JP2015119177A

JP2015119177A - バッフルアセンブリー及びこれを有する基板処理装置

Info

Publication number: JP2015119177A
Application number: JP2014232965A
Authority: JP
Inventors: スンチャ，ヒ; Hee Sun Chae; ヒチョ，ジョン; Jeong Hee Cho; シイ，ジョン; Jong Sik Lee; サムイ，ハン; Han Saem Lee; ジュンキム，ヒュン; Hyun Joon Kim
Original assignee: PSK Inc
Current assignee: PSK Inc
Priority date: 2013-12-16
Filing date: 2014-11-17
Publication date: 2015-06-25
Anticipated expiration: 2034-11-17
Also published as: JP5902795B2; KR101505948B1; TWI555081B; TW201526102A

Abstract

【課題】１つのバッフルアセンブリーを利用して１つの装備で最適のプラズマ又はガスの噴射均一度を調節できる基板処理装置が提供される。【解決手段】本発明による基板処理装置は工程チャンバー、基板支持ユニット、ガス供給ユニット、プラズマソース、及びバッフルアセンブリー等を含む。バッフルアセンブリーはチャンバー内に固定された第１噴射板及び第１噴射板と上下方向に結合されてその中心を軸として回転が可能である第２噴射板とを含む。バッフルアセンブリーは第２噴射板の回転角度によって工程チャンバー内に提供された基板の領域別にプラズマ又はガスの噴射量を調節する。【選択図】図２

Description

本発明は基板処理装置に関し、より詳細にはプラズマを利用して基板を処理する装置に関する。

半導体素子の製造のためにはウエハのような半導体基板上に蒸着、写真、蝕刻、アッシング、洗浄、研磨等の多様な工程が要求される。これらの中で、蒸着、蝕刻、及びアッシング工程のように多い工程はチャンバー内でプラズマ又はガスを利用してウエハのような半導体基板を処理する。

図１は一般的なプラズマを利用する基板処理装置を示した断面図である。

図１を参照すれば、一般的な基板処理装置はガス供給ユニット１１を通じて工程チャンバー１２の内部に注入されたガスがプラズマソース１３によってプラズマに変換される。プラズマソースによって生成されたプラズマは工程チャンバー１２内のバッフル１４を通じて基板１５の上部に供給される。

基板処理装置でプラズマの均一度を向上させるためにバッフル１４には複数個のホールが形成される。しかし、基板処理装置の工程処理室１６内の構造とプラズマの流れ等によって基板１５に対するプラズマ処理工程率の均一度が低下される問題点が惹起される。

バッフル１４は噴射ホールの位置と数等の変化にしたがって工程の均一度を制御することができる。しかし、１つの装備で最適の条件を探すために一般的に噴射ホールの位置と数等が異なる多数のバッフルを交替して使用しなければならないので、その分の時間と費用が追加される。

また、同一の装備、又は同一のプラズマ発生装置で多様な工程ガスの使用する時、プラズマプロフィール（Ｐｌａｓｍａｐｒｏｆｉｌｅ）が変化されるようになる。この場合、一般的なバッフルを使用する場合、工程均一度に影響を与える。

特許公開第２０１２−００７４８７７号

本発明の目的は１つのバッフルアセンブリーを利用して１つの装備で最適のプラズマ又はガスの噴射均一度を調節できる基板処理装置を提供することにある。

また、本発明の他の目的は１つのバッフルアセンブリーを利用して多様な基板処理装置で最適のプラズマ又はガスの噴射均一度を制御できるバッフルアセンブリーを提供することにある。

本発明が解決しようとする課題はここに制限されなく、言及されないその他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解される。

本発明は基板処理装置を提供する。一実施形態によれば、基板処理装置は、工程チャンバーと、前記工程チャンバー内で基板を支持するように提供された基板支持ユニットと、前記工程チャンバー内の前記基板支持ユニットの上部に位置され、互いに上下に積層された第１噴射板と第２噴射板、及び前記第２噴射板をその中心を軸として回転させるための駆動ユニットを有するバッフルアセンブリーと、前記第１噴射板及び前記第２噴射板の上部にガスを供給するガス供給ユニットと、を具備し、前記バッフルアセンブリーは、前記第２噴射板の回転角度によって前記基板の領域別にプラズマ又はガスの噴射量を調節できるように提供される。

なお、前記第１噴射板の中央領域には、上下方向に貫通する第１固定ホールが形成され、前記第１噴射板の縁領域には、上下方向に貫通する第２固定ホールが形成される。

なお、前記第２噴射板には、前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホールと、前記第２噴射板の中央領域に配置された第２可変ホールと、前記第２噴射板の縁領域に配置された第３可変ホールと、が形成され、前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、前記第２噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第２位置に位置する場合、前記第２可変ホールは、前記第１固定ホールと対向されるように提供され、前記第２噴射板が前記第１位置及び前記第２位置と異なる第３位置に位置する場合、前記第３可変ホールは、前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第１位置、前記第２位置、及び前記第３位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置である。

なお、前記第１固定ホールの中の一部と前記第２固定ホールの中の一部とは、前記第１噴射板の半径方向に一列に提供され、前記第１可変ホールの中の一部、前記第２可変ホールの中の一部、及び前記第３可変ホールの中の一部は、前記第２噴射板の半径方向に各々一列に提供される。

他の実施形態によれば、前記第２噴射板には、前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホールと、前記第２噴射板の中央領域に配置された第２可変ホールと、が形成され、前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、前記第１噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第２位置に位置する場合、前記第２可変ホールは、前記第１固定ホールと対向されるように提供され、前記第１位置及び前記第２位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置である。

なお、前記第１固定ホールの中の一部と前記第２固定ホールの中の一部とは、前記第１噴射板の半径方向に一列に提供され、前記第１可変ホールの中の一部及び前記第２可変ホールの中の一部は、前記第２噴射板の半径方向に各々一列に提供される。

その他の実施形態によれば、前記第２噴射板には、前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホールと、前記第２噴射板の縁領域に配置された第３可変ホールと、が形成され、前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、前記第１噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第３位置に位置する場合、前記第３可変ホールは、前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前
記第１位置及び前記第３位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される。

