JP5603962B2 - 工程処理部及び基板処理装置、及びこれを利用する基板処理方法 - Google Patents
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Description
110:工程チャンバー、
111:内部チャンバー、
112:第1外部チャンバー、
113:第2外部チャンバー、
120:サセプタ、
130:バッフル、
140:排気部、
141:第1排気ライン、
142:第2排気ライン、
143:排気ポンプ、
150:モニターモジュール、
151:第1モニターセンサー、
152:第2モニターセンサー、
153:制御部。
Claims (22)
- 内部に第1空間が形成された内部チャンバーと、
前記内部チャンバーを囲み、前記第1空間と分離された第2空間を形成する第1外部チャンバーと、
前記第1空間に位置し、基板を支持するサセプタと、
前記内部チャンバーに連結され、前記第1空間のガスを外部へ排気する第1排気ラインと、
基板を処理する工程ガスを前記第1空間に供給する工程ガス供給部と、
前記第2空間に位置し、前記第1空間内の状態をモニタリングするモニターモジュールと、
前記第1外部チャンバーの外部で前記第1外部チャンバーを囲み、前記第2空間と分離された第3空間を形成する第2外部チャンバーと、
前記第2外部チャンバーに連結され、前記第3空間のガスを外部へ排気する第3排気ラインと、を含む基板処理装置。 - 前記第1外部チャンバーは複数個提供され、前記内部チャンバーの周辺に沿って互いに離隔して配置され、各々第2空間を形成し、
前記モニターモジュールは前記第2空間の各々に提供される請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1外部チャンバーは前記内部チャンバーの周辺に沿って提供され、
前記第2空間は前記第1空間を囲むリング形状を有する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1外部チャンバーは、
一端が前記内部チャンバーの側壁に連結される上部板と、
前記上部板の下部に位置し、一端が前記内部チャンバーの側壁に連結される下部板と、
前記内部チャンバーの側壁と対向し、前記上部板の他端と前記下部板の他端とを連結する側壁と、を有し、
前記第2空間は前記上部板、前記下部板、前記内部チャンバーの側壁、及び前記第1外部チャンバーの側壁が組み合わされて形成される請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1外部チャンバーに連結され、前記第2空間のガスを外部へ排気する第2排気ラインをさらに含む請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第2空間に位置し、基板処理工程を制御する工程キット(process kit)をさらに含む請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記モニターモジュールは、
前記内部チャンバーの側壁に固定設置され、一部分が前記第1空間に露出され、前記第1空間の状態変化を測定する第1モニターセンサーと、
前記第2空間に位置し、前記第2空間の圧力変化を測定する第2モニターセンサーと、を含む請求項1乃至請求項6のいずれか1つに記載の基板処理装置。 - 前記第1モニターセンサーは前記第1空間の温度変化、圧力変化、電界の強さ変化、及び工程ガスの密度変化の中の少なくともいずれか1つを測定する請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記工程ガス供給部は、
前記第2空間に位置し、その一端が前記内部チャンバーの側壁に連結され、前記第1空間へ工程ガスを供給する工程ガス供給ラインを含む請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記工程ガス供給部は、
前記工程ガス供給ラインに設置され、工程ガスをプラズマ状態に励起させるジェネレーターをさらに含む請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記第1排気ラインに設置される排気ポンプと、
前記内部チャンバーと前記排気ポンプとの間の区間で前記第1排気ラインに設置される第1調節バルブと、をさらに含み、
前記第3排気ラインは前記調節バルブと前記排気ポンプとの間の区間で前記第1排気ラインに連結され、第2調節バルブが設置される請求項1乃至請求項6のいずれか1つに記載の基板処理装置。 - 前記第1排気ラインに設置される第1排気ポンプと、
前記第3排気ラインに設置される第2排気ポンプと、をさらに含む請求項1乃至請求項6のいずれか1つに記載の基板処理装置。 - 内部に第1空間が形成された内部チャンバーと、
前記内部チャンバーを囲み、前記第1空間と分離された第2空間を形成する第1外部チャンバーと、
前記第1空間に位置し、基板を支持するサセプタと、
前記内部チャンバーに連結され、前記第1空間のガスを外部へ排気する排気ラインと、
前記第2空間に位置し、前記第1空間の状態をモニタリングするモニターモジュールと、
前記第1外部チャンバーの外部で前記第1外部チャンバーを囲み、前記第2空間と分離された第3空間を形成する第2外部チャンバーと、
前記第2外部チャンバーに連結され、前記第3空間のガスを外部へ排気する排気ラインと、を含む工程処理部。 - 前記モニターモジュールは、
前記内部チャンバーの側壁に固定設置され、一部分が前記第1空間に露出され、前記第1空間の状態変化を測定する第1モニターセンサーと、
前記第2空間に位置し、前記第2空間の圧力変化を測定する第2モニターセンサーと、を含む請求項13に記載の工程処理部。 - 前記第2空間に位置し、基板処理工程を制御する工程キット(process kit)をさらに含む請求項14に記載の工程処理部。
- 前記第2空間は前記第1空間を囲むリング形状であり、
前記モニターモジュールは複数個提供され、前記第2空間に沿って互いに離隔して配置される請求項14に記載の工程処理部。 - 前記第1外部チャンバーは前記内部チャンバーの周辺に沿って互いに離隔して配置され、前記第2空間を各々形成し、
前記モニターモジュールは前記第2空間の各々に提供される請求項14に記載の工程処理部。 - 前記第1外部チャンバーに連結され、前記第2空間のガスを外部へ排気する排気ラインをさらに含む請求項14に記載の工程処理部。
- 内部チャンバーの第1空間に工程ガスを供給して基板を処理し、前記内部チャンバーを囲み前記第1空間と分離された第2空間を形成する第1外部チャンバー内に位置するモニターモジュールが前記第1空間の状態をモニタリングするとともに、
前記第1外部チャンバーの外部には前記第1外部チャンバーを囲み、前記第2空間と分離された第3空間を形成する第2外部チャンバーが提供され、基板処理が進行される間に、前記第3空間は真空状態を維持する基板処理方法。 - 前記内部チャンバーに連結される排気ラインを通じて前記第1空間のガスは外部へ排気され、
前記第2空間は前記第1空間より高い圧力に維持される請求項19に記載の基板処理方法。 - 前記第1空間と前記第2空間とは常圧より低い圧力に維持される請求項19に記載の基板処理方法。
- 前記モニターモジュールは前記第1空間の温度変化、圧力変化、電界の強さ変化、及び工程ガスの密度変化の中の少なくともいずれか1つを測定する請求項19乃至請求項21のいずれか1つに記載の基板処理方法。
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