JP5594389B2 - 光素子 - Google Patents

光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP5594389B2
JP5594389B2 JP2013044497A JP2013044497A JP5594389B2 JP 5594389 B2 JP5594389 B2 JP 5594389B2 JP 2013044497 A JP2013044497 A JP 2013044497A JP 2013044497 A JP2013044497 A JP 2013044497A JP 5594389 B2 JP5594389 B2 JP 5594389B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
waveguide
path length
waveguides
channel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013044497A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014174223A (ja
Inventor
秀彰 岡山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP2013044497A priority Critical patent/JP5594389B2/ja
Publication of JP2014174223A publication Critical patent/JP2014174223A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5594389B2 publication Critical patent/JP5594389B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

この発明は、波長分割多重(WDM:Wavelength Division Multiplex)通信において波長の異なる成分光の合分波に用いる光素子に関する。
加入者側から局側への光伝送(上り通信)と、局側から加入者側への光伝送(下り通信)とを1本の光ファイバで行う、GE−PON(Gigabit Ethernet(登録商標)−Passive Optical Network)等の光加入者系通信システム(以下、加入者系システムとも称する。)においては、上り通信及び下り通信に異なる波長の光を用いることがある。GE−PONでは、双方向で1Gbps以上の速度で通信を行うことができる。近年、GE−PONに代わる次世代の技術として、通信に用いる波長の多重度を上げたWDM−PONが検討されている。WDM−PONでは、原理的には、双方向で10Gbpsを超える通信速度が得られる。
WDM−PONでは、通信に用いる光ファイバの両端部、すなわち、局側終端装置(OLT:Optical Line Terminal)と、加入者側終端装置(ONU:Optical Network Unit)に、複数の波長の光を合分波する光素子(以下、光合分波素子とも称する。)が必要となる。
このような光合分波素子の一例として、アレイ導波路回折格子(AWG:Arrayed Waveguide Grating)がある。AWGは、2個のスラブ導波路と、これらのスラブ導波路を接続し、光路長が一定値ずつ変化する多数の湾曲光導波路とを備える。ここで、「光路長」とは、一般に、光導波路の幾何学的な長さFを、ある波長の光に関する光導波路の等価屈折率Gで補正した光学的な長さである。光路長をLとすると、LはF×Gで与えられる。以降、「光路長」と記載しない長さ(幅、厚み、高さ等を含む)は、単に、幾何学的な長さを示す。
AWGは、通常、基板に、平板光導波路回路(PLC:Planar Lightwave Circuit)として形成される。しかし、コアとクラッドの屈折率差が小さい石英系光導波路では、湾曲光導波路の曲率半径を小さくすることが難しく、AWGを小型化することが難しかった。
そこで、シリコン(Si)を材料とするコアと、Siとの屈折率差が大きな酸化シリコン(SiO)を材料とするクラッドとを用いたSi光導波路で、AWGを構成する例が報告されている(例えば、非特許文献1及び2参照)。Si光導波路は、コアの屈折率がクラッドの屈折率よりも非常に大きいので、光の閉じ込めが強い。このため、光を1μm程度の小さい曲率半径で曲げる湾曲光導波路を形成できる。また、Si電子デバイスの加工技術を利用して製造できるために、きわめて微細なサブミクロンの断面構造を実現できる。これらのことから、Si光導波路を用いることでAWGを小型化することができる。
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,vol.16,No.1,p33−44,2010 IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,vol.12,No.6,p1301−1305,2006 Optics Express vol.19,No.9,pp.8781−8794,25 April 2011
しかし、Si光導波路製のAWGで、曲率半径を小さくすると、湾曲光導波路で不可避的に生じる位相誤差が大きくなり、消光比(波長分離能力)の低下と、伝搬光の損失とを生じさせていた。
位相誤差により生じるこの問題を解決するために、湾曲光導波路の曲率半径を一定にする技術が開示されている(例えば、非特許文献3参照)。しかし、非特許文献3の技術では、曲率半径が一定の湾曲光導波路を配置するために、機能的には不必要な直線状光導波路を設ける必要があり、十分に小型化されているとは言えなかった。
本発明はこのような技術的背景でなされた。従って、本発明の目的は、十分な波長分離能力を保ちつつ、非特許文献3よりも小型でありAWGとしても用いることができるSi光導波路製光素子を得ることにある。
発明者は、鋭意検討の結果、2個のスラブ導波路を接続して、並列される複数の光導波路の配置を調整することで、上述の課題を解決できることに想到した。
従って、この発明の光素子は、第1及び第2スラブ導波路と、第1〜第Nチャネル型光導波路(Nは3以上の整数)とを備える。
ここで、第1及び第2スラブ導波路は一端面に1以上の光入出力ポートをそれぞれ有し、互いに形状が等しい。また、第1〜第Nチャネル型光導波路は、第1及び第2スラブ導波路の一端面に対向する他端面に、一端面上の中心点から等角度間隔且つ等距離で接続され、第1及び第2スラブ導波路の間に並列に設けられていて、第1及び第2スラブ導波路を接続する。
また、第1〜第Nチャネル型光導波路は、それぞれ、第1スラブ導波路との接続部を含む第1接続領域と、第2スラブ導波路との接続部を含む第2接続領域と、第1及び第2接続領域を接続する光路長調整領域とを備える。
