JPH11307454A - ガス整流機構 - Google Patents
ガス整流機構Info
- Publication number
- JPH11307454A JPH11307454A JP10107877A JP10787798A JPH11307454A JP H11307454 A JPH11307454 A JP H11307454A JP 10107877 A JP10107877 A JP 10107877A JP 10787798 A JP10787798 A JP 10787798A JP H11307454 A JPH11307454 A JP H11307454A
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- Japan
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- gas
- semiconductor substrate
- processing
- plate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板が設置される処理室内への処理ガ
スを容易に制御するガス整流機構を提供する。 【解決手段】 ガス整流板６，７は、処理室５の対向す
るガス導入口３と上部電極８との間に少なくとも２以上
相対的に転回可能に設置し、ガス整流板６，７は、相対
的な回転角により処理室５への処理ガスの流量を制御す
る。
スを容易に制御するガス整流機構を提供する。 【解決手段】 ガス整流板６，７は、処理室５の対向す
るガス導入口３と上部電極８との間に少なくとも２以上
相対的に転回可能に設置し、ガス整流板６，７は、相対
的な回転角により処理室５への処理ガスの流量を制御す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板が設置
される処理室内への処理ガスを制御するガス整流機構に
関するものである。
される処理室内への処理ガスを制御するガス整流機構に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】処理室内への処理ガスを制御して半導体
基板の処理を行なう場合、半導体基板の処理速度の半導
体基板面内均一性を最良にする必要がある。
基板の処理を行なう場合、半導体基板の処理速度の半導
体基板面内均一性を最良にする必要がある。
【０００３】処理室内の圧力と処理ガスの流量とが一定
である場合、処理ガスが半導体基板の中央部で濃く、周
辺部で薄いときには、半導体基板の処理速度は、半導体
基板１の中央部で速く、周辺部で遅い。
である場合、処理ガスが半導体基板の中央部で濃く、周
辺部で薄いときには、半導体基板の処理速度は、半導体
基板１の中央部で速く、周辺部で遅い。
【０００４】反対に、処理ガスが半導体基板の中央部で
薄く、周辺部で濃いときには、半導体基板の処理速度
は、半導体基板の中央部で遅く、周辺部で速くなる。
薄く、周辺部で濃いときには、半導体基板の処理速度
は、半導体基板の中央部で遅く、周辺部で速くなる。
【０００５】したがって、半導体基板の処理速度の半導
体基板面内均一性を最良にするには、半導体基板上に決
まった処理ガスの濃度分布を確保する必要がある。
体基板面内均一性を最良にするには、半導体基板上に決
まった処理ガスの濃度分布を確保する必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来では、
半導体基板の処理速度の半導体基板面内均一性を最良に
するため、ガス整流板を用いており、ガス整流板を処理
条件毎に交換する必要がある。
半導体基板の処理速度の半導体基板面内均一性を最良に
するため、ガス整流板を用いており、ガス整流板を処理
条件毎に交換する必要がある。
【０００７】しかしながら、特に、真空処理室内で半導
体基板を処理する半導体基板製造装置の場合には、ガス
整流板を交換する際に真空状態を開放しなければなら
ず、復旧に多くの時間を費やすという問題がある。
体基板を処理する半導体基板製造装置の場合には、ガス
整流板を交換する際に真空状態を開放しなければなら
ず、復旧に多くの時間を費やすという問題がある。
【０００８】もし、ガス整流板を交換しないならば、あ
る程度の半導体基板面内均一性で妥協する必要がある。
る程度の半導体基板面内均一性で妥協する必要がある。
【０００９】本発明の目的は、半導体基板が設置される
処理室内への処理ガスを容易に制御するガス整流機構を
提供することにある。
処理室内への処理ガスを容易に制御するガス整流機構を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るガス整流機構は、ガス整流板を有し、
半導体基板が設置される処理室内への処理ガスを制御す
るガス整流機構であって、前記ガス整流板は、前記処理
室の対向するガス導入口と上部電極との間に少なくとも
２以上相対的に回転可能に設置されたものであり、該ガ
ス整流板は、相対的な回転角により前記処理室への処理
