JP5579307B2 - 対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造 - Google Patents
対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5579307B2 JP5579307B2 JP2013115104A JP2013115104A JP5579307B2 JP 5579307 B2 JP5579307 B2 JP 5579307B2 JP 2013115104 A JP2013115104 A JP 2013115104A JP 2013115104 A JP2013115104 A JP 2013115104A JP 5579307 B2 JP5579307 B2 JP 5579307B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting elements
- electrically connected
- substrate body
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 167
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Description
図1A〜図5に示すように、本発明に係る対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造Zは、基板ユニット1、発光ユニット2、フレームユニット3、パッケージユニット4及びレンズユニット5を含む。
図6A〜図9に示すように、本発明に係る対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造Zは、基板ユニット1、発光ユニット2、フレームユニット3及びパッケージユニット4を含む。
図10A〜図14に示すように、本発明に係る対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造Zは、基板ユニット1、発光ユニット2、フレームユニット3及びパッケージユニット4を含む。
図15〜図16に示すように、本発明に係る対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造Zは、基板ユニット1、発光ユニット2、フレームユニット3及びパッケージユニット4を含む。図15と図11との比較から分かるように、本発明の第4の実施例と第3の実施例との最大の相違点は、第4の実施例において、基板ユニット1は、少なくとも一つの第1の内側導電パッド12’のジャンパー接続部120’を覆うと共に少なくとも二つの第2の内側導電パッド14’の間に設けられたジャンパー接続式絶縁層121’と、ジャンパー接続式絶縁層121’を覆うと共に少なくとも二つの第2の内側導電パッド14’の間を電気的に接続するジャンパー接続式導電層122’とを含む点である。これにより、少なくとも二つの第1の発光素子21は、共通の少なくとも一つの第1の内側導電パッド12’を介して直列に電気的に接続され、少なくとも二つの第2の発光素子22は、共通のジャンパー接続式導電層122’(しかしながら、少なくとも一つの第3の底部導電パッド14Bを介する又は使用する必要はない)を介して直列に電気的に接続される。
本発明に係る対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造によれば、「対角線をなす位置関係で基板本体にそれぞれ設置されると共に基板本体に電気的に接続される少なくとも二つの第1の発光素子」及び「対角線をなす位置関係で基板本体にそれぞれ設置されると共に基板本体に電気的に接続される少なくとも二つの第2の発光素子」のデザインにより、対称的で均一な混合光を生成することができる。
10 基板本体
11、11A、11B ジャンパー接続式導電層
11C 連接式導電層
12A 第1の頂部導電パッド
12B 第1の底部導電パッド
13A 第2の頂部導電パッド
13B 第2の底部導電パッド
14 放熱層
15 第1の導電体
16 第2の導電体
2 発光ユニット
21 第1の発光素子
210 第1の電極
22 第2の発光素子
220 第2の電極
3 フレームユニット
31a 第1の導電フレーム
31b 第1の絶縁フレーム
310b 第1の収容空間
32a 第2の導電フレーム
32b 第2の絶縁フレーム
320b 第2の収容空間
4 パッケージユニット
41 第1の透光性パッケージ体
42 第2の透光性パッケージ体
5 レンズユニット
50 レンズ樹脂体
A1 第1のチップ載置領域
A2 第2のチップ載置領域
W11 第1の外側リード線
W12 第1の内側リード線
W20 ジャンパー接続式リード線
W21 第2の外側リード線
W22 第2の内側リード線
Z マルチチップパッケージ構造
Claims (16)
- 基板本体と、前記基板本体の上表面に設けられる少なくとも一つのジャンパー接続式導電層と、を含む基板ユニットと、
対角線をなす位置関係で前記基板本体にそれぞれ設置されると共に前記基板本体に電気的に接続される少なくとも二つの第1の発光素子と、対角線をなす位置関係で前記基板本体にそれぞれ設置されると共に前記基板本体に電気的に接続される少なくとも二つの第2の発光素子と、を含む発光ユニットと、
前記少なくとも二つの第1の発光素子をそれぞれ覆うための少なくとも二つの第1の透光性パッケージ体と、前記少なくとも二つの第2の発光素子をそれぞれ覆うための少なくとも二つの第2の透光性パッケージ体と、を含むパッケージユニットと、