そして、第1及び第2接続領域では、第1及び第2スラブ導波路のそれぞれの他端面に、曲率半径が等しい湾曲光導波路で構成される第i(iは1〜Nの整数)チャネル型光導波路が接続されるか、又は、第1接続領域の第Nチャネル型光導波路、及び第2接続領域の第1チャネル型光導波路が直線状光導波路である以外は、曲率半径が等しい湾曲光導波路で構成される第iチャネル型光導波路が接続されている。
また、第1接続領域の第iチャネル型光導波路の光路長と、第2接続領域の第iチャネル型光導波路の光路長の和が、全てのiで等しく、光路長調整領域において、第iチャネル型光導波路の光路長が、iの増減とともに一定値ずつ増加又は減少する。
また、この発明の別の光素子は、第1〜第Nチャネル型光導波路と上述と同様の第1及び第2スラブ導波路とを備える。
また、第1〜第Nチャネル型光導波路は、それぞれ、第1スラブ導波路との接続部を含む第1接続領域と、第2スラブ導波路との接続部を含む第2接続領域と、第1及び第2接続領域を接続する光路長調整領域と、光路長調整領域中に設けられる第3接続領域とを備える。
そして、第1〜第3接続領域は、曲率半径が等しい湾曲光導波路で構成される第i(iは1〜Nの整数)チャネル型光導波路を備え、第1接続領域の第iチャネル型光導波路の光路長と、第2接続領域の第iチャネル型光導波路の光路長と、前記第3接続領域における第iチャネル型光導波路の光路長の和が、全てのiで等しい。
この発明の光素子は、機能的には不要な直線状光導波路を用いないので、実用上十分な波長合分波能力を保ちつつ、非特許文献3の光素子よりも小型である。
(A)は非特許文献3の光素子の概略的な構成を示す模式図であり、(B)は、(A)の要部拡大平面図である。 (A)は本発明の光素子の概略的な構成を示す模式図であり、(B)は、(A)の要部拡大平面図である。 (A)は実施形態1の光素子の構造を概略的に示す平面図であり、(B)は(A)のA1−A1線に沿った切断端面図であり、(C)は(A)のA2−A2線に沿った切断端面図である。 (A)及び(B)は、実施形態2の光素子をそれぞれ示す模式図である 実施形態2の光素子の別の変形例を示す模式図である。 (A)〜(D)は、本発明の光素子のサーバへの応用を示す模式図である。 本発明の光素子の光入出力SSDへの応用を示す模式図である。 本発明の光素子の光トランシーバへの応用を示す模式図である。
以下、図面を参照して、この発明の実施形態について説明する。なお、各図では構成要素の形状、大きさ及び配置関係を、この発明が理解できる程度に概略的に示している。また、以下の各実施形態は、この発明の一好適例であり、各構成要素の材質や数値的条件なども、好適な場合の例示に過ぎない。従って、この発明は、以下の各実施形態に何ら限定されない。また、各図において、共通する構成要素には同符号を付し、その説明を省略することもある。
[発明の概要]
図1及び図2を参照して、この発明の概要を説明する。図1(A)は、非特許文献3の光素子(以下、従来型AWGとも称する。)の概略的な構成を示す模式図である。図1(B)は、図1(A)の要部拡大平面図である。図2(A)は、本発明の光素子(以下、第1AWG又は光素子10とも称する。)の概略的な構成を示す模式図である。図2(B)は、図2(A)の要部拡大平面図である。なお、図1及び図2では、発明の理解に資するために、光素子を簡略的に描いている。つまり、基板及びクラッドの図示を省略するとともに、コアを単なる曲線で、及び各構成要素を単純化した図形でそれぞれ描いている。
まず、図1(A)を参照して、以下の説明で用いる方向及び寸法を定義する。図1(A)に示したような右手系の直交座標系を考え、X方向を図が描かれた紙面の左から右に向かう方向とし、長さ方向とも称する。また、Z方向を図が描かれた紙面の裏面から表面に向かう方向とし、高さ方向又は厚み方向とも称する。また、Y方向を図が描かれた紙面の下方から上方に向かう方向とし、幅方向とも称する。そして、X方向に沿って測った幾何学的長さを「長さ」とも称し、Y方向に沿って測った幾何学的長さを「幅」とも称し、Z方向に沿って測った幾何学的長さを「高さ」又は「厚さ」とも称する。また、入力光INが伝搬する方向に沿った方向を光伝搬方向と称する。また、所定の構造体の光伝搬方向に垂直な断面のことを「横断面」と称する。また、この例では、不図示の基板の主面は、XY平面(紙面)に平行に延在する。
(AWGについての概説)
まず、図1(A)を参照して、従来型AWGに代表される一般的なAWGの構造と動作とを説明する。
従来型AWG100は、第1スラブ導波路103と、第1スラブ導波路103と同形の第2スラブ導波路105と、第1及び第2スラブ導波路103及び105を接続して、並列に設けられる第1〜第Nチャネル型光導波路(Nは3以上の整数)107〜107とを備える。
第1スラブ導波路103の一端面には、1個の光入出力用の第1ポートPが設けられている。また、第1スラブ導波路103の他端面は、第1ポートPが接続された位置を中心とした円弧状に形成されている。そして、この中心点から、時計回りに放射状に等角度間隔且つ等距離で、N個のテーパ状光導波路103T〜103Tが設けられており、それぞれ、第1〜第Nチャネル型光導波路107〜107に接続されている。
第2スラブ導波路105の一端面には、4個の光入出力用の第2〜第5ポートP〜Pが設けられている。また、第2スラブ導波路105の他端面にも、第1スラブ導波路103と同様に、N個のテーパ状光導波路105T〜105Tが放射状に等角度間隔且つ等距離で設けられており、それぞれ、第1〜第Nチャネル型光導波路107〜107に接続されている。なお、第1及び第2スラブ導波路103及び105の他端面同士は対向しているので、テーパ状光導波路105T〜105Tは、第2スラブ導波路105の一端面の中心点から反時計回りに設けられている。
第1〜第Nチャネル型光導波路107〜107は、第1及び第2スラブ導波路103及び105の他端面の間に並列に設けられ、両者103及び105を接続している。以降、第1〜第Nチャネル型光導波路107〜107を、導波路アレイ107と総称することもある。また、第1〜第Nチャネル型光導波路107〜107中の任意の一本を、第iチャネル型光導波路(iは、1〜Nの整数)とも称する。
導波路アレイ107は、第1スラブ導波路103に入力された光を伝搬させるものである。互いに隣接する第j及び第j+1チャネル型光導波路107及び107j+1(jは、1〜N−1の整数)の光路長はjによらず一定値ΔLだけ異なっている。
なお、第2〜第5ポートP〜Pは、例えば従来型AWG100によって分波又は合波される互いに異なる波長の成分光の数に応じて設けられる。また、導波路アレイ107を構成するチャネル型光導波路107〜107は、通常、例えば100本といったように多数設けられるが、同図においては、図の簡略化のために、一部を簡略的に示してある。
