JP5611522B2 - 伝導性ナノロッドを透明電極として含む発光素子 - Google Patents
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- 239000002073 nanorod Substances 0.000 title claims description 157
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 79
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 26
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 14
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 10
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 8
- -1 AlInN Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 31
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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Description
また、発光素子において、基板上に順次積層された透明電極、第1導電型半導体層、有機物質の発光層、および第2導電型半導体層と、前記第2導電型半導体層上に形成され、透明な伝導性物質で成長した複数のナノロッドと、前記複数のナノロッド上に形成された電極と、前記ナノロッドの間に、前記ナノロッドの上部表面または前記ナノロッドの上端が露出するようにギャップフィルされた透明物質とを含み、前記ナノロッドは、Mg、Cd、Ti、Li、Cu、Al、Ni、Y、Ag、Mn、V、Fe、La、Ta、Nb、Ga、In、S、Se、P、As、Co、Cr、B、N、Sb、SnおよびHよりなる群から選ばれた1種以上の異種物質でさらにドープされた形態であり、前記ナノロッドは、H 2 、O 2 、N 2 、NH 3 、シランでドーピング処理、プラズマ処理または熱処理のいずれか一つの後処理工程によって形成される、発光素子を提供する。
また、発光素子において、基板上に順次積層された透明電極、第1導電型半導体層、有機物質の発光層、および第2導電型半導体層と、前記第2導電型半導体層上に形成され、透明な伝導性物質で成長した複数のナノロッドと、前記複数のナノロッド上に形成された電極と、前記ナノロッドの間に、前記ナノロッドの上部表面または前記ナノロッドの上端が露出するようにギャップフィルされた透明物質とを含み、前記ナノロッドは、Mg、Cd、Ti、Li、Cu、Al、Ni、Y、Ag、Mn、V、Fe、La、Ta、Nb、Ga、In、S、Se、P、As、Co、Cr、B、N、Sb、SnおよびHよりなる群から選ばれた1種以上の異種物質でさらにドープされた形態であり、前記ナノロッドは、H 2 、O 2 、N 2 、NH 3 、シランでドーピング処理、プラズマ処理または熱処理のいずれか一つの後処理工程によって形成される、発光素子を提供する。
さらに、発光素子において、基板上に順次積層された第1導電型半導体層、有機物質の発光層、および第2導電型半導体層と、前記基板と前記第1導電型半導体層との間に形成され、透明な伝導性物質で成長した複数のナノロッドと、前記第2導電型半導体層上に形成された電極と、前記ナノロッドの間に、前記ナノロッドの上部表面または前記ナノロッドの上端が露出するようにギャップフィルされた透明物質とを含み、前記ナノロッドは、Mg、Cd、Ti、Li、Cu、Al、Ni、Y、Ag、Mn、V、Fe、La、Ta、Nb、Ga、In、S、Se、P、As、Co、Cr、B、N、Sb、SnおよびHよりなる群から選ばれた1種以上の異種物質でさらにドープされた形態であり、前記ナノロッドは、H 2 、O 2 、N 2 、NH 3 、シランでドーピング処理、プラズマ処理または熱処理のいずれか一つの後処理工程によって形成される、発光素子を提供する。
図1は本発明に係る、伝導性ナノロッド型透明電極を含む発光素子の基本構造図である。
本発明によって、電極として透明伝導性ナノロッドを含む発光素子を製作すると、電極で光が吸収されず、内部全反射が減少し、ナノロッドのナノ接合によって電流注入が増加し、これにより素子が大きくなっても素子の効率が減少しないため、高輝度および高効率の大型発光素子を製造することができる。
以下、本発明を下記実施例に基づいてより詳細に説明する。但し、下記実施例は本発明を例示するためのもので、本発明の範囲を限定するものではない。
本実施例1は、図3のような窒化物半導体発光素子を実現するために、有機金属化学蒸着(MOCVD)装置を用いてAl2O3基板上にGaN薄膜を1μmの厚さに成長させ、n型半導体層としてシリコン(Si)のドープされたn型GaN薄膜を2μmの厚さに成長させる。その上に5層のInGaN量子井戸(Quantum well)構造の発光層を成長させる。この際、InGaN量子井戸層、井戸壁の厚さおよびInxGa1−xN(0<x<1)の組成比は、発光の色を調節するためにそれぞれ異なる厚さを持つ。例えば、約5nmのSiがドープされたIn0.04Ga0.96Nの井戸層および3.5nmのドープされていないIn0.14Ga0.86Nの井戸壁から構成される。その後、InGaN発光層上にp型半導体層として、Mgのドープされたp型GaN薄膜を0.3μmの厚さに成長させて窒化物半導体発光ダイオードを製造する。この際、本実施例の有機金属含有反応前駆体としてはトリメチルガリウム(TMGa)、シラン、トリメチルインジウム(TMIn)およびビスシクロペンタジエニルマグネシウム((C5H5)2Mg)を使用し、窒素含有前駆体としてはNH3を使用した。
実施例1において酸化亜鉛ナノロッドを成長させた後、窒化ガリウム(GaN)をその表面に成長させる以外は実施例1と同様にして、多重壁構造の窒化ガリウム(GaN)/酸化亜鉛(ZnO)ナノロッドを透明電極として含む発光素子を製作する。前記窒化ガリウムコーティング工程を具体的に説明すると、TMGaおよびNH3気体を、窒化膜薄膜上に成長したZnOナノロッドが位置した反応器内に注入し、圧力は100Torr、温度は500℃に維持しながら反応器内で前記反応前駆体を5分間化学反応させ、酸化亜鉛ナノロッド上に窒化ガリウム(GaN)のコートされた多重壁(シェル/コア)構造の窒化ガリウム/酸化亜鉛ナノロッドを形成する。
Claims (17)
- 発光素子において、
基板上に順次積層された第1導電型半導体層、発光のための活性層、および第2導電型半導体層と、
前記第2導電型半導体層上に形成され、透明な伝導性物質で成長した複数のナノロッドと、
前記複数のナノロッド上に形成された電極と、
前記第2導電型半導体層上に形成された別の電極と、
前記ナノロッドの間に、前記ナノロッドの上部表面または前記ナノロッドの上端が露出するようにギャップフィルされた透明物質と
を含み、
前記ナノロッドは、Mg、Cd、Ti、Li、Cu、Al、Ni、Y、Ag、Mn、V、Fe、La、Ta、Nb、Ga、In、S、Se、P、As、Co、Cr、B、N、Sb、SnおよびHよりなる群から選ばれた1種以上の異種物質でさらにドープされた形態であり、
前記ナノロッドは、H 2 、O 2 、N 2 、NH 3 、シランでドーピング処理、プラズマ処理または熱処理のいずれか一つの後処理工程によって形成される
ことを特徴とする、発光素子。 - 前記素子は、前記複数のナノロッドと前記電極との間に設けられた透明電極をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。
- 発光素子において、
基板上に順次積層された透明電極、第1導電型半導体層、有機物質の発光層、および第2導電型半導体層と、
前記第2導電型半導体層上に形成され、透明な伝導性物質で成長した複数のナノロッドと、
前記複数のナノロッド上に形成された電極と、
前記ナノロッドの間に、前記ナノロッドの上部表面または前記ナノロッドの上端が露出するようにギャップフィルされた透明物質と
を含み
前記ナノロッドは、Mg、Cd、Ti、Li、Cu、Al、Ni、Y、Ag、Mn、V、Fe、La、Ta、Nb、Ga、In、S、Se、P、As、Co、Cr、B、N、Sb、SnおよびHよりなる群から選ばれた1種以上の異種物質でさらにドープされた形態であり、
前記ナノロッドは、H 2 、O 2 、N 2 、NH 3 、シランでドーピング処理、プラズマ処理または熱処理のいずれか一つの後処理工程によって形成される
ことを特徴とする、発光素子。 - 前記素子は、前記複数のナノロッドと前記電極との間に設けられた透明電極をさらに含むことを特徴とする、請求項3に記載の発光素子。
- 前記ナノロッドは、2nm〜1μmの直径および10nm〜50μmの長さを持つことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記ナノロッドは、400nm〜800nmの可視光線波長における透過率が70%以上の物質からなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記ナノロッドは、ZnO(酸化亜鉛)、ITO(インジウムスズ酸化物)、GaN(窒化ガリウム)よりなる群から選ばれたいずれか一つ、またはこれらの混合物からなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記ナノロッドは、Zn 2 SnO 4 、ZnSnO 3 、ZnIn 2 O 5 、ZnO−In 2 O 3 、Zn 2 In 2 O 5 −In 4 Sn 3 O 12 、MgIn 2 O 4 −Zn 2 InO 5 よりなる群から選ばれたいずれか一つであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記ナノロッドは、AlN、InN、GaInN、AlGaN、AlInN、ZnMgO、Al 2 O 3 、MgOよりなる群から選ばれた1種以上の異種物質でさらにコートされた形態であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記素子は、可視光線領域、赤外線領域または紫外線領域のうちいずれか一つの領域の発光ダイオードであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 発光素子において、
基板上に順次積層された透明電極、第1導電型半導体層、有機物質の発光層、および第2導電型半導体層と、
前記第2導電型半導体層上に形成され、透明な伝導性物質で成長した複数のナノロッドと、
前記複数のナノロッド上に形成された電極と、
前記ナノロッドの間に、前記ナノロッドの上部表面または前記ナノロッドの上端が露出するようにギャップフィルされた透明物質と
を含み、
前記ナノロッドは、Mg、Cd、Ti、Li、Cu、Al、Ni、Y、Ag、Mn、V、Fe、La、Ta、Nb、Ga、In、S、Se、P、As、Co、Cr、B、N、Sb、SnおよびHよりなる群から選ばれた1種以上の異種物質でさらにドープされた形態であり、
前記ナノロッドは、H 2 、O 2 、N 2 、NH 3 、シランでドーピング処理、プラズマ処理または熱処理のいずれか一つの後処理工程によって形成される
ことを特徴とする、発光素子。 - 発光素子において、
基板上に順次積層された第1導電型半導体層、有機物質の発光層、および第2導電型半導体層と、
前記基板と前記第1導電型半導体層との間に形成され、透明な伝導性物質で成長した複数のナノロッドと、
前記第2導電型半導体層上に形成された電極と、
前記ナノロッドの間に、前記ナノロッドの上部表面または前記ナノロッドの上端が露出するようにギャップフィルされた透明物質と
を含み、
前記ナノロッドは、Mg、Cd、Ti、Li、Cu、Al、Ni、Y、Ag、Mn、V、Fe、La、Ta、Nb、Ga、In、S、Se、P、As、Co、Cr、B、N、Sb、SnおよびHよりなる群から選ばれた1種以上の異種物質でさらにドープされた形態であり、
前記ナノロッドは、H 2 、O 2 、N 2 、NH 3 、シランでドーピング処理、プラズマ処理または熱処理のいずれか一つの後処理工程によって形成される
ことを特徴とする、発光素子。 - 前記ナノロッドは、2nm〜1μmの直径および10nm〜50μmの長さを持つことを特徴とする、請求項11または12に記載の発光素子。
- 前記ナノロッドは、400nm〜800nmの可視光線波長における透過率が70%以上の物質からなることを特徴とする、請求項11または12に記載の発光素子。
- 前記ナノロッドは、ZnO(酸化亜鉛)、ITO(インジウムスズ酸化物)およびGaN(窒化ガリウム)よりなる群から選ばれたいずれか一つ、またはこれらの混合物からなることを特徴とする、請求項11または12に記載の発光素子。
- 前記ナノロッドは、Zn2SnO4、ZnSnO3、ZnIn2O5、ZnO−In2O3、Zn2In2O5−In4Sn3O12、MgIn2O4−Zn2InO5よりなる群から選ばれたいずれか一つであることを特徴とする、請求項11または12に記載の発光素子。
- 前記ナノロッドは、AlN、InN、GaInN、AlGaN、AlInN、ZnMgO、Al2O3、およびMgOよりなる群から選ばれた1種以上の異種物質でさらにコートされた形態であることを特徴とする、請求項11または12に記載の発光素子。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/KR2005/002748 WO2007021047A1 (en) | 2005-08-19 | 2005-08-19 | Light--emitting device comprising conductive nanorods as transparent electrodes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009505415A JP2009505415A (ja) | 2009-02-05 |
JP5611522B2 true JP5611522B2 (ja) | 2014-10-22 |
Family
ID=37757690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008526855A Active JP5611522B2 (ja) | 2005-08-19 | 2005-08-19 | 伝導性ナノロッドを透明電極として含む発光素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8022432B2 (ja) |
JP (1) | JP5611522B2 (ja) |
CN (1) | CN100550446C (ja) |
WO (1) | WO2007021047A1 (ja) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100593264B1 (ko) * | 2003-06-26 | 2006-06-26 | 학교법인 포항공과대학교 | p-타입 반도체 박막과 n-타입 산화아연(ZnO)계나노막대의 이종접합 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한소자 |
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US8946674B2 (en) | 2005-08-31 | 2015-02-03 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Group III-nitrides on Si substrates using a nanostructured interlayer |
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KR101166547B1 (ko) | 2010-06-21 | 2012-07-19 | 경희대학교 산학협력단 | 전기증착방식으로 형성된 나노 막대를 구비하는 발광 다이오드 소자 |
KR101738551B1 (ko) * | 2010-06-24 | 2017-05-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노 결정 |
KR101227575B1 (ko) | 2011-03-23 | 2013-01-29 | 인하대학교 산학협력단 | 발광효율이 향상된 산화아연 나노로드 발광체 및 발광효율 향상방법 |
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US9337366B2 (en) | 2011-07-26 | 2016-05-10 | Micron Technology, Inc. | Textured optoelectronic devices and associated methods of manufacture |
KR20130052825A (ko) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
KR20130101297A (ko) * | 2012-03-05 | 2013-09-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
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CN113594310B (zh) * | 2021-06-11 | 2023-09-08 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 | 深紫外led芯片及其制造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06244457A (ja) | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Nisshin Steel Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法 |
GB0109295D0 (en) * | 2001-04-12 | 2001-05-30 | Univ Cambridge Tech | Optoelectronic devices and a method for producing the same |
JP2003045661A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光性ナノ構造体およびこれを用いた発光素子 |
JP2003066287A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Citizen Electronics Co Ltd | 双方向光伝送デバイス |
KR100593264B1 (ko) * | 2003-06-26 | 2006-06-26 | 학교법인 포항공과대학교 | p-타입 반도체 박막과 n-타입 산화아연(ZnO)계나노막대의 이종접합 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한소자 |
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JP4160000B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2008-10-01 | ドンゴク ユニバーシティ インダストリー アカデミック コーポレイション ファウンデイション | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
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EP1750310A3 (en) * | 2005-08-03 | 2009-07-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Omni-directional reflector and light emitting diode adopting the same |
-
2005
- 2005-08-19 CN CNB2005800513497A patent/CN100550446C/zh active Active
- 2005-08-19 WO PCT/KR2005/002748 patent/WO2007021047A1/en active Application Filing
- 2005-08-19 US US12/064,235 patent/US8022432B2/en active Active
- 2005-08-19 JP JP2008526855A patent/JP5611522B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080315229A1 (en) | 2008-12-25 |
US8022432B2 (en) | 2011-09-20 |
CN101238589A (zh) | 2008-08-06 |
WO2007021047A1 (en) | 2007-02-22 |
CN100550446C (zh) | 2009-10-14 |
JP2009505415A (ja) | 2009-02-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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|
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|
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|
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|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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