を含み、
前記少なくとも二つの第1の発光素子をそれぞれ囲むように対角線をなす位置関係で前記基板本体に設けられる少なくとも二つの第1の導電フレームと、前記少なくとも二つの第2の発光素子をそれぞれ囲むように対角線をなす位置関係で前記基板本体に設けられる少なくとも二つの第2の導電フレームと、を含むフレームユニットを更に含み、
前記少なくとも二つの第1の導電フレームは、前記少なくとも一つのジャンパー接続式導電層により互いに電気的に接続され、
前記少なくとも二つの第2の導電フレームは、前記少なくとも一つのジャンパー接続式リード線により互いに電気的に接続され、
前記少なくとも二つの第1の透光性パッケージ体は、前記少なくとも二つの第1の導電フレームにそれぞれ囲まれ、
前記少なくとも二つの第2の透光性パッケージ体は、前記少なくとも二つの第2の導電フレームにそれぞれ囲まれることを特徴とする対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記基板ユニットは、
対角線をなす位置関係で前記基板本体の上表面に設けられる少なくとも二つの第1の頂部導電パッドと、
対角線をなす位置関係で前記基板本体の上表面に設けられる少なくとも二つの第2の頂部導電パッドと、を含み、
前記少なくとも二つの第1の発光素子は、前記少なくとも二つの第1の頂部導電パッド同士の間で電気的に接続され、
前記少なくとも二つの第2の発光素子は、前記少なくとも二つの第2の頂部導電パッド同士の間で電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記基板ユニットは、
前記発光ユニットに対応するように前記基板本体の下表面に設けられる少なくとも一つの放熱層と、
前記基板本体の下表面に設けられており、前記少なくとも二つの第1の頂部導電パッドにそれぞれ電気的に接続される少なくとも二つの第1の底部導電パッドと、
前記基板本体の下表面に設けられており、前記少なくとも二つの第2の頂部導電パッドにそれぞれ電気的に接続される少なくとも二つの第2の底部導電パッドと、
前記基板本体を貫通した少なくとも二つの第1の導電体と、
前記基板本体を貫通した少なくとも二つの第2の導電体と、
を含み、
各前記第1の導電体は、対応する各前記第1の頂部導電パッドと対応する各前記第1の底部導電パッドとの間を電気的に接続し、
各前記第2の導電体は、対応する各前記第2の頂部導電パッドと対応する各前記第2の底部導電パッドとの間を電気的に接続することを特徴とする請求項2に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記少なくとも二つの第1の発光素子は、少なくとも二つの第1の外側リード線により前記少なくとも二つの第1の頂部導電パッドにそれぞれ電気的に接続され、
前記少なくとも二つの第1の発光素子は、少なくとも二つの第1の内側リード線により前記少なくとも二つの第1の導電フレームにそれぞれ電気的に接続され、
前記少なくとも二つの第2の発光素子は、少なくとも二つの第2の外側リード線により前記少なくとも二つの第2の頂部導電パッドにそれぞれ電気的に接続され、
前記少なくとも二つの第2の発光素子は、少なくとも二つの第2の内側リード線により前記少なくとも二つの第2の導電フレームにそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする請求項2に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記少なくとも二つの第1の発光素子と前記少なくとも二つの第2の発光素子は、互いに対称的にマトリクス状に配置され、
前記少なくとも二つの第1の導電フレームと前記少なくとも二つの第2の導電フレームは、互いに対称的にマトリクス状に配置されることを特徴とする請求項2に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記フレームユニットと前記パッケージユニットを覆うように前記基板本体の上に設置されるレンズ樹脂体を含むレンズユニットを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。
- 基板ユニット、発光ユニット及びパッケージユニットを含み、
前記基板ユニットは、基板本体と、前記基板本体の上表面に設けられており、互いに電気的に接続された少なくとも二つのジャンパー接続式導電層と、前記基板本体の上表面に設けられており、前記少なくとも二つのジャンパー接続式導電層と電気的に絶縁された少なくとも一つの連接式導電層と、を含み、
前記発光ユニットは、対角線をなす位置関係で前記基板本体に設けられると共に前記基板本体に電気的に接続される少なくとも二つの第1の発光素子と、対角線をなす位置関係で前記基板本体に設けられると共に前記基板本体に電気的に接続される少なくとも二つの第2の発光素子と、を含み、
前記少なくとも二つのジャンパー接続式導電層は、前記少なくとも二つの第1の発光素子同士の間を電気的に接続し、
前記少なくとも一つの連接式導電層は、前記少なくとも二つの第2の発光素子同士の間を電気的に接続し、