ガスの流量を制御するものである。
め、本発明に係るガス整流機構は、ガス整流板を有し、
半導体基板が設置される処理室内への処理ガスを制御す
るガス整流機構であって、前記ガス整流板は、前記処理
室の対向するガス導入口と上部電極との間に少なくとも
２以上相対的に回転可能に設置されたものであり、該ガ
ス整流板は、相対的な回転角により前記処理室への処理
ガスの流量を制御するものである。
【００１１】また、前記ガス整流板は、外部から操作可
能なものである。
能なものである。
【００１２】また、前記ガス整流板は、複数のガス導入
孔を有し、相手方のガス整流板との相対的な回転角によ
って一部のガス導入孔を相手方のガス整流板にて閉塞し
て流量を調整するものである。
孔を有し、相手方のガス整流板との相対的な回転角によ
って一部のガス導入孔を相手方のガス整流板にて閉塞し
て流量を調整するものである。
【００１３】また、前記ガス整流板は、複数のガス導入
孔を有し、相手方のガス整流板との相対的な回転角によ
ってガス導入孔の開口面積が制御され、流量を調整する
ものである。
孔を有し、相手方のガス整流板との相対的な回転角によ
ってガス導入孔の開口面積が制御され、流量を調整する
ものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１５】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係るガス整流機構を示す断面図、図２は、本発明の
実施形態１に係るガス整流機構に用いるガス整流板を示
す正面図である。
１に係るガス整流機構を示す断面図、図２は、本発明の
実施形態１に係るガス整流機構に用いるガス整流板を示
す正面図である。
【００１６】図において本発明に係るガス整流機構は基
本的構成として、ガス整流板６，７を有し、半導体基板
１が設置される処理室５内への処理ガスを制御するガス
整流機構であって、ガス整流板６，７は、処理室５の対
向するガス導入口３と上部電極９との間に少なくとも２
以上相対的に回転可能に設置されたものであり、ガス整
流板６，７は、相対的な回転角により処理室５への処理
ガスの流量を制御するようにしたものである。
本的構成として、ガス整流板６，７を有し、半導体基板
１が設置される処理室５内への処理ガスを制御するガス
整流機構であって、ガス整流板６，７は、処理室５の対
向するガス導入口３と上部電極９との間に少なくとも２
以上相対的に回転可能に設置されたものであり、ガス整
流板６，７は、相対的な回転角により処理室５への処理
ガスの流量を制御するようにしたものである。
【００１７】次に、本発明の具体例を実施形態１として
説明する。
説明する。
【００１８】図１に示すように、半導体基板１を処理す
るための処理室５は、半導体基板１を設置するステージ
２が設けられ、ステージ２の上方には、上部電極９が設
置され、上部電極９と対向してガス導入口３が設けられ
ている。
るための処理室５は、半導体基板１を設置するステージ
２が設けられ、ステージ２の上方には、上部電極９が設
置され、上部電極９と対向してガス導入口３が設けられ
ている。
【００１９】さらにガス整流板６，７は、処理室５の対
向するガス導入口３と上部電極９との間に少なくとも２
以上相対的に回転可能に設置されており、ガス整流板
６，７は、相対的な回転角により処理室５への処理ガス
の流量を制御するようになっている。
向するガス導入口３と上部電極９との間に少なくとも２
以上相対的に回転可能に設置されており、ガス整流板
６，７は、相対的な回転角により処理室５への処理ガス
の流量を制御するようになっている。
【００２０】本発明の実施形態１に用いるガス整流板
６，７は、一方のガス整流板７が処理室５の本体に固定
され、他方のガス整流板６が処理室５の本体に軸受を介
して回転可能に支持され、ガス整流板６の操作軸６ａが
処理室５の外部に気密に延長しており、その操作軸６ａ
を外部から操作可能になっている。
６，７は、一方のガス整流板７が処理室５の本体に固定
され、他方のガス整流板６が処理室５の本体に軸受を介
して回転可能に支持され、ガス整流板６の操作軸６ａが
処理室５の外部に気密に延長しており、その操作軸６ａ
を外部から操作可能になっている。
【００２１】また、ガス整流板６，７は図２（ａ），
（ｂ）に示すように、複数のガス導入孔８ａ，８ｂを有
し、相手方のガス整流板６又は７との相対的な回転角に
よって一部のガス導入孔８ａ，８ｂを相手方のガス整流
板７又は６にて閉塞して流量を調整するようになってい
る。
（ｂ）に示すように、複数のガス導入孔８ａ，８ｂを有
し、相手方のガス整流板６又は７との相対的な回転角に
よって一部のガス導入孔８ａ，８ｂを相手方のガス整流
板７又は６にて閉塞して流量を調整するようになってい
る。
【００２１】また、ガス整流板６，７は、半導体基板１
の処理速度の半導体基板１面内均一性を最良にするため
に、それぞれガス導入孔８ａ，８ｂの数・大きさ・位置
をシュミレーション及び実験によって予め設定してお
く。
の処理速度の半導体基板１面内均一性を最良にするため
に、それぞれガス導入孔８ａ，８ｂの数・大きさ・位置
をシュミレーション及び実験によって予め設定してお
く。
【００２２】そして、半導体基板１上で所望の処理ガス
４の濃度分布を得るために、ガス整流板６を回転させる
ことにより、ガス整流板７との組み合わせで開口状態に
あるガス導入孔８ａ，８ｂを通して処理ガス４を処理室
５に導入する。ここで、処理室５内の圧力と処理ガス４
の流量に最適なガス整流板６とガス整流板７の相対位置
関係をあらかじめ求めておくことにより、外部からガス
整流板の位置を変化させることにより、最適の処理ガス
４の濃度分布を得ることが可能となる。
４の濃度分布を得るために、ガス整流板６を回転させる
ことにより、ガス整流板７との組み合わせで開口状態に
あるガス導入孔８ａ，８ｂを通して処理ガス４を処理室
５に導入する。ここで、処理室５内の圧力と処理ガス４
の流量に最適なガス整流板６とガス整流板７の相対位置
関係をあらかじめ求めておくことにより、外部からガス
整流板の位置を変化させることにより、最適の処理ガス
４の濃度分布を得ることが可能となる。
【００２３】図１において、処理室５内の圧力と処理ガ
ス４の流量が一定である場合、処理ガス４が半導体基板
１の中央部で濃く、周辺部で薄いときには、半導体基板
１の処理速度は、半導体基板１の中央部で速く、周辺部
で遅い。逆に、処理ガス４が半導体基板１の中央部で薄
く、周辺部で濃いときには、半導体基板１の処理速度
は、半導体基板１の中央部で遅く、周辺部で速い。
ス４の流量が一定である場合、処理ガス４が半導体基板
１の中央部で濃く、周辺部で薄いときには、半導体基板
１の処理速度は、半導体基板１の中央部で速く、周辺部
で遅い。逆に、処理ガス４が半導体基板１の中央部で薄
く、周辺部で濃いときには、半導体基板１の処理速度
は、半導体基板１の中央部で遅く、周辺部で速い。
【００２４】したがって、半導体基板１の処理速度の半
導体基板面内均一性を最良にするためには、半導体基板
１上に所望の処理ガス４の濃度分布が必要になる。
導体基板面内均一性を最良にするためには、半導体基板
１上に所望の処理ガス４の濃度分布が必要になる。
【００２５】この処理ガス４の濃度分布は、ガス整流板
６，７に開けられたガス導入孔８ａ，８ｂの数・大きさ
・位置に依存する。最適の処理ガス４の濃度分布を得る
ためには、ガス整流板のガス導入孔の数・大きさ・位置
を最適にする必要がある。
６，７に開けられたガス導入孔８ａ，８ｂの数・大きさ
・位置に依存する。最適の処理ガス４の濃度分布を得る
ためには、ガス整流板のガス導入孔の数・大きさ・位置
を最適にする必要がある。
【００２６】半導体基板１の処理条件は、一般的に、複
数の処理室５内の圧力と処理ガス４の流量が関係するも
のであり、半導体基板１の処理速度の半導体基板面内均
一性を最良にするためには、ガス整流板６，７のガス導
入孔８ａ，８ｂの数・大きさ・位置が関係する。
数の処理室５内の圧力と処理ガス４の流量が関係するも
のであり、半導体基板１の処理速度の半導体基板面内均
一性を最良にするためには、ガス整流板６，７のガス導
入孔８ａ，８ｂの数・大きさ・位置が関係する。
【００２７】本発明の実施形態１では、ガス整流板６，
７のガス導入孔８ａ，８ｂの大きさは同一であり、ガス
整流板６とガス整流板７の相対的な位置関係により、ガ
ス導入孔８ａ，８ｂに位置に応じて一部のガス導入孔８
ａ，８ｂが開口状態となり、残りのガス導入孔８ａ，８
ｂが閉口状態となり、ガス整流板６，７のガス導入孔８
ａ，８ｂを通して処理室５内に導入されるガス量が調整
される。
７のガス導入孔８ａ，８ｂの大きさは同一であり、ガス
整流板６とガス整流板７の相対的な位置関係により、ガ
ス導入孔８ａ，８ｂに位置に応じて一部のガス導入孔８
ａ，８ｂが開口状態となり、残りのガス導入孔８ａ，８
ｂが閉口状態となり、ガス整流板６，７のガス導入孔８
ａ，８ｂを通して処理室５内に導入されるガス量が調整
される。
【００２８】したがって、半導体基板１の処理毎に予め
求めた処理室５内の圧力と処理ガス４の流量に最適なガ
ス整流板６とガス整流板７の相対位置関係に応じてにガ
ス整流基板６の回転位置を変化させることにより、最適
の処理ガス４の濃度分布を得ることができる。これによ
り、半導体基板１の処理速度の半導体基板面内均一性を
最良にすることができる。
求めた処理室５内の圧力と処理ガス４の流量に最適なガ
ス整流板６とガス整流板７の相対位置関係に応じてにガ
ス整流基板６の回転位置を変化させることにより、最適
の処理ガス４の濃度分布を得ることができる。これによ
り、半導体基板１の処理速度の半導体基板面内均一性を
最良にすることができる。
【００２９】（実施形態２）図３は、本発明の実施形態
２に係るガス整流機構を示す断面図、図４は、本発明の
実施形態２に係るガス整流機構に用いるガス整流板を示
す正面図、図５は、本発明の実施形態２に係るガス整流
機構に用いるガス整流板の位置関係を示す正面図であ
る。
２に係るガス整流機構を示す断面図、図４は、本発明の
実施形態２に係るガス整流機構に用いるガス整流板を示
す正面図、図５は、本発明の実施形態２に係るガス整流
機構に用いるガス整流板の位置関係を示す正面図であ
る。
【００３０】図１に示す実施形態１のガス整流板６，７
は、相手方のガス整流板との相対的な回転角によって一
部のガス導入孔８ａ，８ｂを相手方のガス整流板にて閉
塞して流量を調整するようにしたが、本発明の実施形態
２に係るガス整流板６，７は、相手方のガス整流板との
相対的な回転角によってガス導入孔８ａ，８ｂの開口面
積が制御され、流量を調整するようにしたものである。
は、相手方のガス整流板との相対的な回転角によって一
部のガス導入孔８ａ，８ｂを相手方のガス整流板にて閉
塞して流量を調整するようにしたが、本発明の実施形態
２に係るガス整流板６，７は、相手方のガス整流板との
相対的な回転角によってガス導入孔８ａ，８ｂの開口面
積が制御され、流量を調整するようにしたものである。
【００３１】すなわち、本発明の実施形態２では図４に
示すように、ガス整流板６のガス導入孔８ａの大きさ
と、ガス整流板７のガス導入孔８ｂの大きさとを異なせ
て開口したものである。
示すように、ガス整流板６のガス導入孔８ａの大きさ
と、ガス整流板７のガス導入孔８ｂの大きさとを異なせ
て開口したものである。
【００３２】本発明の実施形態２では図５に示すよう
に、ガス整流板６のガス導入孔８ａとガス整流板７のガ
ス導入孔８ｂとの重なり合う度合が、ガス整流板６，７
の回転角度によって異なうことになり、それぞれのガス
導入孔８ａ，８ｂの開口面積が制御される。この場合に
も、ガス導入孔８ａ，８ｂの位置によっては、実施形態
１と同様に相手方のガス整流板によって閉塞されるもの
も存在する。
に、ガス整流板６のガス導入孔８ａとガス整流板７のガ
ス導入孔８ｂとの重なり合う度合が、ガス整流板６，７
の回転角度によって異なうことになり、それぞれのガス
導入孔８ａ，８ｂの開口面積が制御される。この場合に
も、ガス導入孔８ａ，８ｂの位置によっては、実施形態
１と同様に相手方のガス整流板によって閉塞されるもの
も存在する。
【００３３】なお、実施形態１，２では、ガス整流板
６，７を２枚用いたが、これに限定されるものではな
く、２枚以上設置してガス流量をさらに微調整するよう
にしてもよい。
６，７を２枚用いたが、これに限定されるものではな
く、２枚以上設置してガス流量をさらに微調整するよう
にしてもよい。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、真
空処理室内で半導体基板を処理する半導体基板製造装置
の場合でも、ガス整流板を交換する必要がなく、外部か
らガス整流板の位置を変化させることにより、半導体基
板の処理速度の半導体基板面内均一性を最良にすること
ができる。
空処理室内で半導体基板を処理する半導体基板製造装置
の場合でも、ガス整流板を交換する必要がなく、外部か
らガス整流板の位置を変化させることにより、半導体基
板の処理速度の半導体基板面内均一性を最良にすること
ができる。
【００３５】さらに、真空処理室内の真空状態を開放す
る必要がなく、復旧に時間を要することもない。
る必要がなく、復旧に時間を要することもない。
【図１】本発明の実施形態１に係るガス整流機構を示す
断面図
断面図
【図２】本発明の実施形態１に係るガス整流機構に用い
るガス整流板を示す正面図である。
るガス整流板を示す正面図である。
【図３】本発明に実施形態２に係るガス整流機構を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明に実施形態２に係るガス整流機構に用い
るガス整流板を示す正面図である。
るガス整流板を示す正面図である。
【図５】本発明に実施形態２に係るガス整流機構に用い
るガス整流板の位置関係を示す正面図である。
るガス整流板の位置関係を示す正面図である。
１ 半導体基板 ２ ステージ ３ ガス導入口 ４ 処理ガス ５ 処理室 ６，７ ガス整流板 ８ａ，８ｂ ガス導入孔 ９ 上部電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年４月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項３】 前記２以上のガス整流板に設けたガス導
入孔の少なくとも数，大きさが異なり、相手方のガス整
流板との相対的な回転角によってガス導入孔の開口面積
が制御され、流量を調整するものであることを特徴とす
る請求項１に記載のガス整流機構。
入孔の少なくとも数，大きさが異なり、相手方のガス整
流板との相対的な回転角によってガス導入孔の開口面積
が制御され、流量を調整するものであることを特徴とす
る請求項１に記載のガス整流機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るガス整流機構は、２以上のガス整流板
を有し、半導体基板が設置される処理室内への処理ガス
を制御するガス整流機構であって、前記２以上のガス整
流板は、複数のガス導入孔が設けられ、前記処理室の対
向するガス導入口と複数の孔が設けられた上部電極との
間に相対的に回転可能に設置されたものであり、前記ガ
ス整流板は、相手方のガス整流板との相対的な回転角に
よって一部のガス導入孔を相手方のガス整流板にて閉塞
して前記処理室への処理ガスの流量を調整するものであ
る。
め、本発明に係るガス整流機構は、２以上のガス整流板
を有し、半導体基板が設置される処理室内への処理ガス
を制御するガス整流機構であって、前記２以上のガス整
流板は、複数のガス導入孔が設けられ、前記処理室の対
向するガス導入口と複数の孔が設けられた上部電極との
間に相対的に回転可能に設置されたものであり、前記ガ
ス整流板は、相手方のガス整流板との相対的な回転角に
よって一部のガス導入孔を相手方のガス整流板にて閉塞
して前記処理室への処理ガスの流量を調整するものであ
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】また前記２以上のガス整流板に設けたガス
導入孔の少なくとも数，大きさが異なり、相手方のガス
整流板との相対的な回転角によってガス導入孔の開口面
積が制御され、流量を調整するものである。
導入孔の少なくとも数，大きさが異なり、相手方のガス
整流板との相対的な回転角によってガス導入孔の開口面
積が制御され、流量を調整するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (4)
- 【請求項１】 ガス整流板を有し、半導体基板が設置さ
れる処理室内への処理ガスを制御するガス整流機構であ
って、 前記ガス整流板は、前記処理室の対向するガス導入口と
上部電極との間に少なくとも２以上相対的に回転可能に
設置されたものであり、 該ガス整流板は、相対的な回転角により前記処理室への
処理ガスの流量を制御するものであることを特徴とする
ガス整流機構。 - 【請求項２】 前記ガス整流板は、外部から操作可能な
ものであることを特徴とする請求項１に記載のガス整流
機構。 - 【請求項３】 前記ガス整流板は、複数のガス導入孔を
有し、相手方のガス整流板との相対的な回転角によって
一部のガス導入孔を相手方のガス整流板にて閉塞して流
量を調整するものであることを特徴とする請求項１に記
載のガス整流機構。 - 【請求項４】 前記ガス整流板は、複数のガス導入孔を
有し、相手方のガス整流板との相対的な回転角によって
ガス導入孔の開口面積が制御され、流量を調整するもの
であることを特徴とする請求項１に記載のガス整流機
構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10107877A JPH11307454A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | ガス整流機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10107877A JPH11307454A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | ガス整流機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307454A true JPH11307454A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14470363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10107877A Pending JPH11307454A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | ガス整流機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307454A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100401042B1 (ko) * | 2000-06-26 | 2003-10-10 | 주식회사 유진테크 | 씨브이디 박막제조장치 |
| JP2006225759A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸着装置 |
| KR101505948B1 (ko) * | 2013-12-16 | 2015-03-26 | 피에스케이 주식회사 | 배플 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
| KR101715528B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2017-03-10 | 현대제철 주식회사 | 침전조의 유속 조절 장치 |
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