KR101505948B1

KR101505948B1 - 배플 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR101505948B1
Application number: KR1020130156317A
Authority: KR
Inventors: 채희선; 조정희; 이종식; 이한샘; 김현준
Original assignee: 피에스케이 주식회사
Priority date: 2013-12-16
Filing date: 2013-12-16
Publication date: 2015-03-26
Also published as: TWI555081B; JP2015119177A; TW201526102A; JP5902795B2

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 공정 챔버, 기판 지지 유닛, 가스 공급 유닛, 플라즈마 소스 및 배플 어셈블리 등을 포함한다. 배플 어셈블리는 챔버내에 고정된 제 1 분사판 및 제 1 분사판과 상하방향으로 결합되어 그 중심을 축으로 회전이 가능한 제 2 분사판을 포함한다. 배플 어셈블리는 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 공정 챔버내에 제공된 기판의 영역별 플라즈마 또는 가스의 분사량을 조절한다.

Description

배플 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치{A baffle assembly and an apparatus for treating a substrate with the baffle}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 플라즈마 또는 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.

반도체 소자의 제조를 위해서는 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 증착, 사진, 식각, 애싱, 세정, 연마 등 다양한 공정이 요구된다. 이들 중 증착, 식각, 그리고 애싱 공정과 같이 많은 공정은 챔버 내에서 플라즈마 또는 가스를 이용하여 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 처리한다.

도 1은 일반적인 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.

도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치는 가스 공급 유닛(11)을 통해 공정 챔버(12) 내부로 주입된 가스가 플라즈마 소스(13)에 의해 플라즈마로 변환된다. 플라즈마 소스에 의해 생성된 플라즈마는 공정 챔버(12) 내의 배플(14)을 통해 기판(15) 상부로 공급된다.

기판 처리 장치에서 플라즈마의 균일도를 향상시키기 위해 배플(14)에는 복수 개의 홀들이 형성된다. 그러나 기판 처리 장치의 공정 처리실(16) 내의 구조와 플라즈마의 흐름 등에 의해 기판(15)에 대한 플라즈마 처리 공정률의 균일도가 떨어지는 문제점이 야기된다.

배플(14)은 분사홀의 위치와 개수 등의 변화에 따라 공정의 균일도를 제어할 수 있다. 그러나 하나의 장비에서 최적의 조건을 찾기 위해서는 일반적으로 분사홀의 위치와 개수 등이 상이한 다수의 배플을 교체하여 사용하여야 하므로 그만큼의 시간과 비용이 추가된다.

또한, 동일한 장비, 또는 동일한 플라즈마 발생장치에서 다양한 공정 가스 사용시 플라즈마 프로파일(Plasma profile)이 변화하게 된다. 이 경우, 일반적인 배플을 사용하는 경우, 공정 균일도에 영향을 준다.

본 발명은 하나의 배플 어셈블리를 이용하여 하나의 장비에서 최적의 플라즈마 또는 가스의 분사 균일도를 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.

또한 본 발명은 한개의 형태의 배플 어셈블리를 이용하여 다양한 기판 처리 장치에서 최적의 플라즈마 또는 가스의 분사 균일도를 제어할 수 있는 베플 어셈블리를 제공하고자 한다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하도록 제공된 기판 지지 유닛과; 상기 공정 챔버내의 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되고, 서로 상하로 적층된 제 1 분사판과 제 2 분사판 및 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동유닛을 가지는 배플 어셈블리와; 상기 제 1 분사판 및 상기 제 2 분사판의 상부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 구비하되, 상기 배플 어셈블리는, 상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 상기 기판의 영역별 플라즈마 또는 가스의 분사량을 조절할 수 있도록 제공된다.

또한, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성된다.

또한, 상기 제 2 분사판에는, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀과; 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치된 제 2 가변홀과; 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치된 제 3 가변홀이 형성되되, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제1 분사판의 중앙 영역에 대향되고, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며, 상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고, 상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우, 상기 제 2 가변홀은, 상기 제 1 고정홀과 대향되도록 제공되고, 상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치와 상이한 제 3 위치에 위치하는 경우, 상기 제 3 가변홀은, 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되며, 상기 제 1 위치, 상기 제 2 위치 및 상기 제 3 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치이다.

또한, 상기 제 1 고정홀들 중 일부와 상기 제 2 고정홀들 중 일부는, 상기 제 1 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되고, 상기 제 1 가변홀들 중 일부, 상기 제 2 가변홀들 중 일부 및 상기 제 3 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 각각 일렬로 제공된다.

다른 실시예에 의하면, 상기 제 2 분사판에는, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀과; 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치된 제 2 가변홀이 형성되되, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며, 상기 제 1 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고, 상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우, 상기 제 2 가변홀은, 상기 제 1 고정홀과 대향되도록 제공되며, 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치이다.

또한, 상기 제 1 고정홀들 중 일부와 상기 제 2 고정홀들 중 일부는, 상기 제 1 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되고, 상기 제 1 가변홀들 중 일부 및 상기 제 2 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 각각 일렬로 제공된다.

또 다른 실시예에 의하면, 상기 제 2 분사판에는, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀과; 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치된 제 3 가변홀이 형성되되, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며, 상기 제 1 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고, 상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 3 위치에 위치하는 경우, 상기 제 3 가변홀은, 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되며, 상기 제 1 위치 및 상기 제 3 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치이다.

또한, 상기 제 1 고정홀들 중 일부와 상기 제 2 고정홀들 중 일부는, 상기 제 1 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되고, 상기 제 1 가변홀들 중 일부 및 상기 제 3 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 각각 일렬로 제공된다.

또 다른 실시예에 의하면, 상기 제 1 분사판에는, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역과 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역의 사이 영역인 미들 영역에 배치된 제 3 고정홀이 더 형성되고, 상기 제 2 분사판에는, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역과 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역의 사이 영역인 미들 영역에 배치된 제 4 가변홀이 더 형성되되, 상기 제 4 가변홀은, 상기 제 2 분사판이 상기 제 2 위치 또는 상기 제 3 위치에 위치하는 경우, 상기 제 3 고정홀과 대향되도록 제공된다.

또한, 상기 제 1 고정홀들 중 일부, 상기 제 2 고정홀들 중 일부 및 상기 제 3 고정홀들 중 일부는, 상기 제 1 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되고, 상기 제 1 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되며, 상기 제 4 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 가변홀들 중 일부 또는 상기 제 3 가변홀들 중 일부와 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 각각 일렬로 제공된다.

또 다른 실시예에 의하면, 상기 제 2 분사판은, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀 및 제 5 가변홀을 가지되, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제1 분사판의 중앙 영역에 대향되고, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며, 상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고, 상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우, 상기 제 5 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되며, 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치이되, 상기 제 1 가변홀 및 제 5 가변홀은 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀 보다 그 크기가 동일하거나 작게 제공되고, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치된 상기 제 5 가변홀과, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치된 제 5 가변홀은 그 크기가 서로 상이하게 형성된다.

또한, 상기 제 1 고정홀들 중 일부와 상기 제 2 고정홀들 중 일부는, 상기 제 1 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되고, 상기 제 1 가변홀들 중 일부 및 상기 제 5 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 각각 일렬로 제공된다.

또한, 본 발명은 배플 어셈블리를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 배플 어셈블리는 서로 상하로 적층된 제 1 분사판 및 제 2 분사판과; 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동 유닛을 가지되, 상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 기판의 영역별 플라즈마 또는 가스의 분사량을 조절할 수 있도록 제공된다.

또다른 실시예에 의하면, 상기 제 2 분사판에는, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀과; 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치된 제 3 가변홀이 형성되되, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며, 상기 제 1 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고, 상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 3 위치에 위치하는 경우, 상기 제 3 가변홀은, 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되며, 상기 제 1 위치 및 상기 제 3 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치이다.

또다른 실시예에 의하면, 상기 제 1 분사판에는, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역과 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역의 사이 영역에 배치된 제 3 고정홀이 더 형성되고, 상기 제 2 분사판에는, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역과 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역의 사이 영역에 배치된 제 4 고정홀이 더 형성되되, 상기 제 4 고정홀은, 상기 제 2 분사판이 상기 제 2 위치 또는 상기 제 3 위치에 위치하는 경우, 상기 제 3 고정홀과 대향되도록 제공된다.

또다른 실시예에 의하면, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀 및 제 5 가변홀을 가지되, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제1 분사판의 중앙 영역에 대향되고, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며, 상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고, 상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우, 상기 제 5 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되며, 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치이되, 상기 제 1 가변홀은 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀 보다 그 크기가 동일하거나 작게 제공되고, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치된 상기 제 5 가변홀과, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치된 제 5 가변홀은 그 크기가 서로 상이하게 형성된다.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 배플 어셈블리는 기판 처리 공정시 가스 분사판의 영역별 가스 또는 플라즈마 분사량을 조절할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 배플 어셈블리는 기판 처리 공정시 가스 분사판 전체 영역의 가스 또는 플라즈마 분사량을 조절할 수 있다.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도 이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 구동 유닛 및 제 2 분사판의 일부를 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 2의 제 1 분사판을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 2의 제 2 분사판을 나타내는 평면도이다.
도 6 내지 도 8은 도 5의 제 2 분사판의 회전에 따른 도 4의 제 1 고정홀 및 제 2 고정홀이 개폐되는 모습을 나타내는 평면도이다.
도 9는 도 2의 제 2 분사판의 다른 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 10 및 도 11은 도 9의 제 2 분사판의 회전에 따른 도 4의 제 1 고정홀 및 제 2 고정홀이 개폐되는 모습을 나타내는 평면도이다.
도 12는 도 2의 제 2 분사판의 또다른 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 13 및 도 14는 도 12의 제 2 분사판의 회전에 따른 도 4의 제 1 고정홀 및 제 2 고정홀이 개폐되는 모습을 나타내는 평면도이다.
도 15는 도 2의 제 2 분사판의 또다른 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 16 및 도 17은 도 15의 제 2 분사판의 회전에 따른 도 4의 제 1 고정홀 및 제 2 고정홀의 분사율이 조절되는 모습을 나타내는 평면도이다.
도 18은 제 3 고정홀을 더 포함하는 도 2의 제 1 분사판을 나타내는 평면도이다.
도 19는 도 2의 제 2 분사판의 또다른 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 20 내지 도 22는 도 19의 제 2 분사판의 회전에 따른 도 18의 제 1 내지 제 3 고정홀이 개폐되는 모습을 나타내는 평면도이다.
도 23은 또다른 실시예에 따른 도 2의 구동 유닛 및 제 2 분사판의 일부를 나타낸 사시도이다.
도 24는 제 2 분사판이 제 1 분사판 내부에 제공된 배플 어셈블리의 일부를 절단한 사시도이다.
도 25는 제 2 분사판이 제 1 분사판의 하단에 결합된 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

본 발명의 실시 예에서 기판(10)은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 기판(10)은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.

또한, 본 발명의 실시 예에서 기판 처리 장치는 플라즈마 또는 가스를 이용하여 애싱, 증착 또는 식각 등의 공정을 수행하는 장치일 수 있다.

이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 관하여 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타낸 단면도이다. 도 2를 참고하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400) 및 배플 어셈블리(500)를 가진다.

공정 챔버(100)는 처리실(120)과 플라즈마 발생실(140)을 가진다. 처리실(120)은 플라즈마에 의해 기판(10)이 처리되는 공간을 제공한다. 플라즈마 발생실(140)은 공정 가스로부터 플라즈마가 발생되는 공간을 제공한다.

처리실(120)은 내부에 상부가 개방된 공간을 가진다. 처리실(120)은 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 처리실(120)의 측벽에는 기판 유입구(미도시)가 형성된다. 기판(10)은 기판 유입구를 통하여 처리실(120) 내부로 출입힌다. 기판 유입구(미도시)는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 처리실(120)의 바닥면에는 배기 홀(122)이 형성된다. 배기 홀(122)에는 배기 라인(124)이 연결된다. 배기 라인(124)에는 펌프(126)가 설치된다. 펌프(126)는 처리실(120) 내 압력을 공정 압력으로 조절한다. 처리실(120) 내 잔류 가스 및 반응 부산물은 배기 라인(124)을 통해 처리실(120) 외부로 배출된다.

플라즈마 발생실(140)은 처리실(120)의 외부에 위치한다. 일 예에 의하면, 플라즈마 발생실(140)은 처리실(120)의 상부에 위치되며 처리실(120)에 결합된다. 플라즈마 발생실(140)은 방전실(142)과 확산실(144)을 가진다. 방전실(142)과 확산실(144)은 상하 방향으로 순차적으로 제공된다. 방전실(142)은 중공의 원통 형상을 가진다. 상부에서 바라볼 때 방전실(142) 내 공간은 처리실(120) 내 공간 보다 좁게 제공된다. 방전실(142) 내에서 가스로부터 플라즈마가 발생된다. 확산실(144) 내 공간은 아래로 갈수록 점진적으로 넓어지는 부분을 가진다. 확산실(144)의 하단은 처리실(120)의 상단과 결합되며, 이들 사이에는 외부와의 밀폐를 위해 실링 부재(미도시)가 제공된다.

공정 챔버(100)는 도전성 재질로 제공된다. 공정 챔버(100)는 접지라인(123)을 통해 접지될 수 있다.

기판 지지 유닛(200)은 기판(10)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지판(220)과 지지축(240)을 가진다.

지지판(220)은 처리실(120)내에 위치되며 원판 형상으로 제공된다. 지지판(220)은 지지축(240)에 의해 지지된다. 기판(10)은 지지판(220)의 상면에 놓인다. 지지판(220)의 내부에는 전극(미도시)이 제공되고, 기판(10)은 정전기력 또는 기구적 클램프에 의해 지지판(220)에 지지될 수 있다.

가스 공급 유닛(300)은 방전실(142)의 상부에 제공될 수 있다. 가스 공급 유닛(300)은 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급라인(320), 가스 저장부(340) 그리고 가스 포트(360)를 가진다.

가스 공급라인(320)은 가스 포트(360)에 연결된다. 가스 포트(360)는 방전실(142)의 상부에 결합된다. 가스 포트(360)를 통해 공급된 가스는 방전실(142)로 유입되고, 방전실(142)에서 플라즈마로 여기된다.

플라즈마 소스(400)는 방전실(142)에서 가스 공급 유닛(300)에 의해 공급된 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 일 예에 의하면, 플라즈마 소스(400)는 유도 결합형 플라즈마 소스일 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(420)와 전원(440)을 가진다.

안테나(420)는 방전실(142)의 외부에 제공되며 방전실(142)의 측면을 복수 회 감싸도록 제공된다. 안테나(420)의 일단은 전원(440)에 연결되고, 타단은 접지된다.

전원(440)은 안테나(420)에 전력을 인가한다. 일 예에 의하면, 전원(440)은 안테나(420)에 고주파 전력을 인가할 수 있다.

배플 어셈블리(500)는 제 1 분사판(520), 제 2 분사판(540) 및 구동 유닛(560)을 가진다. 배플 어셈블리(500)는 처리실(120)의 상단에 제공될 수 있다. 가스 공급 유닛(300)으로부터 공급된 가스 또는 플라즈마 소스(400)에 의해 발생된 플라즈마는 배플 어셈블리(500)에 의해 기판 지지 유닛(200)의 상부로 분사된다. 배플 어셈블리(500)는 제 1 분사판(520) 또는 제 2 분사판(540) 저면의 영역별 가스 또는 플라즈마 분사량을 조절할 수 있다. 배플 어셈블리(500)는 접지될 수 있다. 배플 어셈블리(500)는 공정 챔버(100)에 접촉되도록 제공되어, 공정 챔버(100)를 통해 접지될 수 있다. 제 2 분사판(540) 및 제 1 분사판(520)은 상하 방향으로 순차로 제공된다.

구동 유닛(560)은 제 2 분사판(540)을 그 중심을 축으로 회전시키도록 제공된다. 구동 유닛(560)은 확산실(144) 상면의 가장자리 영역에 확산실(144)의 상면을 관통하도록 제공될 수 있다. 구동 유닛(560)은 구동 기어(562), 연결 부재(564) 및 모터(566)를 가진다.

구동 기어(562)는 연결부재(564)에 의해 전달된 구동력을 제 2 분사판(540)에 전달한다. 도 3은 도 2의 구동 기어(562)를 설명하기 위한 구동 기어(562) 및 제 2 분사판(540)의 일부를 나타낸 사시도이다. 도 3을 참고하면, 구동 기어(562)는 제 2 분사판(540)의 측면에 제공된 기어에 맞물리도록 제공된다. 구동 기어(562)는 그 측면에 기어가 형성된 원판 형태로 제공된다. 구동기어(562)의 상면의 중심에는 연결부재(564)가 연결된다.

연결부재(564)는 모터(566)에 의해 발생된 구동력을 구동 기어(562)로 전달한다. 다시 도 2를 참고하면, 연결 부재(564)는 확산실(144)의 상면을 관통하도록 제공된다. 연결 부재(564)의 상단에는 모터(566)가 연결된다.

모터(566)는 제 2 분사판(540)을 회전시키기 위한 구동력을 발생시킨다. 모터(566)는 확산실(144) 상면의 가장자리 부분에 제공될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제 1 분사판(520)은 처리실(120)의 상단에 고정되도록 제공된다. 제 1 분사판(520)은 처리실(120) 상단의 내측 직경보다 큰 직경으로 제공된다.

도 4는 제 1 분사판(520)을 상부에서 바라본 도면이다. 도 4를 참고하면, 제 1 분사판(520)은 원판 형상으로 제공된다. 제 1 분사판(520)에는 제 1 고정홀(522), 및 제 2 고정홀(524)이 형성된다. 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은, 제 1 분사판(520)을 상하 방향으로 관통하도록 형성된다. 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은, 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가지고, 서로 동일한 크기로 형성될 수 있다. 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은, 각각 복수개로 제공된다.

제 1 고정홀(522)은 제 1 분사판(520)의 중앙 영역(s11)에 형성된다. 제 2 고정홀(524)은 제 1 분사판(520)의 가장자리 영역(s12)에 형성된다. 제 1 고정홀(s11)들 중 일부와 제 2 고정홀(s12)들 중 일부는, 제 1 분사판(520)의 반경 방향으로 일렬로 제공된다. 제 1 고정홀(s11)들 중 일부 및 제 2 고정홀(s12)들 중 일부가 배열된 열(528)은 복수개가 제공된다. 각각의 열(528)들은 제 1 분사판(520)의 중심을 기준으로 서로 일정한 각도로 배열된다.

도 5는 제 2 분사판(540)을 상부에서 바라본 도면이다. 도 5를 참고하면, 제 2 분사판(540)은 원판 형상으로 제공되고, 그 측면에는 기어가 제공될 수 있다. 제 2 분사판(540)에는, 제 1 가변홀(541), 제 2 가변홀(542) 및 제 3 가변홀(543)이 형성된다. 제 1 가변홀(541), 제 2 가변홀(542) 및 제 3 가변홀(543)은 제 2 분사판(540)을 상하 방향으로 관통하도록 형성된다. 제 1 가변홀(541), 제 2 가변홀(542) 및 제 3 가변홀(543)은 각각 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가지고, 서로 동일한 크기로 형성될 수 있다. 제 1 가변홀(541), 제 2 가변홀(542) 및 제 3 가변홀(543)은 그 크기가 제 1 고정홀(522)및 제 2 고정홀(524)의 크기와 같거나 작게 제공될 수 있다. 제 1 가변홀(541), 제 2 가변홀(542) 및 제 3 가변홀(543)은 각각 복수개로 제공된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부, 제 2 가변홀(542)들 중 일부 및 제 3 가변홀(543)들 중 일부는 제 2 분사판(540)의 반경 방향으로 각각 일렬로 배열된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부, 제 2 가변홀(542)들 중 일부 및 제 3 가변홀(543)들 중 일부가 각각 배열된 열(548)은 각각 복수개가 제공된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부, 제 2 가변홀(542)들 중 일부 또는 제 3 가변홀(543)들 중 일부로 각각 구성된 각각의 열(548)들은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 각각 일정한 각도로 배열된다.

제 1 가변홀(541)은 제 2 분사판(540)의 중앙 영역(s21) 및 가장자리 영역(s22)에 형성된다.

제 2 가변홀(542)은 제 2 분사판(540)의 중앙 영역(s21)에 형성된다. 제 2 가변홀(542)들 중 일부가 배열된 각 열(548b)은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 하여 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)과 일정한 각도로 배열된다. 제 2 가변홀(542)들 중 일부가 배열된 열(548b)과 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)이 이루는 각도는 그 크기가 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)간의 각도보다 작게 제공된다.

제 3 가변홀(543)은 제 2 분사판(540)의 가장자리 영역(s22)에 형성된다. 제 3 가변홀(543)들 중 일부가 배열된 각 열(548c)은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 하여 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)과 일정한 각도로 배열된다. 제 3 가변홀(543)들 중 일부가 배열된 열(548c)과 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)이 이루는 각도는 그 크기가 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)간의 각도보다 작게 제공된다.

제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)과 제 3 가변홀(543)들 중 일부가 배열된 열(548c)간의 각도는 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)과 제 3 가변홀(543)들 중 일부가 배열된 열(548c)간의 각도와 상이하게 제공된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)과 제 3 가변홀(543)들 중 일부가 배열된 열(548c)간의 각도와 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)과 제 3 가변홀(543)들 중 일부가 배열된 열(548c)간의 각도는 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)을 기준으로 그 크기는 동일하지만 방향은 상이하게 제공될 수 있다.

다시 도 2를 참고하면, 제 2 분사판(540)은 제 1 분사판(520)의 하면과 제 2 분사판(540)의 상면이 인접되도록 제공된다. 제 2 분사판(540)은 그 중심을 축으로 회전될 수 있도록 제공된다.

이하 도 5의 제 2 분사판(540)의 회전에 따라 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 설명한다.

도 6 내지 도 8은 도 5의 제 1 분사판(520) 및 제 2 분사판(540)이 상하방향으로 순차적으로 결합된 모습을 상부에서 바라본 도면들이다. 도 6 내지 도 8을 참고하면, 제 2 분사(540)판의 중앙 영역(s21)은 제 1 분사판(520)의 중앙 영역(s11)에 대향되고, 제 2 분사판(540)의 가장자리 영역(s22)은 제 1 분사판(520)의 가장자리 영역(s12)에 대향된다.

도 6은 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 6을 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 가변홀(541)은, 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)과 대향되도록 위치된다. 따라서, 제 1 고정홀(521) 및 제 2 고정홀(522)은 개방된다.

도 7은 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 7을 참고하면, 제 2 위치는 제 2 분사판(540)을 제 1 위치를 기준으로 시계 방향으로 소정의 각도로 회전시킨 위치일 수 있다. 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 2 가변홀(542)은, 제 1 고정홀(522)과 대향되도록 위치된다. 따라서, 제 1 고정홀(522)은 개방되고, 제 2 고정홀(524)은 닫힌다.

도 8은 제 2 분사판(540)이 제 3 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 8을 참고하면, 제 3 위치는 제 2 분사판(540)을 제 1 위치를 기준으로 시계 반대 방향으로 소정의 각도로 회전시킨 위치일 수 있다. 제 2 분사판(540)이 제 3 위치에 위치하는 경우, 제 3 가변홀(543)은, 제 2 고정홀(524)과 대향되도록 위치된다. 따라서, 제 2 고정홀(524)은 개방되고, 제 1 고정홀(522)은 닫힌다.

도 9는 도 2의 제 2 분사판(540)의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 9를 참고하면, 제 2 분사판(540)은 가변홀들의 배치를 제외하고 도 5의 제 2 분사판(540)과 동일한 구조, 기능, 형상 등을 가진다. 제 2 분사판(540)에는 제 1 가변홀(541) 및 제 2 가변홀(542)이 형성된다. 제 1 가변홀(541) 및 제 2 가변홀(542)은 각각 복수개로 제공된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부 및 제 2 가변홀(542)들 중 일부는 제 2 분사판(540)의 반경 방향으로 각각 일렬로 배열된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부 및 제 2 가변홀(542)들 중 일부가 각각 배열된 열(548)은 각각 복수개가 제공된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부 및 제 2 가변홀(542)들 중 일부로 각각 구성된 각각의 열(548)들은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 각각 일정한 각도로 배열된다.

제 2 가변홀(542)은 제 2 분사판(540)의 중앙 영역(s21) 에 형성된다. 제 2 가변홀(542)들 중 일부가 배열된 각 열(548b)은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)과 일정한 각도로 배열된다. 제 2 가변홀(542)들 중 일부가 배열된 열(548b)과 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)이 이루는 각도는 그 크기가 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)간의 각도보다 작게 제공된다.

이하 도 9의 제 2 분사판(540)의 회전에 따라 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 설명한다.

도 10 내지 도 11은 제 1 분사판(520) 및 도 9의 제 2 분사판(540)이 상하 방향으로 순차적으로 결합된 모습을 상부에서 바라본 도면들이다.

도 10은 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 10을 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 가변홀(541)은 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)과 대향되도록 위치된다. 따라서, 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은 개방된다.

도 11은 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 11을 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 2 가변홀(542)은 제 1 고정홀(522)과 대향되도록 위치된다. 따라서, 제 1 고정홀(522)은 개방되고, 제 2 고정홀(524)은 닫힌다.

도 12는 도 2의 제 2 분사판(540)의 또다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 12를 참고하면, 제 2 분사판(540)은 가변홀들의 배치를 제외하고 도 5의 제 2 분사판(540)과 동일한 구조, 기능 및 형상 등을 가진다. 제 2 분사판(540)에는 제 1 가변홀(541) 및 제 3 가변홀(543)이 형성된다. 제 1 가변홀(541) 및 제 3 가변홀(543)은 각각 복수개로 제공된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부 및 제 2 가변홀(543)들 중 일부는 제 2 분사판(540)의 반경 방향으로 각각 일렬로 배열된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부 및 제 3 가변홀(543)들 중 일부가 각각 배열된 열(548)은 각각 복수개가 제공된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부 및 제 3 가변홀(543)들 중 일부로 각각 구성된 각각의 열(548)들은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 각각 일정한 각도로 배열된다.

제 3 가변홀(543)은 제 2 분사판(540)의 가장자리 영역(s22) 에 형성된다. 제 3 가변홀(543)들 중 일부가 배열된 각 열(548c)은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 하여 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)과 일정한 각도로 배열된다. 제 3 가변홀(543)들 중 일부가 배열된 열(548c)과 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)이 이루는 각도는 그 크기가 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)간의 각도보다 작게 제공된다.

이하 도 12의 제 2 분사판(540)의 회전에 따라 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 설명한다.

도 13 내지 도 14는 제 1 분사판(520) 및 도 12의 제 2 분사판(540)이 상하 방향으로 순차적으로 결합된 모습을 상부에서 바라본 도면들이다.

도 13은 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 13을 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 가변홀(541)은 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)과 대향되도록 위치된다. 따라서, 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은 개방된다.

도 14는 제 2 분사판(540)이 제 3 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 14를 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 3 위치에 위치하는 경우, 제 3 가변홀(543)은 제 2 고정홀(524)과 대향되도록 위치된다. 따라서, 제 2 고정홀(524)은 개방되고, 제 1 고정홀(522)은 닫힌다.

도 15는 도 2의 제 2 분사판(540)의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 15를 참고하면, 제 2 분사판(540)은 가변홀들의 배치 및 크기를 제외하고 도 5의 제 2 분사판(540)과 동일한 구조, 기능 및 형상 등을 가진다. 제 2 분사판(540)에는 제 1 가변홀(541) 및 제 5 가변홀(545)이 형성된다.

제 1 가변홀(541) 및 제 5 가변홀(545)은 각각 복수개로 제공된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부 및 제 5 가변홀(545)들 중 일부는 제 2 분사판(540)의 반경 방향으로 각각 일렬로 배열된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부 및 제 5 가변홀(545)들 중 일부가 각각 배열된 열(548)은 각각 복수개가 제공된다. 제 1 가변홀(541)들 중 일부 및 제 5 가변홀(545)들 중 일부로 각각 구성된 각각의 열(548)들은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 각각 일정한 각도로 배열된다.

제 1 가변홀(541)은 제 2 분사판(540)의 중앙 영역(s21) 및 가장자리 영역(s22)에 형성된다. 제 1 가변홀(541)은 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524) 보다 그 크기가 동일하거나 작게 제공된다.

제 5 가변홀(545)은 제 2 분사판(540)의 중앙 영역(s21) 및 가장자리 영역(s22)에 형성된다. 제 5 가변홀(545)들 중 일부가 배열된 각 열(548e)은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 하여 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)과 일정한 각도로 배열된다. 제 5 가변홀(545)들 중 일부가 배열된 열(548e)과 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)이 이루는 각도는 그 크기가 제 1 가변홀(541)들 중 일부가 배열된 열(548a)간의 각도보다 작게 제공된다. 제 5 가변홀(545)들은 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524) 보다 그 크기가 동일하거나 작게 제공된다. 제 2 분사판(540)의 중앙 영역(s21)에 배치된 제 5 가변홀(545)과, 제 2 분사판(540)의 가장자리 영역(s22)에 배치된 제 5 가변홀은 그 크기가 서로 상이하게 형성된다.

이하 도 15의 제 2 분사판(540)의 회전에 따라 제 1 분사판(500)의 영역별 분사량이 조절되는 모습을 설명한다.

도 16 내지 도 17은 제 1 분사판(520) 및 도 15의 제 2 분사판(540)이 상하 방향으로 순차적으로 결합된 모습을 상부에서 바라본 도면들이다.

도 16은 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 영역별 분사량을 설명하기 위한 도면이다. 도 16을 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 가변홀(541)은 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)과 대향되도록 위치된다. 따라서, 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은 개방된다. 제 1 가변홀(541)들은 그 크기가 서로 동일하게 제공될 수 있다. 따라서 제 1 고정홀(522)을 통한 가스 또는 플라즈마의 분사량과 제 2 고정홀(524)을 통한 가스 또는 플라즈마의 분사량은 동일할 수 있다.

도 17은 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판의 영역별 분사량을 설명하기 위한 도면이다. 도 17을 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 5 가변홀(545)은 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)과 대향되도록 위치한다. 따라서, 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은 개방되고, 제 1 고정홀(522)을 통한 가스 또는 플라즈마의 분사량과 제 2 고정홀(524)을 통한 가스 또는 플라즈마의 분사량은 상이할 수 있다.

이하 도 2의 배플 어셈블리(500)의 다른 실시예에 대해 설명한다.

도 18은 도 2의 제 1 분사판(520)의 제 3 고정홀(526)을 설명하기 위한 도면이다. 도 4의 제 1 분사판(520)은 2개의 영역을 가진다. 이와 달리 제 1 분사판(520)은 3개의 영역을 가질 수 있다. 도 18을 참고하면, 제 1 분사판(520)은 중앙영역(s11), 가장자리 영역(s12) 및 미들 영역(s13)을 가진다. 미들 영역(s13)은 중앙영역(s11)과 가장자리 영역(s12)의 사이에 형성된다.

제 1 분사판(520)은 제 3 고정홀(526)이 더 형성될 수 있다. 제 1 분사판(520)의 전체적인 형태는 상술한 실시예와 동일하게 제공된다.

제 3 고정홀(526)은 대체로 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)과 동일한 크기 및 동일한 형상으로 형성된다. 제 3 고정홀(526)은 복수개로 제공될 수 있다. 제 3 고정홀(526)은 미들 영역(s13)에 형성된다. 제 3 고정홀(526)들 중 일부는 제 1 고정홀(522)들 중 일부 및 제 2 고정홀(524)들 중 일부와 제 1 분사판(520)의 반경 방향으로 일렬로 제공된다. 제 3 고정홀들 중 일부가 배열된 열은 제 1 고정홀(522)들 중 일부 및 제 2 고정홀(524)들 중 일부가 배열된 열과 동일한 수로 제공된다.

도 19는 제 2 분사판(540)의 또다른 일실시예를 나타낸 도면이다. 도 5, 도 9, 도 12 및 도 15의 제 2 분사판(540)은 2개의 영역을 가진다. 이와 달리, 제 2 분사판(540)은 3개의 영역을 가질 수 있다. 도 19를 참고하면, 제 2 분사판(540)은 중앙 영역(s21), 가장자리 영역(s22) 및 미들 영역(s23)을 가진다. 미들 영역(s23)은 중앙영역(s21)과 가장자리 영역(s22)의 사이에 형성된다.

제 2 분사판(540)은 제 4 가변홀(544)들의 배치를 제외하고 도 5의 제 2 분사판(540)과 동일한 구조, 기능 및 형상 등을 가진다. 제 2 분사판(540)에는 제 4 가변홀(544)이 더 형성될 수 있다. 제 4 가변홀(544)은 복수개로 제공될 수 있다. 제 4 가변홀(544)들 중 일부는 제 2 가변홀(542) 및 제 3 가변홀(543)과 제 2 분사판(540)의 반경 방향으로 일렬로 배열된다. 제 4 가변홀(544)들 중 일부가 배열된 열(548d)은 복수개가 제공된다. 제 4 가변홀(544)들 중 일부로 각각 구성된 각각의 열(548d)들은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 각각 일정한 각도로 배열된다. 제 4 가변홀(541)은 미들 영역(s23)에 형성된다.

이하 도 19의 제 2 분사판(540)의 회전에 따라 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 설명한다.

도 20 내지 도 22는 제 1 분사판(520) 및 도 19의 제 2 분사판(540)이 상하 방향으로 순차적으로 결합된 모습을 상부에서 바라본 도면들이다.

도 20은 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 20을 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 가변홀(541)은 제 1 고정홀(522), 제 2 고정홀(524) 및 제 3 고정홀(526)과 대향되도록 위치된다. 따라서, 제 1 고정홀(522), 제 2 고정홀(524) 및 제 3 고정홀(526)은 개방된다.

도 21은 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 21을 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 2 가변홀(542) 및 제 2 가변홀(542)과 일렬로 배열된 제 4 가변홀(544) 은 제 1 고정홀(522) 및 제 3 고정홀(526)과 대향되도록 위치된다. 따라서, 제 1 고정홀(522) 및 제 3 고정홀(526)은 개방되고, 제 2 고정홀(524)은 닫힌다.

도 22는 제 2 분사판(540)이 제 3 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 22를 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 3 위치에 위치하는 경우, 제 3 가변홀(543) 및 제 3 가변홀(543)과 일렬로 배열된 제 4 가변홀(544) 은 제 2 고정홀(524) 및 제 3 고정홀(526)과 대향되도록 위치된다. 따라서, 제 2 고정홀(524) 및 제 3 고정홀(526)은 개방되고, 제 1 고정홀(522)은 닫힌다.

도 23은 도 2의 배플 어셈블리(500)의 또다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 23을 참고하면, 상술한 실시예들과 달리 구동 유닛(560)은 자력을 이용하여 제 2 분사판(540)을 그 중심을 축으로 회전시킨다.

배플 어셈블리(500)는 구동판(562a) 및 제 2 분사판(540)을 제외하고, 도 3의 배플 어셈블리(500)와 그 구조 및 기능 등이 유사하다.

제 2 분사판(540)은 그 측부에 복수개의 자석들이 제공된다. 자석은 영구 자석일 수 있다. 각각의 자석들은 직접 밀착된 자석들과 서로 상이한 극이 제 2 분사판(540)의 반경 방향을 향하도록 제공된다. 각각의 자석들은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 일정한 각도로 배열된다.

구동판(562a)은 도 3의 구동 기어(562)가 배치되는 위치에 제공된다. 구동판(562a)는 원판형으로 제공된다. 구동판(562a)는 그 측부에 영구자석들이 제공된다. 각각의 자석들은 직접 밀착된 자석들과 서로 상이한 극이 제 2 분사판(540)의 반경 방향을 향하도록 제공된다. 각각의 자석들은 구동판(562a)의 중심을 기준으로 일정한 각도로 배열된다.

구동판(562a)은 구동축(564)에 의해 전달된 구동력에 의해 그 중심을 축으로 회전된다. 제 2 분사판(540)은 자력에 의해 구동판(562a)의 회전에 따라 일정한 각도로 회전된다.

구동 유닛(560)은 공정 챔버(100)의 내측 또는 외측에 제공될 수 있다.

구동 유닛은 상술한 도 3 및 도 23의 구동 유닛(560) 외 다양한 형태로 제공될 수 있다.

도 24는 도 2의 배플 어셈블리(500)의 또다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 24를 참고하면, 제 2 분사판(540)은 제 1 분사판(520)의 내부에 제공된다.

제 1 분사판(520)은 중공의 원판형으로 제공된다. 제 1 분사판(520)은 상면(520a), 하면(520b) 및 상면(520a)과 하면(520b)을 연결하는 측면(520c)을 가진다. 상면(520a) 및 하면(520b)에는 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)이 형성된다. 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은 도 4의 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)과 동일한 형태로 배치 및 형성된다. 제 1 분사판(520)의 측면(520c)에는 개구(520d)가 형성된다. 제 2 분사판(540)은 그 측면의 기어가 개구(520d)를 통하여 구동기어(562)와 맞물리도록 제공된다.

제 2 분사판(540)은 그 형태 및 기능 등이 상술한 실시예들과 동일하도록 제공된다.

도 25는 제 2 분사판(540)이 제 1 분사판(520)의 하부에 결합된 기판 처리 장치(2)를 나타낸 도면이다. 도 25를 참고하면, 배플 어셈블리(500)을 제외하고 도 2의 기판처리장치(1)와 구성, 기능 및 형태 등이 대체로 유사하다.

제 2 분사판(540)이 제 1 분사판(520)의 하부에 결합되는 경우, 배플 어셈블리(500)는 확산실(144)의 하단에 제공될 수 있다. 배플 어셈블리(500)의 구성은 도 2의 배플 어셈블리(500)와 동일하다. 다만, 제 1 분사판(520)은 확산실(144)의 하단에 고정되도록 제공된다. 제 1 분사판(520) 및 제 2 분사판(540)은 상하 방향으로 순차로 제공된다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 기판 처리 장치들(1, 2)은 공정 가스의 종류, 공정 스텝 또는 기타 다른 공정 조건에 따라 배플 어셈블리(500) 하부의 각 영역별 분사율을 조절함으로써, 기판의 표면에 가스 또는 플라즈마를 균일하게 분사할 수 있다.

상술한 실시예들은 유도 결합 플라즈마 소스 방식(ICP)을 이용한 기판 처리 장치를 이용하여 설명하였다. 그러나 본 발명의 실시예들은 용량 결합 플라즈마 소스 방식(CCP) 또는 리모트 플라즈마 방식 등 모든 형태의 플라즈마 소스에 대하여 적용 가능하다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

100: 공정 챔버
200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛
400: 플라즈마 소스
500: 배플 어셈블리

Claims

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공정 챔버와;
상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하도록 제공된 기판 지지 유닛과;
상기 공정 챔버내의 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되고, 서로 상하로 적층된 제 1 분사판과 제 2 분사판 및 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동유닛을 가지는 배플 어셈블리와;
상기 제 1 분사판 및 상기 제 2 분사판의 상부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 구비하되,
상기 배플 어셈블리는,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 상기 기판의 영역별 플라즈마 또는 가스의 분사량을 조절할 수 있도록 제공되며,
상기 제 1 분사판은, 중앙 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 가장자리 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되며,
상기 제 2 분사판에는,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀과;
상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치된 제 2 가변홀과;
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치된 제 3 가변홀이 형성되되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고,
상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우, 상기 제 2 가변홀은, 상기 제 1 고정홀과 대향되도록 제공되고,
상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치와 상이한 제 3 위치에 위치하는 경우, 상기 제 3 가변홀은, 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되며,
상기 제 1 위치, 상기 제 2 위치 및 상기 제 3 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치인 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,
상기 제 1 고정홀들 중 일부와 상기 제 2 고정홀들 중 일부는, 상기 제 1 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되고,
상기 제 1 가변홀들 중 일부, 상기 제 2 가변홀들 중 일부 및 상기 제 3 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 각각 일렬로 제공되는 기판 처리 장치.
공정 챔버와;
상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하도록 제공된 기판 지지 유닛과;
상기 공정 챔버내의 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되고, 서로 상하로 적층된 제 1 분사판과 제 2 분사판 및 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동유닛을 가지는 배플 어셈블리와;
상기 제 1 분사판 및 상기 제 2 분사판의 상부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 구비하되,
상기 배플 어셈블리는,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 상기 기판의 영역별 플라즈마 또는 가스의 분사량을 조절할 수 있도록 제공되며,
상기 제 1 분사판은, 중앙 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 가장자리 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되도록 제공되며,
상기 제 2 분사판에는,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀과;
상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치된 제 2 가변홀이 형성되되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 1 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고,
상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우, 상기 제 2 가변홀은, 상기 제 1 고정홀과 대향되도록 제공되며,
상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치인 기판 처리 장치.
제 5 항에 있어서,
상기 제 1 고정홀들 중 일부와 상기 제 2 고정홀들 중 일부는, 상기 제 1 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되고,
상기 제 1 가변홀들 중 일부 및 상기 제 2 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 각각 일렬로 제공되는 기판 처리 장치.
공정 챔버와;
상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하도록 제공된 기판 지지 유닛과;
상기 공정 챔버내의 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되고, 서로 상하로 적층된 제 1 분사판과 제 2 분사판 및 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동유닛을 가지는 배플 어셈블리와;
상기 제 1 분사판 및 상기 제 2 분사판의 상부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 구비하되,
상기 배플 어셈블리는,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 상기 기판의 영역별 플라즈마 또는 가스의 분사량을 조절할 수 있도록 제공되며,
상기 제 1 분사판은, 중앙 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 가장자리 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되도록 제공되며,
상기 제 2 분사판에는,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀과;
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치된 제 3 가변홀이 형성되되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 1 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고,
상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 3 위치에 위치하는 경우, 상기 제 3 가변홀은, 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되며,
상기 제 1 위치 및 상기 제 3 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치인 기판 처리 장치.
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 고정홀들 중 일부와 상기 제 2 고정홀들 중 일부는, 상기 제 1 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되고,
상기 제 1 가변홀들 중 일부 및 상기 제 3 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 각각 일렬로 제공되는 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,
상기 제 1 분사판에는,
상기 제 1 분사판의 중앙 영역과 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역의 사이 영역인 미들 영역에 배치된 제 3 고정홀이 더 형성되고,
상기 제 2 분사판에는,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역과 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역의 사이 영역인 미들 영역에 배치된 제 4 가변홀이 더 형성되되,
상기 제 4 가변홀은,
상기 제 2 분사판이 상기 제 2 위치 또는 상기 제 3 위치에 위치하는 경우, 상기 제 3 고정홀과 대향되도록 제공되는 기판 처리 장치.
제 9 항에 있어서,
상기 제 1 고정홀들 중 일부, 상기 제 2 고정홀들 중 일부 및 상기 제 3 고정홀들 중 일부는, 상기 제 1 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되고,
상기 제 1 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되며,
상기 제 4 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 가변홀들 중 일부 또는 상기 제 3 가변홀들 중 일부와 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 각각 일렬로 제공되는 기판 처리 장치.
공정 챔버와;
상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하도록 제공된 기판 지지 유닛과;
상기 공정 챔버내의 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되고, 서로 상하로 적층된 제 1 분사판과 제 2 분사판 및 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동유닛을 가지는 배플 어셈블리와;
상기 제 1 분사판 및 상기 제 2 분사판의 상부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 구비하되,
상기 배플 어셈블리는,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 상기 기판의 영역별 플라즈마 또는 가스의 분사량을 조절할 수 있도록 제공되며,
상기 제 1 분사판은, 중앙 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 가장자리 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되도록 제공되며,
상기 제 2 분사판은,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀 및 제 5 가변홀을 가지되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고,
상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우, 상기 제 5 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되며,
상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치이되,
상기 제 1 가변홀 및 제 5 가변홀은 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀 보다 그 크기가 동일하거나 작게 제공되고,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치된 상기 제 5 가변홀과, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치된 제 5 가변홀은 그 크기가 서로 상이하게 형성되는 기판 처리 장치.
제 11 항에 있어서,
상기 제 1 고정홀들 중 일부와 상기 제 2 고정홀들 중 일부는, 상기 제 1 분사판의 반경 방향으로 일렬로 제공되고,
상기 제 1 가변홀들 중 일부 및 상기 제 5 가변홀들 중 일부는, 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 각각 일렬로 제공되는 기판 처리 장치.
제 3 항, 제 5 항, 제 7 항 또는 제 11 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 2 분사판은, 그 측단부에 기어가 제공되고,
상기 구동 유닛은,
상기 기어와 맞물리도록 제공되는 구동기어와;
상기 제 2 분사판을 회전시키기 위한 구동력을 발생시키는 모터와;
상기 모터에서 발생된 구동력을 상기 구동 기어로 전달시키는 연결부재를 가지는 기판 처리 장치.
제 3 항, 제 5 항, 제 7 항 또는 제 11 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 구동 유닛은,
자력을 이용하여 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키도록 제공되는 기판 처리 장치.
제 3 항, 제 5 항, 제 7 항 또는 제 11 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 1 분사판은 상기 공정 챔버에 고정되도록 제공되는 기판 처리 장치.
제 3 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 2 분사판은, 상기 제 1 분사판의 상부에 제공되는 기판 처리 장치.
제 3 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 2 분사판은, 상기 제 1 분사판의 하부에 제공되는 기판 처리 장치.
제 3 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 1 분사판은, 중공의 원판형으로 제공되고,
상기 제 2 분사판은, 상기 제 1 분사판의 내부에 제공되는 기판 처리 장치.
제 3 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 가스 공급 유닛에 의해 공급된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 더 포함하는 기판 처리 장치.
서로 상하로 적층된 제 1 분사판 및 제 2 분사판과;
상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동 유닛을 가지되,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 기판의 영역별 플라즈마 또는 가스의 분사량을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 제 1 분사판은, 중앙 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 가장자리 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되도록 제공되며,
상기 제 2 분사판에는,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀과;
상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치된 제 2 가변홀과;
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치된 제 3 가변홀이 형성되되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고,
상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우, 상기 제 2 가변홀은, 상기 제 1 고정홀과 대향되도록 제공되고,
상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치와 상이한 제 3 위치에 위치하는 경우, 상기 제 3 가변홀은, 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되며,
상기 제 1 위치, 상기 제 2 위치 및 상기 제 3 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치인 배플 어셈블리.
삭제
제 20 항에 있어서,
상기 제 1 분사판은 공정 챔버에 고정되도록 제공되는 배플 어셈블리.
삭제
서로 상하로 적층된 제 1 분사판 및 제 2 분사판과;
상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동 유닛을 가지되,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 기판의 영역별 플라즈마 또는 가스의 분사량을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 제 1 분사판은, 중앙 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 가장자리 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되도록 제공되며,
상기 제 2 분사판에는,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀과;
상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치된 제 2 가변홀이 형성되되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 1 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고,
상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우, 상기 제 2 가변홀은, 상기 제 1 고정홀과 대향되도록 제공되며,
상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치인 배플 어셈블리.
서로 상하로 적층된 제 1 분사판 및 제 2 분사판과;
상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동 유닛을 가지되,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 기판의 영역별 플라즈마 또는 가스의 분사량을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 제 1 분사판은, 중앙 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 가장자리 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되도록 제공되며,
상기 제 2 분사판에는,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀과;
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치된 제 3 가변홀이 형성되되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 1 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고,
상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 3 위치에 위치하는 경우, 상기 제 3 가변홀은, 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되며,
상기 제 1 위치 및 상기 제 3 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치인 배플 어셈블리.
제 20 항에 있어서,
상기 제 1 분사판에는,
상기 제 1 분사판의 중앙 영역과 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역의 사이 영역에 배치된 제 3 고정홀이 더 형성되고,
상기 제 2 분사판에는,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역과 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역의 사이 영역에 배치된 제 4 고정홀이 더 형성되되,
상기 제 4 고정홀은,
상기 제 2 분사판이 상기 제 2 위치 또는 상기 제 3 위치에 위치하는 경우, 상기 제 3 고정홀과 대향되도록 제공되는 배플 어셈블리.
서로 상하로 적층된 제 1 분사판 및 제 2 분사판과;
상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동 유닛을 가지되,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 기판의 영역별 플라즈마 또는 가스의 분사량을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 제 1 분사판은, 중앙 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 가장자리 영역에 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되도록 제공되며,
상기 제 2 분사판은,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역 및 가장자리 영역에 배치된 제 1 가변홀 및 제 5 가변홀을 가지되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 제 1 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되고,
상기 제 2 분사판이 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우, 상기 제 5 가변홀은, 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀과 대향되도록 제공되며,
상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치는 상기 제 2 분사판의 회전에 의해 변경되는 상기 제 2 분사판의 위치이되,
상기 제 1 가변홀은 상기 제 1 고정홀 및 상기 제 2 고정홀 보다 그 크기가 동일하거나 작게 제공되고,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치된 상기 제 5 가변홀과, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치된 제 5 가변홀은 그 크기가 서로 상이하게 형성되는 배플 어셈블리.