TW201309104A - 感應耦合電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是在於提供一種即使對應於被處理基板的大型化來將介電質窗部分割成每一邊三個以上，分割成比以往技術更多數的分割片時，還是可使強的電漿產生於處理室內之感應耦合電漿處理裝置。其解決手段係具備：高頻天線(11a~11c)，其係使感應耦合電漿產生於處理室內的電漿產生區域；及介電質窗部(3)，其係被配置於電漿產生區域與高頻天線(11a~11c)之間，包括複數的感應構件(3a~3h)、及支撐該複數的感應構件(3a~3h)的導電性樑(7)，導電性樑(7)係將介電質窗部分(3)分割成每一邊三個以上，且，在導電性樑(7)，當導電性樑(7)將介電質窗部分(3)分割成每一邊三個以上時不會有在介電質窗部(3)的中央部分沿著高頻天線(11a、11b)而產生的閉迴路電路(200)。

Description

感應耦合電漿處理裝置
本發明是有關對液晶顯示裝置(LCD)等的平板顯示器(FPD)製造用的玻璃基板等的基板實施電漿處理的感應耦合電漿處理裝置。
在液晶顯示裝置(LCD)等的製造工程中，為了對玻璃基板實施預定的處理，而使用電漿蝕刻裝置或電漿CVD成膜裝置等各種的電漿處理裝置。如此的電漿處理裝置，以往大多使用電容耦合電漿處理裝置，最近具有可取得高密度的電漿之優點的感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma：ICP)處理裝置受到注目。
感應耦合電漿處理裝置是在收容被處理基板的處理室的介電質窗的外側配置高頻天線，藉由對處理室內供給處理氣體，且對此高頻天線供給高頻電力，使感應耦合電漿產生於處理室內，藉由此感應耦合電漿來對被處理基板實施預定的電漿處理。感應耦合電漿處理裝置的高頻天線，大多是使用形成平面狀的預定圖案的平面天線。就周知的例子而言，有專利文獻1。
近來，被處理基板的尺寸大型化。例如，若舉LCD用的矩形狀玻璃基板為例，則短邊×長邊的長度是約1500mm×1800mm的尺寸~約2200mm×2400mm的尺寸，且約2800mm×3000mm的尺寸，其大型化顯著。
為感應耦合電漿處理裝置時，使介電質窗部介於高頻天線與處理室之間。只要被處理基板為大型化，則介電質窗部也被大型化。如專利文獻1所記載，介電質窗部一般是使用石英玻璃或陶瓷。
但，石英玻璃或陶瓷脆，不適於大型化。因此，例如專利文獻2所記載般，予以4分割等，藉由將石英玻璃分割成適當大小的分割片來應付介電質窗部的大型化。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本專利第3077009號公報
〔專利文獻2〕日本專利第3609985號公報
可是，被處理基板的大型化更明顯進展。因此，若不更增加介電質窗部的分割數，則無法形成適當的分割片的大小。
然而，因應被處理基板的大型化，若利用專利文獻2所記載那樣直線性的分割之手法，欲與在專利文獻2每一邊分割成二個，將全體均等地4分割的方法同樣，將介電質窗部分割成每一邊三個以上而均等地9分割，則會有因為後述的理由，在處理室內產生的感應電場變小，隨之藉由感應電場所產生的電漿變弱之情形。
若根據此發明，則可提供一種即使對應於被處理基板 的大型化來將介電質窗部分割成每一邊三個以上，分割成比以往技術更多數的分割片時，還是可使強的電漿產生於處理室內之感應耦合電漿處理裝置。