第1ポートPには、例えば局からの光ファイバ(図示せず)が接続されて、波長多重された入力光INが結合される。そして、この入力光INは、第1スラブ導波路103中を回折により広がりながら導波路アレイ107に入射し、導波路アレイ107を伝搬する。
導波路アレイ107を伝搬した光は、第2スラブ導波路105に達し、さらに、波長ごとに第2〜第5ポートP〜Pに集光されて出力される。すなわち、互いにΔLずつ光路長が異なるチャネル型光導波路107〜107を伝搬した結果、各成分光には波長に応じた位相差が生じる。それにより、第2スラブ導波路105では、成分光の波長に応じて集束光の波面が傾き、それぞれの成分光は、この傾斜角により第2〜第5ポートP〜Pの何れかに集光し、出力される。
例えば、図1(A)に示すように、波長λ〜λの4成分光を含む入力光INは、従来型AWG100により波長分離されて、第2〜第5ポートP〜Pから出力光OUT(波長λ)〜OUT(波長λ)として、それぞれ出力される。
すなわち、従来型AWG100は、第1ポートPから入力される互いに異なる複数波長の成分光を含む入力光から1つ以上の波長の成分光を分波して第2〜第5ポートP〜Pから出力する光分波機能を有している。ここで、分波される光の中心波長は、導波路アレイ107の隣り合うチャネル型光導波路107及び107j+1の光路長差ΔL、及びチャネル型光導波路107の等価屈折率nに比例する。
従来型AWG100は、光の相反性(可逆性)を利用しているため、上述した光分波器の他に、光合波器として機能する。すなわち、第2〜第5ポートP〜Pから互いに波長が異なる複数の成分光を入射させると、これらの光は、上述と逆の伝搬経路を通り、導波路アレイ107と第1スラブ導波路103とによって合波され、第1ポートPから、波長が多重化された出力光として出力される。
従来型AWGにおいては、波長分解能が導波路アレイ107の隣接するチャネル型光導波路107及び107j+1の光路長差ΔLに比例する。そのため、ΔLを大きくすることで、従来の回折格子では実現できなかった波長間隔の狭い波長多重光の光合分波が可能となる。その結果、WDM−PONで必要とされる波長間隔が1nm以下の複数の光信号を分波または合波することができる。
一般的に、従来型AWG100では、実用上十分な消光比で波長を分離するためには、出力ポート数、つまり分離すべき波長数の2倍以上のチャネル型光導波路を設けることが好ましく、4倍以上であればより一層好ましい。
(従来型AWGの特徴)
続いて、図1(A)及び図1(B)を参照して、従来型AWGの特徴について説明する。図1(B)は、従来型AWGにおける第1スラブ導波路及び第1接続領域の拡大平面図であり、従来型AWGの特徴点の説明に用いる。例えば、従来型AWGでは107aと107bにおいて、曲線部、直線部がそれぞれ複数個所あるが、これらを107raiと107saiとしてひとつの要素として描いている。
まず、図1(A)を参照して、特徴点の説明に必要な従来型AWG100の構成について説明する。従来型AWG100において、導波路アレイ107は、第1スラブ導波路103側から第2スラブ導波路105側に向かって、第1接続領域107a、光路長調整領域107c、及び第2接続領域107bの3領域に区画される。以降、各領域107a,107c及び107bに位置する第iチャネル型光導波路107を、それぞれ、符号107a,107c及び107bで表す。
より詳細には、第1接続領域107aにおいて、第iチャネル型光導波路107aは、湾曲光導波路部107raと、直線光導波路部107saで構成される。なお、湾曲光導波路107raの位置を明確にするために、湾曲光導波路の両端を点線の弦で結んで示している。(課題を解決する手段)で説明したように、位相誤差の発生を最小限に抑えるために、湾曲光導波路部107raの曲率半径R100と光路長とは、iに拠らず等しく形成されている。また、直線光導波路部107saは、第1接続領域107aと、光路長調整領域107cとの境界A−Aにおいて、隣接するチャネル型光導波路107と107j+1との間隔D100を等しくするために設けられる(図1(B))。第1接続領域107aにおいては、直線光導波路部107saの光路長は、iと共に減少し、第Nチャネル型光導波路107aでは、直線光導波路部107saの光路長は0(ゼロ)となる。
第2接続領域107bは、第1接続領域107aと回転対称の関係にあり、直線状光導波路部107sbの光路長がiと共に増加する点以外は、第1接続領域107aと同様に構成される。すなわち、第iチャネル型光導波路107bは、直線光導波路部107sbと、湾曲光導波路部107rbとで構成される。ここで、湾曲光導波路107rbの曲率半径及び光路長は、湾曲光導波路107raと同様である。また、第1接続領域107aと同様に、第2接続領域107bと、光路長調整領域107cとを区画する境界B−Bにおいて、隣接するチャネル型光導波路107と107j+1との間隔はD100で等しい。
図1(A)を参照すると第1接続領域107aでは光路長が最も長い第1チャネル型光導波路107は、第2接続領域107bでは光路長が最も短く設定されている。一方の接続領域107a又は107bで光路長が長いチャネル型光導波路107が、他方の接続領域107b及び107aでは短い光路長を有する関係は、全てのiについて成立する。その結果、両接続領域107a及び107bでの第iチャネル型光導波路107の光路長L((107a)及び(107b)の和)はiに依らず等しくなる。これにより、両接続領域107a及び107bを伝搬する過程で、各成分光に位相差は生じない。
各成分光に、波長分離に必要な位相差を与えるのは、光路長調整領域107cである。光路長調整領域107cにおいて、第1〜第Nチャネル型光導波路107c〜107cは、それぞれV字形に直角に屈曲されている。また、上述のように、第1〜第Nチャネル型光導波路107c〜107cは、互いに等しい間隔D100ずつ離間している。その結果、光路長調整領域107cにおいて、第iチャネル型光導波路107cの光路長は、iとともに一定値ΔLずつ減少する。つまり、光路長調整領域107cにより、チャネル型光導波路107〜107に波長分離に必要な光路長差ΔLが生み出される。
このように、従来型AWG100では、第1及び第2接続領域107a及び107bと光路長調整部107cとの境界A−A及びB−Bにおいて、第j及び第j+1チャネル型光導波路107と107j+1の間隔D100が等しい。その結果、光路長調整部107cで、第j及び第j+1チャネル型光導波路107cと107j+1cとの光路長差をΔLで一定にすることが可能となる。
(第1AWGの特徴)
