KR100401042B1 - 씨브이디 박막제조장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 씨브이디 박막제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반응 챔버내의 원하지 않는 부분의 생성물 또는 부산물의 형성을 최소화하고, 챔버의 세정 주기를 길게 하여 반도체 소자 제조공정의 제조수율을 개선할 수 있는 개선된 씨브이디 박막제조장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막제조장치는 챔버의 일측 하부로에 질소가스 분출수단을 장착하여 챔부의 일측 하부로부터 질소가스가 유입되게 하여 챔버의 내측 하부 둘레면을 따라 분출되도록 하므로 히터의 측면을 따라 기류를 발생시키고, 또한 히터의 하부 압력을 증가시켜 반응가스가 히터의 하부 위치로 유입되는 것을 방지하므로 히터의 하부 위치에 반응가스로 인한 부산물이 형성되지 않도록 한다. 이와 같은 작용에 의하여 본 발명에 따른 씨브이디 박막제조장치는 챔버 내부, 특히 히터의 하부 위치에 원하지 않는 부분 생성물 또는 부산물을 형성을 방지할 수 있고, 이로 인해 챔버 내부의 세정주기를 보다 길게 하므로 인하여 웨이퍼의 제조 수율을 향상시킬 수 있게 된다.

Description

씨브이디 박막제조장치{CVD THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS}

본 발명은 씨브이디 박막제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 본 발명에 따른 박막제조장치는 챔버의 일측 하부로에 질소가스 분출수단을 장착하여 챔부의 일측 하부로부터 질소가스가 유입되게 하여 챔버의 내측 하부 둘레면을 따라 분출되도록 하므로 히터의 측면을 따라 기류를 발생시키고, 또한 히터의 하부 압력을 증가시켜 반응가스가 히터의 하부 위치로 유입되는 것을 방지하므로 반응 챔버내의 원하지 않는 부분의 생성물 또는 부산물의 형성을 최소화하고, 챔버의 세정 주기를 길게 하여 반도체 소자 제조공정의 제조수율을 개선할 수 있는 개선된 씨브이디 박막제조장치에 관한 것이다.

통상적으로, 반도체 소자를 제조하는 반도체 제조공정에서의 박막 형성방법은 CVD(chemical vapor deposition), PVD(physical vapor deposition) 법으로 대별되고, 그러한 CVD 박막을 제조하는 CVD장치는 반응을 위한 활성화 에너지를 얻는 방법에 따라 Thermal CVD, PECVD(plasma enhanced cvd)로 나뉘어진다. 또한, 분위기 압력에 따라 APCVD(atmosphere pressure cvd), SACVD(sub- atmosphere cvd,LPCVD(low pressure cvd), HPCVD(high pressure cvd)로 분류된다.

상기한 CVD 박막제조장치에 의해 웨이퍼상에 다양한 재질로써 형성된 CVD 박막은 반도체 DEVICE내에서 다양한 기능 및 역할을 한다. 먼저, 전기전도를 위한 CVD 박막으로서는 폴리실리콘, 금속 (W,CU,TIN,WSix) 배선막이 있고, 레이어(LAYER) 및 배선사이의 절연을 위한 CVD 박막으로서는 SiO2 절연막이 있으며, 배선 형성 전의 평탄화를 위한 CVD 박막으로서는 BPSG(BORON PHOSPHOUS SILICA GLASS) 등의 평탄화막이 있다. 또한, 캐패시터 형성에서의 유전율 증가를 위한 CVD 박막으로서는 Si3N4, Ta2O5, BST, PZT, AL2O3 등의 고유전막이 형성될 수 있으며, 불순물의 침투 및 외부로부터의 충격에 대한 보호를 위한 CVD 박막으로서는 SiON등의 보호막(PASSIVATION FILM)이 형성될 수 있다. 이와 같이 실리콘 웨이퍼 위에 박막을 형성시키는 CVD 박막제조장치에는 여러장의 웨이퍼를 동시에 챔버에 로딩(loading) 시킨 후 한꺼번에 공정을 진행하는 배치 타입(Batch Type)의 제조장치와, 웨이퍼 1장씩 진행하는 싱글웨이퍼 챔버 타입(Single 웨이퍼 챔버 Type)의 제조장치가 알려져 있다.