本發明之一形態的感應耦合電漿處理裝置，係使感應耦合電漿產生於處理室內的電漿產生區域，電漿處理基板的感應耦合電漿處理裝置，其特徵係具備：高頻天線，其係使前述感應耦合電漿產生於前述電漿產生區域；及介電質窗部，其係被配置於前述電漿產生區域與前述高頻天線之間，包括複數的感應構件、及支撐該複數的感應構件的導電性樑，前述導電性樑係將前述介電質窗部分割成每一邊三個以上，且，在前述導電性樑，當前述導電性樑將前述介電質窗部分割成每一邊三個以上時不會有在前述介電質窗部的中央部分沿著前述高頻天線而產生的閉迴路電路。
若根據此發明，則可提供一種即使對應於被處理基板的大型化來將介電質窗部分割成每一邊三個以上，分割成比以往技術更多數的分割片時，還是可使強的電漿產生於處理室內之感應耦合電漿處理裝置。
在實施形態的說明之前，說明有關欲將介電質窗部分割成每一邊三個以上，則在處理室內產生的感應電場會變小的情形。
圖7A是將介電質窗部分割成每一邊三個的9分割型介電質窗部的平面圖，圖7B~圖7D是由圖7A省略高頻天線的平面圖。
如圖7A及圖7B所示般，9分割型介電質窗部103是縱橫分別被分割成3×3之合計9片的分割片(被分割的複數個感應構件)103a~103i。分割片103a~103i是藉由具有格子狀的平面圖案的導電性支撐樑，例如金屬支撐樑107所支撐。高頻天線111在本例是3組，分別區分成內側高頻天線111a、中間高頻天線111b、及外側高頻天線111c。內側高頻天線111a是被配置於介電質窗部103的中央部分所配置的1個分割片103i的上方，中間高頻天線111b及外側高頻天線111c是被配置於介電質窗部103的外側部分所配置的8個分割片103a~103h的上方。
但，若為如此的9分割型介電質窗部103，則會在內側高頻天線111a與中間高頻天線111b之間的金屬樑107內形成沿著該等內側高頻天線111a及中間高頻天線111b而環狀地寄生性地產生的閉迴路電路200。
在閉迴路電路200，若電流I順時針地流動於內側高頻天線111a及中間高頻天線111b，則電流Ii會逆時針流 動(圖7C)。相反的，若電流I逆時針流動於內側高頻天線111a及中間高頻天線111b，則在閉迴路電路200，電流Ii會順時針流動(圖7D)。所謂的反電動勢。
一旦在金屬樑107中流動反電動勢的電流Ii，則電流Ii會作用成消除藉由內側高頻天線111a及中間高頻天線111b來產生於處理室內的感應電場。因此，在處理室內產生的感應電場會變小，在處理室內產生的電漿會變弱。以下的實施形態是解決如此的情形。
以下，參照附圖來說明有關本發明的實施形態。另外，在全圖中，對於相同的部分附上同樣的參照符號。
圖1是概略性表示本發明的一實施形態的感應耦合電漿處理裝置的剖面圖。圖1所示的感應耦合電漿處理裝置是例如可使用於在FPD用玻璃基板上形成薄膜電晶體時的金屬膜、ITO膜、氧化膜等的蝕刻、或阻劑膜的灰化處理等的電漿處理。在此，FPD例如有液晶顯示器(LCD)、電致發光(Electro Luminescence；EL)顯示器、電漿顯示器面板(PDP)等。並且，並非限於FPD用玻璃基板，亦可使用於對太陽電池面板用玻璃基板之上述同樣的電漿處理。
電漿處理裝置是具有由導電性材料例如內壁面被陽極氧化處理(防蝕鋁處理)的鋁所構成的方筒形狀的氣密的本體容器1。本體容器1是藉由接地線2來接地。本體容器1是藉由與本體容器1絕緣而形成的介電質窗部3來上下區劃成天線室4及處理室5。介電質窗部3在本例是構 成處理室5的頂壁。介電質窗部3是使用介電材料來構成。介電材料是例如石英玻璃或陶瓷。
