JP2009173749A5 - レジスト用重合体の製造方法、レジスト組成物、および微細パターンが形成された基板の製造方法 - Google Patents

レジスト用重合体の製造方法、レジスト組成物、および微細パターンが形成された基板の製造方法 Download PDF

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本発明の第１の要旨は、酸脱離性基を有する単量体および親水性基を有する単量体を含む反応開始前の重合溶媒に、酸脱離性基を有する単量体および親水性基を有する単量体以外の単量体を含む単量体溶液と重合開始剤を供給し、溶液ラジカル重合を行うレジスト用重合体の製造方法にある。
また、本発明の第２の要旨は、得られる酸脱離性基（Ａ）と親水性基（Ｂ）を有する重合体（Ｐ）が、下記（１）式および（２）式を満足する、請求項１記載のレジスト用重合体の製造方法にある。
Ｐ［Ａ］／Ｐ Ｈ ［Ａ］≦０．９９・・・（１）
Ｐ［Ｂ］／Ｐ Ｈ ［Ｂ］≦０．９９・・・（２）
（Ｐ［Ａ］：重合体（Ｐ）中の酸脱離性基（Ａ）の含有量率、
Ｐ Ｈ ［Ａ］：重合体（Ｐ Ｈ ）中の酸脱離性基（Ａ）の含有量率、
Ｐ［Ｂ］：重合体（Ｐ）中の親水性基（Ｂ）の含有量率、
Ｐ Ｈ ［Ｂ］：重合体（Ｐ Ｈ ）中の親水性基（Ｂ）の含有量率、
重合体（Ｐ Ｈ ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーによって重合体（Ｐ）から分取した、重合体（Ｐ）の質量平均分子量（Ｍｗ（Ｐ））よりも分子量の大きい重合体であり、重合体中の酸脱離性基、親水性基の含有量率は、ＮＭＲによって測定した重合体の全ピークの積分値の和に対する酸脱離性基または親水性基のピークの積分値の比率である。）
また、本発明の第３の要旨は、前記製造方法で得られるレジスト用重合体を含む、レジスト組成物である。
さらに、本発明の第４の要旨は、前記レジスト組成物を被加工基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜に２５０ｎｍ以下の波長の光を照射して潜像を形成する工程と、潜像が形成されたレジスト膜を現像液で現像処理する工程とを有する、微細パターンが形成された基板の製造方法である。

Claims (4)

  1. 酸脱離性基を有する単量体および親水性基を有する単量体を含む反応開始前の重合溶媒に、酸脱離性基を有する単量体および親水性基を有する単量体以外の単量体を含む単量体溶液と重合開始剤を供給し、溶液ラジカル重合を行うレジスト用重合体の製造方法。
  2. 得られる酸脱離性基（Ａ）と親水性基（Ｂ）を有する重合体（Ｐ）が、下記（１）式および（２）式を満足する、請求項１記載のレジスト用重合体の製造方法。
    Ｐ［Ａ］／Ｐ Ｈ ［Ａ］≦０．９９・・・（１）
    Ｐ［Ｂ］／Ｐ Ｈ ［Ｂ］≦０．９９・・・（２）
    （Ｐ［Ａ］：重合体（Ｐ）中の酸脱離性基（Ａ）の含有量率、
    Ｐ Ｈ ［Ａ］：重合体（Ｐ Ｈ ）中の酸脱離性基（Ａ）の含有量率、
    Ｐ［Ｂ］：重合体（Ｐ）中の親水性基（Ｂ）の含有量率、
    Ｐ Ｈ ［Ｂ］：重合体（Ｐ Ｈ ）中の親水性基（Ｂ）の含有量率、
    重合体（Ｐ Ｈ ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーによって重合体（Ｐ）から分取した、重合体（Ｐ）の質量平均分子量（Ｍｗ（Ｐ））よりも分子量の大きい重合体であり、重合体中の酸脱離性基、親水性基の含有量率は、ＮＭＲによって測定した重合体の全ピークの積分値の和に対する酸脱離性基または親水性基のピークの積分値の比率である。）
  3. 請求項１または２に記載の製造方法で得られるレジスト用重合体を含む、レジスト組成物。
  4. 請求項３に記載のレジスト組成物を被加工基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜に２５０ｎｍ以下の波長の光を照射して潜像を形成する工程と、潜像が形成されたレジスト膜を現像液で現像処理する工程とを有する、微細パターンが形成された基板の製造方法。
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