続いて、図2を参照して、第1AWGの特徴点について説明する。図2(A)に示すように、第1AWG10は、第1〜第Nチャネル型光導波路7〜7を備える導波路アレイ7と、従来型AWGと同様に構成された第1及び第2スラブ導波路103及び105とを備える。そして、第1AWG10の第1〜第Nチャネル型光導波路7〜7は、第1スラブ導波路103との接続部を含む第1接続領域7aと、第2スラブ導波路105との接続部を含む第2接続領域7bと、第1及び第2接続領域7a及び7bを接続する光路長調整領域7cとを備える。なお、「第1〜第Nチャネル型光導波路7〜7と、第1スラブ導波路103との接続部」とは、テーパ状光導波路103T〜103Tと、第1〜第Nチャネル型光導波路7〜7とが接続されている点を示す。
第1AWG10は、従来型AWG100と下記の3点で異なっており、その結果、波長合分波能力が従来型AWG100と同等でありながら、より小型化が達成されている。以下、この点について、図2(A)及び(B)を参照して説明する。
(相違点1)第1及び第2接続領域7a及び7bを構成する第iチャネル型光導波路7a及び7bがそれぞれ湾曲光導波路部7ra及び7rbのみで構成されている点。
(相違点2)光路長調整領域7cの形状が、U字形である点。
(相違点3)第1及び第2スラブ導波路103及び105の中心軸103C及び105Cが平行である点。
(相違点1について)
まず、主に図2(B)を参照して、相違点1について説明する。図2(B)は、図2(A)の第1スラブ導波路103及び第1接続領域7a付近を拡大した要部拡大平面図である。図1(B)に示したように、従来型AWG100では、第1接続領域107aの第iチャネル型光導波路107aが、湾曲光導波路部107raと、直線光導波路部107saとを備えていた。これは、光路長調整領域107cにおいて、隣接する第j及び第j+1チャネル型光導波路107cと107j+1cの間隔を一定値D100に保つためである。従来型AWG100では、この一定間隔D100を利用して、第iチャネル型光導波路107cを屈曲して、隣接するチャネル型光導波路107と107j+1に一定の光路長差ΔLを与える。
しかし、従来型AWG100では、隣接するチャネル型光導波路107cと107j+1cの間隔をD100に保つために、波長合分波能力には関係ない直線状光導波路107sa及び107sbを設ける必要があり、その結果、素子サイズの大型化を招いていた。
それに対し、第1AWG10は、第1接続領域7aを構成する第iチャネル型光導波路7aを、一定の曲率半径R10の湾曲光導波路部7raのみで構成しており、機能的には不要な直線状光導波路が存在しない。その結果、第1AWG10は、素子サイズを従来型AWG100よりも小さくできる。具体的には、従来型AWG100は、素子の最大寸法が約800μmであるのに対し、第1AWG10は、同等の波長合分波能力を保ちつつ、最大寸法を400μmにまで小さくすることができる。
第1AWG10では、第iチャネル型光導波路7aを湾曲光導波路部7raのみで構成した結果、光路長調整領域7cに設けたD−D線において、隣接するチャネル型光導波路7と7j+1との間の間隔Dがそれぞれ異なる値となる。つまり、jと共に、間隔Dが広がっていく。第2接続領域7bは、第iチャネル型光導波路7bの光路長がiの増加と共に徐々に増加する点を除いて、第1接続領域7aと同様に構成されている。
従来型AWG100と同様に、第1AWG10でも、第1接続領域7aでは第iチャネル型光導波路7aの光路長はiの増加と共に徐々に減少し、逆に第2接続領域7bでは第iチャネル型光導波路7bの光路長はiの増加と共に徐々に増加する。その結果、第1及び第2接続領域7a及び7bを構成する第iチャネル型光導波路7aと7bの光路長の和はiによらず等しくなる。つまり、第1AWG10でも、第1及び第2接続領域7a及び7bを伝搬する過程で成分光には位相差は付与されない。
(相違点2について)
次に、光路長調整領域7cの全体形状がU字形である点について説明する。光路長調整領域7cを構成する第iチャネル型光導波路7cは、第1AWG10の波長分離に必要な光路長差ΔLを生じる。第iチャネル型光導波路7cは、第1接続領域7aの一端に接続される第1直線部9aと、第1直線部9aの出力端に接続され、第2スラブ導波路105の位置する方向に向かって直角に屈曲する第1湾曲部9bと、第1湾曲部9bの一端に接続される第2直線部9cと、第2直線部9cの一端に接続され、第2接続領域7bの方向に向かって直角に屈曲する第2湾曲部9dと、第2湾曲部9dの一端に接続され、第2接続領域7bに接続される第3直線部9eとを備える。ここで、第1及び第2湾曲部9bと9dは、iによらず等しい曲率半径と光路長を有しており、位相誤差の発生を抑制している。
上述のように、従来型AWG100では、光路長調整領域107cにおいて、隣接するチャネル型光導波路107及び107j+1の間隔を一定に保った上で、チャネル型光導波路107cをV字形に屈曲することで一定の光路長差ΔLを生み出していた。
しかし、第1AWG10では、光路長調整領域7cにおいて、隣接するチャネル型光導波路7及び7j+1の間隔Dがjにより変化する。そのため、第1及び第2湾曲部9bと9dを利用するだけでは、一定の光路長差ΔLを生み出すことができない。そこで、第1AWG10では、第1〜第3直線部9a,9c及び9eの長さを変えることにより波長分離に必要な光路長差ΔLを生み出している。
このように、第1AWG10は、光路長調整領域7c中に備えた2個の湾曲部9bと9dで、第iチャネル型光導波7を2回折り曲げる。それに対して、従来型AWG100では、一定の光路長差を得る技術的制約のために、光路長調整領域107cでの第iチャネル型光導波路107の折り曲げ回数は1回だけである。
ところで、波長合分波能力が等しい場合、従来型AWG100でも、第1AWG10でも、波長合分波に必要な光路長調整領域の直線部の長さは同じである。よって、光路長調整領域7cでの折り曲げ回数が従来型AWG100よりも多い第1AWG10は、従来型AWG100よりも小型化することができる。
(相違点3について)
図2(A)に示すように、第1及び第2スラブ導波路103及び105の中心軸103C及び105Cは平行に配置されている。より詳細には、第1スラブ導波路103において、中心軸103Cから時計回りに測った第N光導波路7の接続部とのなす角度をΘとし、第2スラブ導波路105において、中心軸105Cから時計回りに測った第1チャネル型光導波路7とのなす角度をΘとするとき、Θ=Θであり、Θ≠0°である。つまり、第1及び第2スラブ導波路103及び105は、同じ向きに配置されている。その結果、第iチャネル型光導波路7の光路長のiに対する変化率が、第1及び第2接続領域7a及び7bにおいて逆になり、結果として、第1及び第2接続領域7a及び7bにおける第iチャネル型光導波路7の光路長の和をiに拠らず一定にすることができる。