반도체 소자의 고집적화로 인해 디자인 룰의 축소(SHRINKAGE)는 나날이 가속화 되고 있는데, 현재는 포토리소그래피 공정에서 KrF 광원을 사용하여 0.20 ~ 0.15마이크론의 선 폭을 구현하고 있는 실정이다. 이러한 고집적화는 계속될 것으로 보이며 차세대 광원으로 생각되는 ArF, X-RAY, LASER 등의 기술이 실용화 될 전망이다. 이러한 고집적화로 인해 향후의 제조프로세스는 현재의 노(FURNACE) 방식으로는 디바이스의 질를 달성하기 어려울 것으로 전망된다. 현재의 노는 고온에서 장시간(4 ~ 6시간) 웨이퍼를 노출시킴으로써 향후 디바이스에서의 공정 마진을 확보하기 힘들 것으로 생각된다. 다시 말해서 향후 웨이퍼의 공정 마진을 더욱 작게 설계될 것이 분명하기 때문에 공정상 특성에 따라 웨이퍼의 손상을 최소화 시키기 위해서는 될 수 있으면 단시간 내에 저온으로 가공을 할 필요가 있다는 것이다.즉, 기존의 장비와 같이 고온에서 장시간 웨이퍼를 가공하는 경우에는 불필요한 반응가스의 확산과 불순물의 침입으로 인해 챔버의 내부를 오염시키게 되고, 이로 인하여 디바이스 내부의 누설전류(LEAKAGE CURRENT)를 유발시켜 디바이스의 전기적 특성을 저하시킬 것임에 틀림없다.

본 분야에서 종래에 개시된 장치들은 박막의 제조시 박막의 균일 특성을 나쁘게 하는 문제점이 있고, 또한 박막형성 방법에 따라 반응 챔버내에 원하지 않는 부분에 반응 생성물 또는 부산물을 형성시키는 문제점이 있었다.

이러한 문제로 인하여 종래의 장비들은 챔버 내부의 세정을 주기적으로 하고 있는데, 이와 같은 세정 횟수가 빈번하게 되면 당연히 웨이퍼의 제조수율을 현저히 감소하게 되기 때문에 생산율을 현저하게 감소된다.즉, 종래의 웨이퍼를 가공하기 위한 전공정 장비들은 세정주기가 매우 빈번하기 때문에 실질적으로 웨이퍼의 생산율이 그 다지 양호하지 못하고 있는 실정이다.따라서, 그러한 문제들을 해결할 수 있는 보다 개선된 제조장치가 절실히 요구되고 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 일 목적은 반응 챔버내의 원하지 않는 부분의 생성물 또는 부산물이 형성되지 않도록 하여 웨이퍼의 제조시 박막의 균일 특성을 개선할 수 있도록 하는 데에 있다.본 발명의 다른 일 목적은 챔버의 세정 주기를 길게 하고, 웨이퍼의 제조수율을 개선할 수 있도록 하는 데에 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징은 씨브이디 막박 제조장치에 있어서, 챔버바디의 하부에서 내부로 연결되게 형성되는 흡입로;와 상기 흡입로에서 분기되어 연장되게 형성되는 각 수직배출로 및 수평배출로;와 상기 분기점에 질소가스의 양을 조절하기 위하여 회전축에 의해 회전 가능하도록 장착되는 조절플레이트;와 상기 수직 및 수평배출로에서 각각 배출되는 지점에는 혼합실이 형성된 하부 질소가스노즐;과 상기 하부질소가스노즐의 상부에 하부 질소가스노즐과 연통되는 구조로 결합되는 상부 질소가스노즐로 구성되는 질소가스노즐이 장착되어 진공포트의 하부 챔버바디의 외측 하부에서 히터유닛의 하부로 분사되는 질소가스를 균일하게 하는 것에 있다.상기 상부 질소가스노즐에 형성된 구멍의 수는 하부 질소가스노즐에 형성된 구멍의 수보다 더 많은 것이 바람직하며, 또한 상기 상부 질소가스노즐과 하부 질소가스노즐은 원형으로 챔버바디의 하부 테두리를 따라 전체에 걸쳐 형성되는 것이 바람직하다.

