JP5602412B2 - マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクセットおよび半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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のピッチ(hp45世代で約190nm)がArF露光光の波長よりも短くなってきている。このため、露光光が透過しにくくなってきており、斜入射照明法等の超解像技術や、特に最近では液浸露光に代表される超高NA技術が利用されてきている。また、露光光の転写用マスクへの照射強度も上昇してきている。
。さらに、転写用マスクの薄膜に形成される転写パターンの微細化が進んできており、この位置ずれ量の増大に起因するウェハ上のレジスト膜に形成されるパターンの位置ずれが問題となってきている。
このようなパターン線幅の変化は、CD精度の悪化につながり、転写用マスクの更なる長寿命化の障害になっている。
(1)ArF露光光が適用される転写用マスクの製造に用いられ、透光性基板の上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクであって、
前記薄膜は、ArF露光光の照射を受けるとArF露光光よりも長い波長の蛍光を発する蛍光物質を含有する材料からなることを特徴とするマスクブランク。
(2)前記蛍光物質は、金属の酸化物、窒化物または酸窒化物を主成分とし、6.4eV未満のバンドギャップを有することを特徴とする(1)に記載のマスクブランク。
(3)前記薄膜は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層以上が順に積層する構造であり、前記下層は前記蛍光物質を含有する材料で形成されていることを特徴とする(1)または(2)のいずれかに記載のマスクブランク。
(4)前記下層は、6.4eVよりも大きいバンドギャップを有する物質中に前記蛍光物質をドープした材料で形成されていることを特徴とする(3)に記載のマスクブランク。(5)前記上層は、前記蛍光物質を含有しない材料からなることを特徴とする(3)または(4)のいずれかに記載のマスクブランク。
(6)(1)から(5)のいずれかに記載のマスクブランクの薄膜に転写用パターンを形成してなることを特徴とする転写用マスク。
(7)(6)に記載の転写用マスクを2枚セットとした転写用マスクセットであって、前記2枚の転写用マスクに形成されている各転写パターンは、転写対象物に転写露光する1つの転写パターンを2つの転写パターンに分割したものであることを特徴とする転写用マスクセット。
したがって、従来のバイナリ型マスクやハーフトーン型位相シフトマスクを用いた露光転写時に、ウェハ上のレジスト膜に転写パターンを高い位置精度で転写することが可能となる。また、ダブルパターニング/ダブル露光技術を適用して2枚の転写用マスクからなる転写用マスクセットを作製した場合においても、各転写用マスクの熱膨張によるパターン位置ずれを大幅に抑制することができることから、高い重ね合わせ精度を得ることができる。
本願発明者は、転写用マスクの転写パターンである薄膜がArF露光光の照射を受けることによって熱膨張することを抑制する手段を検討した。薄膜の熱膨張は、薄膜内に入射したArF露光光の光エネルギーが膜内の電子を振動させることから始まり、その振動に起因する原子同士の衝突によって熱エネルギーに変換されてしまうことが原因と考えられている。この薄膜の熱膨張を抑制する最も簡単な手段としては、透光性基板側の薄膜表面の反射率(裏面反射率)を高反射にして、ArF露光光の薄膜内への入射量自体を減少させることが挙げられる。これは、転写用マスクは、露光装置内のマスクステージに転写パターンが形成されている面を下側にして載置され、上方からArF露光光を転写用マスクに対して照射されるためである。しかし、透光性基板側の薄膜表面を高反射としてしまうと、その反射されたArF露光光が干渉してフレアやゴーストを引き起こす要因となってしまい、ウェハ上のレジスト膜に転写パターンを精度良く転写することができなくなる。この手段は、露光装置側の根本的な改善が必要となるため、汎用性に乏しい。
図4はバンド理論を説明する模式図である。バンド理論では、絶縁体等のエネルギーバンドは、価電子帯10(電子に占有された帯域、電子が多数存在)と伝導帯11(電子が空の帯域であるが、電子を存在させることは可能)に分かれており、価電子帯の頂上10aから伝導帯の底11aまでの間のエネルギー準位をバンドギャップ(禁制帯:電子が存在できない帯域)Egという。フェルミ準位40はバンドギャップEg内に存在する。
絶縁体等のバンドギャップEgよりも大きい光エネルギー(励起光20)が絶縁体等に照射された場合、それを構成する原子の最外殻の電子12は励起されてエネルギー準位が上がり、価電子帯にあった電子12が伝導帯にまで到達する(電子13)。しかし、この励起状態の電子13は不安定な状態であり、すぐにエネルギー準位の低い価電子帯に戻ろうとする。この電子13は、伝導帯の底11aのエネルギー準位にまで下降するまでは振動等によって熱エネルギーに変換される(電子14)。そして、この電子14が価電子帯に戻るとき、持っているエネルギーを蛍光30として放射する。なお、励起光20の光エネルギーが、絶縁体等の価電子帯にあった電子12を伝導帯にまで到達させるだけのエネルギー準位を与えることができない大きさであると、蛍光30は放射されない。この場合、電子12の振動から熱エネルギーに変換されてしまうことになる。なお、金属等の導体の場合、フェルミ準位が価電子帯内に存在するため、蛍光は放射されない。
に与えられるエネルギーEiとの間にも、Ei[eV]=1240/λe[nm]の関係がある。よって、励起光20としてArFエキシマレーザー光(λe=193[nm])が絶縁体等に照射されることによって、絶縁体等の電子12に与えるエネルギーEiは、6.4[eV]になる。つまり、ArFエキシマレーザー光の露光光の照射を受けて、蛍光を発する蛍光物質とは、6.4[eV]未満のバンドギャップを有する絶縁体または半導体である必要がある。
以降)をウェハ上に形成された多層膜の最表層に転写することができ、3.0[eV]以上であると、ArF露光光のエネルギーから熱エネルギーに変換される量が非常に小さく、転写パターンの薄膜の熱膨張を大幅に抑制でき、DP/DE技術が適用されるマスクブランクや転写用マスク(DRAM hp22nm世代以降)に好ましい。さらに、4.0
[eV]以上であると、ArF露光光のエネルギーから熱エネルギーに変換される量が非常に小さく、転写パターンの薄膜の熱膨張が極小となり、5.0[eV]以上であると本発明の効果が最大限に発揮される。
する薄膜である遮光膜には、ArF露光光に対する光学濃度(OD)が2.5以上は最低限必要とされており、望ましくは、2.8以上、種々の露光装置に対応するには、3.0以上が求められる。特に、ダブル露光技術に用いるマスクブランクの場合には、ウェハ上のレジスト膜への漏れ光を抑制するための遮光帯に通常のシングル露光の場合よりも高い光学濃度が必要とされるので少なくとも3.0以上であることが望ましく、3.3以上であるとより望ましい。蛍光物質は、金属の酸化物、窒化物、酸窒化物を主成分とするものが多く、これらは一般に光学濃度が低い。蛍光物質で遮光膜を形成しようとすると、所望の光学濃度を満たすためには、膜厚を厚くする必要が生じてしまう。このため、バイナリ型のマスクブランクの遮光膜に本願発明の薄膜を適用する場合においては、図1に示すような、透光性基板1側から下層21と上層22の少なくとも2層以上が順に積層する構造の薄膜(遮光膜)2とした方がよく、ArF露光光の照射を直接受ける下層21は、前記の蛍光物質を含有する材料で形成した方が良い。
対応するには55nm以下、DRAM hp22世代に対応するには50nm以下とする
ことが望ましい。蛍光物質を含有する下層21の膜厚は、ArF露光光による熱膨張の影響を抑制する機能を最低限発揮させるためには、5nm以上は必要である。遮光膜2全体の膜厚の制限を考慮すると蛍光物質を含有する下層21の膜厚の上限は、25nm以下、DRAM hp32世代に対応するには20nm以下、DRAM hp22世代に対応するには15nm以下とすることが望ましい。遮光膜2に表面反射防止層23を設ける場合、表面反射防止機能を確保するには、5nm以上は必要である。遮光膜2全体の膜厚の制限
を考慮すると表面反射防止層23の膜厚の上限は、20nm以下、DRAM hp32世
代に対応するには15nm以下、DRAM hp22世代に対応するには10nm以下と
することが望ましい。なお、薄膜(遮光膜)2の各層の膜組成については、各層の膜厚や役割に応じて適宜調整される。
製する場合においては、転写パターンは微細(128nm程度)であり、微細補助パターン(SRAF:Sub-Resolution Assist Feature)の線幅は非常に微細(40nm前後)とな
り、レジストパターンの倒壊・脱離がないようにするには、レジスト膜の膜厚は100nm以下とする必要がある。100nmのレジストパターンの膜厚では、それをマスクとしたドライエッチングで遮光膜(薄膜)に転写パターンを高い精度で形成することは困難である。このため、遮光膜2の上面にエッチングマスク膜3を形成することが望ましい(図1,図2参照)。エッチングマスク膜3は、少なくとも、遮光膜2の最上層(図1の場合、上層22であり、図2の場合、表面反射防止層23)に転写パターンを形成するドライエッチングを行うときのエッチングガスに対して、耐性を有する材料を用いる必要がある。前記の遮光膜2の上層22や表面反射防止層23に適用される材料のうち、クロム系材料以外については、フッ素系ガス(SF6,CHF3等)によるドライエッチングが可能であり、塩素と酸素の混合ガスによるドライエッチングに対する耐性が高い。このため、エッチングマスク膜3には、クロム系材料を用いることが望ましく、中でも、塩素と酸素の混合ガスによるドライエッチングに対するエッチングレートが速く、低欠陥で成膜が可能なCrOCNが最適である。
ト膜厚を100nm以下とするには、エッチングマスク膜3の膜厚は、20nm以下とする必要があり、好ましくは15nm以下、DRAM hp22世代の転写用マスクを作製
する場合においては、10nm以下とすることが望ましい。
(実施例1)
(マスクブランクの製造)
図1は、実施例1にかかるバイナリ型マスクブランクの断面図であり、図3は実施例1にかかる転写用マスクの製造工程の説明図である。
透光性基板1として、まず、表裏両主表面が精密研磨された約152mm×152mm×6.35mmの合成石英ガラス基板を準備した。
続いて、透光性基板1の主表面上に遮光膜2として、下層21(AlN膜:Al=49.7原子%,N=50.3原子%)を15nm、上層22(MoSi膜:Mo=21原子%,Si=79原子%)を30nm、表面反射防止層23(MoSiON膜:Mo=2.6原子%,Si=57.1原子%,O=15.9原子%,N=2.6原子%)を15nmで、合計膜厚60nmとなるようにそれぞれ形成した。
なお、遮光膜2の各層の元素分析は、ラザフォード後方散乱分析法を用いた(以下、同様)。遮光膜2の光学濃度(OD)は、ArFエキシマレーザー露光光の波長193nm
において3.0であった。また、遮光膜2の表面反射率は、21.2%であった。また、下層21のAlN膜のバンドギャップは、約6.2[eV]であり、6.4[eV]未満であった。
次いで、表面反射防止層23の表面に、エッチングマスク膜3(CrOCN膜:Cr=33.0原子%,O=38.9原子%,C=11.1原子%,N=17.0原子%)を膜厚15nmで形成した。
以上の手順により、ArFエキシマレーザー露光用のバイナリ型マスクブランクを複数枚得た。
DP・DE露光技術を用いてウェハ上に形成された多層膜の最表層に転写パターンを形成するため、1つの密な設計転写パターン(DRAM hp22nm世代相当)を分割し
て対となる2つの設計パターンを生成した。次に、前記の製造した2枚のバイナリ型マスクブランクを用い、分割された対となる2つの転写パターンをそれぞれ有する2枚の転写用マスク(転写用マスクセット)を以下の手順により作製した。
次に、レジスト膜4に対し、電子線描画装置を用い、先に生成したうちの一方の設計パターンの描画を行った後、所定の現像処理を行い、レジストパターン4aを形成した(図3(b))。
次に、レジストパターン4aをマスクとして、エッチングマスク膜3のドライエッチングを行い、エッチングマスクパターン3aを形成した(図3(c))。このとき、ドライエッチングガスとして、Cl2とO2の混合ガス(Cl2:O2=4:1)を用いた。次いで、レジストパターン4aを剥離した。
次いで、同様の手順により、対となる2つの設計パターンのうち、もう一方の転写パターンを有する遮光膜を備える転写用マスクを作製し、DP・DE露光技術が適用された転写用マスクセットを得た。
ウェハ上の最表層に形成されたパターンと設計パターンと比較したところ、パターンの断線等のパターン欠陥はなく、露光転写時のArF露光光が転写用マスクの薄膜パターン
が熱膨張するのを許容範囲に抑制できたことが確認できた。さらに、この実施例1と同様の手順で、DRAM hp22nm世代に相当する半導体デバイスの積層構造を形成する
ため、各層に回路パターンを露光転写するための転写用マスクセットを全層分作製し、半導体デバイスを製造してみた。その結果、積層構造の各回路パターンのいずれにおいてもパターンの断線等の欠陥はなく、また上下層間の配線短絡や断線もなく、DRAM hp
22nm世代に相当する半導体デバイスを製造できることが確認できた。
(ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造)
実施例2は、単層型のハーフトーン位相シフト膜を備えるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであり、図1および図3を準用して説明する。
透光性基板1として、まず、表裏両主表面が精密研磨された約152mm×152mm×6.35mmの合成石英ガラス基板を準備した。
続いて、透光性基板1をRFマグネトロンスパッタ装置内に載置し、Al2O3ターゲットとAlターゲットの2つのターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスをスパッタ装置内に導入し、単層型のハーフトーン位相シフト膜2としてAlxOy膜(Al=40原子%超)を膜厚80nmで形成した。このハーフトーン型位相シフト膜2は、ArFエキシマレーザー露光光の波長193nmに対する透過率が23%であり、177度の位相差を与えるように膜組成等が調整された。なお、このハーフトーン型位相シフト膜2のバンドギャップは、6.4[eV]未満であった。
以上の手順により、ArFエキシマレーザー露光用のハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得た。
製造したハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、ハーフトーン型位相シフトマスクを以下の手順により作製した。
厚が150nmとなるように塗布した(図3(a))。
次に、レジスト膜4に対し、電子線描画装置を用いて転写パターンの描画を行った後、所定の現像処理を行い、レジストパターン4aを形成した(図3(b))。
次に、レジストパターン4aをマスクとして、遮光膜3のドライエッチングを行い、遮光膜パターン3aを形成した(図3(c))。このとき、ドライエッチングガスとして、Cl2とO2の混合ガス(Cl2:O2=4:1)を用いた。次いで、レジストパターン4aを剥離した。
次に、遮光膜パターン3a上に、電子線描画露光用化学増幅型ポジレジスト(FEP171:富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製)をスピンコート法により、膜厚が150nmとなるように塗布した(以下、図示せず)。
次に、レジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて遮光帯パターンの描画を行った後、所定の現像処理を行い、レジストパターンを形成した。
次に、このレジストパターンをマスクとして、遮光膜パターン3aのドライエッチングを行い、遮光帯パターンを形成した。このとき、ドライエッチングガスとして、Cl2とO2の混合ガス(Cl2:O2=4:1)を用いた。次いで、レジストパターンを剥離し、所定の洗浄を施して、遮光帯パターンと転写パターンを有するハーフトーン型位相シフト膜を備えるハーフトーン型位相シフトマスクを得た。
ウェハ上の最表層に形成されたパターンと設計パターンと比較したところ、パターンの断線等のパターン欠陥はなく、露光転写時のArF露光光がハーフトーン型位相シフトマスクの位相シフトパターンが熱膨張するのを許容範囲に抑制できたことが確認できた。さらに、この実施例1と同様の手順で、DRAM hp45nm世代に相当する半導体デバ
イスの積層構造を形成するため、各層に回路パターンを露光転写するためのハーフトーン型位相シフトマスクを全層分作製し、半導体デバイスを製造してみた。その結果、積層構造の各回路パターンのいずれにおいてもパターンの断線等の欠陥はなく、また上下層間の配線短絡や断線もなく、DRAM hp45nm世代に相当する半導体デバイスを製造で
きることが確認できた。
2 薄膜
2a 薄膜パターン
21 下層
22 上層
23 表面反射防止層
3 エッチングマスク膜
3a エッチングマスクパターン
4 レジスト膜
4a レジストパターン
10 価電子帯
11 伝導帯
12,13,14,15 電子
20 励起光
30 蛍光
40 フェルミ準位
Claims (12)
- ArF露光光が適用される転写用マスクの製造に用いられ、透光性基板の上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクであって、
前記薄膜は、遮光膜およびハーフトーン位相シフト膜のうち少なくとも一方を含み、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層以上が順に積層する構造であり、前記下層は、透光性基板側から入射するArF露光光の照射を受けるとArF露光光よりも長い波長の蛍光を発する蛍光物質を含有する材料からなることを特徴とするマスクブランク。 - 前記蛍光物質は、金属の酸化物、窒化物または酸窒化物を主成分とし、6.4eV未満のバンドギャップを有することを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記蛍光物質は、チタン、アルミニウム、鉄、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、ガリウム、イットリウムおよびランタンのうち少なくとも1以上の金属を含有する物質であることを特徴とする請求項2記載のマスクブランク。
- 前記蛍光物質は、ケイ素の窒化物を含有し、2.0eV以上6.4eV未満の範囲のバンドギャップに調整されている物質であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記蛍光物質は、金属とケイ素の酸化物、金属とケイ素の窒化物、および金属とケイ素の酸窒化物のうち少なくともいずれかを含有し、3.0eV以上6.4eV未満の範囲のバンドギャップに調整されている物質であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記蛍光物質は、ジルコニウムの酸化物、ハフニウムの酸化物、イットリウムの酸化物、ランタンの酸化物、アルミニウムの窒化物、ケイ素の窒化物、ジルコニウムシリサイドの酸化物、ハフニウムシリサイドの酸化物、およびアルミニウムシリサイドの酸化物のうち少なくともいずれかを含有し、3.0eV以上6.4eV未満の範囲のバンドギャップに調整されている物質であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記下層は、6.4eVよりも大きいバンドギャップを有する物質中に前記蛍光物質をドープした材料で形成されていることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記下層は、SiO2、Al2O3、およびCaF2のうち少なくともいずれかを含有する物質中に前記蛍光物質をドープした材料で形成されていることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記上層は、前記蛍光物質を含有しない材料からなることを特徴とする請求項7または8に記載のマスクブランク。
- 請求項1から9のいずれかに記載のマスクブランクの薄膜に転写用パターンを形成してなることを特徴とする転写用マスク。
- 請求項10に記載の転写用マスクを2枚セットとした転写用マスクセットであって、前記2枚の転写用マスクに形成されている各転写パターンは、転写対象物に転写露光する1つの転写パターンを2つの転写パターンに分割したものであることを特徴とする転写用マスクセット。
- 請求項11に記載の転写用マスクセットを用い、ウェハ上のレジスト膜に前記1つの転写パターンを露光転写することにより、ウェハ上にレジストパターンを形成する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009247086A JP5602412B2 (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクセットおよび半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009247086A JP5602412B2 (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクセットおよび半導体デバイスの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011095347A JP2011095347A (ja) | 2011-05-12 |
JP2011095347A5 JP2011095347A5 (ja) | 2012-11-08 |
JP5602412B2 true JP5602412B2 (ja) | 2014-10-08 |
Family
ID=44112359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009247086A Active JP5602412B2 (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクセットおよび半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5602412B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103105738B (zh) * | 2011-11-14 | 2015-12-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种曝光方法 |
JP6314423B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2018-04-25 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスク |
JP6540758B2 (ja) * | 2017-07-31 | 2019-07-10 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
JP6490786B2 (ja) * | 2017-12-25 | 2019-03-27 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
JP2021067908A (ja) * | 2019-10-28 | 2021-04-30 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06258817A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクおよびそれに用いるブランクならびにそれらの製造方法 |
JP3115185B2 (ja) * | 1993-05-25 | 2000-12-04 | 株式会社東芝 | 露光用マスクとパターン形成方法 |
JP2001297976A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
JP2002062638A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | マスクブランクス、フォトマスク、パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP4566547B2 (ja) * | 2003-11-13 | 2010-10-20 | Hoya株式会社 | マスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法 |
JP4958149B2 (ja) * | 2006-11-01 | 2012-06-20 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP2009086094A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Hoya Corp | マスクブランク及び転写用マスク |
-
2009
- 2009-10-27 JP JP2009247086A patent/JP5602412B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011095347A (ja) | 2011-05-12 |
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