第1及び第2接続領域7a及び7bでの第i光導波路7の光路長の和を一定に保つためには、第1接続領域7aと第2接続領域7bとで、iの増加に対する第i光導波路7の光路長の変化率を逆にする必要がある。そのためには、中心軸103C及び105CとY軸とのなす角度を0°以外として、第1及び第2接続領域7a及び7bに接続される第i光導波路7の光路長に差を生む必要がある。
以上説明したように、第1AWG10は、上述の相違点1〜3が従来型AWG100と異なっている。その結果、第1AWG10は、波長合分波能力を低下させること無く、従来型AWG100よりも小型化することが可能である。
[実施形態1]
続いて、図3を参照して、実施形態1の光素子(以下、第1の光素子又は光素子20と称する。)について説明する。図3(A)は、第1の光素子の構造を概略的に示す平面図である。図3(B)は、図3(A)のA1−A1線に沿った切断端面図である。図3(C)は、図3(A)のA2−A2線に沿った切断端面図である。なお、図3(A)は、基板とクラッドとを図示した以外は、図2(A)と同様に簡略化している。また、図3(A)では、コア13は、クラッド12に覆われているため直接目視できないが、強調するために実線で描いている。
なお、光素子20は、光路長調整領域7cに第1〜第N位相調整領域11〜11が設けられている点以外は、上述した光素子10と同様に構成されている。従って、以下では、主に、この相違点について説明する。以降、第1〜第N位相調整領域11〜11を総称して、位相調整領域11とも称する。
(構造)
図3を参照すると、光素子20は、基板8に設けられたクラッド12と、コア13とで構成された光導波路14を有している。この例では、光導波路14はSi光導波路である。すなわち、コア13を屈折率が約3.47のSiとし、クラッド12を屈折率が約1.45のSiOとする。なお、基板8,コア13及びクラッド12については後述する。
位相調整領域11〜11は、第1〜第Nチャネル型光導波路7〜7のそれぞれに設けられたチャネル型光導波路である。具体的には、図3(B)及び(C)に示すように第i位相調整領域11におけるコア幅W11は、他のチャネル型光導波路7のコア幅Wよりも大きい。また、第i位相調整領域11は、iの増加とともに光路長が徐々に短くなるように形成されている。
位相調整領域11は、図3(B)に示すように、第1〜第Nチャネル型光導波路7〜7のコア13の幅Wの寸法誤差(以下、幅誤差とも称する。)による波長合分波能力のばらつきを抑制するための構造である。すなわち、幅誤差に対する等価屈折率の依存性が第iチャネル型光導波路7とは異なる位相調整領域11を設けることで、隣接するチャネル型光導波路7及び7j+1の間で生じる幅誤差の影響を相殺する。
より詳細には、隣接するチャネル型光導波路7及び7j+1に、光路長がそれぞれ調整された位相調整領域11及び11j+1を設けることで、チャネル型光導波路7及び7j+1のコアの幅誤差由来の位相差を打ち消しあう。
また、光素子20では、第1接続領域7aの第Nチャネル型光導波路7はテーパ状光導波路103Tから直線的に延在する直線状光導波路として構成されている。第1接続領域7aを構成する他の第1〜第N−1チャネル型光導波路7〜7N−1は、曲率半径がR10で等しく、iの増加に応じて光路長が減少するように構成されている。
同様に、第2接続領域7bの第1チャネル型光導波路7はテーパ状光導波路105Tから直線的に延在する直線状光導波路として構成されている。第2接続領域7bを構成する他の第2〜第Nチャネル型光導波路7〜7は、曲率半径がR10で等しく、iの増加に応じて光路長が増加するように構成されている。
発明者の評価では、第1及び第2接続領域7a及び7bの第N及び第1チャネル型光導波路7及び7を直線状とすることで、余分な湾曲光導波路が不要となり、波長合分波能力を維持しつつ光素子20をより一層小型化できる。
なお、この例では、第1及び第2接続領域7a及び7bの第N及び第1チャネル型光導波路7及び7を直線状とする場合について説明したが、光素子20を配置するスペースに余裕がある場合には、第N及び第1チャネル型光導波路7及び7として湾曲状光導波路を用いても良い。
続いて、主に、図3(B)及び(C)を参照して、基板8、コア13及びクラッド12について説明する。コア13は、基板8の主面8a側に設けられたクラッド12中に配置される。クラッド12は、主面8a上に一様な厚みで延在する層状体である。より詳細には、クラッド12は、コア13の上面と下面及び両側面とを覆っている。
また、基板8の主面8aから測ったクラッド12の厚みは、例えば、約3μmとする。光導波路14を伝搬する光の基板8への不所望な結合を防ぐためには、コア13と基板8との間に1μm以上の厚みのクラッド12を介在させることが好ましい。この例では、主面8aとコア13の下面との間に、約1.5μmのクラッド12を介在させている。基板8は、例えば、Siを材料とする。
続いて、光素子20の製造方法について簡単に説明する。光素子20は、Si基板上にSiO層とSi層とがこの順序で積層されたSOI(Si On Insulator)基板を利用して作成される。すなわち、最上層のSi層を利用してコア13を形成し、BOX(Buried−OXide)層であるSiO層をクラッド12の下層に利用する。より詳細には、最上層のSi層を従来公知のドライエッチング法等でパターニングしてコア13を作成する。そして、このコア13を埋め込むように、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等で、クラッド12の上層に対応するSiO層を形成する。これにより、光導波路14を備える光素子20を得る。
[実施形態2]
次に図4〜図5を参照して、実施形態2の光素子について説明する。図4(A)は、この光素子を示す模式図である。図4(B)は、この光素子の変形例を示す模式図である。図5はこの光素子の別の変形例を示す模式図である。なお、図4及び図5は、図1と同様に簡略化している。
図4(A)を参照すると、実施形態2の光素子30を構成する第iチャネル型光導波路7cは、第1直線部9aと、第1湾曲部9bと、第2直線部9cと、第3接続領域7dと、第4直線部9fと、第2湾曲部9dと、第3直線部9eとを備える。
第1直線部9aは、第1接続領域7aの一端に接続される。第1湾曲部9bは、第1直線部9aの出力端に接続され、第2スラブ導波路105の位置する方向に向かって直角に屈曲する。第2直線部9cは、第1湾曲部9bの出力端に接続される。第3接続領域7dは、第2直線部9cの出力端に接続される。第4直線部9fは、第3接続領域7dの出力端に接続される。第2湾曲部9dは、第4直線部9fの出力端に接続され、第2接続領域7bの方向に向かって直角に屈曲する。第3直線部9eは、第2湾曲部9dの出力端に接続され、第2接続領域7bに接続される。すなわち、光素子30は、以下の2点が異なっている以外は、光素子20と略同様に構成されている。