도 1은 본 발명에 따른 씨브이디 박막제조장치의 전체 내부구조를 나타낸 단면도이다.

도 2a는 본 발명에 따른 씨브이디 박막제조장치의 개략적인 구조를 나타내는 사시도이다.도 2b는 선 "B-B"를 따라 절개된 평단면도이다.도 2c는 챔버의 상부구조를 구성하는 가스 유입부재와 샤워헤드 부재의 구조를 나타내는 도면이다.도 3a는 챔버의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 사시도이다.도 3b는 선 "A-A"를 따라 절개된 평단면도이다.도 3c는 챔버의 하부구조를 구성하는 챔버 바디와 배출 파이프 및 벨로우즈 부재의 구조를 나타내는 도면이다.도 4a는 히터 유닛의 구조를 나타내는 단면도이다.도 4b는 히터블록의 내부에 몰딩된 내부 히팅소자의 구조를 나타내는 도면이다.도 4c는 히터블록의 내부에 몰딩된 외부 히팅소자의 구조를 나타내는 도면이다.도 4d는 히터블록의 내부에 몰딩된 내부 및 외부 히팅소자의 구조를 나타내는 평면도 및 정면도이다.

도 5a는 반응가스가 히터의 하부 위치로 유입되는 것을 방지하기 위한 질소가스노즐부를 나타내기 위한 평단면도 및 정단면도이다.도 5b는 도 5a에 도시된 부호 "F"의 부분 확대도이다.도 5c는 도 5b에 도시된 부호 "G"의 부분 확대도이다.도 5d는 질소가스노즐부의 일 구성요소인 조절플레이트의 구조와 작동상태를 나타내는 도면이다.*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*10 ... 리모트 플라즈마유닛 20 ... 크리닝 가스라인30,40 ... 샤워헤드유닛 50 ... 챔버바디51 ... 챔버커버 60 ... 챔버70 ... 내부 진공 플레이트 80 ... 배출파이프90 ... 히터유닛 100 ... 리프트핀120 ... 벨로우즈부재 201 ... 프로세스 가스라인202 ... 실링부재 203 ... 히터장착 구멍301 ... 웨이퍼 삽입슬롯 301-1 ... 슬롯 밸브302 ... 진공포트 302-1 ... 진공가이드303 ... 챔버내벽 304 ... 챔버바닥306 ... 가스라인 장착구멍 401 ... 내부 히팅소자402 ... 외부 히팅소자 403,404 ... 서머커플405 ... 히터블록 406 ... 리프트 핀 홀408 ... 내부 히팅소자 외경 409 ... 웨이퍼 외경410 ... 외부 히티소자 외경 500 ... 질소가스노즐501 ... 하부 질소가스노즐 501-1 ... 혼합실502 ... 상부 질소가스노즐 503 ... 흡입로504 ... 수직 배출로 505 ... 수평 배출로512 ... 회전축 514 ... 조절 플레이트600 ... 웨이퍼

이하, 본 발명에 따른 씨브이디 박막제조장치를 일 실시예를 통해 보다 상세히 설명된다. 도면들내에서 서로 동일한 부분이나 유사한 부분들은 참조의 편의상 동일 내지 유사한 참조부호로써 부여됨을 유의하여야 한다.