その他の実施形態によれば、前記第１噴射板には、前記第１噴射板の中央領域と前記第１噴射板の縁領域との間の領域であるミドル領域に配置された第３固定ホールがさらに形成され、前記第２噴射板には、前記第２噴射板の中央領域と前記第２噴射板の縁領域との間の領域であるミドル領域に配置された第４可変ホールがさらに形成され、前記第４可変ホールは、前記第２噴射板が前記第２位置又は前記第３位置に位置する場合、前記第３固定ホールと対向されるように提供される。

なお、前記第１固定ホールの中の一部、前記第２固定ホールの中の一部、及び前記第３固定ホールの中の一部は、前記第１噴射板の半径方向に一列に提供され、前記第１可変ホールの中の一部は、前記第２噴射板の半径方向に一列に提供され、前記第４可変ホールの中の一部は、前記第２可変ホールの中の一部又は前記第３可変ホールの中の一部と前記第２噴射板の半径方向に各々一列に提供される。

その他の実施形態によれば、前記第２噴射板は、前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホール及び第５可変ホールを有し、前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、前記第２噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第２位置に位置する場合、前記第５可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第１位置及び前記第２位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置であり、前記第１可変ホール及び第５可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールよりその大きさが同一であるか、或いは小さく提供され、前記第２噴射板の中央領域に配置された前記第５可変ホールと、前記第２噴射板の縁領域に配置された第５可変ホールとは、その大きさが互いに異なるように形成される。

なお、前記第１固定ホールの中の一部と前記第２固定ホールの中の一部とは、前記第１噴射板の半径方向に一列に提供され、前記第１可変ホールの中の一部及び前記第５可変ホールの中の一部は、前記第２噴射板の半径方向に各々一列に提供される。

なお、本発明はバッフルアセンブリーを提供する。一実施形態によれば、バッフルアセンブリーは、互いに上下に積層された第１噴射板及び第２噴射板と、前記第２噴射板をその中心を軸として回転させるための駆動ユニットと、を有し、前記第２噴射板の回転角度によって基板の領域別にプラズマ又はガスの噴射量を調節できるように提供される。

なお、前記第１噴射板の中央領域には上下方向に貫通する第１固定ホールが形成され、前記第１噴射板の縁領域には上下方向に貫通する第２固定ホールが形成される。

なお、前記第２噴射板には、前記第２噴射板には、前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホールと、前記第２噴射板の中央領域に配置された第２可変ホールと、前記第２噴射板の縁領域に配置された第３可変ホールと、が形成され、前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、前記第２噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第２位置に位置する場合、前記第２可変ホールは、前記第１固定ホールと対向されるように提供され、前記第２噴射板が前記第１位置及び前記第２位置と異なる第３位置に位置する場合、前記第３可変ホールは、前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第１位置、前記第２位置、及び前記第３位置
は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置である。

その他の実施形態によれば、前記第２噴射板には、前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホールと、前記第２噴射板の縁領域に配置された第３可変ホールと、が形成され、前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、前記第１噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第３位置に位置する場合、前記第３可変ホールは、前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第１位置及び前記第３位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置である。

その他の実施形態によれば、前記第１噴射板には、前記第１噴射板の中央領域と前記第１噴射板の縁領域との間の領域に配置された第３固定ホールがさらに形成され、前記第２噴射板には、前記第２噴射板の中央領域と前記第２噴射板の縁領域との間の領域に配置された第４固定ホールがさらに形成され、前記第４固定ホールは、前記第２噴射板が前記第２位置又は前記第３位置に位置する場合、前記第３固定ホールと対向されるように提供される。

その他の実施形態によれば、前記第２噴射板は、前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホール及び第５可変ホールを有し、前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、前記第２噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第２位置に位置する場合、前記第５可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、前記第１位置及び前記第２位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置であり、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールよりその大きさが同一であるか、或いは小さく提供され、前記第２噴射板の中央領域に配置された前記第５可変ホールと、前記第２噴射板の縁領域に配置された第５可変ホールは、その大きさが互いに異なるように形成される。

本発明の実施形態による基板処理装置及びバッフルアセンブリーは基板処理工程の時、ガス噴射板の領域別ガス又はプラズマ噴射量を調節することができる。

また、本発明の実施形態による基板処理装置及びバッフルアセンブリーは基板処理工程の時、ガス噴射板の全体領域のガス又はプラズマ噴射量を調節することができる。

一般的な基板処理装置を示す断面図である。本発明の一実施形態による基板処理装置を示す断面図である。図２の駆動ユニット及び第２噴射板の一部を示した斜視図である。図２の第１噴射板を示す平面図である。図２の第２噴射板を示す平面図である。図５の第２噴射板の回転による図４の第１固定ホール及び第２固定ホールが開閉される形態を示す平面図である。図５の第２噴射板の回転による図４の第１固定ホール及び第２固定ホールが開閉される形態を示す平面図である。図５の第２噴射板の回転による図４の第１固定ホール及び第２固定ホールが開閉される形態を示す平面図である。図２の第２噴射板の他の実施形態を示す平面図である。図９の第２噴射板の回転による図４の第１固定ホール及び第２固定ホールが開閉される形態を示す平面図である。図９の第２噴射板の回転による図４の第１固定ホール及び第２固定ホールが開閉される形態を示す平面図である。図２の第２噴射板のその他の実施形態を示す平面図である。図１２の第２噴射板の回転による図４の第１固定ホール及び第２固定ホールが開閉される形態を示す平面図である。図１２の第２噴射板の回転による図４の第１固定ホール及び第２固定ホールが開閉される形態を示す平面図である。図２の第２噴射板のその他の実施形態を示す平面図である。図１５の第２噴射板の回転による図４の第１固定ホール及び第２固定ホールの噴射率が調節される形態を示す平面図である。図１５の第２噴射板の回転による図４の第１固定ホール及び第２固定ホールの噴射率が調節される形態を示す平面図である。第３固定ホールをさらに含む図２の第１噴射板を示す平面図である。図２の第２噴射板のその他の実施形態を示す平面図である。図１９の第２噴射板の回転による図１８の第１乃至第３固定ホールが開閉される形態を示す平面図である。図１９の第２噴射板の回転による図１８の第１乃至第３固定ホールが開閉される形態を示す平面図である。図１９の第２噴射板の回転による図１８の第１乃至第３固定ホールが開閉される形態を示す平面図である。その他の実施形態による図２の駆動ユニット及び第２噴射板の一部を示した斜視図である。第２噴射板が第１噴射板内部に提供されたバッフルアセンブリーの一部を切断した斜視図である。第２噴射板が第１噴射板の下端に結合された基板処理装置を示した断面図である。