(相違点1)第1及び第2スラブ導波路103及び105の中心軸が平行ではない点
(相違点2)光路長調整領域7c中に第3接続領域7dが設けられている点
以下、これらの相違点について順に説明する。
(相違点1について)
光素子20では、第1及び第2スラブ導波路の中心軸103C及び105Cは、平行に配置されていた。しかし、光素子30では、両中心軸103C及び105Cが交差するように配置されている。
より詳細には、第1スラブ導波路103において、中心軸103Cから時計回りに測ったY軸に平行な第Nチャネル型光導波路7の接続部とのなす角度をΘとし、第2スラブ導波路105において、中心軸105Cから反時計回りに測ったY軸に平行な第Nチャネル型光導波路7とのなす角度をΘとするとき、Θ=−Θであり、Θ≠0である。
なお、第1及び第2接続領域7a及び7bを構成する第iチャネル型光導波路7の曲率半径は、iに拠らず等しい値R30を取る。
(相違点2について)
上述のように、第1及び第2スラブ導波路103及び105を、それぞれの中心軸103C及び105Cが交差するように配置すると、第1及び第2接続領域7a及び7bの第iチャネル型光導波路7a及び7bの光路長の和が一定値とならなくなる。そこで、それを吸収するために、光路長調整領域7cに、第3接続領域7dを設けている。
第3接続領域7dは、第1及び第2接続領域7a及び7bを構成する第iチャネル型導波路7と等しい曲率半径R30を有している。より詳細には、第3接続領域7dの第iチャネル型導波路7dは、第2直線部9cと第4直線部9fとの間をなだらかに接続するために、3点を中心とする曲率半径R30の弧を組み合わせて構成されている。i=2の場合を例に取ると、第3接続領域7dは、第3接続領域7dのY方向下側にある点Oを中心とするR30の円弧と、第3接続領域7dのY方向上側にある点Oを中心とするR30の円弧と、第3接続領域7dのY方向下側にある点Oを中心とするR30の円弧とが接続されて構成されている。また、第1、第2及び第3接続領域7a,7b及び7dを構成する第iチャネル型光導波路7の光路長の和が、iによらず等しくなるように、第3接続領域7dの光路長が調整されている。これらにより、第1、第2及び第3接続領域7a,7b及び7dを伝搬する過程で、成分光には、位相差が生じることは無い。
光素子30では、光素子20とは異なり、両スラブ導波路103及び105を平行に配置する必要が無いので、より設計自由度が高まる。
なお、図4(B)の変形例の光素子40に示すように、第3接続領域7dを第1サブ領域7d−1及び第2サブ領域7d−2に分割し、その間を第5直線部9gにより接続しても良い。光素子40も光素子30と同様の効果を奏する。曲線部と直線部の間での接続ロスを減らすために、直線部9cと9fは無いほうが良い。
続いて、図5を参照して、光素子20の別の変形例について説明する。
この変形例の光素子50は、光路長調整領域7cに設けられる第3接続領域7dの形状が、光素子30及び40とは異なっている。
光素子50では、第3接続領域7dのY方向下側に存在する点Oを中心とした曲率半径R30の円弧と、上側に存在する点Oを中心とした曲率半径R30の円弧とを直列に組み合わせてS字形の第3接続領域7dを形成している。
その結果、第3接続領域7dの前後において、Y方向について第2直線部9cが第4直線部9fよりも高い位置に存在する。このように、第3接続領域7dをS字形配置にすることにより、この例の場合、隣接する第3直線部9e及び9ej+1(例えば、9eと9e)に光路長差を発生させることができ、波長分離に必要なΔLの光路長差を得ることが光素子20〜40に比べて、より一層容易になる。その結果、光素子50の素子サイズを一層小型化できる。曲線部と直線部の接続箇所でのロスを低減するために、9cは無いほうが良い。
[光素子の応用例]
以下、光素子10〜50の幾つかの応用例を例示する。まず図6(A)を参照して、第1AWGの最も一般的な応用例を説明する。図6(A)は、WDM通信の概念を示す模式図である。AWG1には、例えば、それぞれ異なる波長λ〜λの光が入力される。AWG1は、上述した波長分離とは逆過程でこれらの波長の光を合波した信号光を、光ファイバFB中を、AWG2に向けて伝搬する。また、信号光を受信したAWG2は、上述と同様にして、信号光に含まれる波長λ〜λの光を波長分離して出力する。なお、AWG1及び2と光ファイバFBとからなるシステムをWDM回線60とも称する。また、この例では、AWG1からAWG2への一方向通信のみについて説明したが、AWG1及び2間での双方向通信を行うこともできる。
このようなWDM回線60を用いた光通信システムは、高速且つ大容量な通信が可能であるために、波長分割多重通信のみでなく、さまざまな分野で応用することができる。なお、WDM回線60を電子回路に用いる場合には、電気信号と光信号とを相互変換するコンバータを両端のコネクタ部に備えたアクティブ光ケーブルを用いることが好ましい。
光素子10〜50の代表的な応用例としては、例えばサーバ、光入出力SSD(Solid State Drive)及び光トランシーバが挙げられる。以下、順に説明する。
(サーバ)
図6(B)〜(D)を参照して、サーバへの応用について説明する。図6(B)は、複数のサーバ装置SBが設置されたデータセンタDC及びDCの模式図である。各データセンタDC及びDCの双方向通信には、通信速度及び通信容量が大きい上述のWDM回線60を用いることが好ましい。
個々のデータセンタDC及びDCには、複数のサーバSBが収容されている。これらのサーバは制御プログラムに従って、双方向通信を行い所定の動作を行う。これらのサーバSB間の通信にも、通信速度及び通信容量が大きいWDM回線60を用いることが好ましい。
図6(C)には、1個のサーバSB(図6(B))の概略構成を示す。個々のサーバSBは、複数のサーバユニットSUを備えており、通常複数のサーバユニットSUは、双方向の通信回線で接続されている。このサーバユニットSU間を結ぶ通信回線としても上述のWDM回線60を用いることが好ましい。
また、個々のサーバユニットSUには図6(D)に示すようなボード基板SUBが収容されており、この基板SUBには、例えば、ICチップIC等の電子部品が搭載されている。これらの部品間の配線にも、上述のWDM回線60を用いることが好ましい。
このように、従来、サーバSUを含むシステムにおいて、電子配線が用いられていた部分をWDM回線60に置き換えることで、通信の高速化と大容量化とを達成できる。
(光入出力SSDについて)
