JP5566372B2 - スピロホスフィン−オキサゾリン、その製造方法、及びその応用 - Google Patents
スピロホスフィン−オキサゾリン、その製造方法、及びその応用 Download PDFInfo
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Description
本発明は新規なスピロホスフィン−オキサゾリン、その製造方法、及びその応用に関する。詳しくは、置換された７−ジアリールホスフィノ−７′-カルボキシ１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデンを出発原料をとし、２段階の反応を経て本発明に係る新規スピロホスフィン−オキサゾリンを合成する。新規スピロホスフィン−オキサゾリンとイリジウム前駆体とを錯形成反応させ、更にイオン交換を経て、異なる陰イオンを含むイリジウム／ホスフィン−スピロオキサゾリン錯体を得ることができる。新規スピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体は、α−置換アクリル酸の不斉水素化反応を触媒することができ、非常に高い活性とエナンチオ選択性とを示す。
触媒的不斉合成は現在、有機合成化学の研究分野において注目を浴びている（Ohkuma, T.; Kitamura, M.; Noyori, R. Catalytic Asymmetric Synthesis, Wiley, New York, 2000）。高エナンチオ選択性及び触媒活性を備えるキラル触媒を設計し、合成することが触媒的不斉合成の鍵となっている。キラル配位子はキラル触媒に不斉誘導をもたらすとともに制御する源であるので、ある意味では、キラル触媒を設計し合成することは、キラル配位子を設計し合成することである。１９６６年、Wilkinsonが[Ｒｈ(Ｐｈ３Ｐ)３Ｃｌ]錯体という高活性均一系触媒を発見し、そのことが触媒的不斉水素化の発展の基礎となった（Osborn, J. A.; Jardine, F. H.; Young, J. F.; Wilkinson, G. J. Chem. Soc. A 1966, 1711）。１９６８年、KnowlesとHorneはそれぞれ最初の金属触媒による不斉触媒反応を報告した（Knowles, W. S.; Sabacky, M. J. J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1968, 1445；Horner, L.; Siegel, H.; Buthe, H. Angew. Chem. Int. Ed. 1968, 7, 942）。彼らはキラルホスフィン配位子をWilkinson触媒に導入して、均一系触媒による不斉水素化反応を行い、１５％ｅｅを得た。この業績は均一系触媒による不斉水素化反応の扉を開いただけでなく、キラル配位子に対する開発も促した。今日までに開発されたキラル配位子は、千種以上に上る（Comprehensive Asymmetric Catalysis; Jacobsen, E. N.; Pfaltz, A.; Yamamoto, H., Eds.; Springer-Verlag: Heidelberg, 1999）。
中国特許ＣＮ１８８４２９０Ａは、スピロ骨格構造を有するキラルスピロホスフィン−オキサゾリン配位子「ＳＩＰＨＯＸ」を開示した。前記配位子とイリジウムにより形成された錯体触媒は、イミンの触媒的不斉水素化に高い立体選択性を示し、ｅｅ値が最高で９７％に達することができ、更に、高い反応性を備える等の長所を兼ね備えている。しかしながら、前記配位子の合成に際して、合成原料として光学的に純粋なアルカミン系化合物を使用するので、ＳＩＰＨＯＸ配位子を合成するコストは比較的高くなる。また、オキサゾリン環の第４位の位置における置換基の立体効果により、一部の基質は金属原子に近づいて配位することができなくなるため、ＳＩＰＨＯＸ配位子を適用可能な基質の範囲が限られる。
Ohkuma, T.; Kitamura, M.; Noyori, R. Catalytic Asymmetric Synthesis, Wiley, New York, 2000
Osborn, J. A.; Jardine, F. H.; Young, J. F.; Wilkinson, G. J. Chem. Soc. A 1966, 1711
Knowles, W. S.; Sabacky, M. J. J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1968, 1445
Horner, L.; Siegel, H.; Buthe, H. Angew. Chem. Int. Ed. 1968, 7, 942
Comprehensive Asymmetric Catalysis; Jacobsen, E. N.; Pfaltz, A.; Yamamoto, H., Eds.; Springer-Verlag: Heidelberg, 1999
本発明の目的は、既存の技術の欠点を克服することができるスピロホスフィン−オキサゾリン、その製造方法、及びその応用を提供することである。安価かつ容易に入手できるアミノアルコールを原料として用いて、オキサゾリン環の第４位の位置に置換基のない新規なスピロホスフィン−オキサゾリンを合成する。この新規なスピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体は、a−置換アクリル酸の不斉水素化反応を触媒することができ、非常に高い活性とエナンチオ選択性とを示し、高い研究価値と工業化の展望を有する。
本発明はスピロホスフィン−オキサゾリン（Ｉ）を開示し、下記の構造を備える：
ここで、ｎ＝０〜３；Ｒ１、Ｒ２は、それぞれＨ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基、ハロゲン基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基で置換されたフェニル基、水酸基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基で置換されたフェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノ基で置換されたフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基で置換されたフェニル基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基で置換されたフェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、であり、或いは脂環又は芳香環の複合環である（ｎが２以上の場合）；Ｒ１とＲ２とは同じでも良いし、異なっていても良い。
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれＨ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基、ハロゲン基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基で置換されたフェニル基、水酸基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基で置換されたフェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノ基で置換されたフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基で置換されたフェニル基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基で置換されたフェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、であり、或いはＲ３〜Ｒ４、Ｒ５〜Ｒ６は脂環又は芳香環の複合環である；Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は同じでも良いし、異なっていても良い。
Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基で置換されたフェニル基、水酸基で置換されたフェニル基、スルホ基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基で置換されたフェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノ基で置換されたフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基で置換されたフェニル基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基で置換されたフェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、である。
ここで、ｎ＝０〜３；Ｒ１、Ｒ２は、それぞれＨ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基、ハロゲン基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基で置換されたフェニル基、水酸基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基で置換されたフェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノ基で置換されたフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基で置換されたフェニル基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基で置換されたフェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、であり、或いは脂環又は芳香環の複合環である（ｎが２以上の場合）；Ｒ１とＲ２とは同じでも良いし、異なっていても良い。