以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることとして解釈されない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている。

本発明の実施形態で基板１０は半導体ウエハである。しかし、これに限定されなく、基板１０はガラス基板等のように他の種類の基板であってもよい。

また、本発明の実施形態で基板処理装置はプラズマ又はガスを利用してアッシング、蒸着、又は蝕刻等の工程を遂行する装置である。

以下では本発明の一実施形態による基板処理装置１に関して説明する。

図２は本発明の一実施形態による基板処理装置１を示した断面図である。図２を参考すれば、基板処理装置１は工程チャンバー１００、基板支持ユニット２００、ガス供給ユニット３００、プラズマソース４００、及びバッフルアセンブリー５００を有する。

工程チャンバー１００は処理室１２０とプラズマ発生室１４０とを有する。処理室１２０はプラズマによって基板１０が処理される空間を提供する。プラズマ発生室１４０は工程ガスからプラズマが発生される空間を提供する。

処理室１２０は内部に上部が開放された空間を有する。処理室１２０は大体に円筒形状に提供される。処理室１２０の側壁には基板流入口（図示せず）が形成される。基板１０は基板流入口を通じて処理室１２０の内部に出入する。基板流入口（図示せず）はドア（図示せず）のような開閉部材によって開閉される。処理室１２０の底面には排気ホール１２２が形成される。排気ホール１２２には排気ライン１２４が連結される。排気ライン１２４にはポンプ１２６が設置される。ポンプ１２６は処理室１２０内の圧力を工程圧力に調節する。処理室１２０内の残留ガス及び反応副産物は排気ライン１２４を通じて処理室１２０の外部へ排出される。

プラズマ発生室１４０は処理室１２０の外部に位置する。一例によれば、プラズマ発生室１４０は処理室１２０の上部に位置され、処理室１２０に結合される。プラズマ発生室１４０は放電室１４２と拡散室１４４とを有する。放電室１４２と拡散室１４４とは上下方向に順次的に提供される。放電室１４２は中空の円筒状を有する。上部から見る時、放電室１４２内の空間は処理室１２０内の空間より狭く提供される。放電室１４２内でガスからプラズマが発生される。拡散室１４４内の空間は下に行くほど、漸進的に広くなる部分を有する。拡散室１４４の下端は処理室１２０の上端と結合され、これらの間には外部との密閉のためにシーリング部材（図示せず）が提供される。

工程チャンバー１００は導電性材質で提供される。工程チャンバー１００は接地ライン１２３を通じて接地される。

基板支持ユニット２００は基板１０を支持する。基板支持ユニット２００は支持板２２０と支持軸２４０とを有する。

支持板２２０は処理室１２０内に位置され、円板状に提供される。支持板２２０は支持軸２４０によって支持される。基板１０は支持板２２０の上面に置かれる。支持板２２０の内部には電極（図示せず）が提供され、基板１０は靜電気力又は機具的クランプによって支持板２２０に支持される。

ガス供給ユニット３００は放電室１４２の上部に提供される。ガス供給ユニット３００は１つ又は複数個が提供される。ガス供給ユニット３００はガス供給ライン３２０、ガス格納部３４０、及びガスポート３６０を有する。

ガス供給ライン３２０はガスポート３６０に連結される。ガスポート３６０は放電室１４２の上部に結合される。ガスポート３６０を通じて供給されたガスは放電室１４２に流入され、放電室１４２でプラズマに励起される。

プラズマソース４００は放電室１４２でガス供給ユニット３００によって供給されたガスからプラズマを発生させる。一例によれば、プラズマソース４００は誘導結合型プラズマソースであってもよい。プラズマソース４００はアンテナ４２０と電源４４０とを有する。

アンテナ４２０は放電室１４２の外部に提供され、放電室１４２の側面を複数回囲むように提供される。アンテナ４２０の一端は電源４４０に連結され、他端は接地される。

電源４４０はアンテナ４２０に電力を印加する。一例によれば、電源４４０はアンテナ４２０に高周波電力を印加する。

バッフルアセンブリー５００は第１噴射板５２０、第２噴射板５４０、及び駆動ユニット５６０を有する。バッフルアセンブリー５００は処理室１２０の上端に提供される。ガス供給ユニット３００から供給されたガス又はプラズマソース４００によって発生されたプラズマはバッフルアセンブリー５００によって基板支持ユニット２００の上部に噴射される。バッフルアセンブリー５００は第１噴射板５２０又は第２噴射板５４０の底面の領域別ガス又はプラズマ噴射量を調節することができる。バッフルアセンブリー５００は接地される。バッフルアセンブリー５００は工程チャンバー１００に接触されるように提供されて、工程チャンバー１００を通じて接地される。第２噴射板５４０及び第１噴射板５２０は上下方向に順次に提供される。

駆動ユニット５６０は第２噴射板５４０をその中心を軸として回転させるように提供される。駆動ユニット５６０は拡散室１４４の上面の縁領域に拡散室１４４の上面を貫通するように提供される。駆動ユニット５６０は駆動ギヤ５６２、連結部材５６４、及びモーター５６６を有する。

駆動ギヤ５６２は連結部材５６４によって伝達された駆動力を第２噴射板５４０に伝達する。図３は図２の駆動ギヤ５６２を説明するための駆動ギヤ５６２及び第２噴射板５４０の一部を示した斜視図である。図３を参考すれば、駆動ギヤ５６２は第２噴射板５４０の側面に提供されたギヤに噛み合うように提供される。駆動ギヤ５６２はその側面にギヤが形成された円板形態に提供される。駆動ギヤ５６２の上面の中心には連結部材５６４が連結される。

連結部材５６４はモーター５６６によって発生された駆動力を駆動ギヤ５６２に伝達する。再び図２を参考すれば、連結部材５６４は拡散室１４４の上面を貫通するように提供される。連結部材５６４の上端にはモーター５６６が連結される。

モーター５６６は第２噴射板５４０を回転させるための駆動力を発生させる。モーター５６６は拡散室１４４上面の縁部分に提供される。

一実施形態によれば、第１噴射板５２０は処理室１２０の上端に固定されるように提供される。第１噴射板５２０は処理室１２０上端の内側直径より大きい直径に提供される。

図４は第１噴射板５２０を上部から見た図面である。図４を参考すれば、第１噴射板５２０は円板状に提供される。第１噴射板５２０には第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４が形成される。第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４は、第１噴射板５２０を上下方向に貫通するように形成される。第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４は、上部から見る時、大体に円形状を有し、互いに同一の大きさに形成される。第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４は、各々複数個に提供される。

第１固定ホール５２２は第１噴射板５２０の中央領域ｓ１１に形成される。第２固定ホール５２４は第１噴射板５２０の縁領域ｓ１２に形成される。第１固定ホールｓ１１の中の一部と第２固定ホールｓ１２の中の一部とは、第１噴射板５２０の半径方向に一列に提供される。第１固定ホールｓ１１の中の一部及び第２固定ホールｓ１２の中の一部が配列された列５２８は複数個が提供される。各々の列５２８は第１噴射板５２０の中心を基準として互いに一定な角度をなすように配列される。

図５は第２噴射板５４０を上部から見た図面である。図５を参考すれば、第２噴射板５４０は円板状に提供され、その側面にはギヤが提供される。第２噴射板５４０には、第１可変ホール５４１、第２可変ホール５４２、及び第３可変ホール５４３が形成される。第１可変ホール５４１、第２可変ホール５４２、及び第３可変ホール５４３は第２噴射板５４０を上下方向に貫通するように形成される。第１可変ホール５４１、第２可変ホール５４２及び第３可変ホール５４３は各々上部から見る時、大体に円形状を有し、互いに同一の大きさに形成される。第１可変ホール５４１、第２可変ホール５４２及び第３可変ホール５４３はその大きさが第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４の大きさと同一であるか、或いは小さく提供される。第１可変ホール５４１、第２可変ホール５４２、及び第３可変ホール５４３は各々複数個に提供される。第１可変ホール５４１の中の一部、第２可変ホール５４２の中の一部、及び第３可変ホール５４３の中の一部は第２噴射板５４０の半径方向に各々一列に配列される。第１可変ホール５４１の中の一部、第２可変ホール５４２の中の一部及び第３可変ホール５４３の中の一部が各々配列された列５４８は各々複数個が提供される。第１可変ホール５４１の中の一部、第２可変ホール５４２の中の一部、又は第３可変ホール５４３の中の一部に各々構成された各々の列５４８は第２噴射板５４０の中心を基準として各々一定な角度をなすように配列される。

第１可変ホール５４１は第２噴射板５４０の中央領域ｓ２１及び縁領域ｓ２２に形成される。

第２可変ホール５４２は第２噴射板５４０の中央領域ｓ２１に形成される。第２可変ホール５４２の中の一部が配列された各列５４８ｂは第２噴射板５４０の中心を基準として第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａと一定な角度をなすように配列される。第２可変ホール５４２の中の一部が配列された列５４８ｂと第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａとがなす角度はその大きさが第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａの間の角度より小さく提供される。

第３可変ホール５４３は第２噴射板５４０の縁領域ｓ２２に形成される。第３可変ホール５４３の中の一部が配列された各列５４８ｃは第２噴射板５４０の中心を基準として第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａと一定な角度をなすように配列される。第３可変ホール５４３の中の一部が配列された列５４８ｃと第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａとがなす角度はその大きさが第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａの間の角度より小さく提供される。

第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａと第３可変ホール５４３の中の一部が配列された列５４８ｃとの間の角度は第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａと第３可変ホール５４３の中の一部が配列された列５４８ｃとの間の角度と異なるように提供される。第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａと第３可変ホール５４３の中の一部が配列された列５４８ｃとの間の角度と、第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａと第３可変ホール５４３の中の一部が配列された列５４８ｃとの間の角度とは第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａを基準としてその大きさは同一であるが方向は異なるように提供される。

再び図２を参考すれば、第２噴射板５４０は第１噴射板５２０の下面と第２噴射板５４０の上面とが隣接されるように提供される。第２噴射板５４０はその中心を軸として回転できるように提供される。

以下、図５の第２噴射板５４０の回転によって第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を説明する。

図６乃至図８は図５の第１噴射板５２０及び第２噴射板５４０が上下方向に順次的に結合された形態を上部から見た図面である。図６乃至図８を参考すれば、第２噴射板５４０の中央領域ｓ２１は第１噴射板５２０の中央領域ｓ１１に対向され、第２噴射板５４０の縁領域ｓ２２は第１噴射板５２０の縁領域ｓ１２に対向される。

図６は第２噴射板５４０が第１位置に位置する場合、第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を示した図面である。図６を参考すれば、第２噴射板５４０が第１位置に位置する場合、第１可変ホール５４１は、第１固定ホール５２２、及び第２固定ホール５２４と対向されるように位置される。したがって、第１固定ホール５２１及び第２固定ホール５２２は開放される。

図７は第２噴射板５４０が第２位置に位置する場合、第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を示した図面である。図７を参考すれば、第２位置は第２噴射板５４０を第１位置を基準として右回りに所定の角度に回転させた位置である。第２噴射板５４０が第２位置に位置する場合、第２可変ホール５４２は、第１固定ホール５２２と対向されるように位置される。したがって、第１固定ホール５２２は開放され、第２固定ホール５２４は閉じる。

図８は第２噴射板５４０が第３位置に位置する場合、第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を示した図面である。図８を参考すれば、第３位置は第２噴射板５４０を第１位置を基準として反時計回りに所定の角度に回転させた位置である。第２噴射板５４０が第３位置に位置する場合、第３可変ホール５４３は、第２固定ホール５２４と対向されるように位置される。したがって、第２固定ホール５２４は開放され、第１固定ホール５２２は閉じる。

図９は図２の第２噴射板５４０の他の実施形態を示した図面である。図９を参考すれば、第２噴射板５４０は可変ホールの配置を除外すれば、図５の第２噴射板５４０と同一の構造、機能、形状等を有する。第２噴射板５４０には第１可変ホール５４１及び第２可変ホール５４２が形成される。第１可変ホール５４１及び第２可変ホール５４２は各々複数個に提供される。第１可変ホール５４１の中の一部及び第２可変ホール５４２の中の一部は第２噴射板５４０の半径方向に各々一列に配列される。第１可変ホール５４１の中の一部及び第２可変ホール５４２の中の一部が各々配列された列５４８は各々複数個が提供される。第１可変ホール５４１の中の一部及び第２可変ホール５４２の中の一部に各々構成された各々の列５４８は第２噴射板５４０の中心を基準として各々一定な角度をなすように配列される。

第２可変ホール５４２は第２噴射板５４０の中央領域ｓ２１に形成される。第２可変ホール５４２の中の一部が配列された各列５４８ｂは第２噴射板５４０の中心を基準として第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａと一定な角度をなすように配列
される。第２可変ホール５４２の中の一部が配列された列５４８ｂと第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａとがなす角度はその大きさが第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａ間の角度より小さく提供される。

以下、図９の第２噴射板５４０の回転によって第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を説明する。

図１０乃至図１１は第１噴射板５２０及び図９の第２噴射板５４０が上下方向に順次的に結合された形態を上部から見た図面である。

図１０は第２噴射板５４０が第１位置に位置する場合、第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を示した図面である。図１０を参考すれば、第２噴射板５４０が第１位置に位置する場合、第１可変ホール５４１は第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４と対向されるように位置される。したがって、第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４は開放される。

図１１は第２噴射板５４０が第２位置に位置する場合、第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を示した図面である。図１１を参考すれば、第２噴射板５４０が第２位置に位置する場合、第２可変ホール５４２は第１固定ホール５２２と対向されるように位置される。したがって、第１固定ホール５２２は開放され、第２固定ホール５２４は閉じる。

図１２は図２の第２噴射板５４０のその他の実施形態を示した図面である。図１２を参考すれば、第２噴射板５４０は可変ホールの配置を除外すれば、図５の第２噴射板５４０と同一の構造、機能、及び形状等を有する。第２噴射板５４０には第１可変ホール５４１及び第３可変ホール５４３が形成される。第１可変ホール５４１及び第３可変ホール５４３は各々複数個に提供される。第１可変ホール５４１の中の一部及び第２可変ホール５４３の中の一部は第２噴射板５４０の半径方向に各々一列に配列される。第１可変ホール５４１の中の一部及び第３可変ホール５４３の中の一部が各々配列された列５４８は各々複数個が提供される。第１可変ホール５４１の中の一部及び第３可変ホール５４３の中の一部に各々構成された各々の列５４８は第２噴射板５４０の中心を基準として各々一定な角度をなすように配列される。

第３可変ホール５４３は第２噴射板５４０の縁領域ｓ２２に形成される。第３可変ホール５４３の中の一部が配列された各列５４８ｃは第２噴射板５４０の中心を基準として第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａと一定な角度をなすように配列される。第３可変ホール５４３の中の一部が配列された列５４８ｃと第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａとがなす角度はその大きさが第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａ間の角度より小さく提供される。

以下、図１２の第２噴射板５４０の回転によって第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を説明する。

図１３乃至図１４は第１噴射板５２０及び図１２の第２噴射板５４０が上下方向に順次的に結合された形態を上部から見た図面である。

図１３は第２噴射板５４０が第１位置に位置する場合、第１噴射板５２０の噴射ホール
が開閉される形態を示した図面である。図１３を参考すれば、第２噴射板５４０が第１位置に位置する場合、第１可変ホール５４１は第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４と対向されるように位置される。したがって、第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４は開放される。

図１４は第２噴射板５４０が第３位置に位置する場合、第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を示した図面である。図１４を参考すれば、第２噴射板５４０が第３位置に位置する場合、第３可変ホール５４３は第２固定ホール５２４と対向されるように位置される。したがって、第２固定ホール５２４は開放され、第１固定ホール５２２は閉じる。

図１５は図２の第２噴射板５４０の他の実施形態を示した図面である。図１５を参考すれば、第２噴射板５４０は可変ホールの配置及び大きさを除外すれば、図５の第２噴射板５４０と同一の構造、機能、及び形状等を有する。第２噴射板５４０には第１可変ホール５４１及び第５可変ホール５４５が形成される。

第１可変ホール５４１及び第５可変ホール５４５は各々複数個に提供される。第１可変ホール５４１の中の一部及び第５可変ホール５４５の中の一部は第２噴射板５４０の半径方向に各々一列に配列される。第１可変ホール５４１の中の一部及び第５可変ホール５４５の中の一部が各々配列された列５４８は各々複数個が提供される。第１可変ホール５４１の中の一部及び第５可変ホール５４５の中の一部に各々構成された各々の列５４８は第２噴射板５４０の中心を基準として各々一定な角度をなすように配列される。

第１可変ホール５４１は第２噴射板５４０の中央領域ｓ２１及び縁領域ｓ２２に形成される。第１可変ホール５４１は第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４よりその大きさが同一であるか、或いは小さく提供される。

第５可変ホール５４５は第２噴射板５４０の中央領域ｓ２１及び縁領域ｓ２２に形成される。第５可変ホール５４５の中の一部が配列された各列５４８ｅは第２噴射板５４０の中心を基準として第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａと一定な角度をなすように配列される。第５可変ホール５４５の中の一部が配列された列５４８ｅと第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａとがなす角度はその大きさが第１可変ホール５４１の中の一部が配列された列５４８ａ間の角度より小さく提供される。第５可変ホール５４５は第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４よりその大きさが同一であるか、或いは小さく提供される。第２噴射板５４０の中央領域ｓ２１に配置された第５可変ホール５４５と、第２噴射板５４０の縁領域ｓ２２に配置された第５可変ホールとはその大きさが互いに異なるように形成される。

以下、図１５の第２噴射板５４０の回転によって第１噴射板５００の領域別の噴射量が調節される形態を説明する。

図１６乃至図１７は第１噴射板５２０及び図１５の第２噴射板５４０が上下方向に順次的に結合された形態を上部から見た図面である。

図１６は第２噴射板５４０が第１位置に位置する場合、第１噴射板５２０の領域別噴射量を説明するための図面である。図１６を参考すれば、第２噴射板５４０が第１位置に位置する場合、第１可変ホール５４１は第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４と対向されるように位置される。したがって、第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４は開放される。第１可変ホール５４１はその大きさが互いに同様に提供される。したがって、第１固定ホール５２２を通じたガス又はプラズマの噴射量と第２固定ホール５２
４を通じたガス又はプラズマの噴射量は同一である。

図１７は第２噴射板５４０が第２位置に位置する場合、第１噴射板の領域別の噴射量を説明するための図面である。図１７を参考すれば、第２噴射板５４０が第２位置に位置する場合、第５可変ホール５４５は第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４と対向されるように位置する。したがって、第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４は開放され、第１固定ホール５２２を通じたガス又はプラズマの噴射量と第２固定ホール５２４を通じたガス又はプラズマの噴射量は異なる。

以下、図２のバッフルアセンブリー５００の他の実施形態に対して説明する。

図１８は図２の第１噴射板５２０の第３固定ホール５２６を説明するための図面である。図４の第１噴射板５２０は２つの領域を有する。これと異なりに第１噴射板５２０は３つの領域を有する。図１８を参考すれば、第１噴射板５２０は中央領域ｓ１１、縁領域ｓ１２、及びミドル領域ｓ１３を有する。ミドル領域ｓ１３は中央領域ｓ１１と縁領域ｓ１２との間に形成される。

第１噴射板５２０は第３固定ホール５２６がさらに形成される。第１噴射板５２０の全体的な形態は上述した実施形態と同様に提供される。

第３固定ホール５２６は大体に第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４と同一の大きさ及び同一の形状に形成される。第３固定ホール５２６は複数個に提供される。第３固定ホール５２６はミドル領域ｓ１３に形成される。第３固定ホール５２６の中の一部は第１固定ホール５２２の中の一部及び第２固定ホール５２４の中の一部と第１噴射板５２０の半径方向に一列に提供される。第３固定ホールの中の一部が配列された列は第１固定ホール５２２の中の一部及び第２固定ホール５２４の中の一部が配列された列と同じ数に提供される。

図１９は第２噴射板５４０のその他の一実施形態を示した図面である。図５、図９、図１２、及び図１５の第２噴射板５４０は２つの領域を有する。これと異なりに、第２噴射板５４０は３つの領域を有する。図１９を参考すれば、第２噴射板５４０は中央領域ｓ２１、縁領域ｓ２２、及びミドル領域ｓ２３を有する。ミドル領域ｓ２３は中央領域ｓ２１と縁領域ｓ２２との間に形成される。

第２噴射板５４０は第４可変ホール５４４の配置を除外すれば、図５の第２噴射板５４０と同一の構造、機能、及び形状等を有する。第２噴射板５４０には第４可変ホール５４４がさらに形成される。第４可変ホール５４４は複数個に提供される。第４可変ホール５４４の中の一部は第２可変ホール５４２及び第３可変ホール５４３と第２噴射板５４０の半径方向に一列に配列される。第４可変ホール５４４の中の一部が配列された列５４８ｄは複数個が提供される。第４可変ホール５４４の中の一部に各々構成された各々の列５４８ｄは第２噴射板５４０の中心を基準として各々一定な角度をなすように配列される。第４可変ホール５４１はミドル領域ｓ２３に形成される。

以下、図１９の第２噴射板５４０の回転によって第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を説明する。

図２０乃至図２２は第１噴射板５２０及び図１９の第２噴射板５４０が上下方向に順次的に結合された形態を上部から見た図面である。

図２０は第２噴射板５４０が第１位置に位置する場合、第１噴射板５２０の噴射ホール
が開閉される形態を示した図面である。図２０を参考すれば、第２噴射板５４０が第１位置に位置する場合、第１可変ホール５４１は第１固定ホール５２２、第２固定ホール５２４、及び第３固定ホール５２６と対向されるように位置される。したがって、第１固定ホール５２２、第２固定ホール５２４、及び第３固定ホール５２６は開放される。

図２１は第２噴射板５４０が第２位置に位置する場合、第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を示した図面である。図２１を参考すれば、第２噴射板５４０が第２位置に位置する場合、第２可変ホール５４２及び第２可変ホール５４２と一列に配列された第４可変ホール５４４は第１固定ホール５２２及び第３固定ホール５２６と対向されるように位置される。したがって、第１固定ホール５２２及び第３固定ホール５２６は開放され、第２固定ホール５２４は閉じる。

図２２は第２噴射板５４０が第３位置に位置する場合、第１噴射板５２０の噴射ホールが開閉される形態を示した図面である。図２２を参考すれば、第２噴射板５４０が第３位置に位置する場合、第３可変ホール５４３及び第３可変ホール５４３と一列に配列された第４可変ホール５４４は第２固定ホール５２４及び第３固定ホール５２６と対向されるように位置される。したがって、第２固定ホール５２４及び第３固定ホール５２６は開放され、第１固定ホール５２２は閉じる。

図２３は図２のバッフルアセンブリー５００のその他の実施形態を示した図面である。図２３を参考すれば、上述した実施形態と異なりに、駆動ユニット５６０は磁力を利用して第２噴射板５４０をその中心を軸として回転させる。

バッフルアセンブリー５００は駆動板５６２ａ及び第２噴射板５４０を除外すれば、図３のバッフルアセンブリー５００とその構造及び機能等が類似である。

第２噴射板５４０はその側部に複数個の磁石が提供される。磁石は永久磁石であってもよい。各々の磁石は直接密着された磁石と互いに異なる極性が第２噴射板５４０の半径方向に向かうように提供される。各々の磁石は第２噴射板５４０の中心を基準として一定な角度をなすように配列される。

駆動板５６２ａは図３の駆動ギヤ５６２が配置される位置に提供される。駆動板５６２ａは円板状に提供される。駆動板５６２ａはその側部に永久磁石が提供される。各々の磁石は直接密着された磁石と互いに異なる極性が第２噴射板５４０の半径方向に向かうように提供される。各々の磁石は駆動板５６２ａの中心を基準として一定な角度をなすように配列される。

駆動板５６２ａは駆動軸５６４によって伝達された駆動力によってその中心を軸として回転される。第２噴射板５４０は磁力によって駆動板５６２ａの回転によって一定な角度をなすように回転される。

駆動ユニット５６０は工程チャンバー１００の内側又は外側に提供される。

駆動ユニットは上述した図３及び図２３の駆動ユニット５６０の以外の多様な形態に提供される。

図２４は図２のバッフルアセンブリー５００のその他の実施形態を示した図面である。図２４を参考すれば、第２噴射板５４０は第１噴射板５２０の内部に提供される。

第１噴射板５２０は中空の円板状に提供される。第１噴射板５２０は上面５２０ａ、下
面５２０ｂ、及び上面５２０ａと下面５２０ｂを連結する側面５２０ｃを有する。上面５２０ａ及び下面５２０ｂには第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４が形成される。第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４は図４の第１固定ホール５２２及び第２固定ホール５２４と同一の形態に配置及び形成される。第１噴射板５２０の側面５２０ｃには開口５２０ｄが形成される。第２噴射板５４０はその側面のギヤが開口５２０ｄを通じて駆動ギヤ５６２と噛み合うように提供される。

第２噴射板５４０はその形態及び機能等が上述した実施形態と同様に提供される。

図２５は第２噴射板５４０が第１噴射板５２０の下部に結合された基板処理装置２を示した図面である。図２５を参考すれば、バッフルアセンブリー５００を除外すれば、図２の基板処理装置１と構成、機能、及び形態等が大体に類似である。

第２噴射板５４０が第１噴射板５２０の下部に結合される場合、バッフルアセンブリー５００は拡散室１４４の下端に提供される。バッフルアセンブリー５００の構成は図２のバッフルアセンブリー５００と同一である。但し、第１噴射板５２０は拡散室１４４の下端に固定されるように提供される。第１噴射板５２０及び第２噴射板５４０は上下方向に順次に提供される。

上述したように本発明による基板処理装置１、２は工程ガスの種類、工程ステップ又はその他の工程条件にしたがってバッフルアセンブリー５００下部の各領域別の噴射率を調節することによって、基板の表面にガス又はプラズマを均一に噴射することができる。

上述した実施形態は誘導結合プラズマソース方式ＩＣＰを利用する基板処理装置を利用して説明した。しかし、本発明の実施形態は容量結合プラズマソース方式ＣＣＰ又はリモートプラズマ方式等のすべての形態のプラズマソースに対して適用できる。

以上の詳細な説明は本発明を例示することに過ぎない。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとすることでない。また、添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことであって解釈されなければならない。