前記パッケージユニットは、前記少なくとも二つの第1の発光素子をそれぞれ覆う少なくとも二つの第1の透光性パッケージ体と、前記少なくとも二つの第2の発光素子をそれぞれ覆う少なくとも二つの第2の透光性パッケージ体と、を含むことを特徴とする対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記少なくとも二つの第1の発光素子をそれぞれ囲むように対角線をなす位置関係で前記基板本体に設けられる少なくとも二つの第1の絶縁フレームと、前記少なくとも二つの第2の発光素子をそれぞれ囲むように対角線をなす位置関係で前記基板本体に設けられる少なくとも二つの第2の絶縁フレームと、を含むフレームユニットを更に含み、
前記少なくとも二つの第1の絶縁フレームと前記少なくとも二つの第2の絶縁フレームは、一体成形してなる単一のフレームエレメントであり、
前記少なくとも二つの第1の透光性パッケージ体は、前記少なくとも二つの第1の絶縁フレームにそれぞれ囲まれ、
前記少なくとも二つの第2の透光性パッケージ体は、前記少なくとも二つの第2の絶縁フレームにそれぞれ囲まれることを特徴とする請求項7に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記基板ユニットは、
対角線をなす位置関係で前記基板本体の上表面に設けられる少なくとも二つの第1の頂部導電パッドと、
対角線をなす位置関係で前記基板本体の上表面に設けられる少なくとも二つの第2の頂部導電パッドと、を含み、
前記少なくとも二つの第1の発光素子は、前記少なくとも二つの第1の頂部導電パッド同士の間で電気的に接続され、
前記少なくとも二つの第2の発光素子は、前記少なくとも二つの第2の頂部導電パッド同士の間で電気的に接続されることを特徴とする請求項8に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記基板ユニットは、
前記発光ユニットに対応するように前記基板本体の下表面に設けられる少なくとも一つの放熱層と、
対角線をなす位置関係で前記基板本体の下表面に設けられており、前記少なくとも二つの第1の頂部導電パッドにそれぞれ電気的に接続される少なくとも二つの第1の底部導電パッドと、
対角線をなす位置関係で前記基板本体の下表面に設けられており、前記少なくとも二つの第2の頂部導電パッドにそれぞれ電気的に接続される少なくとも二つの第2の底部導電パッドと、
前記基板本体を貫通した少なくとも二つの第1の導電体と、
前記基板本体を貫通した少なくとも二つの第2の導電体と、
を含み、
各前記第1の導電体は、対応する各前記第1の頂部導電パッドと対応する各前記第1の底部導電パッドとの間を電気的に接続し、
各前記第2の導電体は、対応する各前記第2の頂部導電パッドと対応する各前記第2の底部導電パッドとの間を電気的に接続することを特徴とする請求項9に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記少なくとも二つの第1の発光素子は、少なくとも二つの第1の外側リード線により前記少なくとも二つの第1の頂部導電パッドにそれぞれ電気的に接続され、
前記少なくとも二つの第1の発光素子は、少なくとも二つの第1の内側リード線により前記少なくとも二つのジャンパー接続式導電層にそれぞれ電気的に接続され、
前記少なくとも二つの第2の発光素子は、少なくとも二つの第2の外側リード線により前記少なくとも二つの第2の頂部導電パッドにそれぞれ電気的に接続され、
前記少なくとも二つの第2の発光素子は、少なくとも二つの第2の内側リード線により前記少なくとも一つの連接式導電層の相対する両側の端部にそれぞれ電気的に接続され、
前記少なくとも二つのジャンパー接続式導電層は、少なくとも一つのジャンパー接続式リード線により互いに電気的に接続され、
各前記第1の絶縁フレームは、対応する各第1の外側リード線、対応する各第1の内側リード線及び対応する各第1の透光性パッケージ体を収容するための第1の収容空間を有し、
各前記第2の絶縁フレームは、対応する各第2の外側リード線、対応する各第2の内側リード線及び対応する各第2の透光性パッケージ体を収容するための第2の収容空間を有し、
前記少なくとも一つのジャンパー接続式リード線は、そのうちの一つの前記第1の絶縁フレームの前記第1の収容空間の内部に収容されることを特徴とする請求項9に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 基板本体を含む基板ユニットと、
対角線をなす位置関係で前記基板本体にそれぞれ設置されると共に前記基板本体に電気的に接続される少なくとも二つの第1の発光素子と、対角線をなす位置関係で前記基板本体にそれぞれ設置されると共に前記基板本体に電気的に接続される少なくとも二つの第2の発光素子と、を含み、前記少なくとも二つの第1の発光素子が直列に電気的に接続され、前記少なくとも二つの第2の発光素子が直列に電気的に接続される発光ユニットと、
少なくとも前記二つの第1の発光素子をそれぞれ覆うための少なくとも二つの第1の透光性パッケージ体と、少なくとも前記二つの第2の発光素子をそれぞれ覆うための少なくとも二つの第2の透光性パッケージ体とを含むパッケージユニットと、
を備え、
前記基板ユニットは、対角線をなす位置関係で前記基板本体の上表面に設けられた少なくとも二つの第1の外側導電パッドと、前記少なくとも二つの第1の外側導電パッドの間に設けられた少なくとも一つの第1の内側導電パッドと、対角線をなす位置関係で前記基板本体の上表面に設けられた少なくとも二つの第2の外側導電パッドと、前記少なくとも二つの第2の外側導電パッドの間に設けられた少なくとも二つの第2の内側導電パッドと、を含み、
