JP5565444B2 - フラットパネルディテクタ - Google Patents

フラットパネルディテクタ Download PDF

Info

Publication number
JP5565444B2
JP5565444B2 JP2012237669A JP2012237669A JP5565444B2 JP 5565444 B2 JP5565444 B2 JP 5565444B2 JP 2012237669 A JP2012237669 A JP 2012237669A JP 2012237669 A JP2012237669 A JP 2012237669A JP 5565444 B2 JP5565444 B2 JP 5565444B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flat panel
panel detector
film
scintillator
detector according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012237669A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013019912A (ja
Inventor
武彦 庄子
美香 坂井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2012237669A priority Critical patent/JP5565444B2/ja
Publication of JP2013019912A publication Critical patent/JP2013019912A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5565444B2 publication Critical patent/JP5565444B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14663Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2002Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632Wafer-level processed structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Description

本発明は、シンチレータパネルと平面受光素子との接触状態が良好なシンチレータパネルを有するフラットパネルディテクタに関する。
従来から、X線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史の中で高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、今なお、世界中の医療現場で用いられている。しかしながら、これら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送ができない。
そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ(CR)やフラットパネル型の放射線ディテクタ(FPD)等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のX線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。
X線画像のデジタル技術の一つとしてコンピューテッドラジオグラフィ(CR)が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら、鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不十分であり、スクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。そして、さらに新たなデジタルX線画像技術として、例えば雑誌Physics Today,1997年11月号24頁のジョン・ローランズ論文"Amorphous Semiconductor Usher in Digital X−ray Imaging"や、雑誌SPIEの1997年32巻2頁のエル・イー・アントヌクの論文"Development of a High Resolution,Active Matrix,Flat−Panel Imager with Enhanced Fill Factor"等に記載された、薄膜トランジスタ(TFT)を用いた平板X線検出装置(FPD)が開発されている。
放射線を可視光に変換するために、放射線により発光する特性を有するX線蛍光体で作られたシンチレータプレートが使用されるが、低線量の撮影においてのSN比を向上するためには、発光効率の高いシンチレータプレートを使用することが必要になってくる。一般にシンチレータプレートの発光効率は、蛍光体層の厚さ、蛍光体のX線吸収係数によって決まるが、蛍光体層の厚さは厚くすればするほど、蛍光体層内での発光光の散乱が発生し、鮮鋭性は低下する。そのため、画質に必要な鮮鋭性を決めると、膜厚が決定する。
中でもヨウ化セシウム(CsI)はX線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能であった。しかしながらCsIのみでは発光効率が低いために、例えば特公昭54−35060号公報の如く、CsIとヨウ化ナトリウム(NaI)を任意のモル比で混合したものを、蒸着を用いて基板上にナトリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Na)として堆積、また近年ではCsIとヨウ化タリウム(TlI)を任意のモル比で混合したしたものを、蒸着を用いて基板上にナトリウム賦活ヨウ化タリウム(CsI:Tl)として堆積したものに、後工程としてアニールを行うことで可視変換効率を向上させ、X線蛍光体として使用している。