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれＨ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基、ハロゲン基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基で置換されたフェニル基、水酸基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基で置換されたフェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノ基で置換されたフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基で置換されたフェニル基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基で置換されたフェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、であり、或いはＲ３〜Ｒ４、Ｒ５〜Ｒ６は脂環又は芳香環の複合環である；Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は同じでも良いし、異なっていても良い。
Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基で置換されたフェニル基、水酸基で置換されたフェニル基、スルホ基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基で置換されたフェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノ基で置換されたフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基で置換されたフェニル基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基で置換されたフェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、である。
前記スピロホスフィン−オキサゾリンにおいて、
前記Ｃ１〜Ｃ８アルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ｎ−ペンチル基、イソアミル（イソペンチル）基、ネオペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ネオヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル基、ネオヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、シクロヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ネオオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、又はシクロオクチル基、である。
前記Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、シクロプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、シクロブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ネオヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ネオヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ネオオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、又はシクロオクチルオキシ基、である。
前記Ｃ１〜Ｃ８アシル基は、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ｎ−ブチリル（ブタノイル）基、イソブチリル基、ｎ−バレリル（ペンタノイル）基、イソバレリル基、ｓｅｃ−バレリル基、ネオバレリル基、ｎ−カプロイル（ヘキサノイル）基、イソカプロイル基、ネオカプロイル基、ｓｅｃ−カプロイル基、ｎ−エナントイル（ヘプタノイル）基、イソエナントイル基、ネオエナントイル基、ｓｅｃ−エナントイル基、ｎ−オクタノイル基、イソオクタノイル基、ネオオクタノイル基、ｓｅｃ−オクタノイル基、１−シクロプロピルホルミル基、１−シクロブチルホルミル基、１−シクロペンチルホルミル基、１−シクロヘキシルホルミル基、又は１−シクロヘプチルホルミル基、である。
前記Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基は、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ｎ−ブチリルオキシ（ブタノイルオキシ）基,イソブチリルオキシ基、ｎ−バレリルオキシ（ペンタノイルオキシ）基、イソバレリルオキシ基、ｓｅｃ−バレリルオキシ基、ネオバレリルオキシ基、ｎ−カプロイルオキシ（ヘキサノイルオキシ）基、イソカプロイルオキシ基、ネオカプロイルオキシ基、ｓｅｃ−カプロイルオキシ基、ｎ−ヘプチルアシルオキシ（ヘプタノイルオキシ）基、イソヘプチルアシルオキシ基、ネオヘプチルアシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルアシルオキシ基、ｎ−オクチルアシルオキシ（オクタノイルオキシ）基、イソオクチルアシルオキシ基、ネオオクチルアシルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルアシルオキシ基、１−シクロプロピルホルミルオキシ基、１−シクロブチルホルミルオキシ基、１−シクロペンチルホルミルオキシ基、１−シクロヘキシルホルミルオキシ基、又は１−シクロヘプチルホルミルオキシ基、である。
前記Ｃ２〜Ｃ８エステル基は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、イソヘキシルオキシカルボニル基、ネオヘキシルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、イソヘプチルオキシカルボニル基、ネオヘプチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシカルボニル基、又はシクロヘプチルオキシカルボニル基、である。
前記ハロアルキル基は、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素、を含むハロアルキル基である。
前記Ｃ１〜Ｃ８アルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ｎ−ペンチル基、イソアミル（イソペンチル）基、ネオペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ネオヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル基、ネオヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、シクロヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ネオオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、又はシクロオクチル基、である。
前記Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、シクロプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、シクロブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ネオヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ネオヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ネオオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、又はシクロオクチルオキシ基、である。
前記Ｃ１〜Ｃ８アシル基は、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ｎ−ブチリル（ブタノイル）基、イソブチリル基、ｎ−バレリル（ペンタノイル）基、イソバレリル基、ｓｅｃ−バレリル基、ネオバレリル基、ｎ−カプロイル（ヘキサノイル）基、イソカプロイル基、ネオカプロイル基、ｓｅｃ−カプロイル基、ｎ−エナントイル（ヘプタノイル）基、イソエナントイル基、ネオエナントイル基、ｓｅｃ−エナントイル基、ｎ−オクタノイル基、イソオクタノイル基、ネオオクタノイル基、ｓｅｃ−オクタノイル基、１−シクロプロピルホルミル基、１−シクロブチルホルミル基、１−シクロペンチルホルミル基、１−シクロヘキシルホルミル基、又は１−シクロヘプチルホルミル基、である。
前記Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基は、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ｎ−ブチリルオキシ（ブタノイルオキシ）基,イソブチリルオキシ基、ｎ−バレリルオキシ（ペンタノイルオキシ）基、イソバレリルオキシ基、ｓｅｃ−バレリルオキシ基、ネオバレリルオキシ基、ｎ−カプロイルオキシ（ヘキサノイルオキシ）基、イソカプロイルオキシ基、ネオカプロイルオキシ基、ｓｅｃ−カプロイルオキシ基、ｎ−ヘプチルアシルオキシ（ヘプタノイルオキシ）基、イソヘプチルアシルオキシ基、ネオヘプチルアシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルアシルオキシ基、ｎ−オクチルアシルオキシ（オクタノイルオキシ）基、イソオクチルアシルオキシ基、ネオオクチルアシルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルアシルオキシ基、１−シクロプロピルホルミルオキシ基、１−シクロブチルホルミルオキシ基、１−シクロペンチルホルミルオキシ基、１−シクロヘキシルホルミルオキシ基、又は１−シクロヘプチルホルミルオキシ基、である。