いずれかの第1の発光素子は、ワイヤボンディング方式によりいずれかの第1の外側導電パッドと前記少なくとも一つの第1の内側導電パッドとの間で電気的に接続され、他のいずれかの第1の発光素子は、ワイヤボンディング方式により他のいずれかの第1の外側導電パッドと前記少なくとも一つの第1の内側導電パッドとの間で電気的に接続され、いずれかの第2の発光素子は、ワイヤボンディング方式によりいずれかの第2の外側導電パッドといずれかの第2の内側導電パッドとの間で電気的に接続され、他のいずれかの第2の発光素子は、ワイヤボンディング方式により他のいずれかの第2の外側導電パッドと他のいずれかの第2の内側導電パッドとの間で電気的に接続されることを特徴とする対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記少なくとも二つの第1の発光素子をそれぞれ囲むように対角線をなす位置関係で前記基板本体に設けられる少なくとも二つの第1の絶縁フレームと、前記少なくとも二つの第2の発光素子をそれぞれ囲むように対角線をなす位置関係で前記基板本体に設けられる少なくとも二つの第2の絶縁フレームと、を含むフレームユニットをさらに備え、
前記少なくとも二つの第1の透光性パッケージ体は、前記少なくとも二つの第1の絶縁フレームにそれぞれ囲まれ、前記少なくとも二つの第2の透光性パッケージ体は、前記少なくとも二つの第2の絶縁フレームにそれぞれ囲まれることを特徴とする請求項12に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記基板ユニットは、対角線をなす位置関係で前記基板本体の下表面に設けられると共に前記少なくとも二つの第1の外側導電パッドに電気的に接続される少なくとも二つの第1の底部導電パッドと、対角線をなす位置関係で前記基板本体の下表面に設けられると共に前記少なくとも二つの第2の外側導電パッドに電気的に接続される少なくとも二つの第2の底部導電パッドと、前記基板本体の下表面に設けられると共に前記少なくとも二つの第1の底部導電パッドの間及び前記少なくとも二つの第2の底部導電パッドの間に位置する少なくとも一つの第3の底部導電パッドと、を含むことを特徴とする請求項12に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。
- 前記基板ユニットは、前記基板本体を貫通すると共に前記少なくとも二つの第1の外側導電パッド及び前記少なくとも二つの第1の底部導電パッドに電気的に接続される少なくとも二つの第1の導電体と、前記基板本体を貫通すると共に前記少なくとも二つの第2の外側導電パッド及び前記少なくとも二つの第2の底部導電パッドに電気的に接続される少なくとも二つの第2の導電体と、前記基板本体を貫通すると共に前記少なくとも二つの第2の内側導電パッド及び前記少なくとも1つの第3の底部導電パッドに電気的に接続される少なくとも二つの第3の導電体と、を含み、
各第1の導電体は、対応する前記各第1の外側導電パッドと対応する前記各第1の底部導電パッドとの間を電気的に接続し、各第2の導電体は、対応する前記各第2の外側導電パッドと対応する前記各第2の底部導電パッドとの間を電気的に接続し、各第3の導電体は、対応する前記各第2の内側導電パッドと少なくとも一つの前記第3の底部導電パッドとの間を電気的に接続し、前記少なくとも二つの第2の発光素子は、前記少なくとも一つの第3の底部導電パッドを介して直列に電気的に接続されることを特徴とする請求項14に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。 - 前記基板ユニットは、前記少なくとも一つの第1の内側導電パッドのジャンパー接続部を覆うと共に前記少なくとも二つの第2の内側導電パッドの間に設けられたジャンパー接続式絶縁層と、前記ジャンパー接続式絶縁層を覆うと共に前記少なくとも二つの第2の内側導電パッドの間を電気的に接続するジャンパー接続式導電層とを含み、前記少なくとも二つの第2の発光素子は、前記ジャンパー接続式導電層を介して直列に電気的に接続されることを特徴とする請求項12に記載の対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101119937 | 2012-06-04 | ||
TW101119937A TWI475664B (zh) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 用於產生對稱性均勻混光光源的多晶片封裝結構 |
TW101122974 | 2012-06-27 | ||
TW101122974A TWI495165B (zh) | 2012-06-27 | 2012-06-27 | 用於產生對稱性均勻混光光源的多晶片封裝結構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013251266A JP2013251266A (ja) | 2013-12-12 |
JP5579307B2 true JP5579307B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=48670352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013115104A Expired - Fee Related JP5579307B2 (ja) | 2012-06-04 | 2013-05-31 | 対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9048367B2 (ja) |
EP (1) | EP2672513B1 (ja) |
JP (1) | JP5579307B2 (ja) |
CN (1) | CN103456727B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6994724B2 (ja) | 2015-11-10 | 2022-01-14 | 国立大学法人九州大学 | ジシアノピラジン化合物、発光材料、およびそれを用いた発光素子 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10978256B1 (en) | 2013-03-15 | 2021-04-13 | Innovative Switchgear IP, LLC | Electrical switching device |
CN104835896B (zh) * | 2014-02-07 | 2017-10-17 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | Led发光装置及其承载座 |
USD741821S1 (en) * | 2014-04-10 | 2015-10-27 | Kingbright Electronics Co., Ltd. | LED component |
JP6511887B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2019-05-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6646969B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2020-02-14 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
KR102487411B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2023-01-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광소자 패키지 및 전자기기 |
CN208723309U (zh) * | 2018-08-08 | 2019-04-09 | 光宝光电(常州)有限公司 | 光源装置 |
JP7041375B2 (ja) * | 2020-09-26 | 2022-03-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8125137B2 (en) | 2005-01-10 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same |
JP4535928B2 (ja) | 2005-04-28 | 2010-09-01 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
US7479660B2 (en) | 2005-10-21 | 2009-01-20 | Perkinelmer Elcos Gmbh | Multichip on-board LED illumination device |
DE102007021042A1 (de) * | 2006-07-24 | 2008-01-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon | Leuchtdiodenmodul für Lichtquellenreihe |
CN101153992A (zh) | 2006-09-29 | 2008-04-02 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 背光源及其发光二极管模组 |
CN201028321Y (zh) * | 2006-12-26 | 2008-02-27 | 栾新源 | 一种采用特殊方式电连接led的led光源装置 |
US20090046201A1 (en) * | 2007-08-14 | 2009-02-19 | Shoppertrak Rct Corporation | Holding apparatus for a camera lens |
TWI376783B (en) * | 2008-08-25 | 2012-11-11 | Young Green Energy Co | Electronic assembly and backlight module |
JP5308773B2 (ja) | 2008-10-30 | 2013-10-09 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2010129583A (ja) | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 照明装置 |
JP5342867B2 (ja) | 2008-12-19 | 2013-11-13 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び駆動方法 |
US8339029B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-12-25 | Cree, Inc. | Light emitting devices and systems having tunable chromaticity |
