TWI675879B - 壓印材料 - Google Patents

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首藤圭介
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鈴木正睦
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Abstract

本發明之課題為提供一新穎的壓印材料、及由該材料所製作的轉印有圖型的膜。
解決課題之手段的壓印材料，其係含有下述(A)成分、(B)成分、(C)成分及(D)成分，(A)：下述式(1)、式(2)或式(3)所示之化合物，
Figure TWI675879B_A0001
(式中，X係表示碳原子數1至5之直鏈伸烷基，R1係表示氫原子或甲基，R2、R3及R4係分別獨立表示氫原子、甲基或乙基，R2、R3及R4的碳原子數之和為0至2)；(B)：具有下述式(4)所示之重複單位，並具有2個以上式中Y所示之聚合性基的倍半矽氧烷化合物；(C)：具有下述式(5)所示之重複單位，並於末端具有2個聚合性基的聚矽氧化合物；
Figure TWI675879B_A0002
(式中，R6及R7係分別獨立表示碳原子數1至3之烷基，R5係表示碳原子數1至3之伸烷基，k係表示0至3之整數)；(D)：光聚合起始劑。

Description

壓印材料
本發明係關於壓印材料(壓印用膜形成組成物)、及由該材料所製作的轉印有圖型的膜。更詳言之為有關，在硬化後、脫模時可容易自模具將前述轉印有圖型的膜剝離之同時，可形成對於在超過200℃溫度之加熱步驟為具備耐熱性的硬化膜的壓印材料，以及由該材料所製作的轉印有圖型的膜。
1995年，現普林斯頓大學之Chou教授等提倡了稱為奈米壓印微影術之新技術(專利文獻1)。奈米壓印微影術，係使具有任意圖型之模具與形成有樹脂膜之基材接觸，加壓該樹脂膜之同時，使用熱或光作為外部刺激，將目的之圖型形成於經硬化之該樹脂膜的技術，此奈米壓印微影術，具有相對於以往半導體裝置製造中的光微影術等，可簡便、廉價地進行奈米等級之加工的優點。
因此，奈米壓印微影術為取代光微影術技術，期待對於半導體裝置、光學裝置(opto-device)、顯示器、記憶 媒體、生物晶片等之製造有所應用的技術，因此有關奈米壓印微影術所使用的光奈米壓印微影術用硬化性組成物，係有各種的報導(專利文獻2、專利文獻3)。更，專利文獻4中揭示著一種光壓印材料，其係包含具有聚矽氧(silicone)骨架的化合物及光聚合起始劑；專利文獻5中揭示著一種用以藉由壓印法而形成微細圖型的轉印材料用硬化性樹脂組成物，其係包含具有倍半矽氧烷(silsesquioxane)骨架的化合物及聚合起始劑。
奈米壓印微影中，使用高價模具時，雖然被要求模具的長壽命化，但若已硬化的樹脂膜自模具剝除之力(即，脫模時的剝除力(以下，在本說明書中簡稱為「脫模力」))大的話，樹脂容易附著在模具上，模具容易變得無法使用。因此，對於奈米壓印微影中使用的材料(以下，在本說明書中簡稱為「壓印材料」)為要求著低脫模力性(容易將已經硬化的樹脂膜自模具剝離之特性)。又，裝置製作中有從外部對樹脂膜施加力之情形，對於來自外部之力若樹脂膜產生變形時，將變得無法適用於裝置，因而要求塑性變形為小，即，低塑性變形性。於裝置製作另有經烘烤、焊接等加熱步驟之情況。在前述加熱步驟亦有曝露於265℃左右之溫度的狀況，此時，若樹脂膜的耐熱性低，會產生來自於該樹脂膜的分解物的昇華，而成為污染裝置內部或製作裝置的裝置及機器之原因。又，對於從高溫冷卻時所產生的應力，若膜之耐性為低時，會產生龜裂而成為不良。然後，該龜裂會隨著膜厚 之變厚而顯著地產生。依照裝置種類之不同，亦有被使用於受熱曝曬之處之情況，如此般之情形時亦會產生同樣之問題，因而在固體攝影裝置、太陽電池、LED裝置、顯示器等之製品中，對於製作成光學構件之構造物，則被要求著高度的耐熱性、及耐龜裂性。然而，至今為止雖然已有各種作為壓印材料之材料被揭示著，但是未有報告兼具低脫模力、低塑性變形性、耐熱性(在超過200℃之溫度，例如在265℃中不會產生分解物之昇華)、及耐龜裂性之材料。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利第5772905號說明書
[專利文獻2]日本特開2008-105414號公報
[專利文獻3]日本特開2008-202022號公報
[專利文獻4]日本特開2013-065768號公報
[專利文獻5]國際公開第2009/069465號
本發明為有鑑於上述事情所完成之發明，作為發明所欲解決之課題，係以提供一種可形成下述般硬化膜的壓印材料，所述硬化膜為：「在硬化後、脫模時可容易自模具將轉印有圖型的膜剝離(即，具有低脫模力 性)，對於來自於外部之力之塑性變形之比例(塑性變形率)為低，即使是在超過200℃的溫度下亦未有分解物之昇華(即，具有高耐熱性)，進而即使是在厚膜之狀態下從該溫度急冷之情形時，亦不會產生龜裂(即，具有耐龜裂性)」。及進而提供一種由該材料所製作的轉印有圖型的膜。具體而言以提供可形成下述般硬化膜的材料為目的，所述硬化膜為：「對於模具之脫模力為較0g/cm大且為0.7g/cm以下，塑性變形率為8%以下，尚且即使是曝曬於例如265℃之溫度下亦不會產生分解物之昇華，即使是將20μm左右的厚膜從265℃急冷亦不會產生龜裂」。
本發明人為了解決上述課題經深入研究之結果發現，將含有：「具有碳原子數4至10之直鏈狀、分支鏈狀或環狀的烴基、及聚合性基分別1個的化合物」、「具有2個以上聚合性基的倍半矽氧烷化合物」、及「末端具有2個聚合性基的聚矽氧化合物」，並進而含有「光聚合起始劑」的組成物使用來作為壓印材料。其結果，本發明人得知所謂：「將硬化膜(其係於模具的具有凹凸形狀的面上，使該材料藉由光硬化而轉印有模具的凹凸形狀圖型的硬化膜)自模具的具有凹凸形狀的面剝離之際所測量的脫模力格外地小，又，藉由該材料所製作的轉印有圖型的膜之塑性變形率為小，即使是在265℃的溫度下亦未看見分解物之昇華，進而，即使是從265℃急冷亦不會產 生龜裂」之見解，因而完成本發明。
即，本發明之作為第1觀點為關於一種壓印材料，其係含有下述(A)成分、(B)成分、(C)成分及(D)成分，基於前述(A)成分、(B)成分及(C)成分之合計100質量份，前述(A)成分之含有量為35質量份至90質量份，前述(B)成分之含有量為5質量份至60質量份，前述(C)成分之含有量為5質量份至30質量份，前述(D)成分之含有量為0.1phr至30phr，(A)：下述式(1)、式(2)或式(3)所示之化合物，
Figure TWI675879B_D0001
(式中，X係表示碳原子數1至5之直鏈伸烷基，R1係表示氫原子或甲基，R2、R3及R4係分別獨立表示氫原子、甲基或乙基，R2、R3及R4的碳原子數之和為0至2之整數)， (B)：具有下述式(4)所示之重複單位，並具有2個以上式中Y所示之聚合性基的倍半矽氧烷化合物；(C)：具有下述式(5)所示之重複單位，並於末端具有2個聚合性基的聚矽氧化合物；
Figure TWI675879B_D0002
(式中，R6及R7係分別獨立表示碳原子數1至3之烷基，R5係表示碳原子數1至3之伸烷基，k係表示0至3之整數)；(D)：光聚合起始劑。
作為第2觀點，如第1觀點所記載的壓印材料，其中，前述(B)成分係由完全籠型構造及/或不完全籠型構造、以及無規構造及梯型構造之混合體所構成。
作為第3觀點，如第1觀點或第2觀點所記載的壓印材料，其中，前述(C)成分係由分子量為相異的2種以上的化合物所構成。
作為第4觀點，如第1觀點至第3觀點中任一項所記 載的壓印材料，其中，進而含有抗氧化劑作為(E)成分。
作為第5觀點，如第1觀點至第4觀點中任一項所記載的壓印材料，其中，進而含有界面活性劑作為(F)成分。
作為第6觀點，如第1觀點至第5觀點中任一項所記載的壓印材料，其中，進而含有溶劑作為(G)成分。
作為第7觀點，如第1觀點至第6觀點中任一項所記載的壓印材料，其中，前述(B)成分及(C)成分之聚合性基為丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、乙烯基或烯丙基。
作為第8觀點為關於一種轉印有圖型的膜，其係由第1觀點至第7觀點中任一項所記載的壓印材料所製作。
作為第9觀點為關於一種光學構件，其係於基材上具備第8觀點所記載的轉印有圖型的膜。
作為第10觀點為關於一種固體攝影元件，其係於基材上具備第8觀點所記載的轉印有圖型的膜。
作為第11觀點為關於一種LED裝置，其係於基材上具備第8觀點所記載的轉印有圖型的膜。
作為第12觀點為關於一種半導體元件，其係具備第8觀點所記載的轉印有圖型的膜。
作為第13觀點為關於一種太陽電池，其係於基材上具備第8觀點所記載的轉印有圖型的膜。
作為第14觀點為關於一種顯示器，其係於基材上具 備第8觀點所記載的轉印有圖型的膜。
作為第15觀點為關於一種電子裝置，其係於基材上具備第8觀點所記載的轉印有圖型的膜。
由本發明的壓印材料所製作的硬化膜，具有低脫模力性、低塑性變形性之同時，即使是曝曬於例如265℃之溫度下亦未看見分解物之昇華，即使是從265℃之高溫急冷亦不會產生龜裂。
又，本發明的壓印材料為可光硬化，且自模具的具有凹凸形狀的面剝離時，由於圖型的一部分未產生剝離，故可得到正確形成有所期望圖型之膜。因此，可形成良好光壓印之圖型。
又，本發明的壓印材料可製膜於任意的基材上，壓印後所形成的轉印有圖型的膜可適合使用於太陽電池、LED裝置、顯示器等使用要求高透明性構件的製品中。
更，本發明的壓印材料，藉由變更前述(A)成分、(B)成分及(C)成分的化合物之種類及含有比例，可控制硬化速度、動態黏度、及所形成的硬化膜之膜厚，例如可形成膜厚20μm的相對厚的硬化膜。因此，本發明的壓印材料可設計成對應於所進行製造的裝置種類、與曝光製程及燒成製程之種類的材料，由於可擴大製程裕度，故可適合使用於光學構件之製造。
[實施發明之的最佳形態] <(A)成分>
(A)成分之上述式(1)、式(2)或式(3)所示之化合物，可為該化合物之混合物。
又，作為該聚合性基，可舉例如丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、乙烯基、烯丙基。在此，丙烯醯基氧基有以丙烯醯氧基表現之情形，甲基丙烯醯基氧基有以甲基丙烯醯氧基表現之情形。
作為上述(A)成分的化合物之具體例，舉例如丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正庚酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯。 尚，本說明書中所謂的(甲基)丙烯酸酯化合物，係指丙烯酸酯化合物與甲基丙烯酸酯化合物之雙方。例如(甲基)丙烯酸，係指丙烯酸與甲基丙烯酸。
上述(A)成分的化合物可以市售品取得，作為該具體例舉例如丙烯酸丁酯、丙烯酸己酯、甲基丙烯酸己酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯(以上為東京化成工業(股)製)、丙烯酸正戊酯、甲基丙烯酸正戊酯、丙烯酸正庚酯、甲基丙烯酸正庚酯、丙烯酸正辛酯、甲基丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸異 辛酯、丙烯酸正壬酯、甲基丙烯酸正壬酯、丙烯酸正癸酯、甲基丙烯酸正癸酯(以上為ABCR GmbH & Co.KG製)、Light acrylate IB-XA、light ester NB、light ester CH、light esterIB-X(以上為共榮社化學(股)製)、NOAA、V # 155、IBXA(以上為大阪有機化學工業(股)製)。
上述(A)成分的化合物可以單獨使用或組合2種以上使用。
本發明中的(A)成分，係可對壓印材料賦予低塑性變形性及龜裂耐性，基於該(A)成分及後述的(B)成分、(C)成分之合計100質量份，(A)成分的含有量較佳為35質量份至90質量份。該比例過少時，會變得可看到塑性變形率之增大及急冷時之龜裂；當過大時，無法得到充分的硬化性，圖型化特性會惡化。又，為了使塑性變形率更為降低，作為(A)成分以使用上述式(1)、式(2)或式(3)所示之化合物為宜。
<(B)成分>
(B)成分的具有2個以上聚合性基的倍半矽氧烷化合物，係表示如下述化合物：主鏈骨架為Si-O-Si鍵，前述式(4)所示之重複單位之式中具有1.5個氧原子，並具有2個以上該式中的Y所示之聚合性基。作為該聚合性基，可舉例如丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、乙烯基、烯丙基。更，作為前述式(4)中的R5所示之碳原子 數1至3之伸烷基，可舉例如亞甲基、亞乙基[-CH(CH3)-基]、丙烷-2,2-二基[-C(CH3)2-基]。
上述(B)成分的化合物可以市售品取得，作為該具體例可舉例AC-SQ TA-100、MAC-SQ TM-100、AC-SQ SI-20、MAC-SQ SI-20、MAC-SQ HDM(以上為東亞合成(股)製)。
前述(B)成分的化合物，例如亦可使用下述式(6)所示之化合物或下述式(7)所示之化合物來進行合成。
Figure TWI675879B_D0003
 (式中，3個R8係分別獨立表示甲基或乙基，R9係表示氫原子或甲基，3個Q係分別獨立表示鹵化基)。
作為上述式(6)所示之化合物，可舉例如3-丙烯醯基氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯基氧基丙基三乙氧基矽烷、甲基丙烯酸3-(三甲氧基矽烷基)丙酯及甲基丙烯酸3-(三乙氧基矽烷基)丙酯。作為上述式(7)所示之化合物，可舉例如3-丙烯醯基氧基丙基三氯矽烷、甲基丙烯酸3-(三氯矽烷基)丙酯。
上述(B)成分的化合物，可使用重量平均分子量為例如700至7000的倍半矽氧烷化合物，如此般的化合物可以單獨使用或組合2種以上使用。
本發明的壓印材料中的(B)成分，係對於圖型轉印後的膜賦予耐熱性，可抑制在超過200℃之溫度(例如265℃之溫度下)的分解物之昇華。又，藉由變更(B)成分之種類、重量平均分子量及含有比例，可控制壓印材料的動態黏度、壓印時的硬化速度、及所形成的硬化膜之膜厚。
本發明中的(B)成分之含有量，基於(A)成分、(B)成分、及後述的(C)成分之合計100質量份，較佳為5質量份至60質量份，更佳為15質量份至60質量份。當該比例過少時，無法得到充分的硬化性，而圖型化特性會惡化；當過大時，龜裂耐性會降低，在急冷時會產生龜裂。
<(C)成分>
(C)成分於末端具有2個聚合性基的聚矽氧化合物，係表示如下述化合物：分子內具有聚矽氧骨架(矽氧烷骨架)，並於該分子之末端具有2個聚合性基。關於該聚矽氧骨架，可舉例在前述式(5)中R6及R7係分別獨立表示甲基、乙基、丙基或異丙基之情形，特以R6及R7均為表示甲基的二甲基聚矽氧骨架為較佳。更，作為前述聚合性基，可舉例如丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、 乙烯基、烯丙基。
作為上述(C)成分的化合物可以市售品取得，該具體例方面可舉例X-22-164、X-22-164AS、X-22-164A、X-22-164B、X-22-164C、X-22-164E、X-22-2445、X-22-1602(以上為信越化學工業(股)製)。
上述(C)成分的化合物可以單獨使用或組合2種以上使用。特別是藉由使用重量平均分子量為相異的2種化合物來控制硬化性，可保持耐熱性之同時，並賦予更低的脫模力性。
本發明中的(C)成分之含有量，基於(A)成分、(B)成分及(C)成分之合計100質量份，例如為5質量份至30質量份，較佳為5質量份至18質量份。當該比例過少時，無法得到充分的低脫模力性；當過大時，在超過200℃的溫度，曝曬於例如265℃之溫度時，會產生分解物之昇華。
<(D)成分>
作為(D)成分的光聚合起始劑，只要是對光硬化時所使用的光源具吸收者即可，未特別限定，可舉例如tert-丁基過氧基-iso-丁酸酯、2,5-二甲基-2,5-雙(苄醯基二氧基)己烷、1,4-雙[α-(tert-丁基二氧基)-iso-丙氧基]苯、二-tert-丁基過氧化物、2,5-二甲基-2,5-雙(tert-丁基二氧基)己烯氫過氧化物、α-(iso-丙基苯基)-iso-丙基氫過氧化物、tert-丁基氫過氧化物、1,1-雙(tert-丁基二氧 基)-3,3,5-三甲基環己烷、丁基-4,4-雙(tert-丁基二氧基)戊酸酯、環己酮過氧化物、2,2’,5,5’-四(tert-丁基過氧基羰基)二苯甲酮、3,3’,4,4’-四(tert-丁基過氧基羰基)二苯甲酮、3,3’,4,4’-四(tert-戊基過氧基羰基)二苯甲酮、3,3’,4,4’-四(tert-己基過氧基羰基)二苯甲酮、3,3’-雙(tert-丁基過氧基羰基)-4,4’-二羧基二苯甲酮、tert-丁基過氧基苯甲酸酯、二-tert-丁基二過氧基間苯二甲酸酯等之有機過氧化物；9,10-蒽醌、1-氯蒽醌、2-氯蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌等之醌類；苯偶姻甲基、苯偶姻乙基醚、α-甲基苯偶姻、α-苯基苯偶姻等之苯偶姻衍生物；2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1-[4-{4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)苄基}-苯基]-2-甲基-丙烷-1-酮、苯基乙醛酸甲酯、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-1-丁酮、2-二甲基胺基-2-(4-甲基-苄基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁烷-1-酮等之烷基苯酮系化合物；雙(2,4,6-三甲基苄醯基)-苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苄醯基-二苯基-氧化膦等之氧化醯基膦系化合物；2-(O-苄醯基肟)-1-[4-(苯硫基)苯基]-1,2-辛二酮、1-(O-乙醯基肟)-1-[9-乙基-6-(2-甲基苄醯基)-9H-咔唑-3-基]乙酮等之肟酯系化合物。
上述化合物可以市售品取得，作為該具體例 舉例如IRGACURE(註冊商標)651、同184、同500、同2959、同127、同754、同907、同369、同379、同379EG、同819、同819DW、同1800、同1870、同784、同OXE01、同OXE02、同250、同1173、同MBF、同4265、同TPO(以上為BASF JAPAN(股)製)、KAYACURE(註冊商標)DETX、同MBP、同DMBI、同EPA、同OA(以上為日本化藥(股)製)、VICURE-10、同55(以上為STAUFFER Co.LTD製)、ESACURE(註冊商標)KIP150、同TZT、同1001、同KTO46、同KB1、同KL200、同KS300、同EB3、TRIAZINE-PMS、TRIAZINE A、TRIAZINE B(以上為日本SIBER HEGNER(股)製)、Adekaoptomer N-1717、同N-1414、同N-1606((股)ADEKA製)。
上述(D)成分的光聚合起始劑可以單獨使用或組合2種以上使用。
本發明的壓印材料中的(D)成分之含有量，相對於上述(A)成分、(B)成分及(C)成分之總量，較佳為0.1phr至30phr，又較佳為1phr至20phr。當(D)成分之含有量之比例未滿0.1phr時，無法得到充分的硬化性，因而會產生圖型化特性之惡化。在此，所謂的phr，係表示相對於(A)成分、(B)成分及(C)成分之合計100質量份的光聚合起始劑之含有量。
<(E)成分>
本發明的壓印材料中，可添加抗氧化劑來作為(E)成分。抗氧化劑方面，可舉例如IRGANOX(註冊商標)1010、同1035、同1076、同1135、同1520L(以上為BASF JAPAN(股))、SUMILIZER(註冊商標)GA-80(住友化學(股)製)。
上述抗氧化劑可以單獨使用或組合2種以上使用。藉由使用該抗氧化劑，可防止因氧化而導致膜變色成為黃色。
本發明的壓印材料中的(E)成分之含有量，相對於上述(A)成分、(B)成分及(C)成分之總質量，較佳為0.1phr至2phr。
<(F)成分>
本發明的壓印材料中，可添加界面活性劑來作為(F)成分。(F)成分的界面活性劑係產生調整所得到的塗膜之製膜性之作用。作為上述界面活性劑，可舉例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯十六基醚、聚氧乙烯油基醚等之聚氧乙烯烷基醚類、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等之聚氧乙烯烷基芳基醚類、聚氧乙烯．聚氧丙烯嵌段共聚物類、去水山梨醇單月桂酸酯、去水山梨醇棕櫚酸酯、去水山梨醇單硬脂酸酯、去水山梨醇油酸酯、去水山梨醇三油酸酯、去水山梨醇三硬脂酸酯等之去水山梨醇脂肪酸酯類、聚氧乙烯去水山梨醇單月桂酸酯、聚氧乙烯去水山梨醇棕櫚酸酯、聚氧乙烯 去水山梨醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯去水山梨醇三油酸酯、聚氧乙烯去水山梨醇三硬脂酸酯等之聚氧乙烯去水山梨醇脂肪酸酯類等之非離子系界面活性劑；商品名EFTOP(註冊商標)EF301、同EF303、同EF352(Mitsubishi Materials電子化成(股))、商品名MEGAFAC(註冊商標)F-553、F-554、F-556、F-477、F171、同F173、同R-08、同R-30、同R-30N、同R-40、同R-40-LM(DIC(股)製)、FLUORAD FC430、同FC431(住友3M(股)製)、商品名ASAHI GUARD(註冊商標)AG710、SURFLON(註冊商標)S-382、同SC101、同SC102、同SC103、同SC104、同SC105、同SC106(旭硝子(股)製)等之氟系界面活性劑；及有機矽氧烷聚合物KP341(信越化學工業(股)製)。
上述界面活性劑可以單獨使用或組合2種以上使用。當使用界面活性劑時，相對於上述(A)成分、(B)成分及(C)成分之總質量，該界面活性劑之比例較佳為0.01phr至40phr，又較佳為0.01phr至10phr。
<(G)成分>
本發明中，可含有溶劑來作為(G)成分。(G)成分係產生調節前述(A)成分、(B)成分及(C)成分之黏度之作用。
作為上述溶劑，可舉例如甲苯、p-二甲苯、o-二甲苯、苯乙烯、乙二醇二甲基醚、丙二醇單甲基醚、乙 二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單異丙基醚、乙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇乙基醚乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、丙二醇單丁基醚、乙二醇單丁基醚、二乙二醇二乙基醚、二丙二醇單甲基醚、二乙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二乙二醇單乙基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、二乙二醇、1-辛醇、乙二醇、己二醇、二丙酮醇、糠醇、四氫糠醇、丙二醇、苄醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、γ-丁內酯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丙基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮、甲基n-丁基酮、環己酮、2-庚酮、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸n-丙酯、乙酸異丁酯、乙酸n-丁酯、乳酸乙酯、甲醇、乙醇、異丙醇、tert-丁醇、烯丙醇，n-丙醇、2-甲基-2-丁醇、異丁醇，n-丁醇、2-甲基-1-丁醇、1-戊醇、2-甲基-1-戊醇、2-乙基己醇、三亞甲基二醇、1-甲氧基-2-丁醇、異丙基醚、1,4-二噁烷、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、二甲基亞碸、N-環己基-2-吡咯啶，只要是能調節上述(A)成分、(B)成分及(C)成分之黏度者即可，未特別限定。
上述(G)成分的溶劑可以單獨使用或組合2種以上使用。當使用溶劑時，作為由包含上述(A)成分至(D)成分、任意成分的上述(E)成分及(F)成分、以及後述的其他添加劑的全成分中去除(G)成分的溶劑 者而定義之固體成分，係以相對於本發明的壓印材料為含有10質量%至95質量%為較佳。
<其他添加劑>
本發明的壓印材料，在不損及本發明之效果之範圍內，因應所需可含有環氧化合物、光酸產生劑、光增感劑、紫外線吸收劑、密合輔助劑或脫模性提升劑。
作為上述環氧化合物，可舉例如X-22-2046、X-22-343、X-22-2000、X-22-4741、X-22-163、X-22-163A、X-22-163B、X-22-163C、X-22-169AS、X-22-169B、X-22-173BX、X-22-173DX、X-22-9002、KF-102、KF-101、KF-1001、KF-1002、KF-1005、KF-105(以上為信越化學(股)製)、EPOLEAD(註冊商標)GT-401、同PB3600、CELOXIDE(註冊商標)2021P、同2000、同3000、EHPE3150、EHPE3150CE、CYCLOMER(註冊商標)M100(以上為(股)DAICEL製)、EPICLON(註冊商標)840、同840-S、同N-660、同N-673-80M(以上為DIC(股)製)。
作為上述光酸產生劑，可舉例如IRGACURE(註冊商標)PAG103、同PAG108、同PAG121、同PAG203、同CGI725(以上為BASF JAPAN(股)製)、WPAG-145、WPAG-170、WPAG-199、WPAG-281、WPAG-336、WPAG-367(以上為和光純藥工業(股)製)、TFE-TRIAZINE、TME-TRIAZINE、MP-TRIAZINE、 Dimethoxy-triazine、TS-91、TS-01((股)三和化學製)。
作為上述光增感劑，可舉例如硫呫噸系、呫噸系、酮系、硫代吡喃鎓鹽系、鹼性苯乙烯(base styryl)系、部花青系、3-取代香豆素系、3,4-取代香豆素系、花青系、吖啶系、噻嗪系、吩噻嗪系、蒽系、蔻系、苯并蒽系、苝系、酮香豆素系、香豆素系、硼酸酯系。
上述光增感劑可以單獨使用或組合2種以上使用。藉由使用該光增感劑，亦可調整UV區域之吸收波長。
作為上述紫外線吸收劑，可舉例如TINUVIN(註冊商標)PS、同99-2、同109、同328、同384-2、同400、同405、同460、同477、同479、同900、同928、同1130、同111FDL、同123、同144、同152、同292、同5100、同400-DW、同477-DW、同99-DW、同123-DW、同5050、同5060、同5151(以上為BASF JAPAN(股))。
上述紫外線吸收劑可以單獨使用或組合2種以上使用。藉由使用該紫外線吸收劑，可控制光硬化時膜之最表面之硬化速度，有可提升脫模性之情形。
作為上述密合輔助劑，可舉例如3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯基氧基丙基三甲氧基矽烷。藉由使用該密合輔助劑，可使與基材之密合性提升。相對於上述(A)成分、(B)成分及(C)成分之總 質量，該密合輔助劑之含有量較佳為5phr至50phr，又較佳為10phr至50phr。
作為上述脫模性提升劑，可舉例如含氟化合物。含氟化合物方面，可舉例如R-5410、R-1420、M-5410、M-1420、E-5444、E-7432、A-1430、A-1630(以上為DAIKIN工業(股)製)。
<壓印材料之調製>
本發明的壓印材料之調製方法未特別限定，只要將(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分、以及任意成分的(E)成分、(F)成分、(G)成分及依所期望的其他添加劑混合，使壓印材料成為均勻之狀態即可。又，混合(A)成分至(G)成分、以及依所期望的其他添加劑時的順序，只要是可得到均勻的壓印材料則無問題，未特別限定。作為該調製方法，可舉例如將(A)成分、(B)成分、(C)成分及(D)成分以指定比例混合之方法。又，亦可列舉於其中進一步混合(E)成分、(F)成分及(G)成分，使成為均勻之壓印材料的方法。進一步地，可列舉於該調製方法之適當階段，因應所需而進一步添加其他添加劑並混合之方法。
<光壓印及轉印有圖型的膜>
本發明的壓印材料係藉由塗佈於基材上並使光硬化，而可得到所期望的硬化膜。作為塗佈方法，可舉例公知或 周知的方法，例如旋塗法、浸漬塗佈法、流塗法、噴墨法、噴塗法、桿塗法、凹版塗佈法、隙缝塗佈法、輥塗佈法、轉印印刷法、刷毛塗佈、刮刀塗佈法、氣刀塗佈法。
作為本發明的壓印材料所塗佈的基材，可舉例如由矽晶圓、製膜有銦錫氧化物(ITO)的玻璃(以下，本說明書中簡稱為「ITO基板」)、製膜有氮化矽(SiN)的玻璃(SiN基板)、製膜有銦鋅氧化物(IZO)的玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、三乙酸纖維素(triacetylcellulose/TAC)、丙烯酸、塑膠、玻璃、石英、陶磁等所構成之基材。又，具有可撓性的撓性基材，亦可使用例如由三乙酸纖維素、聚對苯二甲酸乙二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、環烯烴(共)聚合物、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚烯烴、聚丙烯、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚碸、以及組合此等聚合物的共聚物所構成之基材。
作為使本發明的壓印材料硬化的光源未特別限定，可舉例如高壓水銀燈、低壓水銀燈、無電極燈、金屬鹵素燈、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、F2準分子雷射、電子線(EB)、極端紫外線(EUV)。又，波長一般而言可使用436nm的G線、405nm的H線、365nm的I線、或GHI混合線。更，曝光量較佳為30mJ/cm2至2000mJ/cm2，又較佳為30mJ/cm2至1000mJ/cm2。
尚，使用前述(G)成分的溶劑時，就對於光照射前的塗膜及光照射後的硬化膜之至少一方，以蒸發溶 劑之目的下，亦可添加烘烤步驟。作為用來烘烤之機器並未特別限定，只要是使用例如加熱板、烘箱、加熱爐，並可於適當的環境下，即，只在大氣、氮等之惰性氣體、或真空中進行加熱者即可。烘烤溫度，就以蒸發溶劑之目的並未特別限定，例如可以40℃至200℃來進行。
進行光壓印之裝置，只要是可得到目的之圖型則未特別限定，例如可列舉東芝機械(股)製的ST50、同公司製的ST50S-LED、Obducat公司製的Sindre(註冊商標)60、明昌機工(股)製的NM-0801HB等的市售裝置。然後可使用使用該裝置，將已塗佈於基材上的壓印材料與模具壓接，於光硬化後脫模之方法。
又，於製作本發明的轉印有圖型的膜之際，作為所使用的光壓印用模具材，可舉例如石英、矽、鎳、氧化鋁、羰基矽烷、玻璃狀碳、聚二甲基聚矽氧，但只要是可得到目的之圖型則未特別限定。又，為了提高脫模性，模具亦可進行於其表面形成氟系化合物等之薄膜的脫模處理。作為脫模處理所用之脫模劑，可列舉例如Daikin工業(股)製的OPTOOL(註冊商標)HD、同DSX，但只要是可得到目的之圖型則未特別限定。
尚，本發明中，評估脫模力的90°剝離試驗，一般係指測定將接著物(本發明中相當於由壓印材料形成之硬化膜)貼附於被著物(本發明中相當於使用作為基材的薄膜)，於指定時間後以指定之剝離速度朝向90°方向剝下時所產生的抵抗力(張力)之試驗，通常，測定係由 以JIS Z0237為參考之評估法來實施。可將把在此所測定之抵抗力換算為被著物單位寬度的值，作為脫模力來評估。
然後，將本發明的壓印材料塗佈於薄膜上，以該薄膜上的塗膜接著於模具的具有凹凸形狀的面，接著，以該塗膜為接著於模具的具有凹凸形狀的面之狀態下進行光硬化，之後在將薄膜上之硬化膜自模具的具有凹凸形狀的面以90°剝離之試驗中所測量的脫模力，亦即，將使該薄膜上之硬化膜自模具的具有凹凸形狀的面完全剝離時的荷重，換算為該薄膜之橫寬每1cm的值，較佳係比0g/cm大、且為0.8g/cm以下。該脫模力，在前述範圍中越小越好。
如此般由本發明的壓印材料所製作的轉印有圖型之膜，又，具備該膜的半導體元件，以及於基材上具備該膜的光學構件、固體攝影元件、LED裝置、太陽電池、顯示器及電子裝置，均為本發明之對象。
[實施例]
以下為列舉實施例及比較例，進一步詳細說明本發明，但本發明不受該等實施例限定。
後述的合成例1及合成例2所得到的倍半矽氧烷化合物之重量平均分子量、以及聚矽氧化合物的X-22-1602及X-22-164之重量平均分子量，係藉由凝膠滲透層析法(以下本說明書中簡稱為GPC)的測定結果。測定 為使用TOSOH Techno System(股)製GPC系統。該GPC系統之構成與測定條件如同下述。
GPC主體：HLC-8320GPC
GPC管柱：Shodex(註冊商標)LF-804
管柱溫度：40℃
溶劑：四氫呋喃
流量：1mL/分
標準試樣：相異的重量平均分子量(197000、55100、12800、3950、1260、580)的聚苯乙烯6種
(合成例1)
於2000mL的四頸燒瓶中置入3-丙烯醯基氧基丙基三甲氧基矽烷486.98g及甲醇400.53g，攪拌下冷卻至10℃，將0.1N鹽酸水溶液112.23g與甲醇200.26g之混合溶液以10℃~25℃花費30分鐘進行滴液。之後，以室溫下攪拌1小時、於迴流下攪拌3小時，減壓濃縮後得到287.21g的倍半矽氧烷化合物(PS-1)。將本合成例1所得到的倍半矽氧烷化合物之重量平均分子量藉由GPC測定之結果為1500。該倍半矽氧烷化合物為具有前述式(4)所示之重複單位，該式中，Y係表示丙烯醯基氧基，R5係表示亞甲基，k係表示3。
(合成例2)
於2000mL的四頸燒瓶中置入3-丙烯醯基氧基丙基三 甲氧基矽烷234.32g、甲基三甲氧基矽烷136.22g及甲醇400.53g，攪拌下冷卻至10℃，將0.1N鹽酸水溶液112.23g與甲醇200.26g之混合溶液以10℃~25℃花費30分鐘進行滴液。之後，以室溫下攪拌1小時、於迴流下攪拌3小時，減壓濃縮後得到178.5g的倍半矽氧烷化合物(PS-2)。將本合成例2所得到的倍半矽氧烷化合物之重量平均分子量藉由GPC測定之結果為2100。該倍半矽氧烷化合物為具有前述式(4)所示之重複單位，該式中，Y係表示丙烯醯基氧基，R5係表示亞甲基，k係表示3。
[壓印材料之調製] <實施例1>
混合丙烯酸丁酯(東京化成工業(股)製)(以下在本說明書中簡稱為「丙烯酸丁酯」)3.5g、AC-SQ TA-100(東亞合成(股)製)(以下在本說明書中簡稱為「AC-SQ TA-100」)6.0g、X-22-1602(信越化學(股)製)(以下在本說明書中簡稱為「X-22-1602」)0.5g、及Irgacure(註冊商標)1173(BASF JAPAN(股)製)(以下在本說明書中簡稱為「Irgacure 1173」)0.1g相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100及X-22-1602之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-a1。將在本實施例使用的X-22-1602之重量平均分子量藉由GPC測定之結果為4170。
<實施例2>
混合「丙烯酸丁酯」6.5g、「AC-SQ TA-100」2.8g、「X-22-1602」0.7g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100及X-22-1602之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-a2。
<實施例3>
混合「丙烯酸丁酯」9.0g、「AC-SQ TA-100」0.5g、「X-22-1602」0.5g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100及X-22-1602之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-a3。
<實施例4>
混合Light acrylate IB-XA(共榮社化學(股)製)(以下在本說明書中簡稱為「IB-XA」)6.5g、「AC-SQ TA-100」1.75g、X-22-164(信越化學工業(股)製)(以下在本說明書中簡稱為「X-22-164」)1.4g、「X-22-1602」0.35g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於IB-XA、AC-SQ TA-100、X-22-164及X-22-1602之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-a4。將在本實施例使用的X-22-164之重量平均分子量藉由GPC測定之結果為778。
<實施例5>
混合丙烯酸2-乙基己酯(東京化成工業(股)製)(以下在本說明書中簡稱為「丙烯酸2-乙基己酯」)6.5g、「AC-SQ TA-100」1.75g、「X-22-164」1.4g、「X-22-1602」0.35g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於丙烯酸2-乙基己酯、AC-SQ TA-100、X-22-164及X-22-1602之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-a5。
<實施例6>
混合「丙烯酸丁酯」6.5g、「AC-SQ TA-100」1.75g、「X-22-164」1.4g、「X-22-1602」0.35g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100、X-22-164及X-22-1602之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-a6。
<實施例7>
混合「丙烯酸丁酯」6.5g、「AC-SQ TA-100」2.5g、「X-22-164」0.65g、「X-22-1602」0.35g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100、X-22-164及X-22-1602之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-a7。
<實施例8>
混合「丙烯酸丁酯」6.5g、以合成例1所得到的「PS-1」1.75g、「X-22-164」1.4g、「X-22-1602」 0.35g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於丙烯酸丁酯、PS-1、X-22-164及X-22-1602之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-a8。
<實施例9>
混合「丙烯酸丁酯」6.5g、以合成例2所得到的「PS-2」1.75g、「X-22-164」1.4g、「X-22-1602」0.35g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於丙烯酸丁酯、PS-2、X-22-164及X-22-1602之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-a9。
<實施例10>
混合「丙烯酸丁酯」6.5g、「AC-SQ TA-100」1.75g、「X-22-164」1.4g、「X-22-1602」0.35g、「Irgacur 1173」0.1g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100、X-22-164及X-22-1602之總量為1phr)、及SUMILIZER(註冊商標)GA-80(住友化學(股)製)(以下本說明書中簡稱為「GA-80」)0.05g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100、X-22-164及X-22-1602之總量為0.5phr)，來調製壓印材料PNI-a10。
<實施例11>
混合「丙烯酸丁酯」6.5g、「AC-SQ TA-100」1.75g、「X-22-164」1.4g、「X-22-1602」0.35g、 「Irgacure 1173」0.1g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100及、X-22-164及X-22-1602之總量為1phr)、「GA-80」0.05g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100及、X-22-164及X-22-1602之總量為0.5phr)、及MEGAFAC(註冊商標)R-30N(DIC(股)製)0.001g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100、X-22-164及X-22-1602之總量為0.01phr)，來調製壓印材料PNI-a11。
<實施例12>
混合「丙烯酸丁酯」6.5g、「AC-SQ TA-100」1.75g、「X-22-164」1.4g、「X-22-1602」0.35g、「Irgacure 1173」0.1g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100、X-22-164及X-22-1602之總量為1phr)、「GA-80」0.05g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100及、X-22-164及X-22-1602之總量為0.5phr)、MEGAFAC(註冊商標)R-30N(DIC(股)製)0.001g(相對於丙烯酸丁酯、AC-SQ TA-100、X-22-164及X-22-1602之總量為0.01phr)、及丙二醇單甲基醚乙酸酯0.53g，來調製壓印材料PNI-a12。
<比較例1>
混合「丙烯酸丁酯」6.5g、「AC-SQ TA-100」3.5g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於丙烯酸丁酯及AC-SQ TA-100之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-b1。
<比較例2>
混合「AC-SQ TA-100」10g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於AC-SQ TA-100為1phr)，來調製壓印材料PNI-b2。
<比較例3>
混合「AC-SQ TA-100」7g、「X-22-1602」3g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於AC-SQ TA-100及X-22-1602之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-b3。
<比較例4>
混合以合成例1所得到的「PS-1」7g、「X-22-1602」3g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於PS-1及X-22-1602之總量為1phr)，來調製壓印材料PNI-b4。
<比較例5>
混合「X-22-1602」10g、及「Irgacure 1173」0.1g(相對於X-22-1602為1phr)，來調製壓印材料PNI-b5。
[光壓印及塑性變形率測定]
在無鹼玻璃基板的分別的兩端邊上，重疊貼黏2片厚度為10μm的鋁箔，以在該無鹼玻璃基板的兩端邊上呈相 互平行地來製作厚度(高度)20μm的間隙(gap)。之後，將實施例1至實施例11及比較例1至比較例5所得到的各壓印材料灌注(potting)至該無鹼玻璃基板上的間隙之間。使矽晶圓被該壓印材料之液滴覆蓋，並透過上述間隙來使該矽晶圓與上述無鹼玻璃基板接著而製作試樣。將已製作的試樣設置於奈米壓印裝置(NM-0801HB，明昌機工(股)製)，花費10秒鐘加壓至100N來除去上述間隙之間之氣泡，花費10秒鐘解壓後，使用無電極均勻照射裝置(QRE-4016A，(股)ORC製作所製)來施予400mJ/cm2的曝光。然後，將矽晶圓及間隙自上述試樣剝離後，在保持於100℃的加熱板上進行1小時的烘烤，在上述無鹼玻璃基板上製作厚度20μm的硬化膜。
以與上述相同之方法，在無鹼玻璃基板的兩端邊上製作厚度(高度)20μm的間隙後，將包含以實施例12所得到的溶劑的壓印材料灌注至該無鹼玻璃基板上的間隙之間。之後，在保持於100℃的加熱板上進行1分鐘的烘烤，將溶劑自該壓印材料的液滴中除去。然後，以與上述相同之方法，透過上述間隙來使矽晶圓與上述無鹼玻璃基板接著而製作試樣，除去氣泡、施予曝光、並將上述矽晶圓及間隙自該試樣剝離後，在100℃的加熱板上進行1小時的烘烤，在上述無鹼玻璃基板上製作厚度20μm的硬化膜。
使用超微小壓入硬度試驗機ENT-2100((股)elionix製)，壓子為使用菱間角115°的鈦製三角壓子 ((股)Tokyodiamond工具製作所製)，來算出所得到的硬化膜的塑性變形率。將得到的結果表示於表1。
[耐熱性評估]
使用實施例1至實施例12及比較例1至比較例5所得到的各壓印材料，並以上述[光壓印及塑性變形率測定]中所記載之方法，在無鹼玻璃基板上製作厚度20μm的硬化膜。然後，在保持於265℃的加熱板上，對上述無鹼基板上的硬化膜進行3分鐘烘烤。然後於烘烤時，以目視觀察是否有來自於上述硬化膜的發煙。將得到的結果表示於表1。
[龜裂耐性評估]
使用實施例1至實施例12及比較例1至比較例5所得到的各壓印材料，並以上述[光壓印及塑性變形率測定]中所記載之方法，在無鹼玻璃基板上製作厚度20μm的硬化膜。然後，在保持於265℃的加熱板上，對上述無鹼基板上的硬化膜進行3分鐘烘烤後，使放置於不鏽鋼台上急冷。對於在急冷時的上述硬化膜是否有產生龜裂，將得到的結果表示於表1。
[光壓印及脫模力試驗]
將實施例1至實施例11及比較例1至比較例5所得到的各壓印材料，於厚度80μm之三乙酸纖維素薄膜(使 用富士軟片(股)製FUJITAC(註冊商標))(以下在本說明書中簡稱為「TAC薄膜」)上使用桿塗佈機(全自動薄膜塗佈機KT-AB3120，COTEK(股)製)來做塗佈。更，將實施例12所得到的壓印材料，以與上述為相同之方法塗佈至TAC薄膜上並乾燥去除溶劑。之後，使分別的TAC薄膜上的塗膜朝向蛾眼圖型模具進行輥壓著。接著，對該塗膜，從TAC薄膜側以無電極均勻照射裝置(QRE-4016A，(股)ORC製作所製)實施350mJ/cm2之曝光，進行光硬化。然後，參考JIS Z0237進行90°剝離試驗，並測定與模具的具有凹凸形狀的面接著之TAC薄膜上所形成之硬化膜(即，轉印有圖型的膜)，自模具的具有凹凸形狀的面完全地剝離時的荷重。然後，算出薄膜的寬度每1cm的荷重來作為脫模力(g/cm)。將得到的結果表示於表1。
由表1之結果可知，使用實施例1至實施例12所得到的壓印材料時，塑性變形率均為低的8%以下，且脫模力為0.7g/cm以下，所得到的硬化膜在265℃之溫度下的烘烤時沒有發煙，未看到分解物之昇華。然後，從265℃的急冷時亦未看到龜裂。另一方面，使用比較例1至比較例4所得到的壓印材料時，成為塑性變形率較8% 為大，或是脫模力較0.8g/cm為大之結果。又，使用比較例2至比較例5所得到的壓印材料，並對於所得到的硬化膜在265℃之溫度下的烘烤中，由於觀察到發煙，確認到來自於該硬化膜的分解物之昇華，或是在從265℃的急冷時確認到在該硬化膜上有龜裂。以上，由本發明的壓印材料所得到的硬化膜，乃具有8%以下的低塑性變形性、0.7g/cm以下的較低的脫模力，且為耐熱性、及耐龜裂性優異者。
[產業利用性]
本發明的壓印材料，因可自模具輕易地剝離由該材料所形成的硬化膜(轉印有圖型的膜)，且低塑性變形性、耐熱性、耐龜裂性亦為優異之故，由該壓印材料所得到的硬化膜，乃適用於太陽電池、LED裝置、顯示器等之製品中。

Claims (14)

  1. 一種壓印材料，其係含有下述(A)成分、(B)成分、(C)成分及(D)成分，基於前述(A)成分、(B)成分及(C)成分之合計100質量份，前述(A)成分之含有量為35質量份至90質量份，前述(B)成分之含有量為5質量份至60質量份，前述(C)成分之含有量為5質量份至30質量份，前述(D)成分之含有量為0.1phr至30phr，(A)：下述式(1)、式(2)或式(3)所示之化合物，
    Figure TWI675879B_C0001
    (式中，X係表示碳原子數1至5之直鏈伸烷基，R1係表示氫原子或甲基，R2、R3及R4係分別獨立表示氫原子、甲基或乙基，R2、R3及R4的碳原子數之和為0至2之整數)，(B)：完全籠型構造及/或不完全籠型構造、以及無規構造及梯型構造之混合體所構成，且具有下述式(4)所示之重複單位，並具有2個以上式中Y所示之聚合性基的倍半矽氧烷化合物；(C)：具有下述式(5)所示之重複單位，並於末端具有2個聚合性基的聚矽氧化合物；
    Figure TWI675879B_C0002
    (式中，R6及R7係分別獨立表示碳原子數1至3之烷基，R5係表示碳原子數1至3之伸烷基，k係表示0至3之整數)；(D)：光聚合起始劑。
  2. 如請求項1之壓印材料，其中，前述(C)成分係由重量平均分子量為相異的2種以上的化合物所構成。
  3. 如請求項1或請求項2之壓印材料，其中，進而含有抗氧化劑作為(E)成分。
  4. 如請求項1或請求項2之壓印材料，其中，進而含有界面活性劑作為(F)成分。
  5. 如請求項1或請求項2之壓印材料，其中，進而含有溶劑作為(G)成分。
  6. 如請求項1或請求項2之壓印材料，其中，前述(B)成分及(C)成分之聚合性基為丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、乙烯基或烯丙基。
  7. 一種轉印有圖型的膜，其係由請求項1至請求項6中任一項之壓印材料所製作。
  8. 一種光學構件，其係於基材上具備請求項7之轉印有圖型的膜。
  9. 一種固體攝影裝置，其係於基材上具備請求項7之轉印有圖型的膜。
  10. 一種LED裝置，其係於基材上具備請求項7之轉印有圖型的膜。
  11. 一種半導體元件，其係具備請求項7之轉印有圖型的膜。
  12. 一種太陽電池，其係於基材上具備請求項7之轉印有圖型的膜。
  13. 一種顯示器，其係於基材上具備請求項7之轉印有圖型的膜。
  14. 一種電子裝置，其係於基材上具備請求項7之轉印有圖型的膜。
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