前記Ｃ２〜Ｃ８エステル基は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、イソヘキシルオキシカルボニル基、ネオヘキシルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、イソヘプチルオキシカルボニル基、ネオヘプチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシカルボニル基、又はシクロヘプチルオキシカルボニル基、である。
前記ハロアルキル基は、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素、を含むハロアルキル基である。
前記スピロホスフィン−オキサゾリンは、同じ化学構造式を有するが三次元構造及び光学特性が異なるラセミ体、すなわち右旋性の異性体と左旋性の異性体、を含む。
本発明に係るスピロホスフィン−オキサゾリンの製造方法は、以下の工程を含む：
置換された７−ジアリールホスフィノ−７’−カルボキシ１,１'−Ｌｏ−ジヒドロ−インデンを出発原料とし、０〜６０℃の温度条件下、有機溶媒（テトラヒドロフラン、ジオキサン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、及びエチレングリコールジメチルエーテルの中の一種又は複数種）中において、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ，２〜４ｍｏｌ）及びＮ、Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ，３〜６ｍｏｌ）の存在下で、アミノエタノール（２〜４ｍｏｌ）と１０〜３２時間縮合反応させて、対応するアミドアルコール化合物を得る工程；
前記工程により得られたアミドアルコール化合物を、０〜２５℃の温度条件下、ジクロロメタン、トリクロロメタン、及び１，２−ジクロロエタンの中の一種又は複数種を溶媒として使用し、５〜１０ｍｏｌ％のＮ、Ｎ−ジメチル−4−アミノピリジン（ＤＭＡＰ）の触媒作用により、トリエチルアミン又はジイソプロピルエチルアミン（２〜４ｍｏｌ）を酸結合剤として、塩化メチルスルホニルや塩化パラトルエンスルホニル等の塩化試薬（１〜１．２ｍｏｌ）と１〜１２時間反応させ、新規スピロホスフィン−オキサゾリンを得る工程；
具体的な反応は以下のようになる：
ここで、ｎ＝０〜３；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は化合物（Ｉ）において定義されたものと同じである；ＤＣＣはＮ、Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミドである；ＨＯＢｔは１−ヒドロキシベンゾトリアゾールである；ＭｓＣｌは塩化メチルスルホニルである。
置換された７−ジアリールホスフィノ−７’−カルボキシ１,１'−Ｌｏ−ジヒドロ−インデンを出発原料とし、０〜６０℃の温度条件下、有機溶媒（テトラヒドロフラン、ジオキサン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、及びエチレングリコールジメチルエーテルの中の一種又は複数種）中において、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ，２〜４ｍｏｌ）及びＮ、Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ，３〜６ｍｏｌ）の存在下で、アミノエタノール（２〜４ｍｏｌ）と１０〜３２時間縮合反応させて、対応するアミドアルコール化合物を得る工程；
前記工程により得られたアミドアルコール化合物を、０〜２５℃の温度条件下、ジクロロメタン、トリクロロメタン、及び１，２−ジクロロエタンの中の一種又は複数種を溶媒として使用し、５〜１０ｍｏｌ％のＮ、Ｎ−ジメチル−4−アミノピリジン（ＤＭＡＰ）の触媒作用により、トリエチルアミン又はジイソプロピルエチルアミン（２〜４ｍｏｌ）を酸結合剤として、塩化メチルスルホニルや塩化パラトルエンスルホニル等の塩化試薬（１〜１．２ｍｏｌ）と１〜１２時間反応させ、新規スピロホスフィン−オキサゾリンを得る工程；
具体的な反応は以下のようになる：
ここで、ｎ＝０〜３；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は化合物（Ｉ）において定義されたものと同じである；ＤＣＣはＮ、Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミドである；ＨＯＢｔは１−ヒドロキシベンゾトリアゾールである；ＭｓＣｌは塩化メチルスルホニルである。
本発明により提供されるスピロホスフィン−オキサゾリンを用いて製造されるスピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体（ＩＩ）は、以下の構造を備える：
ここで、
はシクロオクタジエニルである；ｎ＝０〜３；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は化合物（Ｉ）において定義されたものと同じである；Ｘは、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ８カルボキシレート、硫酸、四（３，５−ビス−トリフルオロメチルフェニル）ホウ酸、四（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸、四（パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブトキシ）アルミニウムイオン、四（ヘキサフルオロイソプロポキシ）アルミニウムイオン、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、テトラフルオロホウ酸、又はトリフルオロメタンスルホン酸である；シクロオクタジエニル配位子は、エチレン又はノルボルナジエンによって置換可能である；ナトリウム塩は、対応するカリウム塩、アンモニウム塩、銀塩、又はタリウム塩によって置換可能である。
ここで、
はシクロオクタジエニルである；ｎ＝０〜３；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は化合物（Ｉ）において定義されたものと同じである；Ｘは、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ８カルボキシレート、硫酸、四（３，５−ビス−トリフルオロメチルフェニル）ホウ酸、四（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸、四（パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブトキシ）アルミニウムイオン、四（ヘキサフルオロイソプロポキシ）アルミニウムイオン、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、テトラフルオロホウ酸、又はトリフルオロメタンスルホン酸である；シクロオクタジエニル配位子は、エチレン又はノルボルナジエンによって置換可能である；ナトリウム塩は、対応するカリウム塩、アンモニウム塩、銀塩、又はタリウム塩によって置換可能である。
前記スピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体（ＩＩ）は、以下の工程によって製造される：
２０〜５０℃の温度条件下、有機溶媒（ジクロロメタン、トリクロロメタン、及び１，２−ジクロロエタンの中の一種又は複数種）中において、スピロホスフィン−オキサゾリン（１ｍｏｌ）と[Ｉｒ(ＣＯＤ)Ｃｌ]2（ＣＯＤ＝シクロオクタジエニル）（０．５〜１ｍｏｌ）等の一価イリジウム化合物とナトリウム塩（１〜３ｍｏｌ）とを３〜２４時間反応させて生成物を得て、更に陰イオン交換により、異なる陰イオンを備えるスピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体を得る工程；
ここで、ｎ＝０〜３；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｘは、化合物（Ｉ）において定義されたものと同じである；ＣＯＤはシクロオクタジエニルである；シクロオクタジエニル配位子は、エチレン又はノルボルナジエンによって置換可能である。
２０〜５０℃の温度条件下、有機溶媒（ジクロロメタン、トリクロロメタン、及び１，２−ジクロロエタンの中の一種又は複数種）中において、スピロホスフィン−オキサゾリン（１ｍｏｌ）と[Ｉｒ(ＣＯＤ)Ｃｌ]2（ＣＯＤ＝シクロオクタジエニル）（０．５〜１ｍｏｌ）等の一価イリジウム化合物とナトリウム塩（１〜３ｍｏｌ）とを３〜２４時間反応させて生成物を得て、更に陰イオン交換により、異なる陰イオンを備えるスピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体を得る工程；
ここで、ｎ＝０〜３；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｘは、化合物（Ｉ）において定義されたものと同じである；ＣＯＤはシクロオクタジエニルである；シクロオクタジエニル配位子は、エチレン又はノルボルナジエンによって置換可能である。
前記スピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体（ＩＩ）は、α−置換アクリル酸の不斉水素化反応の触媒に応用される。
ここで、[Ｉｒ]は式（ＩＩ）に示すスピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体である；Ｒ８は、ハロゲン基、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基、ベンジルオキシ基、フェノキシ基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基で置換されたフェニル基、水酸基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基で置換されたフェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノ基で置換されたフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基で置換されたフェニル基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基で置換されたフェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、である；「＊（星印）」をつけた位置はキラル中心である。
ここで、[Ｉｒ]は式（ＩＩ）に示すスピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体である；Ｒ８は、ハロゲン基、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基、ベンジルオキシ基、フェノキシ基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基で置換されたフェニル基、水酸基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基で置換されたフェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノ基で置換されたフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）アミノ基で置換されたフェニル基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基で置換されたフェニル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基で置換されたフェニル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基で置換されたフェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、である；「＊（星印）」をつけた位置はキラル中心である。
具体的には、以下のような工程となる：
アルゴンガス又は窒素ガスの保護下で触媒と基質とを反応器内管に添加し、添加剤と溶媒とを更に添加する。反応器を封止するとともに反応器内を水素ガスによって３〜５回置換する。その後反応器内を水素ガスで充填し、反応終了まで攪拌する。
前記触媒的水素化反応の反応条件は以下のようになる：
溶媒としてＣ１〜Ｃ６アルコールを用いる；触媒の量は０．００１〜１ｍｏｌ％である；基質濃度は０．００１〜１０．０Ｍである；添加剤は、イソプロピルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ[５，４，０]ウンデカ−７−エン、１，４−ジアザビシクロ[２，２，２]オクタン、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、水酸化セシウム、及び炭酸セシウム、の中の一種又は複数種である；反応温度は０〜１００℃である；水素ガス圧力は０．１〜１０ＭＰａである；反応時間は０．５〜４８時間である。
アルゴンガス又は窒素ガスの保護下で触媒と基質とを反応器内管に添加し、添加剤と溶媒とを更に添加する。反応器を封止するとともに反応器内を水素ガスによって３〜５回置換する。その後反応器内を水素ガスで充填し、反応終了まで攪拌する。
前記触媒的水素化反応の反応条件は以下のようになる：
溶媒としてＣ１〜Ｃ６アルコールを用いる；触媒の量は０．００１〜１ｍｏｌ％である；基質濃度は０．００１〜１０．０Ｍである；添加剤は、イソプロピルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ[５，４，０]ウンデカ−７−エン、１，４−ジアザビシクロ[２，２，２]オクタン、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、水酸化セシウム、及び炭酸セシウム、の中の一種又は複数種である；反応温度は０〜１００℃である；水素ガス圧力は０．１〜１０ＭＰａである；反応時間は０．５〜４８時間である。
本発明は、既存技術の欠点を克服することが可能なスピロホスフィン−オキサゾリン、その製造方法、及びその応用を提供する。安価かつ容易に入手できるアミノアルコールを原料として、オキサゾリン環の第４位の位置に置換基のない新規なスピロホスフィン−オキサゾリンを合成する。この新規スピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体は、α−置換アクリル酸の不斉水素化反応を触媒することができ、非常に高い活性とエナンチオ選択性とを示し、高い研究価値と工業化の展望を有する。
以下に示す実施例により、本発明をより詳細に理解することができるが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。本発明に係る製造方法は、代表的な化合物と共に、更に以下のように表される。
（一般的説明）
実施例においては以下の略語を用いる。
Ｍｅはメチル基を表し、ｔＢｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表し、Ｂｎはベンジル基を表し、Ａｎはメトキシフェニル基を表し、Ｘｙｌは３，５−ジメチルフェニル基を表し、ＤＭＭは３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基を表し、ＤＴＢは３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基を表し、ＢＡＲＦは四（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ホウ酸を表し、ＮＭＲは核磁気共鳴を表し、キラルＳＦＣはキラルカラムを備える超臨界流体クロマトグラフィーを表し、キラルＧＣはキラルキャピラリカラムを備える気相クロマトグラフィーを表し、ｅｅ値は鏡像異性体過剰率を表す。
実施例においては以下の略語を用いる。
Ｍｅはメチル基を表し、ｔＢｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表し、Ｂｎはベンジル基を表し、Ａｎはメトキシフェニル基を表し、Ｘｙｌは３，５−ジメチルフェニル基を表し、ＤＭＭは３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基を表し、ＤＴＢは３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基を表し、ＢＡＲＦは四（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ホウ酸を表し、ＮＭＲは核磁気共鳴を表し、キラルＳＦＣはキラルカラムを備える超臨界流体クロマトグラフィーを表し、キラルＧＣはキラルキャピラリカラムを備える気相クロマトグラフィーを表し、ｅｅ値は鏡像異性体過剰率を表す。
用いる溶媒は、使用前に標準操作によって精製・乾燥される；用いる試薬は、市販品として、又は従来文献に記載された方法で合成して得られ、使用前に精製される。
（実施例１）
（Ｓａ）−Ｎ−ヒドロキシエチル−７’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ−１,１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン−７−ホルムアミドの製造
（Ｓａ）−Ｎ−ヒドロキシエチル−７’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ−１,１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン−７−ホルムアミドの製造
アンチストッパーと排気パイプと磁気攪拌器とを備える２５０ｍＬの二口フラスコに、(Ｓａ)−７−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ−７’−カルボキシ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン１（1.0g,1.48mmol）、アミノエタノール（284mg,4.65mmol）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ,504mg,3.29mmol）、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ,881mg,4.27mmol）、を秤量する。氷水冷却下、蒸留テトラヒドロフラン（ＴＨＦ,80mL）を追加後、混合液の温度は室温まで自然に上昇し、混合液を攪拌して反応させることによって、反応系において大量の白色の沈殿物が生成する。変換が完全に完了するまで、薄層クロマトグラフィーによって反応を監視する。次にシリカゲル５ｇを追加して溶媒を蒸発除去し、その後生成物を乾燥法によるカラムに加える。石油エーテル／酢酸エチル混合溶媒（ｖ／ｖ＝１：１）を溶離液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、白色固体化合物である(Ｓａ)−Ｎ−ヒドロキシエチル−７’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン−７−ホルムアミド２（660mg,62％）を得る。
Ｍｐ １６９〜１７２℃;[α]18 D−１２２．６（ｃ ０．５，ＣＨ２Ｃｌ２）;１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３） δ 7.57 (d, J = 7.2 Hz, 1H, Ar-H), 7.35-7.20 (m, 5H, Ar-H), 7.06 (t, J = 7.6 Hz, 1H, Ar-H), 6.93-6.89 (m, 3H, Ar-H), 6.82 (d, J = 8.0 Hz, 2H, Ar-H), 3.75-3.69 (m, 1H, CH2), 3.56-3.50 (m, 1H, CH2), 3.41-3.28 (m, 2H, CH2), 3.06-2.91 (m, 3H, CH2), 2.78-2.69 (m, 2H, CH2), 2.06-2.21 (m, 1H, CH2), 1.99-1.89 (m, 2H, CH2), 1.20 (s, 18H, CH3), 1.17 (s, 18H, CH3);３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３） δ -15.8 (s); １３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３） δ 165.1, 154.0, 153.8, 150.2, 150.2, 149.9, 149.9, 149.7, 145.2, 144.7, 144.6, 138.0, 137.9, 137.5, 137.4, 133.9, 133.7, 133.0, 128.8, 128.7, 128.6, 128.4, 126.8, 126.7, 126.2, 124.5, 121.8, 121.5, 66.8, 63.5, 54.8, 40.0, 39.3, 35.1, 35.0, 31.7, 31.3, 31.0; ＨＲＭＳ（ＥＳＩ） 計算値（[M+H, C48H61NOP]+） 698.4485, 実測値 698.4483
以下の化合物の合成方法は、実施例１の合成方法と同様である。
ここで、Ａｒは、フェニル基（78％）、４−メチルフェニル基（75％）、４−メトキシフェニル基（83％）、３，５−ジメチルフェニル基（70％）、３，４，５−トリメチルフェニル基（60％）、３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基（79％）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル基（67％）である。
ここで、Ａｒは、フェニル基（78％）、４−メチルフェニル基（75％）、４−メトキシフェニル基（83％）、３，５−ジメチルフェニル基（70％）、３，４，５−トリメチルフェニル基（60％）、３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基（79％）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル基（67％）である。
（実施例２）
(Ｓａ)−７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデンの製造
(Ｓａ)−７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデンの製造
電磁攪拌器を備える１００ｍＬのシュレンク（Schlenk）反応管に、(Ｓａ)−Ｎ−ヒドロキシエチル−７’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロインデン−7−ホルムアミド２（660mg,0.92mmol）と４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ,5mg,0.041mmol）とを秤量し、真空ライン上の窒素ガスによって反応管内を置換する。その後、蒸留後に脱気したジクロロメタン６０ｍＬを添加して十分に攪拌する。氷水浴で冷却しながら、０．２８ｍＬのトリエチルアミンと塩化メチルスルホニル（ＭｓＣｌ,105L,1.36mmol）とを順次添加し、保温したまま攪拌して３０分反応させる。１．２０ｍＬのトリエチルアミンを追加すると、混合液の温度は室温まで自然に上昇し、その後混合液を一晩攪拌する。変換が完全に完了するまで、薄層クロマトグラフィーによって反応を監視する。反応系にシリカゲル５ｇを追加して反応を終了させ、溶媒を蒸発除去し、その後生成物を乾燥法によるカラムに加える。２％のトリエチルアミンを添加した石油エーテル／酢酸エチル混合溶媒（ｖ／ｖ＝８：１）を溶離液としてカラムクロマトグラフィーを行い、白色固体化合物の(Ｓａ)−７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン３（463mg,72％）を得る。
Ｍｐ ２２９〜２３１℃;[α]22 D −１８４．４（ｃ ０．５，ＣＨ２Ｃｌ２）;１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ 7.57 (d, J＝ 7.2 Hz, 1H, Ar-H), 7.35-7.20 (m, 5H, Ar-H), 7.06 (t, J＝ 7.6 Hz, 1H, Ar-H), 6.93-6.89 (m, 3H, Ar-H), 6.82 (d, J＝ 8.0 Hz, 2H, Ar-H), 3.75-3.69 (m, 1H, CH2), 3.56-3.50 (m, 1H, CH2), 3.41-3.28 (m, 2H, CH2), 3.06-2.91 (m, 3H, CH2), 2.78-2.69 (m, 2H, CH2), 2.06-2.21 (m, 1H, CH2), 1.99-1.89 (m, 2H, CH2), 1.20 (s, 18H, CH3), 1.17 (s, 18H, CH3);３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ -15.8 (s);１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ 165.1, 154.0, 153.8, 150.2, 150.2, 149.9, 149.9, 149.7, 145.2, 144.7, 144.6, 138.0, 137.9, 137.5, 137.4, 133.9, 133.7, 133.0, 128.8, 128.7, 128.6, 128.4, 126.8, 126.7, 126.2, 124.5, 121.8, 121.5, 66.8, 63.5, 54.8, 40.0, 39.3, 35.1, 35.0, 31.7, 31.3, 31.0;ＨＲＭＳ（ＥＳＩ） 計算値（[M+H, C48H61NOP]+） 698.4485, 実測値 698.4483
以下の化合物の合成方法は、実施例２の合成方法と同様である。
ここで、Ａｒは、フェニル基（76％）、４−メチルフェニル基（75％）、４−メトキシフェニル基（73％）、３，５−ジメチルフェニル基（70％）、３，４，５−トリメチルフェニル基（65％）、３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基（78％）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル基（65％）である。
ここで、Ａｒは、フェニル基（76％）、４−メチルフェニル基（75％）、４−メトキシフェニル基（73％）、３，５−ジメチルフェニル基（70％）、３，４，５−トリメチルフェニル基（65％）、３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基（78％）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル基（65％）である。
（実施例３）
[（Ｓａ−ＤＴＢ−ＳＩＰＨＯＸ)Ｉｒ（ＣＯＤ）]ＢＡＲＦの製造
[（Ｓａ−ＤＴＢ−ＳＩＰＨＯＸ)Ｉｒ（ＣＯＤ）]ＢＡＲＦの製造
グローブボックス内において、配位子となる(Ｓａ)−７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン３（60mg,0.085mmol）、[Ｉｒ（ＣＯＤ）Ｃｌ]２（32mg,0.047mmol）、ＮａＢＡＲＦ（100mg,0.107mmol）、を秤量して１５ｍＬのシュレンク（Schlenk）反応管に添加する。シュレンク反応管を取り出した後、新たな蒸留ジクロロメタン（2mL）をシリンジによって添加し、４５℃の温浴で加熱攪拌しながら１時間反応させる。生成物サンプルを薄層クロマトグラフィーで分析することによって反応状態を監視し、配位子が完全に錯形成した後加熱を停止して、反応系を室温まで自然放冷する。溶媒を回転蒸発除去した後、残留物をカラムクロマトグラフィーにかけることにより、橙色泡状固体の[（Ｓａ−ＤＴＢ−ＳＩＰＨＯＸ）Ｉｒ（ＣＯＤ）]ＢＡＲＦ４（132mg,82％）を得る。
Ｍｐ １９６℃;[α]21 D＋１２２．６（ｃ ０．５，ＣＨ２Ｃｌ２）; １Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ 7.65 (brs, 9H, Ar-H), 7.50-7.35 (m, 8H, Ar-H), 7.27-7.24 (m, 1H, Ar-H), 7.18-7.07 (m, 4H, Ar-H), 6.75 (brs, 1H, Ar-H), 6.24 (br d, J＝ 10.8 Hz, 1H, Ar-H), 4.38-4.24 (m, 2H, CH=CH), 3.90-3.63 (m, 3H, CH=CH and CH2), 3.39-3.29 (m, 1H, CH2), 3.16-3.07 (m, 1H, CH2), 2.95-2.56 (m, 4H, CH2), 2.43-2.30 (m, 1H, CH2), 2.08-1.90 (m, 5H, CH2), 1.48-0.80 (m, 40H, CH2 and CH3), 0.47-0.40 (m, 3H, CH2);３１Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ 16.7 (s);１３Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ 170.9, 162.8, 162.1, 161.5, 160.8, 152.3, 150.9, 150.8, 148.0, 147.9, 147.7, 147.6, 145.5, 143.8, 134.9, 132.3, 132.2, 131.5, 130.9, 130.0, 129.7, 129.2, 128.8, 128.4, 128.0, 127.9, 127.8, 127.7, 127.6, 127.1, 126.9, 126.7, 126.4, 126.3, 124.3, 122.8, 121.1, 119.2, 117.5, 76.7, 71.9, 71.6, 70.7, 70.5, 69.4, 63.1, 51.6, 41.7, 35.0, 34.0, 31.6, 31.5, 31.0, 30.5, 30.2, 29.7, 29.6, 28.8;ＨＲＭＳ（ＥＳＩ） 計算値（C56H72IrNOP+） 998.4975, 実測値 998.4977
以下の化合物の合成方法は、実施例３の合成方法と同様である。
ここで、Ａｒは、フェニル基（81％）、４−メチルフェニル基（83％）、４−メトキシフェニル基（85％）、３，５−ジメチルフェニル基（80％）、３，４，５−トリメチルフェニル基（71％）、３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基（85％）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル基（82％）である。
ここで、Ａｒは、フェニル基（81％）、４−メチルフェニル基（83％）、４−メトキシフェニル基（85％）、３，５−ジメチルフェニル基（80％）、３，４，５−トリメチルフェニル基（71％）、３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基（85％）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル基（82％）である。
（実施例４）
（Ｒ）−イソイブプロフェンの不斉合成
（Ｒ）−イソイブプロフェンの不斉合成
グローブボックス内において、触媒[（Ｓａ−ＤＴＢ−ＳＩＰＨＯＸ）Ｉｒ（ＣＯＤ）]ＢＡＲＦ４（4.7mg,0.0025mmol）と２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５（102mg,0.5mmol）とを秤量して、攪拌子を備える反応内管に添加後、シールする。反応内管を取り出した後、トリエチルアミン（25mg,0.25mmol）と無水メタノール（2mL）とをシリンジによって添加する。その後反応内管を水素化反応器内に配置し、室温で混合液を攪拌しながら０．６ＭＰａの水素圧力下で２４時間反応させる。その後、攪拌を停止して水素を放出する。反応系の溶媒を回転蒸発除去して濃縮した後、３Ｎ塩酸溶液を用いて反応系のｐＨが３未満となるように調整する。ジエチルエーテル（１０ｍＬ×３）による抽出と分液とにより有機相を収集し、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。吸引ろ過によって乾燥剤を除去後、溶媒を回転蒸発除去し、白色固体の目的生成物６を得る。１Ｈ ＮＭＲの解析によれば、コンバージョン率（転化率）は１００％であり、収率は９６％である。
Ｍｐ ５３〜５５℃;[α]30 D−４１．５ （ｃ ２．０，ｅｔｈａｎｏｌ）; １Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）: d11.27 (brs, 1H, COOH), 7.24 (d, J＝ 8.4 Hz, 2H, Ar-H), 7.08 (d, J＝ 7.6 Hz, 2H, Ar-H), 3.68 (q, J＝ 6.8 Hz, 1H, CH), 2.43 (d, J＝ 6.8 Hz, 2H, CH2), 1.88-1.78 (m, 1H, CH), 1.48 (d, J＝ 7.2 Hz, 3H, CH3), 0.88 (d, J＝ 6.4 Hz, 6H, CH3);メチルエステルへの変換後、キラルＧＣ分析によるｅｅ値は９０％である。
（比較例１）
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１５％であり、得られた生成物のｅｅ値は１２％である。
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１５％であり、得られた生成物のｅｅ値は１２％である。
（比較例２）
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は２０％であり、得られた生成物のｅｅ値は１０％である。
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は２０％であり、得られた生成物のｅｅ値は１０％である。
（比較例３）
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は５５％であり、得られた生成物のｅｅ値は２７％である。
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は５５％であり、得られた生成物のｅｅ値は２７％である。
（比較例４）
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は５０％であり、得られた生成物のｅｅ値は４８％である。
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は５０％であり、得られた生成物のｅｅ値は４８％である。
（比較例５）
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は９０％であり、得られた生成物のｅｅ値は５７％である。
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は９０％であり、得られた生成物のｅｅ値は５７％である。
（比較例６）
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は９０％であり、得られた生成物のｅｅ値は６８％である。
キラル触媒
を用い、実施例４と同じ条件で２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸５の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は９０％であり、得られた生成物のｅｅ値は６８％である。
（実施例５）
２−ベンジルアクリル酸の触媒的不斉水素化
２−ベンジルアクリル酸の触媒的不斉水素化
グローブボックス内において、触媒[（Ｓａ−ＤＴＢ−ＳＩＰＨＯＸ）Ｉｒ（ＣＯＤ）]ＢＡＲＦ４（2.4mg,0.00125mmol）と２−ベンジルアクリル酸７（81mg,0.5mmol）と炭酸セシウム（82mg,0.25mmol）とを秤量して、攪拌子を備える反応内管に添加後、シールする。反応内管を取り出した後、無水メタノール（2mL）をシリンジによって添加する。その後反応内管を水素化反応器内に配置し、室温で混合液を攪拌しながら０．６ＭＰａの水素圧力下で１２時間反応させる。その後、攪拌を停止して水素を放出する。反応系の溶媒を回転蒸発除去して濃縮した後、３Ｎ塩酸溶液を用いて反応系のｐＨが３未満となるように調整する。ジエチルエーテル（１０ｍＬ×３）による抽出と分液とにより有機相を収集し、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。吸引ろ過によって乾燥剤を除去後、溶媒を回転蒸発除去し、無色油状液体の目的生成物８を得る。１Ｈ ＮＭＲの解析によれば、コンバージョン率（転化率）は１００％であり、収率は９４％である。
[α]30 D −３１．９（ｃ １．０，ＣＨ２Ｃｌ２）; １Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）: δ 9.95 (brs, 1H, COOH), 7.31-7.18 (m, 5H, Ar-H), 3.08 (dd, J＝ 13.2 and 6.4 Hz, 1H, CH2), 2.77 (sextet, J＝ 6.8 Hz, 1H, CH), 2.67 (dd, J＝ 13.2 and 8.0 Hz, 1H, CH2), 1.18 (d, J＝ 6.8 Hz, 3H, CH3);フェニルアミドへの変換後、キラルＳＦＣ分析によるｅｅ値は９１％である。
（比較例７）
キラル触媒
を用い、実施例５と同じ条件で２−ベンジルアクリル酸７の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％、収率は９２％であり、得られた生成物のｅｅ値は４７％である。
キラル触媒
を用い、実施例５と同じ条件で２−ベンジルアクリル酸７の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％、収率は９２％であり、得られた生成物のｅｅ値は４７％である。
（比較例８）
キラル触媒
を用い、実施例５と同じ条件で２−ベンジルアクリル酸７の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％、収率は９３％であり、得られた生成物のｅｅ値は２３％である。
キラル触媒
を用い、実施例５と同じ条件で２−ベンジルアクリル酸７の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％、収率は９３％であり、得られた生成物のｅｅ値は２３％である。
（比較例９）
キラル触媒
を用い、実施例５と同じ条件で２−ベンジルアクリル酸７の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％、収率は９３％であり、得られた生成物のｅｅ値は７１％である。
キラル触媒
を用い、実施例５と同じ条件で２−ベンジルアクリル酸７の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％、収率は９３％であり、得られた生成物のｅｅ値は７１％である。
（比較例１０）
キラル触媒
を用い、実施例５と同じ条件で２−ベンジルアクリル酸７の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％、収率は９３％であり、得られた生成物のｅｅ値は７３％である。
キラル触媒
を用い、実施例５と同じ条件で２−ベンジルアクリル酸７の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％、収率は９３％であり、得られた生成物のｅｅ値は７３％である。
（比較例１１）
キラル触媒
を用い、実施例５と同じ条件で２−ベンジルアクリル酸７の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％であり、得られた生成物のｅｅ値は２１％である。
キラル触媒
を用い、実施例５と同じ条件で２−ベンジルアクリル酸７の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％であり、得られた生成物のｅｅ値は２１％である。
（実施例６）
２−フェニルエチルアクリル酸の触媒的不斉水素化
２−フェニルエチルアクリル酸の触媒的不斉水素化
グローブボックス内において、触媒[（Ｓａ−ＤＴＢ−ＳＩＰＨＯＸ）Ｉｒ（ＣＯＤ）]ＢＡＲＦ４（2.4mg,0.00125mmol）と２−フェニルエチルアクリル酸９（88mg,0.5mmol）と炭酸セシウム（82mg,0.25mmol）とを秤量して、攪拌子を備える反応内管に添加後、シールする。反応内管を取り出した後、無水メタノール（2mL）をシリンジによって添加する。その後反応内管を水素化反応器内に配置し、室温で混合液を攪拌しながら０．６ＭＰａの水素圧力下で２４時間反応させる。その後、攪拌を停止して水素を放出する。反応系の溶媒を回転蒸発除去して濃縮した後、３Ｎ塩酸溶液を用いて反応系のｐＨが３未満となるように調整する。ジエチルエーテル（１０ｍＬ×３）による抽出と分液とにより有機相を収集し、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。吸引ろ過によって乾燥剤を除去後、溶媒を回転蒸発除去し、無色油状液体の目的生成物１０を得る。１Ｈ ＮＭＲの解析によれば、コンバージョン率（転化率）は１００％であり、収率は９４％である。
[α]20 D−１７．５（ｃ ０．９，ＣＨ２Ｃｌ２）; １Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）: δ 10.98 (br s, 1H, COOH), 7.24-7.09 (m, 5H, Ar-H), 2.60 (t, J＝ 8.1 Hz, 2H, CH2), 2.50-2.38 (m, 1H, CH), 2.04-1.91 (m, 1H, CH2), 1.73-1.61 (m, 1H, CH2), 1.16 (d, J＝ 7.2 Hz, 3H, CH3);フェニルアミドへの変換後、キラルＳＦＣ分析によるｅｅ値は９１％である。
（比較例１２）
キラル触媒
を用い、実施例６と同じ条件で２−フェニルエチルアクリル酸９の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％、収率は９１％であり、得られた生成物のｅｅ値は３６％である。
キラル触媒
を用い、実施例６と同じ条件で２−フェニルエチルアクリル酸９の触媒的不斉水素化反応を行った。この反応のコンバージョン率は１００％、収率は９１％であり、得られた生成物のｅｅ値は３６％である。
（実施例７）
２−フェノキシアクリル酸の触媒的不斉水素化
２−フェノキシアクリル酸の触媒的不斉水素化
グローブボックス内において、触媒[（Ｓａ−ＤＴＢ−ＳＩＰＨＯＸ）Ｉｒ（ＣＯＤ）]ＢＡＲＦ４（4.8mg,0.0025mmol）と２−フェノキシアクリル酸１１（32mg,0.20mmol）と炭酸セシウム（41mg,0.125mmol）とを秤量して、攪拌子を備える反応内管に添加後、シールする。反応内管を取り出した後、無水メタノール（2mL）をシリンジによって添加する。その後反応内管を水素化反応器内に配置し、３０℃で混合液を攪拌しながら０．６ＭＰａの水素圧力下で２４時間反応させる。その後、攪拌を停止して水素を放出する。反応系の溶媒を回転蒸発除去して濃縮した後、２Ｎ水酸化ナトリウム溶液とともに分液漏斗に転送し、石油エーテルによって抽出・分離を行い、３Ｎ塩酸溶液を用いて水相のｐＨが３未満となるように調整する。ジエチルエーテル（１０ｍＬ×３）による抽出と分液とにより有機相を収集し、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。吸引ろ過によって乾燥剤を除去後、溶媒を回転蒸発除去し、白色固体の目的生成物１２を得る。１Ｈ ＮＭＲの解析によれば、コンバージョン率（転化率）は１００％であり、収率は９０％である。
１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）: δ 7.70 (brs, 1H, COOH), 7.37-6.89 (m, 5H, Ar-H), 4.79 (sextet, J＝ 6.8 Hz, 1H, CH), 1.67 (d, J＝ 6.8 Hz, 3H, CH3);フェニルアミドへの変換後、キラルＳＦＣ分析によるｅｅ値は９０％である。
Claims (10)
- 以下の構造を有するスピロホスフィン−オキサゾリン。
［ここで、ｎ＝０〜３であり、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれＨ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基、Ｃ１〜Ｃ８アシルアミノ基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基、ハロゲン基、フェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）フェニル基、水酸化フェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ）フェニル基、（Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル）フェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシルアミノ）フェニル基、（ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ）フェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）フェニル基、（Ｃ２〜Ｃ８エステル）フェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、であり、或いは脂環又は芳香環の複合環であり（ｎが２以上の場合）、Ｒ１とＲ２とは同じでも良いし、異なっていても良く、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれＨ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基、Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基、Ｃ１〜Ｃ８アシル基、Ｃ２〜Ｃ８エステル基、Ｃ１〜Ｃ８アシルアミノ基、ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ基、ハロゲン基、フェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）フェニル基、水酸化フェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ）フェニル基、（Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル）フェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシルアミノ）フェニル基、（ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ）フェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）フェニル基、（Ｃ２〜Ｃ８エステル）フェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、であり、或いはＲ３〜Ｒ４、Ｒ５〜Ｒ６は脂環又は芳香環の複合環であり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は同じでも良いし、異なっていても良く、
Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、フェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）フェニル基、水酸化フェニル基、スルホフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ）フェニル基、（Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル）フェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシルアミノ）フェニル基、（ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ）フェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）フェニル基、（Ｃ２〜Ｃ８エステル）フェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、である。］ - 前記Ｃ１〜Ｃ８アルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ｎ−ペンチル基、イソアミル基、ネオペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ネオヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル基、ネオヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、シクロヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ネオオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、又はシクロオクチル基、であり、
前記Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、シクロプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、シクロブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ネオヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ネオヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ネオオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、又はシクロオクチルオキシ基、であり、
前記Ｃ１〜Ｃ８アシル基は、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ｎ−ブチリル基、イソブチリル基、ｎ−ペンタノイル基、イソペンタノイル基、ｓｅｃ−ペンタノイル基、ネオペンタノイル基、ｎ−ヘキサノイル基、イソヘキサノイル基、ネオヘキサノイル基、ｓｅｃ−ヘキサノイル基、ｎ−ヘプタノイル基、イソヘプタノイル基、ネオヘプタノイル基、ｓｅｃ−ヘプタノイル基、ｎ−オクタノイル基、イソオクタノイル基、ネオオクタノイル基、ｓｅｃ−オクタノイル基、１−シクロプロピルホルミル基、１−シクロブチルホルミル基、１−シクロペンチルホルミル基、１−シクロヘキシルホルミル基、又は１−シクロヘプチルホルミル基、であり、
前記Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル基は、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ｎ−ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ｎ−ペンタノイルオキシ基、イソペンタノイルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタノイルオキシ基、ネオペンタノイルオキシ基、ｎ−ヘキサノイルオキシ基、イソヘキサノイルオキシ基、ネオヘキサノイルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサノイルオキシ基、ｎ−ヘプタノイルオキシ基、イソヘプタノイルオキシ基、ネオヘプタノイルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタノイルオキシ基、ｎ−オクタノイルオキシ基、イソオクタノイルオキシ基、ネオオクタノイルオキシ基、ｓｅｃ−オクタノイルオキシ基、１−シクロプロピルホルミルオキシ基、１−シクロブチルホルミルオキシ基、１−シクロペンチルホルミルオキシ基、１−シクロヘキシルホルミルオキシ基、又は１−シクロヘプチルホルミルオキシ基、であり、
前記Ｃ２〜Ｃ８エステル基は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、イソヘキシルオキシカルボニル基、ネオヘキシルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、イソヘプチルオキシカルボニル基、ネオヘプチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシカルボニル基、又はシクロヘプチルオキシカルボニル基、であり、
前記ハロアルキル基は、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素、を含むハロアルキル基である請求項１に記載のスピロホスフィン−オキサゾリン。 - 同じ化学構造式を有するが三次元構造及び光学特性が異なるラセミ体、すなわち右旋性の異性体と左旋性の異性体、を含む請求項１に記載のスピロホスフィン−オキサゾリン。
- ７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン、
７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ジフェニルホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン、
７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ビス（４−メチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン、
７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ビス（４−メトキシフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン、
７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン、
７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ビス（３，４，５−トリメチルフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン、
７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデン、又は、
７−（４，５−ジヒドロ−オキサゾール−２−ベース）−７’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ−１，１’−Ｌｏ−ジヒドロ−インデンである請求項1記載のスピロホスフィン−オキサゾリン。 - 置換された７−ジアリールホスフィノ−７’−カルボキシ１,１'−Ｌｏ−ジヒドロ−インデンを出発原料とし、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、及びエチレングリコールジメチルエーテルの中の一種又は複数種からなる有機溶媒中において、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール及びＮ、Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミドの存在下で、アミノエタノールと縮合反応させて、対応するアミドアルコール化合物を得る工程と、
前記工程により得られたアミドアルコール化合物を、ジクロロメタン、トリクロロメタン、及び１，２−ジクロロエタンの中の一種又は複数種を溶媒として使用し、Ｎ、Ｎ−ジメチル−4−アミノピリジンの触媒作用により、トリエチルアミン又はジイソプロピルエチルアミンを酸結合剤として、塩化メチルスルホニル又は塩化パラトルエンスルホニルと反応させ、新規スピロホスフィン−オキサゾリンを得る工程と、を含み、下記の反応式で表される請求項１に記載のスピロホスフィン−オキサゾリンの製造方法。
［ここで、ｎ＝０〜３であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は請求項１において定義されたものと同じであり、ＤＣＣはＮ、Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミドであり、ＨＯＢｔは１−ヒドロキシベンゾトリアゾールであり、ＭｓＣｌは塩化メチルスルホニルであり、ＮＥｔ３はトリエチルアミンである。］ - 以下の構造を備える、請求項１に記載のスピロホスフィン−オキサゾリンを用いて製造されるスピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体。
はシクロオクタジエンであり、ｎ＝０〜３であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は請求項１において定義されたものと同じであり、Ｘは、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ８カルボキシレート、硫酸、四（３，５−ビス−トリフルオロメチルフェニル）ホウ酸、四（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸、四（パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブトキシ）アルミニウムイオン、四（ヘキサフルオロイソプロポキシ）アルミニウムイオン、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、テトラフルオロホウ酸、又はトリフルオロメタンスルホン酸であり、シクロオクタジエニル配位子は、エチレン又はノルボルナジエンによって置換可能である。］ - ２０〜５０℃の温度条件下、ジクロロメタン、トリクロロメタン、及び１，２−ジクロロエタンの中の一種又は複数種からなる有機溶媒中において、スピロホスフィン−オキサゾリンとイリジウム化合物とナトリウム塩とを反応させて生成物を得て、更に陰イオン交換により、異なる陰イオンを備えるスピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体を得る工程を有し、以下の反応式で表される請求項６に記載のスピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体の製造方法。
［ここで、ｎ＝０〜３であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｘは、請求項６において定義されたものと同じであり、ＣＯＤは１，５−シクロオクタジエニルであり、シクロオクタジエニル配位子は、エチレン又はノルボルナジエンによって置換可能であり、ナトリウム塩は、対応するカリウム塩、アンモニウム塩、銀塩、又はタリウム塩によって置換可能である。］ - 請求項６に記載のスピロホスフィン−オキサゾリンのイリジウム錯体の使用方法であって、以下の反応式で示されるα−置換アクリル酸の不斉水素化反応における触媒として使用する方法。
ル)アミノ基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）フ
ェニル基、水酸化フェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ）フェニル基、（Ｃ２〜Ｃ８アシルオキシル）フェニル基、ハロゲン化フェニル基、アミノフェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシルアミノ）フェニル基、（ジ(Ｃ１〜Ｃ８アルキル)アミノ）フェニル基、（Ｃ１〜Ｃ８アシル）フェニル基、（Ｃ２〜Ｃ８エステル）フェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基、であり、「＊（星印）」をつけた位置はキラル中心である。］ - アルゴンガス又は窒素ガスの保護下で前記触媒と基質とを反応器内管に添加し、添加剤と溶媒とを更に添加して、反応器を封止するとともに反応器内を水素ガスによって３〜５回置換し、その後反応器内を水素ガスで充填し、反応終了まで攪拌する触媒的水素化反応において、
前記触媒的水素化反応の反応条件が、前記溶媒としてＣ１〜Ｃ６アルコールを用い、前記触媒の量は０．００１〜１ｍｏｌ％であり、前記基質の濃度は０．００１〜１０．０Ｍであり、前記添加剤は、イソプロピルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ[５，４，０]ウンデカ−７−エン、１，４−ジアザビシクロ[２，２，２]オクタン、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、水酸化セシウム、及び炭酸セシウム、の中の一種又は複数種であり、反応温度は０〜１００℃であり、水素ガス圧力は０．１〜１０ＭＰａであり、反応時間は０．５〜４８時間である請求項８に記載の方法。 - 前記溶媒はメタノールであり、前記添加剤はトリエチルアミン又は炭酸セシウムであり、前記α−置換アクリル酸は、２−（４−イソブチルフェニル）アクリル酸、２−ベンジルアクリル酸、２−フェニルエチルアクリル酸、又は２−フェノキシアクリル酸である請求項９に記載の方法。
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