JP5277085B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2013-08-28 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP5516987B2 (ja) | 2010-10-13 | 2014-06-11 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置および照明器具 |
-
2013
- 2013-03-07 US US13/787,979 patent/US9048367B2/en active Active
- 2013-04-16 CN CN201310132992.9A patent/CN103456727B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-05-31 JP JP2013115104A patent/JP5579307B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-04 EP EP13170417.3A patent/EP2672513B1/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6994724B2 (ja) | 2015-11-10 | 2022-01-14 | 国立大学法人九州大学 | ジシアノピラジン化合物、発光材料、およびそれを用いた発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130320361A1 (en) | 2013-12-05 |
US9048367B2 (en) | 2015-06-02 |
CN103456727A (zh) | 2013-12-18 |
CN103456727B (zh) | 2016-05-18 |
EP2672513A1 (en) | 2013-12-11 |
EP2672513B1 (en) | 2019-10-30 |
JP2013251266A (ja) | 2013-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5579307B2 (ja) | 対称的で均一な混合光を生成するためのマルチチップパッケージ構造 | |
JP2019197906A (ja) | 発光ダイオードモジュール及びその製造方法 | |
US8729681B2 (en) | Package structure and LED package structure | |
JP6080053B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP5509307B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ | |
JP2018041843A (ja) | 発光装置、及び、照明装置 | |
CN106997888B (zh) | 发光二极管显示装置 | |
JP2011192703A (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
JP2010129615A (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
JP2014007342A (ja) | 発光モジュール及び照明装置 | |
JP6301097B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2014192407A (ja) | 半導体発光装置 | |
US8791482B2 (en) | Light emitting device package | |
JPWO2011126135A1 (ja) | Ledモジュール | |
KR20130043899A (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP5538989B2 (ja) | 発光ダイオード構造 | |
TWI475664B (zh) | 用於產生對稱性均勻混光光源的多晶片封裝結構 | |
TWM445259U (zh) | 用於產生對稱性均勻混光光源的多晶片封裝結構 | |
TWI495165B (zh) | 用於產生對稱性均勻混光光源的多晶片封裝結構 | |
JP2016162860A (ja) | Led発光装置 | |
TWM445265U (zh) | 用於產生對稱性投射光源的多晶片封裝結構 | |
JP2019145700A (ja) | 発光装置、及び、照明装置 | |
JP3160244U (ja) | 発光ダイオードのパッケージ構造 | |
JP2021163517A (ja) | 発光素子、発光装置及び照明装置 | |
KR101806789B1 (ko) | 반도체 발광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140612 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140701 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140708 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5579307 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |