JP5620090B2 - 基板処理装置、熱処理基板の製造方法及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
前記チャンバ内において、基板を載置するための基板ステージと、
前記チャンバ内において、前記基板ステージの基板載置面と対向し、前記基板を輻射熱で、該基板と非接触の状態で加熱する加熱手段と、
前記チャンバ内において、前記加熱手段と前記基板載置面との間の空間に進退可能に配置されるシャッタと、
前記チャンバ内において、前記シャッタを前記空間に進退させるシャッタ駆動手段と、を有する基板処理装置であって、
前記シャッタは、熱反射面となる第1の主面と、吸熱面となる第2の主面と、前記第1の主面と前記第2の主面との間に設けられた水冷管を備える第1の冷却手段と、を有し、
前記シャッタは、前記空間に進出した時に、前記第1の主面が前記加熱手段と対向し、前記第2の主面が前記基板ステージに対向するように配され、
前記シャッタは、前記第1の冷却手段を大気圧下に保持するために、前記第1の冷却手段の外周を囲むシール部材を更に有することを特徴とする。
前記シャッタを進出させた状態で、前記基板を前記加熱手段に向けて前記基板ステージに載置する載置工程と、
前記加熱手段からの輻射熱で、前記基板ステージに載置された前記基板を加熱して熱処理を施す熱処理工程と、
前記熱処理を施した後に、前記加熱手段と前記基板ステージとの間に前記シャッタを進出させるシャッタ進出工程と、を有し、
前記載置工程の処理の間に、前記基板処理装置は、前記加熱手段に余熱を与えることを特徴とする。
次に、本実施例を用いたときの炭化ケイ素(SiC)にイオン注入をした基板3に対する、半導体装置の製造方法として活性化アニール工程の実施例を示す。
Claims (7)
- 排気可能なチャンバと、
前記チャンバ内において、基板を載置するための基板ステージと、
前記チャンバ内において、前記基板ステージの基板載置面と対向し、前記基板を輻射熱で、該基板と非接触の状態で加熱する加熱手段と、
前記チャンバ内において、前記加熱手段と前記基板載置面との間の空間に進退可能に配置されるシャッタと、
前記チャンバ内において、前記シャッタを前記空間に進退させるシャッタ駆動手段と、を有する基板処理装置であって、
前記シャッタは、熱反射面となる第1の主面と、吸熱面となる第2の主面と、前記第1の主面と前記第2の主面との間に設けられた水冷管を備える第1の冷却手段と、を有し、
前記シャッタは、前記空間に進出した時に、前記第1の主面が前記加熱手段と対向し、前記第2の主面が前記基板ステージに対向するように配され、
前記シャッタは、前記第1の冷却手段を大気圧下に保持するために、前記第1の冷却手段の外周を囲むシール部材を更に有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板ステージは、前記加熱手段の配置側と反対側に第2の冷却手段を有することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバ内において、前記基板ステージを、前記基板の加熱時に前記加熱手段に向かって上げ、前記基板の加熱後に下げる駆動手段を更に有することを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記基板ステージに対して、前記加熱手段の配置側と反対側に蓄熱手段を有し、
前記蓄熱手段は、前記基板ステージと前記第2の冷却手段との間に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置を用いた熱処理基板の製造方法において、
前記シャッタを進出させた状態で、前記基板を前記加熱手段に向けて前記基板ステージに載置する載置工程と、
前記加熱手段からの輻射熱で、前記基板ステージに載置された前記基板を加熱して熱処理を施す熱処理工程と、
前記熱処理を施した後に、前記加熱手段と前記基板ステージとの間に前記シャッタを進出させるシャッタ進出工程と、を有し、
前記載置工程の処理の間に、前記基板処理装置は、前記加熱手段に余熱を与えることを特徴とする熱処理基板の製造方法。 - 前記載置工程は、
前記基板が前記基板ステージに載置された後に、前記基板処理装置を用いて、前記基板ステージを前記加熱手段に向かって上昇させる上昇駆動工程と、
前記熱処理工程で前記基板を加熱して前記熱処理が施された後に、前記基板処理装置を用いて、前記基板ステージを前記加熱手段に対して降下させる降下駆動工程と、を更に有し、
前記シャッタ進出工程は、前記降下駆動工程において前記基板ステージの降下が完了した後に、前記シャッタを進出させることを特徴とする請求項5に記載の熱処理基板の製造方法。 - 請求項5に記載の熱処理基板の製造方法を用いて基板を熱処理する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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