JP5595246B2 - 光電変換素子および光電変換装置 - Google Patents
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Description
元素およびVI−B族元素を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられた、II−VI族化合物またはIII−VI族化合物元素を含む半導体層とを有する光電変換素子であって、前記光吸
収層は、前記半導体層側にAgを含むAgドープ層を有しており、該Agドープ層のバンドギャップは、前記光吸収層のうち前記Agドープ層を除いた部分のバンドギャップよりも大きい。
図1のように光電変換装置は、基板の上に複数の光電変換素子を並設した構成を有する。
基板1は、複数の光電変換素子20を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、ガラス、セラミックス、樹脂、および金属などが挙げられる。ここでは、基板1として、厚さ1〜3mm程度の青板ガラス(ソーダライムガラス)が用いられているものとする。
下部電極層2は、基板1の一主面上に設けられた、Mo、Al、Ti、Ta、またはAuなどの金属、あるいはこれらの金属の積層構造体からなる導体である。
光吸収層3は、下部電極層9の上に設けられた、カルコパライト系(以下CIS系とも言う)のCu、III−B族元素およびVI−B族元素を含む化合物からなる、p型の導電型を有する半導体層である。この光吸収層4は、1〜3μm程度の厚みを有している。
Agドープ層3aは、前記した光吸収層3の表面側に配置され、光吸収層3内においてAgの組成比率が相対的に多い層である。このようなAgドープ層3aは後述するように、光吸収層3上にAgをスパッタリング法で成膜しながら打ち込むか、Agをイオン注入法で注入するか、あるいはAgを蒸着後にアニールして拡散することで得られる。
半導体層4は、光吸収層上に設けられ、光吸収層3の導電型とは異なるn型の導電型を有する、II−B族元素とVI−B族元素、または、III−B族元素とVI−B族元素を含む半導体層である。
光電変換素子20では、このヘテロ接合を構成する光吸収層3または半導体層4とにおいて光電変換が生じる。
上部電極層7は、第1半導体層4a、第2半導体層4bの上に設けられた、n型の導電型を有する透明導電膜である。
第1半導体層4a、第2半導体層4b、上部電極層7は、絶対屈折率が略同一であることが好ましい。これにより、光吸収層3での光の吸収効率の低下が抑制される。
グリッド電極8はAgなどの金属からなる集電部8aと連結部8b(不図示)とからなり、光電変換素子20において発生して上部電極層7において取り出された電荷を集電する役割を担う。これにより上部電極層7の薄層化が可能となる。
本実施形態は、下部電極層上に設けられた、Cu、III−B族元素およびVI−B族元素を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられた、II−VI族化合物またはIII−VI族化合物元素を含む半導体層とを有する光電変換素子であって、前記光吸収層の前記半導体層側にAgを含むAgドープ層を有する。
(第一の製造方法)
第一の製造方法は、前記下部電極層上にCu、III−B族元素およびVI−B族元素を含
む前記光吸収層を形成する第1工程と、スパッタリング法によって前記光吸収層上にAg含有膜を形成するとともに、前記光吸収層へ前記Agを注入する第2工程と前記Ag含有膜を除去する第3工程とを有する。
第二の製造方法は、前記下部電極層上にCu、III−B族元素およびVI−B族元素を含
む前記光吸収層を形成する第1工程と、蒸着法によって前記光吸収層上にAg含有膜を形成する第2工程と、アニールによって前記Ag含有膜から前記光吸収層へAgを熱拡散させる第3工程と、前記Ag含有膜を除去する第4工程とを有する。
第三の製造方法は、前記下部電極層上にCu、III−B族元素およびVI−B族元素を含
む前記光吸収層を形成する第1工程と、イオン注入法によって前記光吸収層へAgを注入する第2工程とを有する。
基板1として、厚さ2mmの青板ガラス(ソーダライムガラス)を用いて、下部電極層2として、Moからなる導体をスパッタリング法を用いて0.5μm形成し、光吸収層3として、Cu−In−Ga−Se化合物を含む溶液を下部電極層9の上に塗布し、その後、乾燥、熱処理を行い2μmの厚みに形成した。
前記した製造方法による光電変換素子を用いて図1の態様とし、光電変換効率を評価した。
以下、第一の製造方法による結果を表1に示す。
2:下部電極層
3:光吸収層
3a:Agドープ層
4:半導体層
5、7:上部電極層
6:Ag膜
20:光電変換素子
21:光電変換装置
Claims (4)
- 下部電極層上に設けられた、Cu、III−B族元素およびVI−B族元素を含む光吸収層
と、該光吸収層上に設けられた、II−VI族化合物またはIII−VI族化合物元素を含む半導
体層とを有する光電変換素子であって、
前記光吸収層は、前記半導体層側にAgを含むAgドープ層を有しており、
該Agドープ層のバンドギャップは、前記光吸収層のうち前記Agドープ層を除いた部分のバンドギャップよりも大きい光電変換素子。 - 前記Agドープ層の厚さは100〜200nmである請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記Agドープ層におけるAgの平均組成は、0.01〜30原子%である請求項1または2に記載の光電変換素子。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の光電変換素子を用いた光電変換装置。
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