도 1은 본 발명에 따른 CVD 박막제조 장치의 전체 내부 구조를 나타내기 위해 도시된 것으로 도면을 참조하여 보면, 프로세스 챔버(60)의 개략적인 구성은 리모트 플라즈마(remote plasma)유닛(10), 가스라인(20,201)이 연결된 샤워 헤드 유닛(30,40), 챔버커버(51)와 실링부재(202)로 구성되는 챔버 리드(lid) 유닛, 챔버 바디(50), 벨로우즈 부재(120)를 포함하는 챔버 무빙 유닛(미도시) 등의 5가지 부분으로 나뉜다.상기 리모트 플라즈마 유닛(10)은 챔버 리드 유닛을 개방하지 않고, 보다 정확하게는 챔버커버(51)를 개방하지 않고 챔버(60)의 내부 공간간을 청소할 수 있도록 일반적으로 적용되는 장치이다. 이와 같이 장착되는 리모트 플라즈마 유닛(10)에 의하여 여기된 라디칼 가스가 클리닝 가스라인(20)을 따라 챔버(60)의 내부로 유입된다.그리고, 상기 샤워헤드 유닛(30,40)은 반응공정시 프로세스 가스가 프로세스 가스라인(210)을 따라 유입되어 챔버(60) 내부 히터유닛(90)의 상부면에 얹혀진 웨이퍼(600) 표면에 균일하게 분사될 수 있도록 하기 위하여 개선된 구조를 갖는다. 좀더 상세하게 설명을 하면, 프로세스 가스는 크리닝 가스라인(20)의 측면에 연장된 프로세스 가스라인(201)을 따라 처음 일정한 수의 구멍이 형성된 1차 샤워헤드 유닛(30)을 통과하고, 그 다음 상기 1차 샤워헤드 유닛(30)과 일정한 간격을 유지하면서 일정한 수의 구멍이 형성된 2차 샤워헤드 유닛(40)을 통과하도록 형성된다. 이와 같은 구성에 의해 상기 1차 샤워헤드 유닛(30)과 2차 샤워헤드 유닛(40) 사이에 형성된 공간 내에서 프로세스 가스는 충분한 와류현상을 거치게 되어 힘이 작용하는 방향으로 진행되는 속도가 완화되면서 자유롭게 비산 및 분산되는 효과가 커지게 된다.이와 같이 구성되는 두 샤워헤드 유닛(30,40)의 간격은 공정 균일특성이 최적이 될 수 있는 조건에서 설정되며, 이와 같은 최적의 거리를 만들기 위해서 1차 혹은 2차 샤워헤드 유닛(30,40) 중 한 유닛이 무빙수단에 의해 조절가능하게 설치된다. 여기서, 두 번째 샤워헤드 유닛(40)에 형성된 구멍의 수는 첫 번째 샤워헤드 유닛(30)에 형성된 구멍의 수보 많은 것이 바람직하며, 구멍의 크기 또한 서로 다르게 형성되는 것이 바람직하다. 샤워헤드를 구성하는 재료로서는 순수 알루미늄(pure aluminum), 니켈(Ni), 산화알루미늄(oxidized aluminum), 인코넬(inconel) 등이 될 수 있다.이와 같이 챔버(60)의 상부 구성은 상기 설명된 것과 같은 샤워헤드 유닛(30,40)이 가스라인(20,201)에 일체로 연결되어 챔버커버(51)와 실링부재(202)로 구성된 챔버 리드에 결합된다.챔버(60)의 하부 구성은 내부가 일정한 용량을 가지는 원통형으로 형성되는 챔버바디(50)로 구성되며, 챔버바디(50)의 중앙 하부에는 히터유닛(90)이 위치되고, 챔버바디(50)의 바닥 중앙부에는 히터유닛(90)에 연결되어 히터유닛(90)을 상,하로 이동시킬 수 있도록 하기 위하여 벨로우즈 부재(120)를 포함하는 무밍유닛(미도시)이 상기 히터유닛(90)에 연결되도록 히터 장착구멍(203)이 형성된다. 상기 히터 장착구멍(230)은 외경에서 내경으로 일정한 경사각을 갖는 태핑형상으로 구성된다.상기 챔버바디(50)의 하부에 위치되는 히터유닛(90)의 구성에 대하여 설명을 하면, 히터유닛(90)은 씨브이디 박막의 형성을 위해 필요한 써멀 액티베이션 에너지(thermal activation energy)를 제공하는 열원으로서 외부에서 공급된 전기에너지를 열에너지로 변환시키는 히팅소자(401,402)를 포함한다. 상기 히팅소자(401,402)를 몰딩 방식으로 감싸며 발생된 열을 상부로 전달시키는 히터블록(405)은 알루미늄 나이트라이드(AlN),산화알루미늄(Al₂O₃₎등의 세라믹 재질이다. 상기 각 히팅소자(401,402)의 온도를 제어하기 위해 온도를 측정할 수 있는 써머커플(403,404)은 상기 각 히팅소자(401,402)의 일정 부위에 연결된다.상기 써머커플(403,404)에 의해 일정 히터 표면온도의 균일도를 최적의 조건으로 형성시킬 수 있도록 내부와 외부 히터부가 2개의 존으로 형성되며, 내부와 외부 각각은 독립적으로 제어된다. 상기 히터의 외곽부의 온도 보상을 하기 위하여 내부와 외부의 히팅소자는 서로 단차를 가진다. 여기서, 외부의 히팅소자의 온도가 내부의 경우에 비해 일반적으로 높게 제어되며, 그 설치위치도 약간 상부에 있다.내부 히팅소자 외경(408)은 웨이퍼 외경(409)보다 약간 작게 되어 있고, 그리고, 외부 히팅소자 내경(410)은 웨이퍼 외경(409)보다 크게 되어있다. 외부 히터의 특징은 균일성을 확보하는 조건에서 내부히터의 외부와 외부히터의 내부 직경 사이의 거리를 최적화시켜 내부 히터에 의한 외부 히터의 온도 영향을 최소화하는 것이 바람직하다.히터 상부에 웨이퍼가 놓이는 표면을 서셉터라 할 경우에, 상기 서셉터의 구성은 각 히팅소자(401,402)를 포함하는 히터블록(405)으로 구성되며, 상기 히터블록(405)은 웨이퍼(600)가 임시로 얹혀지는 리프트핀(100)을 포함한다. 그리고, 상기 히터브록(405)의 표면은 일정한 패턴으로 요철형상을 가진다. 이는 이송된 웨이퍼의 미끄러짐을 방지하기 위해서이다.그리고, 챔버바디(50)의 일 측면에는 웨이퍼(600)를 가공시키기 위하여 상기 히터유닛(90)에 로딩하기 위한 웨이퍼 삽입슬롯(301)이 형성되고, 상기 슬롯(301)이 형성된 챔버(60)의 외측면에는 슬롯 밸브(301-1)가 장착되어 상기 슬롯(301)을 개폐하게 된다.또한, 상기 슬롯(301)이 형성된 챔버(60)의 맞은편 측면에는 챔버(60)의 내부를 진공 환경으로 만들기 위하여 진공포트(80)가 형성된다. 또한, 챔버(60)의 내부를 진공으로 유지시키 기 위하여 상기 진공포트(80)에서 연장되어 챔버바디(50)의 내벽(303) 주위를 따라 진공 플레이트(70)가 장착된 진공가이드(302-1)가 장착된다.이와 같은 구성에 의해 챔버(60)의 내부가 진공 상태를 유지한 상태에서 프로세스 가스라인(201)을 통해 유입되는 프로세스 가스는 챔버(60)의 내부로 분사되어 비산(보다 정확하게는 분산)되면서 웨이퍼(600)의 상부 표면에 도포되게 된다.이와 같이 비산되는 프로세스 가스가 원하지 않는 위치(보다 상세하게는 히터유닛(90)의 하부 위치로 유입되는 것을 방지하기 위하여 챔버바디(50)의 하부 위치에 질소가스노즐(500)이 장착된다.하부 질소가스 노즐(110)의 구성에 대하여 설명한다. 먼저, 노즐의 필요성에 대하여 설명을 하면, CVD 박막의 형성을 위해서 반응가스가 유입되고 화학적 반응이 챔버 내부에서 수행됨에 따라, 원하지 않는 부분에서도 반응 생성물과 부산물이 형성되고, 이와 같이 원하지 않는 부분에서 발생되는 반응 생성물과 부산물은 챔버(60)의 내부에 장착되는 여러 가지 부속품의 수명을 단축시킬 뿐만 아니라 오작동을 유발하게 되고, 또한 웨이퍼의 질을 저하시키는 요인이되고 있다.다시 말하면, 반응물의 형성은 웨이퍼 위에서만 일어나는 것이 원하는 바로서 이상적이지만 이외의 곳에서도 반응은 일어나며, 또한 원하지 않는 부산물 등이 생성된다. 이는 공정상의 파티클(Particle)로 작용하게 된다.따라서, 원하지 않는 위치에 반응 생성물과 부산물이 발생되는 것을 방지하기 위하여 상기 설명된 리모트 플라즈마 유닛(10)을 통해 챔버(60)의 내부를 세척하고 있으나, 히터유닛(90)의 하부로 유입된 프로세스 가스를 완벽하게 배출시키는 것은 매우 어렵다는 것이다.이러한 이유로 인해서 개발된 본 발명의 주된 기술내용은 반응가스가 하부로 유입되는 것을 막으며, 상부에서 반응가스의 균일한 압력을 유지하기 위한 하부 질소가스 노즐의 형성 및 하부 질소가스 컨트롤을 위한 구성에 특징이 있다.우선, 질소가스노즐(500)의 구성을 설명하면, 챔버바디(50)의 외측 하부에서 히터유닛(90)의 하부로 분사되는 질소가스의 분포를 균일하게 하기 위해 질소가스노즐(500)을 구성하는 주입구(즉, 수직 및 수평 배출로)의 방향을 수평과 수직 방향으로 나누어 2단으로 구성된다.즉, 챔버바디(50)의 하부로 내부로 연결되게 형성되는 흡입로(503)가 수직 및 수평방향으로 분사될 수 있도록 분기되어 각각 수직배출로(504) 및 수평배출로(505)로 연장되게 형성된다. 상기 분기점에는 조절플레이트(514)가 수직 및 수평배출로(504,505)로 유입되는 질소가스의 양을 조절하기 위하여 회전축(612)에 의해 회전 가능하도록 장착된다.상기 수직 및 수평배출로(504,505)에서 각각 배출되는 지점에는 혼합실(501-1)이 형성되는데, 상기 혼합실(501-1)은 하부 질소가스노즐(501)에 의해 형성되며, 원형으로 챔버바디(50)의 하부 테두리를 따라 전체에 걸쳐 형성된다. 상기 하부질소가스노즐(501)의 상부에는 상기 하부 질소가스노즐(501)과 연통되는 구조로 상부 질소가스노즐(502)이 장착된다.상기 수직 및 수평 배출로(504,505)를 따라 배출되는 질소가스량의 비는 프로세스 가스의 종류, 프로세스 압력, 프로세스 스텝에 따라 공정의 균일성을 확보하는 차원에서 다르게 조절되며, 하부 질소가스노즐(501)의 형상과 하부 질소가스 노즐의 형상과 하부 질소가스주입 방향 및 하부 및 상부 질소가스노즐(501,502)에 형성된 구멍의 수와 크기는 다르게 형성될 수도 있다.그리고, 상기 조절플레이트(514)의 작동은 축(512)을 중심으로 하여 회전가능하게 된다. 도면에서 보여지는 바와 같이 반시계 방향으로 조절플레이트(514)가 회전되면 수직배출로(504)로 많은 양의 질소가스가 유입되어 진공포트(302) 쪽에 많이 분포되며, 조절플레이트(514)가 수직으로 위치되면 수직 및 수평 배출로(504,505)로 흐르는 질소가스가 50:50으로 분포되어 히터유닛(90)의 하부 위치에 분포되는 질소가스의 양이 균일하게 되고, 시계방향으로 회전되면 수평 배출로(505)로 많은 양의 질소가 흘러 진공포트(302) 반대 방향인 웨이퍼 삽입슬롯(301) 쪽으로 질소가스의 분포량이 증가하게 된다.이와 같이 상기 조절플레이트(514)의 작동에 의하여 히터유닛(90)의 하부에 분포되는 질소가스의 양이 결정되게 되며, 이는 프로세스 스텝에 따른 가스의 종류 및 압력의 변화, 공정의 변화에 따라 최적의 균일한 분포를 가능하게 한다. 또한, 반응가스의 종류별, 공정 프로세스 스텝별, 프로세스 압력별 분위기에 따라 공정균일성을 확보할 수 있게 해준다.상기 조절플레이트(514)는 원판으로 형성되어 있고, 회전 가능토록 하기 위해 외부의 모터와 연결하기 위한 회전축(512)이 결합되며, 회전 동력을 얻기 위해서는 적절한 모터가 선택되어야 한다. 또한, 수직 또는 수평의 어느 일 방향만으로 주입을 위해 조절플레이트(514)가 위치될 때, 질소가스가 누설되지 않도록 실링을 가능하게 하기 위하여 상기 조절플레이트(514)의 외곽부에 앞뒷면으로 오-링을 삽입할 수도 있다.

상기 설명된 것과 같이 본 발명에 따르면 하부 질소가스의 유입에 의해 히터 하단부로의 반응성 가스의 유입을 억제하여 챔버내에서 움직이는 부분들에 대한 반응물의 생성을 최소화하여, 부산물의 발생을 막아 챔버의 세정 주기를 크게 연장시키는 효과를 갖는다.또한, 하부 질소가스의 주입 방향을 변화시켜 공정의 분위기에 따라 히터유닛의 하부에 분포되는 질소가스의 분포위치를 조절할 수 있게 되므로 질소가스의 불균일한 분포 문제를 해결하는 효과가 있다. 이로 인하여 하부 질소가스를 콘트롤 하는 콘트롤 밸브를 설치하여 각 주입구에서 나오는 량을 용이하게 조절할 수 있도록 함에 의해 반응가스의 종류, 공정 프로세스 스텝, 프로세스 압력, 공정별 분위기에 따른 공정 균일성의 확보가 최적으로 보장되게 하는 효과가 있다.

Claims (6)

1. 삭제
2. 삭제
3. 씨브이디 막박 제조장치에 있어서,

   챔버바디(50)의 하부에서 내부로 연결되게 형성되는 흡입로(503);와 상기 흡입로(503)에서 분기되어 연장되게 형성되는 각 수직배출로(504) 및 수평배출로(505);와 상기 분기점에 질소가스의 양을 조절하기 위하여 회전축에 의해 회전 가능하도록 장착되는 조절플레이트(514);와 상기 수직 및 수평배출로(504,505)에서 각각 배출되는 지점에는 혼합실(501-1)이 형성된 하부 질소가스노즐(501);과 상기 하부질소가스노즐(501)의 상부에 하부 질소가스노즐(501)과 연통되는 구조로 결합되는 상부 질소가스노즐(502)로 구성되는 질소가스노즐(500)이 장착되어 진공포트(302)의 하부 챔버바디(50)의 외측 하부에서 히터유닛(90)의 하부로 분사되는 질소가스를 균일하게 하는 것을 특징으로 하는 씨브이디 박막제조장치.
4. 제 3 항에 있어서, 상기 상부 질소가스노즐(501)에 형성된 구멍의 수는 하부 질소가스노즐(502)에 형성된 구멍의 수보다 더 많은 것을 특징으로 하는 씨브이디 박막제조장치.
5. 제 3 항에 있어서, 상기 상부 질소가스노즐(501)과 하부 질소가스노즐(502)은 원형으로 챔버바디(50)의 하부 테두리를 따라 전체에 걸쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 씨브이디 박막제조장치.
6. 삭제