JP5613331B2 - 透明導電膜の製造方法およびそれにより製造された透明導電膜 - Google Patents

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Description

本発明は、簡素化した工程によって伝導度(導電率)と透過率に優れた透明導電膜を製造することができる製造方法およびそれにより製造された透明導電膜に関する。
通常、透明導電膜は、表示デバイスの電源印加用、家電機器の電磁干渉遮蔽膜、LCD、OLED、FED、PDP、フレキシブルディスプレイ、電子ペーパーなどといった各種ディスプレイ分野の透明電極などの電気電子装置に必須な構成要素として用いられており、現在、主に用いられている透明導電膜の素材としては、ITO(Indium-Tin oxide)、ATO(Antimony-Tin Oxide)、AZO(Antimony-Zinc Oxide)などの無機酸化物導電性素材が挙げられる。
透明導電膜は、前記素材を通常的に利用されているスパッタリング法、イオンビーム法または真空蒸着法などで製造すると、高い伝導性と透過率に優れた導電膜を製造することができるが、真空装置による設備投資費が大きく、大量生産および大型化に困難があり、特にプラスチックフィルムのような低温工程が求められる透明基板には限界がある。
スパッタリング工程によって蒸着する時、酸素分圧と温度などの条件に応じて、透明導電膜の組成が変わって、薄膜の透過率と抵抗が急激に変化する現象が発生する。
したがって、低価格化と大型化に好適なスピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、印刷などのような湿式コーティング法を利用してコーティングした後に焼成して、透明導電膜を用いる方法などが提案されており、例えば、韓国特許公開番号第1999−011487号には金属微粒子と結合剤を用いた透明導電膜が開示されており、韓国特許公開番号第1999−064113号には酸化スズに中空型炭化微細繊維を添加した透明導電膜用の組成物が開示されており、韓国特許公開番号第2000−009405号には酸化スズあるいは酸化インジウムに酸化ネオジムを添加した透明導電性の光選択吸収被膜形成用の塗布溶液が開示されている。また、日本特許第2003−213441号には、金や銀などの金属微粒子を含んだ透明導電層形成液の製造方法に関する内容が開示されている。
前記方法により製造された透明導電膜の表面抵抗は高く、また、周囲環境の変化によって時間に応じて表面抵抗が増加するなど、経時変化が発生して初期の導電性を維持できなくなるという問題点があり、透過率が低いために透明導電膜として用いるには限界を有し、複雑で且つ多くの工程数によって生産性が低下するという問題点がある。
本発明の目的は、製造工程が簡素化して工程数を減らすことができ、且つ、伝導度と透過率に優れた透明導電膜を製造することができる製造方法およびそれにより製造された透明導電膜を提供することにある。
本発明は、a)基板(基材)上に透明導電膜用のコーティング液を塗布してコーティング膜を形成するコーティング膜の形成ステップとして、非極性溶媒と、前記非極性溶媒とは非混和性である極性溶媒と、前記非極性溶媒と前記極性溶媒のうちいずれか一つの溶媒に混和性である導電性金属インク、および前記非極性溶媒および前記極性溶媒より蒸発速度が速い界面活性剤を含む前記透明導電膜用のコーティング液を塗布するコーティング膜の形成ステップと、b)前記コーティング膜を乾燥および焼成し、前記基板上に、ホール(hole)形態の透過部および前記導電性金属インクで形成されたパターン部を有する導電性パターンを形成する導電性パターンの形成ステップとして、b1)前記界面活性剤が蒸発すると2つの非混和性相に分離するが、前記非極性溶媒と前記極性溶媒のうち前記導電性金属インクと混和性であることによって前記導電性金属インクを含むいずれか一つの溶媒および残りの他の一つの溶媒に相分離するステップ、およびb2)前記相分離状態で前記非極性溶媒および前記極性溶媒が蒸発し、前記導電性金属インクが前記基板上に残ると、前記パターン部および前記透過部が形成されるステップを有する導電性パターンの形成ステップと、を含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法を提供する。
本発明は、前記製造方法により製造された透明導電膜を提供する。
本発明によれば、製造工程が簡素化して工程数を減らすことができ、且つ、伝導度と透過率に優れた透明導電膜を製造することができる透明導電膜の製造方法およびそれにより製造された透明導電膜が提供される。
本発明による導電性金属インクが溶解した非極性溶媒と極性溶媒が相分離して形成された透過部とパターン部を示す概略図である。
実施例1による透明導電膜の導電性パターン(不規則なメッシュ形状)を観察したマイクロ光学顕微鏡のイメージ図である。
本発明による透明導電膜の製造方法は、a)基板上に透明導電膜用のコーティング液を塗布してコーティング膜を形成するコーティング膜の形成ステップとして、非極性溶媒と、前記非極性溶媒とは非混和性である極性溶媒と、前記非極性溶媒と前記極性溶媒のうちいずれか一つの溶媒に混和性である導電性金属インク、および前記非極性溶媒および前記極性溶媒より蒸発速度が速い界面活性剤を含む前記透明導電膜用のコーティング液を塗布するコーティング膜の形成ステップと、b)前記コーティング膜を乾燥および焼成し、前記基板上に、ホール(hole)形態の透過部および前記導電性金属インクで形成されたパターン部を有する導電性パターンを形成する導電性パターンの形成ステップとして、b1)前記界面活性剤が蒸発すると2つの非混和性相に分離するが、前記非極性溶媒と前記極性溶媒のうち前記導電性金属インクと混和性であることによって前記導電性金属インクを含むいずれか一つの溶媒および残りの他の一つの溶媒に相分離するステップ、およびb2)前記相分離状態で前記非極性溶媒および前記極性溶媒が蒸発し、前記導電性金属インクが前記基板上に残ると、前記パターン部および前記透過部が形成されるステップを有する導電性パターンの形成ステップと、を含むことを特徴とする。
前記a)ステップの前記基板としては、コーティングや印刷工程によって容易に薄膜やパターンの形成が可能であれば、様々な種類の基板を用いることができる。
一例として、ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタルレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ナイロン(Nylon)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリカーボネート(PC)、ポリアリレート(PAR)などのような透明プラスチックフィルムやガラス基板を用いることができる。しかし、これらに基板の種類が限定されるものではない。
一方、本発明による透明導電膜の製造方法は、前記a)ステップにおいて、前記透明導電膜用のコーティング液を前記基板に塗布する前に、前記基板を前処理するステップをさらに含むことができる。
前記基板を水洗および脱脂後に用いるか、特に前処理を施して用いることができるが、前処理方法としては、例えば、プラズマ、イオンビーム、コロナ、酸化または還元、熱、エッチング、紫外線(UV)照射、およびバインダーや添加剤を用いたプライマー(primer)処理方法があるが、これらに限定されるものではない。
前記a)ステップの前記導電性金属インクは、導電性パターンを形成するための銀錯体化合物を含むことができ、前記銀錯体化合物は、下記の化学式1から選択される一つ以上の銀化合物と、下記化学式2〜化学式4から選択される一つ以上のアンモニウムカルバメート系化合物またはアンモニウムカーボネート系化合物とを反応させて製造することができる。このような銀錯体化合物は、銀とアンモニウムカルバメート系化合物またはアンモニウムカーボネート系化合物とからなってもよい。
(化学式1)
Figure 0005613331
(前記nは、1〜4の整数であり、Xは、酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、ニトレート、ニトライト、サルフェート、ホスフェート、チオシアネート、クロレート、パークロレート、テトラフルオロボレート、アセチルアセトネート、カルボキシレートおよびそれらの誘導体からなる群から選択される置換基である。)
(化学式2)
Figure 0005613331
(化学式3)
Figure 0005613331
(化学式4)
Figure 0005613331
(前記R1、R2、R3、R4、R5およびR6は、互いに独立して、各々、水素、脂肪族または脂環族(C1−C30)アルキル基、アリール基、アラルキル(aralkyl)基、官能基が置換された(C1−C30)アルキル基、官能基が置換されたアリール基、高分子化合物基、複素環式化合物およびそれらの誘導体から選択される置換基であるか、互いに独立して、R1とR2、R4とR5はヘテロ原子が含まれるかまたは含まれないアルキレンで連結されて環を形成してもよい。)
ただし、R1〜R6がいずれも水素である場合は除外してもよい。
前記化学式1の銀化合物の具体的な例を挙げれば、酸化銀、チオシアン酸銀、硫酸銀、塩化銀、シアン化銀、シアン酸銀、炭酸銀、窒化銀、亜硝酸銀、硫酸銀、リン酸銀、過塩素酸銀、テトラフルオロホウ酸銀、銀アセチルアセトナート、酢酸銀、乳酸銀、シュウ酸銀およびその誘導体などがあるが、これらに限定されるものではない。
前記R1〜R6は、具体的に例を挙げれば、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、アミル、ヘキシル、エチルヘキシル、ヘプチル、オクチル、イソオクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、アリル、ヒドロキシ、メトキシ、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、2−ヒドロキシプロピル、メトキシプロピル、シアノエチル、エトキシ、ブトキシ、ヘキシルオキシ、メトキシエトキシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、ヘキサメチレンイミン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ピロール、イミダゾール、ピリジン、カルボキシメチル、トリメトキシシリルプロピル、トリエトキシシリルプロピル、フェニル、メトキシフェニル、シアノフェニル、フェノキシ、トリル、ベンジルおよびその誘導体、およびポリアリルアミンやポリエチレンイミンのような高分子化合物およびそれらの誘導体から選択されるが、これらに限定されるものではない。
前記化学式2のアンモニウムカルバメート系化合物としては、アンモニウムカルバメート(ammonium carbamate)、エチルアンモニウムエチルカルバメート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート、n−ブチルアンモニウムn−ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウムイソブチルカルバメート、t−ブチルアンモニウムt−ブチルカルバメート、2−エチルヘキシルアンモニウム2−エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカルバメート、2−メトキシエチルアンモニウム2−メトキシエチルカルバメート、2−シアノエチルアンモニウム2−シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウムジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミンアンモニウムヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリニウムモルホリンカルバメート、ピリジニウムエチルヘキシルカルバメート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルビカルバメート、ベンジルアンモニウムベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカルバメートおよびその誘導体からなる群から選択される1種または2種以上の混合物を例に挙げることができる。
前記化学式3のアンモニウムカーボネート系化合物としては、アンモニウムカーボネート(ammonium carbonate)、エチルアンモニウムエチルカーボネート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカーボネート、n−ブチルアンモニウムn−ブチルカーボネート、イソブチルアンモニウムイソブチルカーボネート、t−ブチルアンモニウムt−ブチルカーボネート、2−エチルヘキシルアンモニウム2−エチルヘキシルカーボネート、2−メトキシエチルアンモニウム2−メトキシエチルカーボネート、2−シアノエチルアンモニウム2−シアノエチルカーボネート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカーボネート、ジブチルアンモニウムジブチルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカーボネート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカーボネート、ヘキサメチレンイミンアンモニウムヘキサメチレンイミンカーボネート、モルホリンアンモニウムモルホリンカーボネート、ベンジルアンモニウムベンジルカーボネート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカーボネート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルカーボネート、およびその誘導体から選択される1種または2種以上の混合物を例に挙げることができる。
前記化学式4のアンモニウムビカーボネート系化合物としては、アンモニウムビカーボネート(ammonium bicarbonate)、イソプロピルアンモニウムビカーボネート、t−ブチルアンモニウムビカーボネート、2−エチルヘキシルアンモニウムビカーボネート、2−メトキシエチルアンモニウムビカーボネート、2−シアノエチルアンモニウムビカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムビカーボネート、ピリジニウムビカーボネート、トリエチレンジアミニウムビカーボネートおよびその誘導体から選択される1種または2種以上の混合物を例に挙げることができる。
一方、前記アンモニウムカルバメート系、アンモニウムカーボネート系またはアンモニウムビカーボネート系化合物の種類および製造方法は、特に制限する必要はない。例えば、米国特許第4,542,214号(1985.9.17)では、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンまたは少なくとも一つ以上のこれらの混合物と二酸化炭素からアンモニウムカルバメート系化合物を製造することができると記述しており、前記アミン1モル当たり水0.5モルをさらに添加すると、アンモニウムカーボネート系化合物が得られ、水1モル以上を添加する場合は、アンモニウムビカーボネート系化合物を得ることができる。この時、常圧または加圧状態で特に溶媒を用いることなく製造することができ、溶媒を用いる場合は、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテートのようなアセテート類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタンのような炭化水素、ベンゼン、トルエンのような芳香族炭化水素、およびクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒またはこれらの混合溶媒などが挙げられ、二酸化炭素は、気相状態においてバブリング(bubbling)するか、固体相ドライアイスを用いることができ、超臨界(supercritical)状態においても反応することができる。本発明に用いられるアンモニウムカルバメート系、アンモニウムカーボネート系またはアンモニウムビカーボネート系誘導体の製造には、前記方法の他にも、最終物質の構造が同一であれば、公知のいかなる方法を利用してよい。すなわち、製造のための溶媒、反応温度、濃度または触媒などを特に限定する必要はなく、製造収率にも差し支えはない。
このように製造されたアンモニウムカルバメート系化合物およびアンモニウムカーボネート系化合物と銀化合物とを反応させて、有機銀錯体化合物を製造することができる。例えば、化学式1に示すような少なくとも一つ以上の銀化合物と化学式2〜化学式4に示すような少なくとも一つ以上のアンモニウムカルバメート系誘導体またはアンモニウムカーボネート系誘導体とを窒素雰囲気の常圧または加圧状態において溶媒を用いることなく直接反応させるか、溶媒を用いる場合は、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテートのようなアセテート類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタンのような炭化水素、ベンゼン、トルエンのような芳香族炭化水素、およびクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒などを用いることができる。しかし、有機銀錯体化合物の製造方法に特に制限される必要はない。すなわち、最終物質の構造が同一であれば、公知のいかなる方法を用いてもよい。例えば、製造のための溶媒、反応温度、濃度または触媒の使用有無などを特に限定する必要はなく、製造収率にも差し支えはない。
また、銀錯体化合物を製造するにおいて、前記方法の他に化学式1の銀化合物と一つ以上のアミン化合物が混合された溶液を製造した後、二酸化炭素を反応させて得られる銀錯体化合物を本発明に用いることができる。この時にも前記のように常圧または加圧状態において溶媒を用いることなく直接反応させるか、溶媒を用いて反応させることができる。しかし、有機銀錯体化合物の製造方法に特に制限する必要はない。すなわち、最終物質の構造が同一であれば、公知のいかなる方法を用いてもよい。例えば、製造のための溶媒、反応温度、濃度または触媒の使用有無などを特に限定する必要はなく、製造収率にも差し支えはない。
一方、前記銀錯体化合物は下記化学式5で表すことができる。
(化学式5)
Ag[A]m
前記化学式5中、Aは化学式2〜化学式4のうち何れか一つの化合物であり、mは0.7〜2.5である。
前記銀錯体化合物は、メタノールのようなアルコール類、エチルアセテートのようなエステル類、テトラヒドロフランのようなエーテル類の溶媒など、前記本発明の有機銀錯体化合物を製造する溶媒を含む様々な溶媒によく溶解する特徴があり、よって、銀錯体化合物は、塗布や印刷工程に容易に適用することができ、さらに、保管などの安定性にも非常に安定した溶液を形成して、3ヶ月以上安定して溶液状態に保管することができる。
また、有機銀錯体化合物溶液をガラス、シリコンウェハー、ポリエステルやポリイミドのような高分子フィルムなどの基板に塗布して薄膜を製造するか、直接印刷をすることができる。
前記a)ステップの前記導電性金属インクは、必要に応じて、添加剤として、安定剤、薄膜補助剤、溶媒、バインダー樹脂、界面活性剤、湿潤剤(wetting agent)、分散剤、チキソトロープ剤(thixotropic agent)、レベリング(levelling)剤、または還元剤をさらに含むことができる。
前記安定剤としては、第一級アミン、第二級アミンまたは第三級アミンのようなアミン化合物や、前記アンモニウムカルバメート、アンモニウムカーボネート、アンモニウムビカーボネート系化合物、またはホスフィン(phosphine)やホスファイト(phosphite)やホスフェート(phosphate)のようなリン化合物、チオール(thiol)やスルフィド(sulfide)のような硫黄化合物およびこれらの混合物を例に挙げることができる。
具体的に例を挙げれば、アミン化合物としては、メチルアミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミン、イソブチルアミン、イソアミルアミン、n−ヘキシルアミン、2−エチルヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、イソオクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ドコデシルアミン、シクロプロピルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、アリルアミン、ヒドロキシアミン、アンモニウムヒドロキシド、メトキシアミン、2−エタノールアミン、メトキシエチルアミン、2−ヒドロキシプロピルアミン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピルアミン、メトキシプロピルアミン、シアノエチルアミン、エトキシアミン、n−ブトキシアミン、2−ヘキシルオキシアミン、メトキシエトキシエチルアミン、メトキシエトキシエトキシエチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジエタノールアミン、ヘキサメチレンイミン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、2,2−(エチレンジオキシ)ビスエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、ピロール、イミダゾール、ピリジン、アミノアセトアルデヒドジメチルアセタール、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、アニリン、アニシジン、アミノベンゾニトリル、ベンジルアミンおよびその誘導体、およびポリアリルアミンやポリエチレンイミンのような高分子化合物およびその誘導体などのようなアミン化合物が挙げられる。
前記アンモニウムカルバメート系化合物としては、アンモニウムカルバメート(ammonium carbamate)、エチルアンモニウムエチルカルバメート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート、n−ブチルアンモニウムn−ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウムイソブチルカルバメート、t−ブチルアンモニウムt−ブチルカルバメート、2−エチルヘキシルアンモニウム2−エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカルバメート、2−メトキシエチルアンモニウム2−メトキシエチルカルバメート、2−シアノエチルアンモニウム2−シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウムジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミンアンモニウムヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリニウムモルホリンカルバメート、ピリジニウムエチルヘキシルカルバメート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルビカルバメート、ベンジルアンモニウムベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカルバメートおよびその誘導体などを例に挙げることができる。
前記アンモニウムカーボネート系化合物としては、アンモニウムカーボネート(ammonium carbonate)、エチルアンモニウムエチルカーボネート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカーボネート、n−ブチルアンモニウムn−ブチルカーボネート、イソブチルアンモニウムイソブチルカーボネート、t−ブチルアンモニウムt−ブチルカーボネート、2−エチルヘキシルアンモニウム2−エチルヘキシルカーボネート、2−メトキシエチルアンモニウム2−メトキシエチルカーボネート、2−シアノエチルアンモニウム2−シアノエチルカーボネート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカーボネート、ジブチルアンモニウムジブチルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカーボネート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカーボネート、ヘキサメチレンイミンアンモニウムヘキサメチレンイミンカーボネート、モルホリンアンモニウムモルホリンカーボネート、ベンジルアンモニウムベンジルカーボネート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカーボネート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルカーボネートおよびその誘導体などを例に挙げることができる。
前記アンモニウムビカーボネート系化合物としては、アンモニウムビカーボネート(ammonium bicarbonate)、イソプロピルアンモニウムビカーボネート、t−ブチルアンモニウムビカーボネート、2−エチルヘキシルアンモニウムビカーボネート、2−メトキシエチルアンモニウムビカーボネート、2−シアノエチルアンモニウムビカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムビカーボネート、ピリジニウムビカーボネート、トリエチレンジアミニウムビカーボネートおよびその誘導体などを例に挙げることができる。
前記リン化合物としては、化学式R3P、(RO)3Pまたは(RO)3POで表されるリン化合物であって、ここで、Rは炭素数1〜20のアルキルまたはアリール基を示し、代表的には、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト、ジベンジルホスフェート、トリエチルホスフェートなどを例に挙げることができる。
前記硫黄化合物としては、例えば、ブタンチオール、n−ヘキサンチオール、ジエチルスルフィド、テトラヒドロチオフェン、アリルジスルフィド、メルカプトベンゾチアゾール、アルキルメルカプトアセテート、テトラヒドロチオフェン、オクチルチオグリコレートなどを例に挙げることができる。
このような安定剤の使用量は、本発明のインク特性に符合する限り、特に制限する必要はない。しかし、その含量が銀化合物に対し、モル比で0.1%〜90%が好ましく、より好ましくは1%〜50%である。この範囲を越える場合は、薄膜の伝導度の低下が生じ、それ以下である場合は、インクの保存安定性が低下する。
前記薄膜補助剤は、有機酸および有機酸誘導体が用いられてもよく、1種または2種以上の混合物で構成されてもよい。
前記有機酸の例としては、酢酸(acetic acid)、シュウ酸(oxalic acid)、クエン酸(citric acid)、乳酸(Lactic acid)、マレイン酸(maleic acid)、アクリル酸(acrylic acid)、酪酸(butyric acid)、バレリアン酸(valeric acid)、ピバル酸(pivalicacid)、n−ヘキサン酸(hexanoic acid)、t−オクタン酸(octanoic acid)、2−エチル−ヘキサン酸(2-ethyl-hexanoic acid)、ネオデカン酸(neodecanoic acid)、ラウリン酸(lauric acid)、ステアリン酸(stearic acid)、オレイン酸(oleic acid)、ナフテン酸(naphthenic acid)、ドデカン酸(dodecanoic acid)、リノール酸(linoleic acid)などの有機酸を例に挙げることができる。
前記有機酸誘導体としては、酢酸アンモニウム塩、クエン酸アンモニウム塩、ラウリン酸アンモニウム塩、乳酸アンモニウム塩、マレイン酸アンモニウム塩、シュウ酸アンモニウム塩などの有機酸アンモニウム塩とAu、Cu、Zn、Ni、Co、Pd、Pt、Ti、V、Mn、Fe、Cr、Zr、Nb、Mo、W、Ru、Cd、Ta、Re、Os、Ir、Al、Ga、Ge、In、Sn、Sb、Pb、Bi、Sm、Eu、Ac、Thなどのような金属を含む有機酸金属塩を例に挙げることができる。
前記有機酸金属塩としては、シュウ酸マンガン、酢酸金、シュウ酸パラジウム、2−エチルヘキサン酸銀、オクタン酸銀、ネオデカン酸銀、ステアリン酸コバルト、ナフテン酸ニッケル、ナフテン酸コバルトなどを例に挙げることができる。
前記薄膜補助剤の使用量は特に限定しないが、銀錯体化合物または混合物に対し、モル比で0.1%〜25%が好ましい。この範囲を越える場合は、均一な薄膜の形成が難しく、それ以下である場合は、薄膜にクラックが発生するという問題点がある。
前記溶媒は、銀錯体化合物溶液の粘度調節や円滑な薄膜形成のために必要に応じて用いることができる。
前記溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、1−メトキシプロパノール、ブタノール、エチルヘキシルアルコール、テルピネオールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、メトキシプロピルアセテート、カルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテートのようなアセテート類、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリドンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタン、トデカン、パラフィンオイル、ミネラルスピリットのような炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素系、およびクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドまたはこれらの混合溶媒などを例に挙げることができる。
前記バインダー樹脂として、ポリアクリル酸またはポリアクリル酸エステルのようなアクリル系樹脂、エチルセルロースのようなセルロース系樹脂、脂肪族または共重合ポリエステル系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニールアセテートのようなビニル系樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルおよびユリア樹脂、アルキド樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂、ポリエチレンのようなオレフィン系樹脂、石油およびロジン系樹脂などのような熱可塑性樹脂や、エポキシ系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂などのような熱硬化性樹脂、紫外線または電子線硬化型の様々な構造のアクリル系樹脂、およびエチレン−プロピレン系ゴム、スチレン−ブタジエン系ゴムなども共に用いることができる。
前記界面活性剤としては、ラウリル硫酸ナトリウム(sodium lauryl sulfate)のような陰イオン界面活性剤、ノニルフェノキシポリエトキシエタノール(nonyl phenoxy polyethoxyethanol)、デュポン社(Dupont)製品のFSNのような非イオン性界面活性剤、およびラウリルベンジルアンモニウムクロライドなどのような陽イオン性界面活性剤やラウリルベタイン(betaine)、ココベタインのような両性界面活性剤などを例に挙げることができる。
前記湿潤剤または湿潤分散剤としては、ポリエチレングリコール、エアープロダクト社(Air Product)製品のサーフィノールシリーズ、デグサ(Deguessa)のTEGO Wetシリーズのような化合物を例に挙げることができる。
前記チキソトロープ剤またはレベリング剤としては、BYK社のBYKシリーズ、デグサ(Degussa)のGlideシリーズ、EFKA社のEFKA3000シリーズやCognis社のDSXシリーズなどを例に挙げることができる。
前記還元剤は、焼成を容易に行うために添加されてもよく、例として、ヒドラジン、アセチックヒドラジド、水素化ホウ素ナトリウム又はカリウム、クエン酸三ナトリウム、およびメチルジエタノールアミン、ジメチルアミンボラン(dimethylamineborane)のようなアミン化合物、塩化第二鉄、乳酸鉄のような金属塩、水素、ヨウ化水素、一酸化炭素、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒドのようなアルデヒド化合物、グルコース、アスコルビン酸、サリチル酸、タンニン酸(tannic acid)、ピロガロール(pyrogallol)、ヒドロキノンのような有機化合物などが挙げられる。
前述した銀錯体化合物、透明な銀インクの製造方法については、本願発明者らによって出願された韓国特許出願第10−2006−0011083号および韓国特許出願第10−2005−0018364号に記載されている。
このように、前記a)ステップの前記導電性金属インクとしては、例えば、前記銀錯体化合物を含む前記導電性金属インクを用いることができると前述した。この際、前記化学式1の銀化合物と一つ以上の過量のアミン化合物またはアンモニウムカルバメートまたはアンモニウムカーボネート系化合物およびこれらの混合された溶液を製造し、これに必要に応じて、前記バインダーまたは添加剤などを入れた後に二酸化炭素を反応させて、透明な銀インクを得ることもある。この時にも、前記したように常圧または加圧状態において溶媒を用いることなく直接反応させるか、溶媒を用いて反応させることができる。
具体的には、前記a)ステップの前記導電性金属インクとして、2−エチル−1−ヘキシルアミンと二酸化炭素を反応させて得られるカルバメートで製造した透明な銀インクを用いるか、2−エチル−1−ヘキシルアミンとイソブチルアミンの混合物を二酸化炭素と反応させて得られるカルバメートで製造した透明な銀インクを用いることができる。
前記a)ステップにおいて、前記非極性溶媒は前記導電性金属インクとは混和性であり、前記極性溶媒は前記導電性金属インクおよび前記非極性溶媒とは非混和性であり、この場合、前記b1)ステップにおいては、前記導電性金属インクを含む前記非極性溶媒と、前記極性溶媒とに相分離し得る。
この場合、前記a)ステップにおいて、前記非極性溶媒は、前記導電性金属インクに対しては溶解性を有し、前記極性溶媒に対しては非溶解性を有する溶媒であり、芳香族溶媒、炭化水素系溶媒、脂肪族鎖が4個以上のアルコール、エーテル系溶媒、およびエステル系溶媒の中から選択された1種以上の溶媒を含むことができる。
具体的には、前記非極性溶媒として、前記極性溶媒との相分離特性を奏するために、例えば、親水性が低い、すなわち極性が低い有機溶剤が用いられる。
また、前記非極性溶媒は、極性溶媒に混合されない非溶解性であり、すなわち極性溶媒とは非混和性であり、且つ、前記銀錯体化合物を含む前記導電性金属インクを溶解できる溶解性であり、すなわち前記導電性金属インクとは混和性であり、且つ、蒸発速度が前記揮発性界面活性剤より遅い溶媒であれば、多様に本発明にいずれも適用されてもよい。
例として、BTX(ベンゼン、トルエン、キシレン)のような芳香族溶剤、ヘキサン、シクロヘキサンなどのような炭化水素系溶剤、イソブチルアルコール、2−エチル−1−ヘキシルアルコール、脂肪族鎖が4個以上のアルコール、エーテル系、エステル系が挙げられるが、これらに限定されず、前記条件を満足する溶媒であれば、多様に適用されてもよい。
前記a)ステップにおいて、前記極性溶媒は、前記導電性金属インクおよび前記非極性溶媒に対して非溶解性を有する溶媒であり、水を含むことができる。しかし、これに限定されるものではない。
具体的に説明すると、前記a)ステップの前記極性溶媒は、非極性溶媒に混合されない非溶解性であり、すなわち非極性溶媒とは非混和性であり、且つ、前記銀錯体化合物を含む前記導電性金属インクと混合されない非溶解性であり、すなわち前記導電性金属インクとは非混和性であり、且つ、蒸発速度が前記揮発性界面活性剤より遅い溶媒であれば、多様に本発明にいずれも適用されてもよい。
または、前記a)ステップにおいて、前記非極性溶媒は前記導電性金属インクおよび前記極性溶媒とは非混和性であり、前記極性溶媒は前記導電性金属インクとは混和性であり、この場合、前記b1)ステップにおいては、前記導電性金属インクを含む前記極性溶媒と、前記非極性溶媒とに相分離し得る。
前記a)ステップの前記界面活性剤は、前記導電性金属インク、前記非極性溶媒、および前記極性溶媒に対して溶解性を有する揮発性界面活性剤であり、メタノール、エタノール、プロパノール、およびイソプロパノールの中から選択された1種以上を含むことができる。
具体的に説明すると、前記a)ステップの前記界面活性剤は、極性溶媒および前記銀錯体化合物を含む前記導電性金属インクが溶解している非極性溶媒にいずれも親和性であるため、極性溶媒および前記銀錯体化合物を含む前記導電性金属インクが溶解している非極性溶媒にいずれもよく混合され、蒸発速度が前記極性溶媒および前記非極性溶媒より速い界面活性剤であれば、多様に本発明にいずれも適用されてもよい。
一例として、低価アルコール類が好ましく、具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノールが好ましい。また、Surfynolを用いることができる。この中で、イソプロパノールが相分離特性の点からより好ましい。
前記a)ステップの前記透明導電膜用のコーティング液において、蒸発速度が速い順に羅列すると、前記界面活性剤、前記非極性溶媒、および前記極性溶媒の順であってもよい。
または、前記a)ステップの前記透明導電膜用のコーティング液において、蒸発速度が速い順に羅列すると、前記界面活性剤、前記極性溶媒、および前記非極性溶媒の順であってもよい。ここで、蒸発速度が互いに相対的に速いか遅いかの差を確認する方法は様々であるが、その例としてFP(flash point)によって確認することができる。
このように、前記非極性溶媒と前記極性溶媒とに相分離するためには、前記揮発性界面活性剤が最も先に蒸発することができるように、前記非極性溶媒および極性溶媒より相対的に蒸発速度が速いために最も先に蒸発できる界面活性剤を用いなければならない。
前記界面活性剤が最も先に蒸発した後に、前記非極性溶媒と前記極性溶媒が同時に蒸発するか、または前記極性溶媒より相対的に速い蒸発速度を有する前記非極性溶媒を用いて、前記非極性溶媒が前記極性溶媒より先に蒸発するか、または前記極性溶媒より相対的に遅い蒸発速度を有する前記非極性溶媒を用いて、前記極性溶媒が前記非極性溶媒より先に蒸発するように、溶媒を選択して、これを調節することができる。
前記a)ステップにおいて、前記透明導電膜用のコーティング液の塗布方法は、スピン(spin)コーティング、ロール(roll)コーティング、スプレーコーティング、ディップ(dip)コーティング、フロー(flow)コーティング、ドクターブレード(doctor blade)とディスペンシング(dispensing)、インクジェット印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷、パッド(pad)印刷、グラビア印刷、フレキソ(flexography)印刷、ステンシル印刷、インプリンティング(imprinting)、ゼログラフィー(xerography)およびリソグラフィー(lithography)方法の中から選択することができる。
一方、前記b)ステップは、前記a)ステップで形成されたコーティング膜を乾燥および焼成することにより、前記基板上に前記導電性パターンを形成する導電性パターンの形成ステップである。
前記b)ステップの乾燥および焼成は、熱処理によって行われる。
例えば、熱処理ステップにおいては、通常、80〜400℃の間、好ましくは90〜300℃、より好ましくは100〜150℃で熱処理することができる。または、前記範囲内で低温と高温とで2ステップ以上加熱処理をすることもできる。例えば、80〜150℃で1〜30分間処理し、150〜300℃で1〜30分間処理することができる。
前記b)ステップにおいて、前記透過部は、前記極性溶媒が蒸発する前に前記基板上に占めていた空間であり、前記極性溶媒が蒸発した後に形成され、前記パターン部は、前記非極性溶媒が蒸発し、前記非極性溶媒に溶解していた前記導電性金属インクが前記基板上に残ることによって形成されることができる(図1参照)。
または、前記b)ステップにおいて、前記透過部は、前記非極性溶媒が蒸発する前に前記基板上に占めていた空間であり、前記非極性溶媒が蒸発した後に形成され、前記パターン部は、前記極性溶媒が蒸発し、前記極性溶媒に溶解していた前記導電性金属インクが前記基板上に残ることによって形成されることができる(図1参照)。
前記b)ステップにおいて、前記導電性パターンは、前記ホール形態の透過部と前記導電性金属インクで形成されたパターン部とを有する不規則なメッシュ形状であってもよい(図2参照)。
以下では、前記a)ステップおよび前記b)ステップによって前記基板の表面に前記導電性パターンが形成される過程を具体的に説明する。
前記a)ステップの前記透明導電膜用のコーティング液において、前記界面活性剤は、前記非極性溶媒および前記極性溶媒のいずれにも親和性があるため、前記透明導電膜用のコーティング液が基板に塗布された時までには前記非極性溶媒および前記極性溶媒の相分離は発生しない。すなわち、この時までは前記導電性金属インク、前記非極性溶媒、前記極性溶媒、および前記界面活性剤を含む一液型のコーティング液として存在できるようにする役割をする。
このような一液型コーティング液ではなく、金属粉末溶液を製造し、エマルションを製造した後、この二つを混合してコーティング液を製造する場合は、エマルションのための別の工程が必要であるために工程数が増加し、エマルションの液安定性が低く、還元剤条件で熱処理をしなければパターンが形成されないという短所があるが、本発明の場合は、一液型として液安定性に優れ、このような一液型に製造して塗布すると、相分離し、別の還元剤条件がなくても熱処理後にパターンを形成するため、簡素化した工程によって伝導度および透過率に優れた導電性パターンを容易に得ることができる。
前記a)ステップにおいて前記基板に前記透明導電膜用のコーティング液を塗布した後、前記b)ステップにおいて前記非極性溶媒および前記極性溶媒よりも相対的に蒸発速度の速い前記界面活性剤が先に蒸発すると、その時、前記導電性金属インクが溶解した前記非極性溶媒が1つの相として、前記極性溶媒が他の相として分離、すなわち、2つの非混和性相に相分離する。
この時、前記極性溶媒、例えば、水が前記基板上に分布し、前記導電性金属インクが溶解した前記非極性溶媒が前記水とは混合されないように分布する。例えば、前記非極性溶媒に溶解している前記導電性金属インクが前記極性溶媒である水を囲んでいる形態になることができる。
次に、前記界面活性剤より相対的に蒸発速度が遅い前記極性溶媒および前記非極性溶媒が蒸発すると、前記基板の表面に位置していた前記極性溶媒、例えば、水が蒸発したところには空いた空間が発生して、すなわち、これが透過部となり、前記非極性溶媒が前記導電性金属インクだけを前記基板の表面に残して蒸発するため、前記基板の表面に残っている導電性金属インクは前記パターン部となるものである。
または、次の通り進行されてもよい。
前記a)ステップの前記透明導電膜用のコーティング液において、前記界面活性剤は、前記非極性溶媒および前記極性溶媒のいずれにも親和性があるため、前記透明導電膜用のコーティング液が基板に塗布された時までには前記非極性溶媒および前記極性溶媒の相分離は発生しない。すなわち、この時までは前記導電性金属インク、前記非極性溶媒、前記極性溶媒、および前記揮発性界面活性剤を含む一液型のコーティング液として存在できるようにする役割をする。
前記a)ステップにおいて前記基板に前記透明導電膜用のコーティング液を塗布した後、前記b)ステップにおいて前記非極性溶媒および前記極性溶媒よりも相対的に蒸発速度の速い前記界面活性剤が先に蒸発すると、その時、前記導電性金属インクが溶解した前記極性溶媒が1つの相として、前記非極性溶媒が他の相として分離、すなわち、2つの非混和性相に相分離する。
この時、前記非極性溶媒が前記基板上に分布し、前記導電性金属インクが溶解した前記極性溶媒が前記非極性溶媒とは混合されないように分布するようになる。例えば、前記極性溶媒に溶解している前記導電性金属インクが前記非極性溶媒を囲む形態になることができる。
次に、前記界面活性剤より相対的に蒸発速度の遅い前記極性溶媒および前記非極性溶媒が蒸発すると、前記基板の表面に位置していた前記非極性溶媒が蒸発したところには空いた空間が発生して、すなわちこれが透過部となり、前記極性溶媒が前記導電性金属インクだけを前記基板の表面に残して蒸発するため、前記基板の表面に残っている導電性金属インクは前記パターン部となるものである。
このように簡素化した工程によって前記透過部および前記パターン部を有する導電性パターンを形成することができ、さらに、このように製造された導電性パターンを有する透明導電膜の場合は、優れた伝導度および透過率を提供することができる。
以下では、実施例によって本発明をより具体的に説明する。しかし、これらに本発明の範囲が限定されるものではない。
製造例
製造例1(導電性金属インク)
恒温装置付きのSUS反応容器に粘性のある2−エチル−1−ヘキシルアンモニウム2−エチル−1−ヘキシルカルバメートとイソブチルアンモニウムイソブチルカルバメートの混合物100gを入れ、25℃を維持しながら攪拌した。上記反応容器に酸化銀(I)30.7gを徐々に投入し、25℃を維持しながら5時間攪拌した。反応が進行されることにより、黒色の懸濁液から錯化合物が生成されるにつれて、色が薄くなって透明になった。反応が完了した後、反応溶液をフィルタリングして未反応酸化銀(I)を除去し、銀含量23.5%の透明な銀インクを得た。
製造例2(導電性金属インク)
製造例1で用いた2−エチル−1−ヘキシルアンモニウム2−エチル−1−ヘキシルカルバメートとイソブチルアンモニウムイソブチルカルバメートの混合物の代わりに、2−エチル−1−ヘキシルアンモニウム2−エチル−1−ヘキシルカルバメートを用いたことを除いては、実施例1と同様の過程で製造して、銀含量17.5%の透明な銀インクを得た。
製造例3(透明導電膜用のコーティング液)
イソプロパノール52.6gと製造例1で得た透明な銀インク4.3gを混合して完全に溶解させた。これにキシレン9.6gとイソブタノール4.8gを混合して攪拌し、完全に溶解させた。これに浄水(脱イオン水)28.8gを徐々に添加しながら攪拌した。10分間攪拌して完全に混ぜ、0.45μmのフィルタを用いて攪拌液をフィルタリングした。無色透明な透明導電膜用のコーティング液を得た。
製造例4(透明導電膜用のコーティング液)
イソプロパノール51.2gと製造例2で得た透明な銀インク5.7gを混合して完全に溶解させた。これにキシレン9.6gとイソブタノール4.8gを添加し、完全に溶解させた。これに浄水(脱イオン水)28.8gを徐々に添加しながら攪拌した。10分間攪拌して完全に混ぜ、0.45μmのフィルタを用いて攪拌液をフィルタリングした。無色透明な透明導電膜用のコーティング液を得た。
製造例5(透明導電膜用のコーティング液)
イソプロピルアルコール46.4gと製造例2で得た透明な銀インク7.3gを混合して完全に溶解させた。これにキシレン9.3gとイソブチルアルコール9.3gを添加し、完全に溶解させた。これに浄水(脱イオン水)27.8gを徐々に添加しながら攪拌した。10分間攪拌して完全に混ぜ、0.45μmのフィルタを用いて攪拌液をフィルタリングした。無色透明な透明導電膜用の
コーティング液 を得た。
製造例6(透明導電膜用のコーティング液)
イソプロピルアルコール47.1gと製造例2で得た透明な銀インク5.9gを混合して完全に溶解させた。これにヘキサン23.5gとトルエン23.5g、イソブチルアルコール4.7gを添加し、完全に溶解させた。これに浄水(脱イオン水)18.8gを徐々に添加しながら攪拌した。10分間攪拌して完全に混ぜ、0.45μmのフィルタを用いて攪拌液をフィルタリングした。無色透明な透明導電膜用のコーティング液を得た。
実施例
実施例1(透明導電膜の製造)
1)透明導電膜用基板の前処理
透明導電膜用の基板としては、SK社のSH82(PETフィルム)という製品を使用し、親水性を増加させるために常圧プラズマ処理を施した。ガスの流量は、窒素200lpm、酸素4lpmに調節し、プラズマ放電出力12kwに調節して、10mm/sの速度で処理した。整数基準で接触角は35°と測定された。処理された基板の可視光透過率は90%と測定された。
2)透明導電膜の製造
製造例3による透明導電膜用のコーティング液を、前処理を終えたPETフィルム上にスピンコーティングを利用して塗布した。スピンコーティングを条件1000rpm 5秒で行い、対流式オーブンで150℃、3分間乾燥および焼成を行い、可視光透過率70%、面抵抗100Ω/□の不規則なマイクロメッシュ形状の透明導電膜を得た(図2参照)。
実施例2(透明導電膜の製造)
実施例1で用いた製造例3による透明導電膜用のコーティング液の代わりに、製造例4による透明導電膜用のコーティング液を用いたことを除いては、実施例1と同様の方法によって透明導電膜を製造して、可視光透過率65%、面抵抗100Ω/□の不規則なマイクロメッシュ形状の透明導電膜を得た。
実施例3(透明導電膜の製造)
実施例1で用いた製造例3による透明導電膜用のコーティング液の代わりに、製造例5による透明導電膜用のコーティング液を用いたことを除いては、、実施例1と同様の方法によって透明導電膜を製造して、可視光透過率68%、面抵抗100Ω/□の不規則なマイクロメッシュ形状の透明導電膜を得た。
実施例4(透明導電膜の製造)
実施例1で用いた製造例3による透明導電膜用のコーティング液の代わりに、製造例6による透明導電膜用のコーティング液を用いたことを除いては、実施例1と同様の方法によって透明導電膜を製造して、可視光透過率60%、面抵抗100Ω/□の不規則なマイクロメッシュ形状の透明導電膜を得た。
このように本発明による実施例1〜4を通じて、導電性金属インク、非極性溶媒、極性溶媒、および揮発性界面活性剤を含む透明導電膜用のコーティング液を用いることにより、非極性溶媒および極性溶媒と前記揮発性界面活性剤との間の蒸発速度の差と、導電性金属インクおよび非極性溶媒と極性溶媒の反発力による相分離現象を利用して、簡素化した工程によって伝導度および透過率に優れた透明導電膜を容易に製造できることを確認することができる。

Claims (17)

  1. a)基板上に透明導電膜用のコーティング液を塗布してコーティング膜を形成するコーティング膜の形成ステップとして、非極性溶媒と、前記非極性溶媒とは非混和性である極性溶媒と、前記非極性溶媒と前記極性溶媒のうちいずれか一つの溶媒に混和性である導電性金属インク、および前記非極性溶媒および前記極性溶媒のいずれより蒸発速度が速く、極性溶媒および非極性溶媒のいずれにも親和性を有して、極性溶媒および非極性溶媒のいずれにも混合される揮発性界面活性剤を含む前記透明導電膜用のコーティング液を塗布するコーティング膜の形成ステップと、
    b)前記コーティング膜を乾燥および焼成し、前記基板上に、ホール(hole)形態の透過部および前記導電性金属インクで形成されたパターン部を有する導電性パターンを形成する導電性パターンの形成ステップとして、b1)前記界面活性剤が蒸発すると2つの非混和性相に分離するが、前記非極性溶媒と前記極性溶媒のうち前記導電性金属インクと混和性であることによって前記導電性金属インクを含むいずれか一つの溶媒および残りの他の一つの溶媒に相分離するステップ、およびb2)前記相分離状態で前記非極性溶媒および前記極性溶媒が蒸発し、前記導電性金属インクが前記基板上に残ると、前記パターン部および前記透過部が形成されるステップを有する導電性パターンの形成ステップと、
    を含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法。
  2. 前記a)ステップにおいて、前記基板は、ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ナイロン(Nylon)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリカーボネート(PC)、ポリアリレート(PAR)またはガラスであることを特徴とする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
  3. 前記a)ステップにおいて、前記導電性金属インクは、下記の化学式1から選択される一つ以上の銀化合物と、下記化学式2〜化学式4から選択される一つ以上のアンモニウムカルバメート系化合物またはアンモニウムカーボネート系化合物とを反応させて製造された銀錯体化合物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法:
    (化学式1)
    Figure 0005613331
    (前記nは、1〜4の整数であり、Xは、酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、ニトレート、ニトライト、サルフェート、ホスフェート、チオシアネート、クロレート、パークロレート、テトラフルオロボレート、アセチルアセトネート、カルボキシレートおよびそれらの誘導体からなる群から選択される置換基である。)
    (化学式2)
    Figure 0005613331
    (化学式3)
    Figure 0005613331
    (化学式4)
    Figure 0005613331
    (前記R1、R2、R3、R4、R5およびR6は、互いに独立して、各々、水素、脂肪族または脂環族(C1−C30)アルキル基、アリール基、アラルキル(aralkyl)基、官能基が置換された(C1−C30)アルキル基、官能基が置換されたアリール基、高分子化合物基、複素環化合物およびそれらの誘導体から選択される置換基であるか、互いに独立して、R1とR2、R4とR5は、ヘテロ原子が含まれるかまたは含まれないアルキレンで連結されて環を形成してもよい。)
  4. 前記非極性溶媒は前記導電性金属インクとは混和性であり、
    前記極性溶媒は前記導電性金属インクおよび前記非極性溶媒とは非混和性であり、
    前記b1)ステップにおいて、前記導電性金属インクを含む前記非極性溶媒と、前記極性溶媒とに相分離することを特徴とする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
  5. 前記a)ステップにおいて、前記非極性溶媒は、前記導電性金属インクに対しては溶解性を有し、前記極性溶媒に対しては非溶解性を有する溶媒であり、芳香族溶媒、炭化水素系溶媒、脂肪族鎖が4個以上のアルコール、エーテル系溶媒、およびエステル系溶媒の中から選択された1種以上の溶媒を含むことを特徴とする、請求項4に記載の透明導電膜の製造方法。
  6. 前記a)ステップにおいて、前記極性溶媒は、前記導電性金属インクおよび前記非極性溶媒に対して非溶解性を有する溶媒であり、水を含むことを特徴とする、請求項4に記載の透明導電膜の製造方法。
  7. 前記非極性溶媒は前記導電性金属インクおよび前記極性溶媒とは非混和性であり、
    前記極性溶媒は前記導電性金属インクとは混和性であり、
    前記b1)ステップにおいて、前記導電性金属インクを含む前記極性溶媒と、前記非極性溶媒とに相分離することを特徴とする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
  8. 前記a)ステップにおいて、前記界面活性剤は、前記導電性金属インク、前記非極性溶媒、前記極性溶媒に対して溶解性を有する揮発性界面活性剤であり、メタノール、エタノール、プロパノール、およびイソプロパノールの中から選択された1種以上を含むことを特徴とする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
  9. 前記b)ステップにおいて、前記界面活性剤、前記非極性溶媒、および前記極性溶媒の順に蒸発することを特徴とする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
  10. 前記b)ステップにおいて、前記界面活性剤、前記極性溶媒、および前記非極性溶媒の順に蒸発することを特徴とする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
  11. 前記a)ステップにおいて、前記透明導電膜用のコーティング液の塗布方法が、スピン(spin)コーティング、ロール(roll)コーティング、スプレーコーティング、ディップ(dip)コーティング、フロー(flow)コーティング、ドクターブレード(doctor blade)とディスペンシング(dispensing)、インクジェット印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷、パッド(pad)印刷、グラビア印刷、フレキソ(flexography)印刷、ステンシル印刷、インプリンティング(imprinting)、ゼログラフィー(xerography)およびリソグラフィー(lithography)方法の中から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
  12. 前記b)ステップの乾燥および焼成は、熱処理ステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
  13. 前記b)ステップにおいて、
    前記透過部は、前記極性溶媒が蒸発する前に前記基板上に占めていた空間であり、前記極性溶媒が蒸発した後に形成され、
    前記パターン部は、前記非極性溶媒が蒸発し、前記非極性溶媒に溶解していた前記導電性金属インクが前記基板上に残ることによって形成されることを特徴とする、請求項4に記載の透明導電膜の製造方法。
  14. 前記b)ステップにおいて、
    前記透過部は、前記非極性溶媒が蒸発する前に前記基板上に占めていた空間であり、前記非極性溶媒が蒸発した後に形成され、
    前記パターン部は、前記極性溶媒が蒸発し、前記極性溶媒に溶解していた前記導電性金属インクが前記基板上に残ることによって形成されることを特徴とする、請求項7に記載の透明導電膜の製造方法。
  15. 前記b)ステップの前記導電性パターンは、前記ホール形態の透過部および前記導電性金属インクで形成されたパターン部を有するメッシュ(mesh)形状であることを特徴とする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
  16. 前記a)ステップの前に、前記基板を前処理するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
  17. 請求項1〜16の何れか1項による製造方法により製造された透明導電膜。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2014046306A1 (ja) * 2012-09-21 2016-08-18 住友化学株式会社 導電性膜形成用の組成物
CN103862860B (zh) * 2012-12-12 2016-05-04 中国科学院理化技术研究所 透明导电薄膜室温沉积装置及方法
JP5610359B2 (ja) * 2012-12-21 2014-10-22 株式会社フェクト 銀鏡膜層形成組成液、銀鏡膜層形成組成液の製造方法及び銀鏡膜塗面の形成方法
US20160362791A1 (en) * 2014-02-28 2016-12-15 Osaka University Method for metallizing dielectric substrate surface, and dielectric substrate provided with metal film
JP6289988B2 (ja) * 2014-04-25 2018-03-07 トッパン・フォームズ株式会社 銀インク組成物の製造方法
KR102335627B1 (ko) 2016-08-11 2021-12-08 한국전자통신연구원 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
CN106752381A (zh) * 2016-12-02 2017-05-31 东北大学 无颗粒银墨水及其制备方法和透明银导电薄膜及其制备方法
DE102017005949A1 (de) * 2017-06-23 2018-12-27 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur Herstellung einer Tinte und Tinte
JP7176533B2 (ja) * 2018-01-19 2022-11-22 Agc株式会社 樹脂付金属箔の製造方法
JP7374177B2 (ja) * 2018-08-03 2023-11-06 ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ 広域スペクトルuv光を使用したuv焼結性分子インク及びその処理
RU2765126C1 (ru) * 2021-06-28 2022-01-25 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)" Способ получения растворных функциональных чернил для формирования плёнок на основе серебра

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4542214A (en) 1982-03-04 1985-09-17 Air Products And Chemicals, Inc. Carbamate and carbonate salts of tertiary amines
GB9106861D0 (en) * 1991-04-02 1991-05-22 Draper Stephen R Improvements in or relating to learning aids
US5504133A (en) * 1993-10-05 1996-04-02 Mitsubishi Materials Corporation Composition for forming conductive films
JPH09115334A (ja) 1995-10-23 1997-05-02 Mitsubishi Materiais Corp 透明導電膜および膜形成用組成物
KR100472496B1 (ko) 1997-07-23 2005-05-16 삼성에스디아이 주식회사 투명도전성조성물,이로부터형성된투명도전막및그제조방법
KR20000009405A (ko) 1998-07-24 2000-02-15 김영남 투명한 전도성 광선택 흡수피막이 형성된화상표시면판 및 그제조방법과 그 도포용액
JP3876811B2 (ja) 2001-11-02 2007-02-07 住友金属鉱山株式会社 透明導電層形成用塗液の製造方法
ATE450581T1 (de) * 2002-06-13 2009-12-15 Nanopowders Ind Ltd Ein verfahren zur herstellung von transparenten und leitfähigen nano-beschichtungen und nano- pulverbeschichtungen
US7736693B2 (en) 2002-06-13 2010-06-15 Cima Nanotech Israel Ltd. Nano-powder-based coating and ink compositions
US7566360B2 (en) * 2002-06-13 2009-07-28 Cima Nanotech Israel Ltd. Nano-powder-based coating and ink compositions
US7311797B2 (en) 2002-06-27 2007-12-25 Lam Research Corporation Productivity enhancing thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor
KR100727466B1 (ko) 2005-02-07 2007-06-13 주식회사 잉크테크 유기 은 착체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한박막형성방법
KR100727434B1 (ko) 2005-03-04 2007-06-13 주식회사 잉크테크 투명 은 잉크 조성물 및 이를 이용한 박막 형성방법
WO2006135735A2 (en) 2005-06-10 2006-12-21 Cima Nano Tech Israel Ltd. Enhanced transparent conductive coatings and methods for making them
JP2008041445A (ja) 2006-08-07 2008-02-21 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜の製造方法および透明導電膜
WO2008018719A1 (en) 2006-08-07 2008-02-14 Inktec Co., Ltd. Manufacturing methods for metal clad laminates
KR100856508B1 (ko) * 2007-06-15 2008-09-04 주식회사 잉크테크 투명도전막 및 이의 제조방법
KR100922810B1 (ko) 2007-12-11 2009-10-21 주식회사 잉크테크 흑화 전도성 패턴의 제조방법
JP5937300B2 (ja) * 2007-12-20 2016-06-22 シーマ ナノ テック イスラエル リミティド フィラー材料を有する透明導電性コーティング
JP5515010B2 (ja) * 2008-07-02 2014-06-11 国立大学法人東北大学 導電性膜の製造方法、及び、導電性膜
KR20100024295A (ko) 2008-08-25 2010-03-05 주식회사 잉크테크 금속박편의 제조방법
US20110193032A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Tecona Technologies, Inc. Composition for making transparent conductive coating based on nanoparticle dispersion
TWI573846B (zh) * 2010-03-09 2017-03-11 西瑪奈米技術以色列有限公司 形成具有燒結添加物之透明導電塗層的方法

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