図7を参照して、光入出力SSDへの応用について説明する。図7に示すように、光入出力SSD70は、光入出力部72と、光/電気コンバータ74と、記憶部本体76とを備える。光入出力部72には、上述した光素子10〜50の何れかを用いることができる。光入出力部72は、外部から伝送される波長多重光信号を波長ごとに分離して、光/電気コンバータ74へと出力する。光/電気コンバータ74は、各波長に対応した複数の電圧信号を生成し、記憶部本体76へと出力する。記憶部本体76は、例えば多値NANDフラッシュメモリ等で構成されている。記憶部本体76では、光/電気コンバータ74が生成した複数の電圧信号に応じて書き込みが行われ、多値NANDフラッシュメモリのセルに、多値信号が記憶される。
(光トランシーバ)
図8を参照して、光トランシーバへの応用について説明する。図8に示した光トランシーバ80は、WDM−PONにおいてONUに用いられる。不図示の局側から送信されるλ〜λの異なる波長の光を含む波長多重光INは、光ファイバに設けられた光スプリッタSPで、各加入者に分岐される。
波長多重光INが加入者側の光トランシーバ80に入力されると、光分波器82によりλ〜λの波長に分離される。光分波器82としては光素子10〜50の何れかを用いることができる。このようにして波長分離された各光は波長選択回路83に送信され、自局に必要な波長の光だけが選択される。選択された波長の光は、光電変換アンプ84により、光信号から電気信号に変換され、さらに電気的に増幅された上で出力される。
一方、加入者側から局への上り信号は、電気信号が、光変調器86と波長可変レーザ85とにより、局から指示された波長の光信号に変換される。この光信号は、光合分波器81で、下り信号と合波されて、光ファイバ中を局に向かって伝搬される。
第iチャネル型光導波路(iは1〜N)
7a 第1接続領域
7b 第2接続領域
7c 光路長調整領域
7d 第3接続領域
7d−1 第1サブ領域
7d−2 第2サブ領域
7ra,7rb 湾曲光導波路
8 基板
8a 主面
9a 第1直線部
9b 第1湾曲部
9c 第2直線部
9d 第2湾曲部
9e 第3直線部
9f 第4直線部
9g 第5直線部
10,20,30,40,50 光素子
11 位相調整領域
12 クラッド
13 コア
14 光導波路
60 WDM回線
70 光入出力SSD
72 光入出力部
74 光/電気コンバータ
76 記憶部本体
80 光トランシーバ
81 光合分波器
82 光分波器
83 波長選択回路
84 光電変換アンプ
85 波長可変レーザ
86 光変調器
103 第1スラブ導波路
103C,105C 中心軸
103T,105T テーパ状光導波路
105 第2スラブ導波路

Claims (9)

  1. それぞれ一端面に1以上の光入出力ポートを有し、互いに形状が等しい第1及び第2スラブ導波路と、
    前記一端面に対向する他端面に、前記一端面上の中心点から等角度間隔且つ等距離で接続され、前記第1及び第2スラブ導波路の間に並列に設けられていて、前記第1及び第2スラブ導波路を接続する第1〜第Nチャネル型光導波路(Nは3以上の整数)とを備え、
    該第1〜第Nチャネル型光導波路は、それぞれ、前記第1スラブ導波路との接続部を含む第1接続領域と、前記第2スラブ導波路との接続部を含む第2接続領域と、前記第1及び第2接続領域を接続する光路長調整領域とを備え、
    前記第1及び第2接続領域では、前記第1及び第2スラブ導波路のそれぞれの前記他端面に、曲率半径が等しい湾曲光導波路で構成される第i(iは1〜Nの整数)チャネル型光導波路が接続されるか、又は、第1接続領域の第Nチャネル型光導波路、及び第2接続領域の第1チャネル型光導波路が直線状光導波路である以外は、曲率半径が等しい湾曲光導波路で構成される第iチャネル型光導波路が接続されており、
    前記第1接続領域の第iチャネル型光導波路の光路長と、前記第2接続領域の第iチャネル型光導波路の光路長の和が、全てのiで等しく、
    前記光路長調整領域において、前記第iチャネル型光導波路の光路長が、iの増減とともに一定値ずつ増加又は減少することを特徴とする光素子。
  2. 前記第1〜第Nチャネル型光導波路の前記光路長調整領域は、湾曲部と直線部とを備え、
    前記直線部の光路長がiに従ってΔLずつ変化する点以外は、互いに等しく構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光素子。
  3. 前記第1スラブ導波路において、前記他端面に前記中心点を中心として時計まわりに第1〜Nチャネル型光導波路が順に設けられており、
    前記中心点を通る中心軸から時計回りに測った前記第Nチャネル型光導波路の接続部とのなす角度をΘとし、前記第2スラブ導波路において、前記中心点を通る中心軸から時計回りに測った前記第1チャネル型光導波路とのなす角度をΘとするとき、Θ=Θであり、Θ≠0°であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光素子。
  4. 前記第iチャネル型光導波路の前記光路長調整領域は、
    前記第1接続領域の一端に接続される第1直線部と、
    該第1直線部の出力端に接続され、前記第2スラブ導波路の位置する方向に向かって直角に屈曲する第1湾曲部と、
    該第1湾曲部の一端に接続される第2直線部と、
    該第2直線部の一端に接続され、前記第2接続領域の方向に向かって直角に屈曲する第2湾曲部と、
    該第2湾曲部の一端に接続され、前記第2接続領域に接続される第3直線部とを備えることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の光素子。
  5. それぞれ一端面に1以上の光入出力ポートを有し、互いに形状が等しい第1及び第2スラブ導波路と、
    前記一端面に対向する他端面に、前記一端面上の中心点から等角度間隔且つ等距離で接続され、前記第1及び第2スラブ導波路の間に並列に設けられていて、前記第1及び第2スラブ導波路を接続する第1〜第Nチャネル型光導波路(Nは3以上の整数)とを備え、
    該第1〜第Nチャネル型光導波路は、それぞれ、前記第1スラブ導波路との接続部を含む第1接続領域と、前記第2スラブ導波路との接続部を含む第2接続領域と、前記第1及び第2接続領域を接続する光路長調整領域と、該光路長調整領域中に設けられる第3接続領域とを備え、
    前記第1〜第3接続領域は、曲率半径が等しい湾曲光導波路で構成される第i(iは1〜Nの整数)チャネル型光導波路を備え、
    前記第1接続領域の第iチャネル型光導波路の光路長と、前記第2接続領域の第iチャネル型光導波路の光路長と、前記第3接続領域における第iチャネル型光導波路の光路長の和が、全てのiで等しいことを特徴とする光素子。
  6. 前記第1〜第N光導波路の前記光路長調整領域は、湾曲部と直線部とを備え、
    直線部の光路長がiに従ってΔLずつ変化する点以外は等しく構成されていることを特徴とする請求項5に記載の光素子。
  7. 前記第1スラブ導波路において、前記他端面に前記中心点を中心として時計まわりに第1〜Nチャネル型光導波路が順に設けられており、
    前記中心点を通る中心軸から時計回りに測った前記第Nチャネル型光導波路の接続部とのなす角度をΘとし、前記第2スラブ導波路において、前記中心点を通る中心軸から反時計回りに測った前記第Nチャネル型光導波路とのなす角度をΘとするとき、Θ=−Θであり、Θ1≠0°であることを特徴とする請求項5又は6に記載の光素子。
  8. 前記第iチャネル型光導波路の前記光路長調整領域は、
    前記第1接続領域の出力端に接続される第1直線部と、
    該第1直線部の出力端に接続され、前記第2スラブ導波路の位置する方向に向かって直角に屈曲する第1湾曲部と、
    該第1湾曲部の出力端に接続される第2直線部と、
    該第2直線部の出力端に接続される前記第3接続領域と、
    該第3接続領域の出力端に接続される第4直線部と、
    該第4直線部の出力端に接続され、前記第2接続領域の方向に向かって直角に屈曲する第2湾曲部と、
    該第2湾曲部の出力端に接続され、前記第2接続領域に接続される第3直線部とを備えることを特徴とする請求項5〜7の何れか一項に記載の光素子。
  9. 前記光路長調整領域に、等価屈折率の異なる位相調整領域を備えることを特徴とする請求項1〜8の何れか一項に記載の光素子。
JP2013044497A 2013-03-06 2013-03-06 光素子 Expired - Fee Related JP5594389B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013044497A JP5594389B2 (ja) 2013-03-06 2013-03-06 光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013044497A JP5594389B2 (ja) 2013-03-06 2013-03-06 光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014174223A JP2014174223A (ja) 2014-09-22
JP5594389B2 true JP5594389B2 (ja) 2014-09-24

Family

ID=51695516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013044497A Expired - Fee Related JP5594389B2 (ja) 2013-03-06 2013-03-06 光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5594389B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6069440B1 (ja) * 2015-08-25 2017-02-01 沖電気工業株式会社 光合分波素子及びアレイ導波路回折格子型光波長フィルタ
JP6286457B2 (ja) * 2016-02-09 2018-02-28 沖電気工業株式会社 光合分波素子及びアレイ導波路回折格子型光波長フィルタ
JP2017142335A (ja) * 2016-02-09 2017-08-17 沖電気工業株式会社 光合分波素子及びアレイ導波路回折格子型光波長フィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014174223A (ja) 2014-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4385224B2 (ja) 光導波路デバイス及び光導波路モジュール
US7555175B2 (en) Arrayed waveguide grating optical multiplexer/demultiplexer
JP2010524022A (ja) マルチプレクサ導波路結合方法およびシステム
KR102414506B1 (ko) 에셸 격자 멀티플렉서 또는 디멀티플렉서
JP2012014027A (ja) スターカプラ及び光合分波素子
JP5573497B2 (ja) 光波長フィルタ
JP4705067B2 (ja) 三次元交差導波路
JP5594389B2 (ja) 光素子
JP2009244326A (ja) 光波長フィルタ
US6768832B2 (en) Arrayed waveguide grating optical multiplexer/demultiplexer and method for manufacturing the same
US20100150499A1 (en) Photonics device having arrayed waveguide grating structures
CN111830628B (zh) 粗波分复用/解复用器及光通信设备
JP5664686B2 (ja) 光素子
US6798952B2 (en) Optical multiplexer/demultiplexer
US9804328B2 (en) Optical multiplexing and de-multiplexing element and arrayed-waveguide grating-type optical wavelength filter
US6768840B2 (en) Arrayed waveguide grating and method for manufacturing the same
JP5561304B2 (ja) 光素子
JP2014170049A (ja) 光干渉器
JP5614467B2 (ja) 光干渉器
JP2011128206A (ja) アレイ導波路回折格子
US20230194780A1 (en) Integrated Optical Structure for Multiplexing and/or Demultiplexing
KR100970583B1 (ko) 복합 온도 무의존 광도파로열 격자 모듈 및 그 제작 방법
KR100433900B1 (ko) 다항식 커브 테이퍼형 도파로 및 이를 이용한 광소자
JP6328189B2 (ja) 光波長フィルタ
JP2014170073A (ja) 光干渉器

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140708

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140721

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5594389

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees