JP5606390B2 - 不揮発性抵抗変化素子 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態に係る不揮発性抵抗変化素子の概略構成を示す断面図である。
図1において、この不揮発性抵抗変化素子では、第1電極1上に可変抵抗層2が積層さ、可変抵抗層2上にはて第2電極3が積層されている。
図3(a)において、第2電極3にセット電圧が印加されると、第2電極3から第1電極1に向かう電界E1が可変抵抗層2にかかる。そして、可変抵抗層2と第2電極3との界面で第2電極3のアルミニウムAlがイオン化され、アルミニウムイオンAl+が可変抵抗層2に侵入するとともに、電子e−が第1電極1を介して可変抵抗層2に供給される。
そして、図3(b)に示すように、Si中ではAl原子はイオンとして存在するのがエネルギー的に安定であり、Al元素がアルミニウムイオンAl+として可変抵抗層2に存在するとともに、その周囲のシリコン元素が負に帯電する。
図4(a)において、第2電極3にリセット電圧が印加されると、第1電極1から第2電極3に向かう電界E2が可変抵抗層2にかかり、第1電極1を介してホールh+が可変抵抗層2に供給される。
図5において、アモルファスシリコン層では、シリコン元素11間に空隙部が存在し、シリコン元素11にはダングリングボンドが存在する。ここで、移動度を向上させるため、空隙部に生じるダングリングボンドに水素元素12を結合させることができる。
図6において、Al元素は、シリコン元素11の近傍に析出し、アルミニウムイオン14およびシリコンイオン15が生成される。このため、導電性フィラメントFを構成するAg元素13の電子e−がシリコン元素に逃げにくくすることができ、可変抵抗層2内でAg元素13がイオン化されるのを抑制することができる。
電気化学的には、電極反応は、以下のButler−Volmer方程式によって記述される。
J=2J0sinh(qeΔη1/(2kBT))
dl(t)/dt≒1/(ρAgqe)FfJ, 0<l(t)<l
Ff=Sf/S
Δη2=((l−l(t))/ρAg ++l(t)/ρAg/Ff)J
ただし、ρAg +はアモルファスシリコン中でのAgイオンの導電率である。
V(t)=Δη1+Δη2
Ff≒0.2
ρAg +≒9.4×10−7Ω−1cm−1
J0≒9.4×10−17A/cm2
このシミュレーション結果から、不揮発性抵抗変化素子の第2電極3の電極材料を最適化するには、以下の方法が考えられる。
第1に、不揮発性抵抗変化素子の駆動電圧を低減するためには、第2電極3と可変抵抗層2と界面における分解反応(M→M++e−)を生じさせるための活性化エネルギーを低減させることが重要である。だたし、Mは金属元素である。
Ef(nM)=[−E(n個の金属元素Mを含むシリコン元素が64個のセル構造)+E(シリコン元素が64個のセル構造)+nE(真空中の1個の金属元素M)]/n
図7において、中性のAg元素、もしくはAgイオンを、それぞれ1個ずつ含むSi単セルの電子状態を計算した結果、どちらの場合も、Ag元素の電荷量に変化はなく、周りのシリコン元素との間に結合も作ってないことが見出された。よって、Ag元素がイオン化する時は、周りのシリコン元素から電子が抜けて正に帯電したシリコン元素との静電反発力により、イオン化が起こると考えられる。
図8(a)において、Si単位セル中で形成されたAgフィラメントの最小金属間距離は、バルクのAg結晶の金属間距離(2.89Å)とほぼ等しい値であり、Ag元素13同士が凝集することによって導電性フィラメントが形成される。
次に、第2実施形態に係る不揮発性抵抗変化素子の製造方法について説明する。なお、この第2実施形態では、図1の第1電極1としてp型Si、可変抵抗層2としてアモルファスシリコン、第2電極3として銀Agを用いた場合を例にとる。
X≧(1.0−Y/2.3) ・・・(1)
図9は、第2実施形態に係る不揮発性抵抗変化素子の導電性フィラメントの発生過程および消滅過程を概略的に示す断面図である。なお、以下の説明では、第2電極3´の1B族元素が銀Agであるものとして説明する。
X/Y≦0.1/2.3=0.043 ・・・(2)
図10において、Al元素16は、シリコン元素11の近傍に析出しやすく、Ag元素13は、シリコン元素間に空隙部に析出しやすい。このため、導電性フィラメントF1はシリコン元素に近接して形成されやすく、導電性フィラメントF2はシリコン元素間に空隙部に形成されやすくなり、互いの導電性フィラメントF1、F2の形成の阻害を抑制することが可能となる。
図11において、この時、Ag電極を用いた時のリセット時の電流−電圧特性はP1、Al電極を用いた時のリセット時の電流−電圧特性はP2となり、Ag元素をイオン化するための活性化エネルギーΔηAgは、Al元素をイオン化するための活性化エネルギーΔηAlより0.6V程度高くなる。
次に、第4実施形態に係る不揮発性抵抗変化素子の製造方法について説明する。なお、この第4実施形態では、図9(a)の第1電極1としてp型Si、可変抵抗層2としてアモルファスシリコン、第2電極3´として銀Agを用いた場合を例にとる。
2.3>Y≧2.09 ・・・(3)
図12(a)は、第5実施形態に係る不揮発性抵抗変化素子が適用されるメモリセルアレイの概略構成を示す平面図、図12(b)は、図12(a)のメモリセルアレイのクロスポイント部分の概略構成を示す断面図である。
図12(a)および図12(b)において、メモリセルアレイ30には、下部配線31が列方向に形成され、上部配線34が行方向に形成されている。そして、下部配線31と上部配線34との間のクロスポイント部分には、整流素子32を介して不揮発性抵抗変化素子33が配置されている。ここで、不揮発性抵抗変化素子33は、例えば、図1または図9(a)の不揮発性抵抗変化素子を用いることができる。また、図12(b)の例では、不揮発性抵抗変化素子33に整流素子32を設ける方法について説明したが、整流素子32は除去するようにしてもよい。
図13において、メモリセルアレイ30の周辺には、行選択を行う制御部35および列選択を行う制御部36が設けられている。そして、選択セルの書き込みを行う場合、選択列の下部配線31にセット電圧Vsetを印加し、非選択列の下部配線31にセット電圧Vsetの1/2の電圧を印加する。また、選択行の上部配線34に0Vを印加し、非選択行の上部配線34にセット電圧Vsetの1/2の電圧を印加する。
図14において、選択セルの読み出しを行う場合、選択列の下部配線31にリード電圧Vreadの1/2の電圧を印加し、非選択列の下部配線31に0Vを印加する。また、選択行の上部配線34にリード電圧Vreadの−1/2の電圧を印加し、非選択行の上部配線34に0Vを印加する。
図15において、選択セルの消去を行う場合、選択列の下部配線31にリセット電圧Vresetを印加し、非選択列の下部配線31にリセット電圧Vresetの1/2の電圧を印加する。また、選択行の上部配線34に0Vを印加し、非選択行の上部配線34にリセット電圧Vresetの1/2の電圧を印加する。
図16は、第6実施形態に係る不揮発性抵抗変化素子の概略構成を示す断面図である。
図16において、半導体基板41上には、ゲート絶縁膜44を介してゲート電極45が形成され、ゲート電極45上にはワード線46が形成されている。そして、半導体基板41には、ゲート電極45下に形成されるチャネル領域を挟むようにして不純物拡散層42、43が形成されることで、トランジスタ51が形成されている。ここで、不純物拡散層43にはソース線47が接続されている。
また、半導体基板41上には、トランジスタ51に隣接するようにして不揮発性抵抗変化素子33が配置されている。なお、不揮発性抵抗変化素子33としては、例えば、図1と同様の構成を用いることができる。そして、不揮発性抵抗変化素子33の第2電極3は、接続導体48を介して不純物拡散層42に接続され、不揮発性抵抗変化素子33の第1電極1は、接続導体49を介してビット線50に接続されている。
そして、ワード線46を介してトランジスタ51をオンさせることにより、不揮発性抵抗変化素子33にアクセスすることができ、読み書き対象となる不揮発性抵抗変化素子33を選択することができる。
なお、図16の例では、不揮発性抵抗変化素子33として図1の構成を用いた場合について説明したが、図9(a)の構成を用いるようにしてもよい。
図17において、図16の半導体基板41上には、ビット線BL1〜BL3がカラム方向に配線されるとともに、ワード線WL1〜WL3がロウ方向に配線されている。各ビット線BL1〜BL3と各ワード線WL1〜WL3のクロスポイント部分には、不揮発性抵抗変化素子33およびトランジスタ51が配置され、不揮発性抵抗変化素子33とトランジスタ51とは互いに直列に接続されている。
ここで、同一カラムの不揮発性抵抗変化素子33の一端は同一のビット線BL1〜BL3に接続され、同一ロウのトランジスタ51の一端は同一のソース線SL1〜SL3に接続されている。また、同一ロウのトランジスタ51のゲート電極45は同一のワード線WL1〜WL3に接続されている。
そして、ワード線WL1〜WL3を介してトランジスタ51をオンさせることにより、選択ロウの不揮発性抵抗変化素子33の第1電極1と第2電極3との間に電圧を印加させることができる。このため、選択ロウの不揮発性抵抗変化素子33の読み出し時に非選択ロウの不揮発性抵抗変化素子33に電流が流れるのを防止することができ、読み出し時間を短くすることができる。
Claims (4)
- 第1電極と、
Al元素が添加された1B族元素を有する第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、シリコン元素を有する可変抵抗層とを備え、
前記第2電極に含まれるAl元素の組成比をX、前記可変抵抗層のシリコン密度をY(g/cm 3 )とすると、
X≧1.0−Y/2.3かつY<2.3である不揮発性抵抗変化素子。 - 第1電極と、
Al元素が添加された1B族元素を有する第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、シリコン元素を有する可変抵抗層とを備え、
前記第2電極に含まれるAl元素の組成比をX、前記可変抵抗層のシリコン密度をY(g/cm 3 )とすると、
X/Y≦0.043かつX>0であり、
前記第1電極と前記第2電極との間に印加される電圧に応じて前記可変抵抗層の抵抗が段階的に変化する不揮発性抵抗変化素子。 - 前記1B族元素はAgである請求項1または2に記載の不揮発性抵抗変化素子。
- 前記第1の電極、前記可変抵抗層および前記第2の電極の積層構造は、ワード線とビット線との交点に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の不揮発性抵抗変化素子。
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