在天線室4的側壁4a與處理室5的側壁5a之間，設有朝介電質窗部3來突出於本體容器1的內側的支撐棚架6及支撐樑7。支撐棚架6及支撐樑7是以導電性材料，最好是以金屬構成。以下，稱為金屬支撐棚架6、及金屬支撐樑7。金屬是例如鋁。金屬支撐樑7在本例是兼任處理氣體供給用的噴淋框體。金屬支撐樑7兼任噴淋框體時，在金屬支撐樑7的內部形成有相對於被處理基板G的被處理面而平行延伸的氣體流路8。在氣體流路8是形成有對處理室5內噴出處理氣體的複數個氣體吐出孔8a。氣體流路8是從處理氣體供給機構9經由氣體供給管10來供給處理氣體，從氣體吐出孔8a對處理室5的內部吐出處理氣體。
在介電質窗部3之上的天線室4內配置有面對介電質窗部3的高頻天線11。高頻天線11是藉由由絕緣構件所構成的間隔件12來與介電質窗部3隔開而配置。電漿處理的期間，感應電場形成用的高頻電力會從第一高頻電源13經由整合器14及給電構件15來供給至高頻天線11。高頻電力的頻率是例如13.56MHz。藉由高頻電力被供給至高頻天線11，在處理室5內的電漿產生區域形成感應電場。藉由此感應電場從複數的氣體吐出孔8a供給的處理氣體會在處理室5內的電漿產生區域被電漿化。
在處理室5內的下方，隔著介電質窗部3來與高頻天 線11對向的載置台16會在藉由絕緣構件17來與本體容器1絕緣的狀態下配置。載置台16是以導電性材料，例如表面被陽極氧化處理的鋁所構成。在載置台16載置被處理基板G，例如LCD玻璃基板。在載置台16設有靜電吸盤(未圖示)。被處理基板G是藉由靜電吸盤來吸附保持於載置台16。第二高頻電源18是經由整合器19及給電線20來連接至載置台16。本例是在電漿處理的期間，從第二高頻電源18經由整合器19及給電線20來供給偏壓用的高頻電力至載置台16。偏壓用的高頻電力的頻率是例如3.2MHz。藉由將偏壓用的高頻電力施加於載置台16，在處理室5內所產生的電漿中的離子會被有效地引進至被處理基板G。又，雖未特別圖示，但實際在載置台16內設有用以控制被處理基板G的溫度之陶瓷加熱器等的加熱手段、或由冷媒流路等所構成的溫度控制機構、及溫度感測器等。
在處理室5的側壁5a設有對處理室5的內部搬出入被處理基板G的搬入出口21。搬入出口21是藉由閘閥22來開閉。
在處理室5的底壁5b設有用以將處理室5的內部排氣的排氣口23。在排氣口23連接含真空泵等的排氣裝置24。藉由排氣裝置24來將處理室5的內部排氣，在電漿處理的期間，處理室5的內部的壓力會被設定維持於預定的真空環境(例如1.33Pa)。
感應耦合電漿處理裝置是藉由含電腦的控制部25來 控制。在控制部25連接使用者介面26及記憶部27。使用者介面26含鍵盤或顯示器等，該鍵盤是供工程管理者管理感應耦合電漿處理裝置而進行指令輸入操作等，該顯示器是使感應耦合電漿處理裝置的運轉狀況可視化顯示。在記憶部27中儲存有在控制部25的控制下實現被實行於感應耦合電漿處理裝置的各種處理之控制程式、或按照處理條件來使處理實行於感應耦合電漿處理裝置的各部之程式(製程處方)。製程處方可被記憶於硬碟或半導體記憶體，或在收容於CD-ROM、DVD等可攜性的記憶媒體的狀態下安裝於記憶部27。而且，製程處方亦可例如經由專線來使從別的裝置適當地傳送。電漿處理是以來自使用者介面26的指示等，從記憶部27叫出任意的製程處方，使按照製程處方的處理實行於控制部25，藉此進行控制部25的控制。
其次，說明有關本發明的一實施形態的感應耦合電漿處理裝置所具備的介電質窗部。
(介電質窗部的第1分割例)
圖2A是表示本發明的一實施形態的感應耦合電漿處理裝置所具備的介電質窗部的第1分割例的平面圖，圖2B、圖2C是由圖2A省略高頻天線的平面圖。
如圖2A及圖2B所示，第1分割例的介電質窗部3的平面形狀是矩形狀。矩形狀的介電質窗部3是每一邊被分割成三個，分別被分割成8個分割片(被分割的複數個感 應構件)3a~3h。該等分割介電質窗3a~3h是分別被支撐於金屬支撐棚架6及金屬支撐樑7上。
就本例而言，高頻天線11是具備：環狀的內側高頻天線11a、環狀的外側高頻天線11c、及在內側高頻天線11a與外側高頻天線11c之間，環狀的中間高頻天線11b。
本例的介電質窗部3的分割方式是如其次般。
如先前說明般，若將介電質窗部單純地分割成每一邊三個，則雖可取得圖7那樣9分割的構成，但在本實施形態的天線構成中，由於反電動勢的電流會流動於閉迴路電路200，因此必須防止此閉迴路電路200產生。於是，如圖2C所示般，利用金屬支撐樑7來將矩形狀的介電質窗部3分割成每一邊三個時，為了防止在圖中以想像線(2點虛線)所示般的介電質窗部3的中央部分產生閉迴路電路200，在本例是將使閉迴路電路200產生的金屬支撐樑7像圖中以箭號所示那樣朝介電質窗部3的中心點彎曲。藉此，高頻天線11，在本例是如圖2A所示般，內側高頻天線11a會在介電質窗部3的中央部分與金屬支撐樑7交叉。藉由如此對金屬支撐樑7的配置下工夫，在內側高頻天線11a與中間高頻天線11b之間，使所欲沿著該等的天線11a、11b而產生的閉迴路電路200消失。使閉迴路電路200消失的結果，在金屬支撐樑7不會有反電動勢的電流流動，可解決欲將介電質窗部3分割成每一邊三個以上時所發生之在處理室5內產生的感應電場變小的情形。如 圖2C所示般，若欲利用金屬支撐樑7來將矩形狀的介電質窗部3分割成每一邊三個，則如圖中以想像線所示般，在介電質窗部3的中央部分，閉迴路電路200會產生於金屬支撐樑7中。在本例是將欲使閉迴路電路200產生的金屬支撐樑7像圖中以箭號所示那樣朝介電質窗部3的中心點彎曲。藉此，高頻天線11，在本例是如圖2A所示般，內側高頻天線11a會在介電質窗部3的中央部分與金屬支撐樑7交叉。藉由如此對金屬支撐樑7的配置下工夫，在內側高頻天線11a與中間高頻天線11b之間，使欲沿著該等的天線11a、11b而產生的閉迴路電路200消失。使閉迴路電路200消失的結果，在金屬支撐樑7不會有反電動勢的電流流動，可解決欲將介電質窗部3分割成每一邊三個以上時所發生之在處理室5內產生的感應電場變小的情形。
因此，若根據一實施形態的感應耦合電漿處理裝置，則可取得即使將介電質窗部3分割成每一邊三個以上時，還是可使強的電漿產生於處理室5內之優點。
另外，在本例中，金屬支撐樑7是在介電質窗部3的中央部分具有延伸成放射狀的放射狀部位，金屬支撐樑7具有在前述介電質窗部3的中央部分交叉的平面形狀。
並且，放射狀部位是形成沿著介電質窗部3的對角線者。
(介電質窗部的第2分割例)
在每一邊三分割上述介電質窗部時所發生之在處理室5內產生的感應電場會變小的情形是在每一邊四分割介電質窗部時也會發生。將參考例顯示於圖8A、圖8B。
圖8A是將介電質窗部分割成每一邊四個的16分割型介電質窗部的平面圖，圖8B是由圖8A省略高頻天線的平面圖。
如圖8A及圖8B所示，16分割型介電質窗部103是縱橫分別被分割成4×4之合計16片的分割片(被分割的複數個感應構件)103a~103p。該等分割片103a~103p是藉由具有格子狀的平面圖案的導電性支撐樑、例如金屬支撐樑107所支撐。高頻天線111是具備內側高頻天線111a、中間高頻天線111b及外側高頻天線111c，內側高頻天線111a及中間高頻天線111b是被配置於介電質窗部103的中央部分所配置的4個分割片103m~103p的上方，外側高頻天線111c是被配置於介電質窗部103的外側部分所配置的12個分割片103a~103l的上方。
在如此的16分割型介電質窗部103中，如圖8A所示，在中間高頻天線111b與外側高頻天線111c之間的金屬樑107內會形成沿著該等中間高頻天線111b及外側高頻天線111c而環狀地寄生性地產生的閉迴路電路200。與圖7A~圖7C所示的9分割型介電質窗部的閉迴路電路200同樣，在閉迴路電路200流動反電動勢的電流。因此，反電動勢的電流會作用成消除藉由內側高頻天線111a及中間高頻天線111b來產生於處理室內的感應電場，在處理 室內產生的感應電場會變小，在處理室內產生的電漿會變弱。
如此，閉迴路電路200是在金屬支撐樑107將介電質窗部103分割成每一邊三個以上時產生者。反過來說，像專利文獻2那樣將介電質窗部103分割成每一邊二個時，因為不會產生如此的閉迴路電路，所以無本案那樣的解決課題。
第2分割例是將介電質窗部分割成每一邊四個時，使閉迴路電路200消失的例子。
圖3A是表示本發明的一實施形態的感應耦合電漿處理裝置所具備的介電質窗部的第2分割例的平面圖，圖3B、圖3C是由圖3A省略高頻天線的平面圖。
如圖3A及圖3B所示，第2分割例的介電質窗部3的平面形狀是與第1分割例同樣為矩形狀。矩形狀的介電質窗部3是被分割成每一邊四個，分別被分割成12個分割片(被分割的複數個感應構件)3a~3l。該等分割介電質窗3a~3l是分別被支撐於金屬支撐棚架6及金屬支撐樑7上。
高頻天線11是具備：環狀的內側高頻天線11a、環狀的外側高頻天線11c、及內側高頻天線11a與外側高頻天線11c之間，環狀的中間高頻天線11b。
本例的介電質窗部3的分割方式是如其次般。
如先前說明般，若將介電質窗部單純地分割成每一邊四個，則雖可取得圖8那樣16分割的構成，但在本實施 形態的天線構成中，由於反電動勢的電流會流動於閉迴路電路200，因此必須防止此閉迴路電路200產生。於是，如圖3C所示般，利用金屬支撐樑7來將介電質窗部3分割成每一邊四個時，為了防止在介電質窗部3的中央部分產生閉迴路電路200(圖中以想像線所示)，在本例是與第1分割例同樣，將使閉迴路電路200產生的金屬支撐樑7像圖中以箭號所示那樣朝介電質窗部3的中心點彎曲。藉此，高頻天線11，在本例是如圖3A所示般，內側高頻天線11a、中間高頻天線11b會在介電質窗部3的中央部分與金屬支撐樑7交叉。
如此在第2分割例中也是對金屬支撐樑7的配置下工夫，使內側高頻天線11a、中間高頻天線11b能夠與金屬支撐樑7交叉，在中間高頻天線11b與外側高頻天線11c之間，使所欲沿著該等的天線11b、11c而產生的閉迴路電路200消失。閉迴路電路200消失的結果，在第2分割例中也可取得與第1分割例同樣的優點。
另外，在本例中，金屬支撐樑7也是在介電質窗部3的中央部分具有延伸成放射狀的放射狀部位，金屬支撐樑7具有在前述介電質窗部3的中央部分交叉的平面形狀。
又，放射狀部位是形成沿著介電質窗部3的對角線者。
(介電質窗部的第3分割例)
第3分割例是從第1分割例再提高分割數的例子。
圖4A是表示本發明的一實施形態的感應耦合電漿處理裝置所具備的介電質窗部的第3分割例的平面圖，圖4B、圖4C是由圖4A省略高頻天線的平面圖。
如圖4A及圖4B所示，在第3分割例中是將矩形狀的介電質窗部3分割成每一邊三個，且針對角部以外的分割片，更沿著介電質窗部3的周方向再分割。此結果，在本例中，介電質窗部3是分別被分割成12個分割片(被分割的複數個感應構件)3a~3l。該等分割介電質窗3a~3l是分別被支撐於金屬支撐棚架6及金屬支撐樑7上。
本例的介電質窗部3的分割方式是如其次般。
如圖4C所示，若欲利用金屬支撐樑7來沿著周方向θ更分割介電質窗部3，則在介電質窗部3的中央部分，閉迴路電路200會產生於金屬支撐樑7中(圖中以想像線所示)。在本例是將欲使閉迴路電路200產生的金屬支撐樑7，不是朝介電質窗部3的中心點彎曲，而是以閉迴路電路200能夠消失的方式，將金屬支撐樑7配置成在介電質窗部3的中央部分中斷者。
如此，在第3分割例中，藉由將欲使閉迴路電路200產生的金屬支撐樑7在介電質窗部3的中央部分中斷，在中間高頻天線11b與外側高頻天線11c之間，使所欲沿著該等的天線11b、11c而產生的閉迴路電路200消失。閉迴路電路200消失的結果，在第3分割例中也可取得與第1、第2分割例同樣的優點。
(介電質窗部的第4分割例)
第4分割例是在將介電質窗部3分割成每一邊三個以上時，對金屬支撐樑7的配置下工夫，而使位於介電質窗部3的中央部分的全部金屬支撐樑7能夠與高頻天線11交叉。
圖5A是表示本發明的一實施形態的感應耦合電漿處理裝置所具備的介電質窗部的第4分割例的平面圖，圖5B是由圖5A省略高頻天線的平面圖。
如圖5A及圖5B所示，在第4分割例中是在將矩形狀的介電質窗部3分割成每一邊三分割(例如在圖5B的上邊是3a、3b、3c的三分割)時，在介電質窗部3的中央部分，將金屬支撐樑7配置於與沿著周方向而形成環狀的內側高頻天線11a、中間高頻天線11b、外側高頻天線11c交叉的方向者。在本例，作為與周方向交叉的方向，為介電質窗部3的對角線方向。先將介電質窗部3沿著2個的對角線來4分割。
更沿著連結第1邊的中心o1與第2邊(順時針鄰接於第1邊)的中心o2的線、連結第2邊的中心o2與第3邊(順時針鄰接於第2邊)的中心o3的線、連結第3邊的中心o3與第4邊(順時針鄰接於第3邊)的中心o4的線、及連結第4邊的中心o4與第1邊(順時針鄰接於第4邊)的中心o1的線再分割介電質窗部3。
藉由如此的分割，介電質窗部3是分別被分割成12個分割片(被分割的複數個感應構件)3a~3l。該等分割 介電質窗3a~3l是分別被支撐於金屬支撐棚架6及金屬支撐樑7上。
如此，在介電質窗部3的中央部分，以金屬支撐樑7的全部的邊能夠與高頻天線11a、11b、11c交叉的方式，對金屬支撐樑7的配置下工夫也不會產生閉迴路電路200。不會產生閉迴路電路200的結果，在第4分割例中亦可取得與第1~第3分割例同樣的優點。
以上，若根據本發明的實施形態，則即使將介電質窗部3分割成每一邊三個以上時，也不會有產生反電動勢之類的閉迴路電路發生的情形，因此可提供一種可使強的電漿產生於處理室5內之感應耦合電漿處理裝置。
另外，本發明並非限於上述一實施形態，亦可實施各種的變形。又，本發明的實施形態，上述一實施形態並非是唯一的實施形態。
例如，高頻天線11的構造並非限於揭示於上述實施形態的構造者。例如，亦可使用如圖6所示那樣的渦巻狀的高頻天線40。
如圖6所示，渦巻狀的高頻天線40是在其中心部的周圍，離中心大致同一半徑位置，各錯開90°的位置具有連接至圖1所示的給電構件15之4個的給電部41、42、43、44，各2條的天線線會從該等各給電部41、42、43、44來延伸至外側而構成。在各天線線的終端連接電容器45，各天線線是經由電容器45來接地。
在如此的渦巻狀的高頻天線40中是具有天線線被緊 密地配置之處。本例是在內側及外側具有兩處天線線被緊密地配置之處。天線線被緊密地配置的內側處46a是對應於上述一實施形態的內側高頻天線11a。又，天線線被緊密地配置的外側處46b是對應於上述一實施形態的中間高頻天線11b或外側高頻天線11c。
又，高頻天線11的構造並非限於環狀或渦巻狀，只要可在本體容器1內形成感應電場，怎樣的構造皆可採用。
又，上述實施形態是舉灰化裝置作為感應耦合電漿處理裝置的一例，但並非限於灰化裝置，亦可適用於蝕刻或CVD成膜等的其他電漿處理裝置。
又，使用FPD基板作為被處理基板，但本發明並非限於此，亦可適用於半導體晶圓等其他的基板時。
1‧‧‧本體容器
3‧‧‧介電質窗部
4‧‧‧天線室
5‧‧‧處理室
6‧‧‧金屬支撐棚架
7‧‧‧金屬支撐樑
11‧‧‧高頻天線
16‧‧‧載置台
圖1是概略性表示本發明的一實施形態的感應耦合電漿處理裝置的剖面圖。
圖2(A)是表示一實施形態的感應耦合電漿處理裝置所具備的介電質窗部的第1分割例的平面圖，(B)圖、(C)圖是由(A)圖省略高頻天線的平面圖。
圖3(A)是表示一實施形態的感應耦合電漿處理裝置所具備的介電質窗部的第2分割例的平面圖，(B)圖、(C)圖是由(A)圖省略高頻天線的平面圖。
圖4(A)是表示一實施形態的感應耦合電漿處理裝 置所具備的介電質窗部的第3分割例的平面圖，(B)圖、(C)圖是由(A)圖省略高頻天線的平面圖。
圖5(A)是表示一實施形態的感應耦合電漿處理裝置所具備的介電質窗部的第4分割例的平面圖，(B)圖是由(A)圖省略高頻天線的平面圖。
圖6是表示高頻天線的其他例的平面圖。
圖7(A)是將介電質窗部分割成每一邊三個的9分割型介電質窗部的平面圖，(B)圖~(D)圖是由(A)圖省略高頻天線的平面圖。
圖8(A)是將介電質窗部分割成每一邊四個的16分割型介電質窗部的平面圖，(B)圖是由(A)圖省略高頻天線的平面圖。
3‧‧‧介電質窗部
6‧‧‧金屬支撐棚架
7‧‧‧金屬支撐樑
11a‧‧‧內側高頻天線
11b‧‧‧中間高頻天線
11c‧‧‧外側高頻天線
200‧‧‧閉迴路電路
3a~3h‧‧‧分割介電質窗

Claims (7)

  1. 一種感應耦合電漿處理裝置，係使感應耦合電漿產生於處理室內的電漿產生區域，電漿處理基板的感應耦合電漿處理裝置，其特徵係具備：高頻天線，其係使前述感應耦合電漿產生於前述電漿產生區域；及介電質窗部，其係被配置於前述電漿產生區域與前述高頻天線之間，包括複數的感應構件、及支撐該複數的感應構件的導電性樑，前述導電性樑係將前述介電質窗部分割成每一邊三個以上，且，在前述導電性樑，當前述導電性樑將前述介電質窗部分割成每一邊三個以上時不會有在前述介電質窗部的中央部分沿著前述高頻天線而產生的閉迴路電路。
  2. 如申請專利範圍第1項之感應耦合電漿處理裝置，其中，前述導電性樑係以前述閉迴路電路能夠消失的方式，在前述介電質窗部的中央部分配置成與前述高頻天線交叉。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之感應耦合電漿處理裝置，其中，前述導電性樑係於前述介電質窗部的中央部分具有延伸成放射狀的放射狀部位，前述導電性樑係於前述介電質窗部的中央部分交叉。
  4. 如申請專利範圍第3項之感應耦合電漿處理裝置，其中，前述放射狀部位係沿著前述介電質窗部的對角線。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中，前述導電性樑係以前述閉迴路電路能夠消失的方式，在前述介電質窗部的中央部分配置成中斷。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中，在前述介電質窗部的中央部分，前述導電性樑的全部的邊係與前述高頻天線交叉。
  7. 如申請專利範圍第1~6項中的任一項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中，前述高頻天線係至少包括第1高頻天線及位於此第1高頻天線的外側的第2高頻天線的2個，前述閉迴路電路係於前述第1高頻天線與前述第2高頻天線之間，且沿著前述第1高頻天線及前述第2高頻天線而產生成環狀者。
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