A−2500(Mw=2,630)
A−500(Mw=682、578、474、370、260の混合物)
2.重合体の分取
重合体(P)の質量平均分子量(Mw(P))より大きい分子量である重合体(PH)および重合体(P)の質量平均分子量(Mw(P))以下の分子量である重合体(PL)は、以下の方法(手順(1)〜(4))によって、重合体(P)から分取した。
装置:東ソー(株)製、東ソー高速GPC装置 HLC−8220GPC(商品名)
分取カラム:昭和電工製、Shodex GPC K−2005(商品名)を2本直列に連結したもの
測定温度:40℃
溶離液:THF
試料:重合体(P)約120mgを5mlのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液
流量:4ml/分
注入量:1ml
検出器:示差屈折計
検量線II:標準ポリスチレン約120mgを5mlのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液を用いて、上記の条件で分取カラムに注入し、溶出時間と分子量の関係を求めた。標準ポリスチレンは、以下の東ソー製の標準ポリスチレン(いずれも商品名)を用いた。
F−20(Mw=190,000)
F−4(Mw=37,900)
F−1(Mw=10,200)
A−2500(Mw=2,630)
A−500(Mw=682、578、474、370、260の混合物)
3.重合体の組成(各構成単位の含有率)の分析
各構成単位の含有率は、1H−NMR測定で求めることができる場合には1H−NMR測定により求め、プロトンピークの重なり等により1H−NMR測定で求めることができない場合には、13C−NMR測定により求めた。
得られたポリマー溶液について、ポリマー溶液400部と、光酸発生剤であるトリフェニルスルホニウムトリフレート2部と、重合体濃度が12.5質量%になるように溶媒であるPGMEAを混合して均一溶液とした後、孔径0.1μmのメンブレンフィルターで濾過し、レジスト組成物溶液を調製する。得られた組成物をシリコンウエハー上にスピンコートし、ホットプレートを用いて120℃、60秒間プリベークを行い、膜厚0.3μmのレジスト膜を製造する。それにマスクを介して波長193nmのArFエキシマレーザーで露光した後、ホットプレートを用いて120℃、60秒間露光後ベークを行う。次いで、2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて室温で現像し、純水で洗浄し、乾燥してレジストパターンを製造する。レジストパターンを下記基準に基づき評価する。
○:比較例1のディフェクト数より少ない
×:比較例1のディフェクト数以上
パターン鮮明さ:レジストパターンのSEM写真から、0.16μmのライン・アンド・スペースのパターンを比較例1のものを基準に目視で判断する。
MAdMA6486部、
HAdMA3271部、
乳酸エチル22490部、
ジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート(和光純薬工業社製、V601(商品名))478.2部。
<比較例1>
MAdMA7207部
HAdMA3634部
乳酸エチル24120部
ジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート(和光純薬工業社製、V601(商品名))478.2部
得られた反応溶液について実施例1と同様の操作を行い、重合体P’1を得た。重合体P’1の評価結果を表1に示す。P[A]/PH[A]は、式(1)を満足していなかった。P[B]/PH[B]は、式(2)を満足していなかった。また、重合体P’1を用いて実施例1と同様の操作を行い、重合体P’1溶液を得た。
<比較例2>
MAdMA6486部
HAdMA3634部
乳酸エチル23040部
ジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート(和光純薬工業社製、V601(商品名))478.2部
得られた反応溶液について実施例1と同様の操作を行い、重合体P’2を得た。重合体P’2の評価結果を表1に示す。P[A]/PH[A]は、式(1)を満足していた。P[B]/PH[B]は、式(2)を満足していなかった。
<比較例3>
MAdMA7207部
HAdMA3271部
乳酸エチル23570部
ジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート(和光純薬工業社製、V601(商品名))478.2部
得られた反応溶液について実施例1と同様の操作を行い、重合体P’3を得た。重合体P’3の評価結果を表1に示す。P[A]/PH[A]は、式(1)を満足していなかった。P[B]/PH[B]は、式(2)を満足していた。また、重合体P’3を用いて実施例1と同様の操作を行い、重合体P’3溶液を得た。
Claims (4)
- 酸脱離性基を有する単量体および親水性基を有する単量体を、反応開始前の重合溶媒に溶解させた単量体溶液に、酸脱離性基を有する単量体および親水性基を有する単量体以外の単量体を含む単量体溶液と重合開始剤を溶解させた滴下溶液を供給し、溶液ラジカル重合を行い、前記重合溶媒が酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトンから選択される少なくとも一種を含むものである、レジスト用重合体の製造方法。
- 得られる酸脱離性基(A)と親水性基(B)を有する重合体(P)が、下記(1)式および(2)式を満足する、請求項1記載のレジスト用重合体の製造方法。
P[A]/PH[A]≦0.99・・・(1)
P[B]/PH[B]≦0.99・・・(2)
(P[A]:重合体(P)中の酸脱離性基(A)の含有量率、
PH[A]:重合体(PH)中の酸脱離性基(A)の含有量率、
P[B]:重合体(P)中の親水性基(B)の含有量率、
PH[B]:重合体(PH)中の親水性基(B)の含有量率、
重合体(PH)は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーによって重合体(P)から分取した、重合体(P)の質量平均分子量(Mw(P))よりも分子量の大きい重合体であり、重合体中の酸脱離性基、親水性基の含有量率は、NMRによって測定した重合体の全ピークの積分値の和に対する酸脱離性基または親水性基のピークの積分値の比率である。) - 請求項1または2に記載の製造方法で得られるレジスト用重合体を含む、レジスト組成物。
- 請求項3に記載のレジスト組成物を被加工基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜に250nm以下の波長の光を照射して潜像を形成する工程と、潜像が形成されたレジスト膜を現像液で現像処理する工程とを有する、微細パターンが形成された基板の製造方法。
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