１００工程チャンバー、
２００基板支持ユニット、
３００ガス供給ユニット、
４００プラズマソース、
５００バッフルアセンブリー。

Claims

工程チャンバーと、
前記工程チャンバー内で基板を支持するように提供された基板支持ユニットと、
前記工程チャンバー内の前記基板支持ユニットの上部に位置され、互いに上下に積層された第１噴射板と第２噴射板、及び前記第２噴射板をその中心を軸として回転させるための駆動ユニットを有するバッフルアセンブリーと、
前記第１噴射板及び前記第２噴射板の上部にガスを供給するガス供給ユニットと、を具備し、
前記バッフルアセンブリーは、
前記第２噴射板の回転角度によって前記基板の領域別にプラズマ又はガスの噴射量を調節できるように提供される基板処理装置。
前記第１噴射板の中央領域には、上下方向に貫通する第１固定ホールが形成され、
前記第１噴射板の縁領域には、上下方向に貫通する第２固定ホールが形成される請求項１に記載の基板処理装置。
前記第２噴射板には、
前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホールと、
前記第２噴射板の中央領域に配置された第２可変ホールと、
前記第２噴射板の縁領域に配置された第３可変ホールと、が形成され、
前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、
前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、
前記第２噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第２位置に位置する場合、前記第２可変ホールは、前記第１固定ホールと対向されるように提供され、
前記第２噴射板が前記第１位置及び前記第２位置と異なる第３位置に位置する場合、前記第３可変ホールは、前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第１位置、前記第２位置、及び前記第３位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置である請求項２に記載の基板処理装置。
前記第１固定ホールの中の一部と前記第２固定ホールの中の一部とは、前記第１噴射板の半径方向に一列に提供され、
前記第１可変ホールの中の一部、前記第２可変ホールの中の一部、及び前記第３可変ホールの中の一部は、前記第２噴射板の半径方向に各々一列に提供される請求項３に記載の基板処理装置。
前記第２噴射板には、
前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホールと、
前記第２噴射板の中央領域に配置された第２可変ホールと、が形成され、
前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、
前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、
前記第１噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第２位置に位置する場合、前記第２可変ホールは、前記第１固定ホールと対向されるように提供され、
前記第１位置及び前記第２位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置である請求項２に記載の基板処理装置。
前記第１固定ホールの中の一部と前記第２固定ホールの中の一部とは、前記第１噴射板の半径方向に一列に提供され、
前記第１可変ホールの中の一部及び前記第２可変ホールの中の一部は、前記第２噴射板の半径方向に各々一列に提供される請求項５に記載の基板処理装置。
前記第２噴射板には、
前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホールと、
前記第２噴射板の縁領域に配置された第３可変ホールと、が形成され、
前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、
前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、
前記第１噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第３位置に位置する場合、前記第３可変ホールは、前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第１位置及び前記第３位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置である請求項２に記載の基板処理装置。
前記第１固定ホールの中の一部と前記第２固定ホールの中の一部とは、前記第１噴射板の半径方向に一列に提供され、
前記第１可変ホールの中の一部及び前記第３可変ホールの中の一部は、前記第２噴射板の半径方向に各々一列に提供される請求項７に記載の基板処理装置。
前記第１噴射板には、
前記第１噴射板の中央領域と前記第１噴射板の縁領域との間の領域であるミドル領域に配置された第３固定ホールがさらに形成され、
前記第２噴射板には、
前記第２噴射板の中央領域と前記第２噴射板の縁領域との間の領域であるミドル領域に配置された第４可変ホールがさらに形成され、
前記第４可変ホールは、
前記第２噴射板が前記第２位置又は前記第３位置に位置する場合、前記第３固定ホールと対向されるように提供される請求項３に記載の基板処理装置。
前記第１固定ホールの中の一部、前記第２固定ホールの中の一部、及び前記第３固定ホールの中の一部は、前記第１噴射板の半径方向に一列に提供され、
前記第１可変ホールの中の一部は、前記第２噴射板の半径方向に一列に提供され、
前記第４可変ホールの中の一部は、前記第２可変ホールの中の一部又は前記第３可変ホールの中の一部と前記第２噴射板の半径方向に各々一列に提供される請求項９に記載の基板処理装置。
前記第２噴射板は、
前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホール及び第５可変ホールを有し、
前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、
前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、
前記第２噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第２位置に位置する場合、前記第５可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第１位置及び前記第２位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置であり、
前記第１可変ホール及び前記第５可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールよりその大きさが同一であるか、或いは小さく提供され、
前記第２噴射板の中央領域に配置された前記第５可変ホールと、前記第２噴射板の縁領域に配置された前記第５可変ホールとは、その大きさが互いに異なるように形成される請求項２に記載の基板処理装置。
前記第１固定ホールの中の一部と前記第２固定ホールの中の一部とは、前記第１噴射板の半径方向に一列に提供され、
前記第１可変ホールの中の一部及び前記第５可変ホールの中の一部は、前記第２噴射板の半径方向に各々一列に提供される請求項１１に記載の基板処理装置。
前記第２噴射板は、その側端部にギヤが提供され、
前記駆動ユニットは、
前記ギヤに噛み合うように提供される駆動ギヤと、
前記第２噴射板を回転させるための駆動力を発生させるモーターと、
前記モーターで発生された駆動力を前記駆動ギヤに伝達させる連結部材と、を有する請求項１に記載の基板処理装置。
前記駆動ユニットは、磁力を利用して前記第２噴射板をその中心を軸として回転させるように提供される請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１噴射板は、前記工程チャンバーに固定されるように提供される請求項２に記載の基板処理装置。
前記第２噴射板は、前記第１噴射板の上部に提供される請求項１乃至請求項１０の何れか１つに記載の基板処理装置。
前記第２噴射板は、前記第１噴射板の下部に提供される請求項１乃至請求項１０の何れか一つに記載の基板処理装置。
前記第１噴射板は、中空の円板状に提供され、
前記第２噴射板は、前記第１噴射板の内部に提供される請求項１乃至請求項１０の何れか一つに記載の基板処理装置。
前記ガス供給ユニットと供給されたガスからプラズマを発生させるプラズマソースをさらに含む請求項１乃至請求項１０の何れか一つに記載の基板処理装置。
互いに上下に積層された第１噴射板及び第２噴射板と、
前記第２噴射板をその中心を軸として回転させるための駆動ユニットと、を有し、
前記第２噴射板の回転角度によって基板の領域別にプラズマ又はガスの噴射量を調節できるように提供されるバッフルアセンブリー。
前記第１噴射板の中央領域には上下方向に貫通する第１固定ホールが形成され、
前記第１噴射板の縁領域には上下方向に貫通する第２固定ホールが形成される請求項２０に記載のバッフルアセンブリー。
前記第１噴射板は、工程チャンバーに固定されるように提供される請求項２１に記載のバッフルアセンブリー。
前記第２噴射板には、
前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホールと、
前記第２噴射板の中央領域に配置された第２可変ホールと、
前記第２噴射板の縁領域に配置された第３可変ホールと、が形成され、
前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、
前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、
前記第２噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第２位置に位置する場合、前記第２可変ホールは、前記第１固定ホールと対向されるように提供され、
前記第２噴射板が前記第１位置及び前記第２位置と異なる第３位置に位置する場合、前記第３可変ホールは、前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第１位置、前記第２位置、及び前記第３位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置である請求項２１に記載のバッフルアセンブリー。
前記第２噴射板には、
前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホールと、
前記第２噴射板の中央領域に配置された第２可変ホールと、が形成され、
前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、
前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、
前記第１噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第２位置に位置する場合、前記第２可変ホールは、前記第１固定ホールと対向されるように提供され、
前記第１位置及び前記第２位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置である請求項２１に記載のバッフルアセンブリー。
前記第２噴射板には、
前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホールと、
前記第２噴射板の縁領域に配置された第３可変ホールと、が形成され、
前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、
前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、
前記第１噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第３位置に位置する場合、前記第３可変ホールは、前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第１位置及び前記第３位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置である請求項２１に記載のバッフルアセンブリー。
前記第１噴射板には、
前記第１噴射板の中央領域と前記第１噴射板の縁領域との間の領域に配置された第３固定ホールがさらに形成され、
前記第２噴射板には、
前記第２噴射板の中央領域と前記第２噴射板の縁領域との間の領域に配置された第４固定ホールがさらに形成され、
前記第４固定ホールは、
前記第２噴射板が前記第２位置又は前記第３位置に位置する場合、前記第３固定ホールと対向されるように提供される請求項２３に記載のバッフルアセンブリー。
前記第２噴射板は、
前記第２噴射板の中央領域及び縁領域に配置された第１可変ホール及び第５可変ホール
を有し、
前記第２噴射板の中央領域は、前記第１噴射板の中央領域に対向され、
前記第２噴射板の縁領域は、前記第１噴射板の縁領域に対向され、
前記第２噴射板が第１位置に位置する場合、前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第２噴射板が前記第１位置と異なる第２位置に位置する場合、前記第５可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールと対向されるように提供され、
前記第１位置及び前記第２位置は、前記第２噴射板の回転によって変更される前記第２噴射板の位置であり、
前記第１可変ホールは、前記第１固定ホール及び前記第２固定ホールよりその大きさが同一であるか、或いは小さく提供され、
前記第２噴射板の中央領域に配置された前記第５可変ホールと、前記第２噴射板の縁領域に配置された前記第５可変ホールは、その大きさが互いに異なるように形成される請求項２１に記載のバッフルアセンブリー。