しかしながら、CsIをベースとしたシンチレータ(蛍光体層)は潮解性があり、経時で特性が劣化するという欠点がある。このような経時劣化を防止するために、CsIをベースとしたシンチレータ(蛍光体層)の表面に防湿性保護層を形成することが提案されている。例えば、ポリパラキシリレン樹脂によりシンチレータ層(本発明の蛍光体層に該当する)の上部、側面及び基板のシンチレータ層外周部を覆う方法が知られている(例えば、特許文献1を参照)。また、水分透過率1.2g/m2・日未満の透明樹脂フィルムでシンチレータ層の少なくとも支持体に対向する側の反対側と、側面とを覆う方法が知られている(例えば、特許文献2を参照)。これらの保護層により高い防湿性が得られる。
一般に、シンチレータパネルを平面受光素子面上に配置するにあたっては、保護カバーとシンチレータパネルとの間にはクッション部材が設けられ、保護カバーを取り付けた際に圧縮されたクッション部材の圧力によりシンチレータパネルが受光素子に対して適度な圧力で圧接されるようになっている。従って、フラットパネルディテクタを組み立てる際には、筐体内に配置した受光素子上にシンチレータパネル及びクッション部材を順次載置し、その後、保護カバーを筐体にネジ等で固定することにより組み立てる。
この際、クッション部材の圧力が強すぎると、柱状結晶構造の蛍光体結晶の先端部がつぶれ放射線画像のコントラストが低下する。逆にクッション部材の圧力が弱い場合は、FPDを下方向に向けた場合や振動によってシンチレータパネル面と平面受光素子面に位置ズレが発生し、平面受光素子の各画素での信号補正精度が低下し、得られる画像の粒状性や鮮鋭性が劣化する。またFPD装置の移動や振動によるシンチレータパネルと平面受光素子間の摩擦によって、平面受光素子や蛍光体層に欠陥が発生しやすくなる問題もある。
一般に粒状性の高い放射線画像を得るためには蛍光体層としては400μm以上の厚さが必要であるが、膜厚の増大によるシンチレータパネルの質量の増加やシンチレータパネルサイズの増大はこの問題をより深刻にする。
このような問題を解決するために、シンチレータパネルと平面受光素子を接着剤で固定する方法(例えば、特許文献1参照)や、マッチングオイルにより張り合わせる方法(例えば、特許文献2参照)等が提案させているが、接着剤やマッチングオイルのムラの発生や作業工数の増大等の問題がある。また、この方法ではFPDの分解修理やシンチレータパネルの交換は不可能でありメンテナンス上の課題もある。
従来、気体層法によるシンチレータの製造方法としては、アルミやアモルファスカーボン等剛直な基板上に蛍光体層を形成し、その上にシンチレータの表面全体を保護膜で被覆させることが一般的である(特許第3566926号)。しかしながら、自由に曲げることのできないこれらの基板上に蛍光体層を形成した場合、シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、基板の加工精度や蒸着時の変形等の影響を受け、フラットパネルディテクタの全面でシンチレータパネル面と受光素子面の均一な接触状態を達成できず、面内で均一な画質特性が得られないという欠点がある。この問題は近年のフラットパネルディテクタの大型化に伴い、より深刻化してきている。
この問題を回避するために撮像素子上に直接、蒸着によりシンチレータを形成する方法や、鮮鋭性は低いが、可とう性を有する医用増感紙等を代用として用いることが一般的に行われている。
このような状況から、生産適正に優れ、蛍光体層の経時での特性劣化を防止し、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護し、シンチレータパネルと平面受光素子の接触状態が安定な放射線フラットパネルディテクタを開発することが望まれている。
特開2006−189377号公報 特開2000−9845号公報
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、蛍光体層の経時での特性劣化を防止し、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護し、シンチレータパネルと平面受光素子の接触状態が安定なフラットパネルディテクタを提供することにある。
本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。
1.基板上に蛍光体層が設けられてなるシンチレータと、該シンチレータの蛍光体面を被覆する保護層からなるシンチレータパネルを、2次元状に配置した複数の画素を有する平面受光素子面上に配置したフラットパネルディテクタにおいて、前記保護層表面に再剥離粘着剤層が設けられ、かつ前記保護層が樹脂フィルムまたはポリパラキシリレン膜であることを特徴とするフラットパネルディテクタ。
2.前記再剥離粘着剤層の粘着力が、厚さ25μmのポリエチレンテレフタルレート(PET)に対して0.05〜1N/20mmであることを特徴とする前記1に記載のフラットパネルディテクタ。
3.前記再剥離粘着剤層が、少なくともゴム系樹脂またはアクリル系樹脂を含有することを特徴とする前記1または2に記載のフラットパネルディテクタ。
4.前記シンチレータが、基板上に気相堆積法により蛍光体層が設けられてなることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
5.前記保護層が樹脂フィルムからなることを特徴とする前記1〜4のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
6.前記樹脂フィルムの厚さが1〜200μmであることを特徴とする前記5に記載のフラットパネルディテクタ。
7.基板がポリイミド(PI)またはポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムであることを特徴とする前記1〜6のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
8.前記シンチレータパネルの総厚が1mm以下であることを特徴とする前記1〜7のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
9.前記蛍光体層がCsI(ヨウ化セシウム)であることを特徴とする前記1〜8のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
本発明により、蛍光体層の経時での特性劣化を防止し、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護し、シンチレータパネルと平面受光素子の接触状態が安定なフラットパネルディテクタを提供することができる。
本発明のフラットパネルディテクタ1の構成図である。
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を加えた結果、蛍光体面を被覆する保護層上に再剥離粘着剤層を設け、かつ前記保護層が樹脂フィルムまたはポリパラキシリレン膜であることで本課題が解決できることを見出した。微粘着の再剥離粘着剤層を設け、かつ前記保護層が樹脂フィルムまたはポリパラキシリレン膜であることにより、効果的にシンチレータパネル面と平面受光素子面に位置ズレを防止でき、修理やシンチレータ交換に当っては、受光素子面にダメージを与えずにシンチレータパネルと平面受光素子を分離可能となる。
〔再剥離粘着剤層〕
本発明においては、再剥離粘着剤層の粘着力が、厚さ25μmのポリエチレンテレフタルレート(PET)に対して0.05〜1N/20mmであることが好ましい。粘着力が0.05N/20mm以上であると、シンチレータパネル面と平面受光素子面に位置ズレ防止の効果が大きく、1N/20mm以下であると受光素子にダメージを与えることがなく好ましい。一般に平面受光素子はガラス基板上やシリコン基板上に形成され、シンチレータの保護層上の再剥離粘着剤層との粘着力を精度高く測定することは困難であり、本発明では再剥離粘着剤層の粘着力を厚さ25μmのポリエチレンテレフタレート(PET)との粘着力で評価した。受光素子はFPDの連続的な使用によって約50℃まで温度が上昇することが知られている。またシンチレータパネルをクッション層により受光素子に圧着させるケースでは、その圧着力は100gf/cm2(0.98N/cm2)程度が一般的である。
本発明で粘着力とは、再剥離粘着剤層とポリエチレンテレフタレート(PET)を100gf/cm2(0.98N/cm2)の圧力で密着させた状態で、50℃で7日の加熱処理を実施した後の剥離力のことを言う。具体的には、ポリエチレンテレフタレート(PET)表面に対して、90インチ/分(約229cm/分)の剥離速度、90度の剥離角度で測定された値で、0.05〜1N/20mmであることが好ましい。
再剥離粘着剤層は、平面受光素子を破壊することなくシンチレータパネルを剥離できるような再剥離性を有すればよい。このような再剥離性を有する接着層としては、公知のアクリル系、シリコン系やゴム系の粘着性の樹脂を使用することができる。
ゴム系の粘着性の樹脂としては、スチレン−イソプレン−スチレン等のブロックコポリマー系や、ポリブタジエン、ポリブチレン等の合成ゴム系粘着剤、及び天然ゴム等を使用できる。
また、シリコン系粘着剤としては、過酸化物架橋タイプや付加縮合タイプを単体または混合で使用してもよい。さらにアクリル系やゴム系粘着剤と混合して使用することもできるし、アクリル系粘着剤のポリマー主鎖や側鎖にシリコン成分をペンダントした粘着剤を使用してもよい。
粘着剤としてアクリル系樹脂を用いる場合は、単量体成分として炭素数1〜14のアルキル側鎖を有するアクリル酸エステルを含有するラジカル重合性モノマーを反応させた樹脂を用いることが好ましい。
炭素数1〜14のアルキル側鎖を有するアクリル酸エステルとしては、例えば、(1群):メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、sec−ブチルアクリレート、t−ブチルアクリレート、n−ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、イソノニルアクリレート、イソデシルアクリレート、ラウリルアクリレートメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、n−プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、n−ブチルメタクリレート、sec−ブチルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、n−ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、n−オクチルメタクリレート、イソオクチルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、イソノニルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート等が挙げられる。中でも、炭素数が4〜9のアルキル側鎖を有するメタアクリル酸アルキルエステルまたは炭素数が4〜9のアルキル側鎖を有するアクリル酸アルキルエステルを使用することが好ましい。中でも、炭素数が4〜9のアルキル側鎖を有するアクリル酸アルキルエステルを使用することがより好ましい。
また、単量体成分として、側鎖に水酸基、カルボキシル基、アミノ基等の極性基を有する、アクリル酸エステルやその他のビニル系単量体を添加するのが好ましい。
水酸基を含有するモノマーとしては、(2群):2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、6−ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート等が挙げられる。好ましくは、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、6−ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレート等がある。
また、水酸基以外の極性基を有するモノマーとしては、(3群):アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、クロトン酸、アクリル酸ダイマー、エチレンオキサイド変性コハク酸アクリレート等のカルボキシル基を有するモノマー、N−ビニル−2−ピロリドン、n−ビニルカプロラクタム、アクリロイルモルホリン、アクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、2−(パーヒドロフタルイミド−N−イル)エチルアクリレート等のアミド基を有するモノマー、アクリロニトリル、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。
本発明においては、再剥離粘着剤層が、少なくともゴム系樹脂またはアクリル系樹脂を含有することが好ましい。
〔保護層〕
また、特開2000−56694号公報には、光線透過率が80%以上の透明フィルム層の片面に、ゴム層を積層した積層体からなり、該積層体の光線透過率が80%以上である画面用保護フィルムが開示されている。上記ゴム層は、シリコンゴム、フッ素ゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴム及びアクリルニトリルブタジエンゴムからなる群から選ばれたいずれか1つのゴムまたは2以上のゴム混合物から形成される。これらは本発明のフラットパネルディテクタに好適である。
シンチレータの保護層としては、再剥離粘着剤層を形成することが可能であれば本発明の効果を得られるが、本発明では、保護層として樹脂フィルムまたはポリパラキシリレン膜を用いる。再剥離粘着剤層の塗設の容易さから樹脂フィルムであることが好ましい。予め再剥離粘着剤層の塗設をした樹脂フィルムでシンチレータを封止することによって、本発明の効果を容易に達成できる。
また、保護層として樹脂フィルムを使用する場合は、フィルムの厚さが200μm以上であると鮮鋭が低下すること、12μm以下のフィルムでは物理的な接触に対する耐久性が不足することから、本発明における保護フィルムの厚さとしては12〜200μmが好ましい。
〔基板〕
さらに、シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、基板の変形や蒸着時の反り等の影響を受け、フラットパネルディテクタの受光面内で均一な画質特性が得られないという点に関して、該基板を、厚さ50〜500μmの高分子フィルムとすること、及びシンチレータパネルの総厚を1mm以下にすることで、シンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し、フラットパネルディテクタの受光面全体で均一な鮮鋭性が得られることが判明し、本発明に至った。
基板として使用する高分子フィルムとしては、蒸着時の耐熱性からポリイミド(PI)またはポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムが好ましい。
以下、添付図面を参照しつつ本実施形態について説明するが、一例であり、本実施形態に限定するものではない。
図1は、本発明のフラットパネルディテクタ1の構成図である。フラットパネルディテクタ1は、筐体11内に、被写体を透過した放射線を受けてその線量に対応した強度で蛍光を瞬時に発光するシンチレータパネル12、シンチレータパネル12に圧接して設けられ、シンチレータパネル12からの光を光電変換する複数の受光画素が2次元状に配置された受光素子13、及びシンチレータパネル12を保護する保護カバー14及びクッション部材としてのクッション層15を備えている。
シンチレータパネル12は、基板123上に蛍光体層122が形成され、これらの基板123及び蛍光体層122が第1保護フィルム121及び第2保護フィルム124により封止された構成となっている。
基板123は、放射線を透過させる材質から構成される。基板123は、受光素子13の表面に均一にシンチレータパネル12を接触させることができるよう、可撓性を有することが好ましい。例えば、125μm厚の可撓性を有するポリイミドフィルムを用いることができる。ポリイミドフィルムの他には、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等を用いることができる。厚さとしては、50〜500μmが好ましい。
蛍光体層122は、光ガイド効果を有し発光効率の高い柱状結晶構造の蛍光体層から構成される。この蛍光体層は基板上に気相堆積法により形成することが好ましい。例えば、賦活剤としてタリウム(Tl)を添加したヨウ化セシウム(CsI)を蛍光体材料として真空蒸着することにより、基板122上に柱状結晶構造の蛍光体層を形成することができる。ヨウ化セシウム(CsI)の他には、臭化セシウム(CsBr)等を用いることができる。賦活材としては、タリウム(Tl)の他に、ユーロピウム、インジウム、リチウム、カリウム、ルビジウム、ナトリウム、銅、セリウム、亜鉛、チタン、ガドリニウム、テルビウム等を用いることができる。なお、蛍光体層の厚さは、100〜800μmであることが好ましく、120〜700μmであることが、輝度と鮮鋭性の特性をバランスよく得られる点からより好ましい。
クッション層15は、シンチレータパネル12を適度な圧力で受光素子13に圧接させるためのものである。例えば、放射線の吸収が少ないシリコン系またはウレタン系の発泡材を用いることができる。クッション層の厚さは1〜40mmが好ましく、より好ましくは2〜20mmである。
第1保護フィルム121及び第2保護フィルム124は、蛍光体層121を防湿し蛍光体層122の劣化を抑制するためのもので、透湿度の低いフィルムから構成される。例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム(PET)を用いることができる。PETの他には、ポリエステルフィルム、ポリメタクリレートフィルム、ニトロセルロースフィルム、セルロースアセテートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等を用いることができる。
また、第1保護フィルム121及び第2保護フィルム124の互いに対向する面には、互いを融着して封止するための融着層が形成されている。
第1保護フィルム121の受光素子に接する側には、再剥離粘着剤層125が形成されている。
受光素子13は、2次元状に配置された複数の受光画素から構成されている。例えば、フォトダイオード+薄膜トランジスタ(TFT)により構成することができる。フォトダイオードにより光電変換した信号電荷を、TFTを用いて読み出す。受光素子13としては他に、CMOS、CCD等を用いることができる。
保護カバー14は、シンチレータパネル12を外部の衝撃等から保護するとともに、クッション層15を圧縮してシンチレータパネル12を適度な圧力で受光素子13に圧接する役割も果たしている。例えば、放射線透過性の高いカーボン板により構成される。保護カバー14としては他に、アルミ板を用いることができる。
フラットパネルディテクタ1を組み立てる際には、筐体11内に配置した受光素子13上に、再剥離粘着剤層125が形成されている第1保護フィルム121で封止されたシンチレータパネル12を載置し、さらにクッション層15、その後保護カバー14を筐体11にネジ等で固定することにより組み立てる。保護カバー14を取り付けた際にクッション層15が圧縮され、圧縮に抗するクッション層15の反発力によりシンチレータパネル12が受光素子13に対して適度な圧力で圧接する。この圧力により第1保護フィルム121上に形成された再剥離粘着剤層125と受光素子13が接着し、振動やフラットパネルディテクタの傾き等による、シンチレータパネル12と受光素子13の位置ずれが防止される。
また基板123は200μm以下の樹脂フィルムからなっており、またシンチレータパネル12の総厚が1mm以下であるあるため、シンチレータパネル12がクッション層15の適度な圧力で平面受光素子13の面形状に合った形状に変形し、フラットパネルディテクタの受光面全体で均一な接触状態が得られる。
このように、本実施形態によれば、蛍光体層122にダメージを与えない適度なクッション層15の圧力で、シンチレータパネル12と受光素子13の良好な密着状態が得られる。なお、作業は受光素子13上にシンチレータパネル12を載置して、クッション層15、保護カバー14を取り付ければよいので、精度よく容易に組み立てることができる。
本実施形態では、第1保護フィルム124及び第2保護フィルム125の2枚の保護フィルムを用いているが、保護層が樹脂フィルム以外の、CVD法によりシンチレータパネル全面に形成されたポリパラキシリレン膜であっても同様の手順で本発明の効果を実現できる。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量%」を表す。
《シンチレータの作製》
(基板の準備)
基板として厚さ125μmと225μmのポリイミドフィルム(250mm×300mm)を準備した。
(蛍光体層の形成)
以下のように、蒸着装置を使用して、気相堆積法により、準備したポリイミドフィルムに蛍光体(CsI:0.3%Tl)を蒸着して蛍光体層を形成し、シンチレータを作製した。
蛍光体原料(CsI:0.3%Tl)を抵抗加熱ルツボに充填し、支持体ホルダにポリイミドフィルムを設置し、抵抗加熱ルツボとアルミニウム板との間隔を400mmに調節した。続いて蒸着装置内を一旦排気し、Arガスを導入して0.5Paに真空度を調整した後、10rpmの速度でポリイミドフィルムを回転しながら温度を150℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体を蒸着し、蛍光体層の膜厚が400μmとなったところで蒸着を終了し、シンチレータを作製した。
《シンチレータパネルの作製》
(保護フィルムの準備)
保護フィルムとして、下記の厚さ43μmの積層フィルム(保護フィルムA)を作製した。積層は2液反応型のウレタン系接着剤を使用し、接着剤の厚さを1μmとしたドライラミネーションで実施した。
また、同様にして厚さ131μmの保護フィルムB、厚さ211μmの保護フィルムCを作製した。
保護フィルムA:PET(12μm)/CPP(30μm) 厚さ 43μm
保護フィルムB:PET(100μm)/CPP(30μm) 厚さ 131μm
保護フィルムC:PET(180μm)/CPP(30μm) 厚さ 211μm
(再剥離粘着剤層)
アクリル系共重合体として、下記(A)の固形分比の混合物100質量部に対し、芳香族系イソシアネート化合物(B)を表1に示す量を添加した。さらにジオクチル錫ジラウレートを固形分に対して60ppm添加し、酢酸エチルで希釈して固形分30%の再剥離接着剤組成物を得た。
(A)
2−エチルヘキシルアクリレート 50質量部
ブチルアクリレート 30質量部
スチレン 19質量部
2−ヒドロキシエチルメタクリレート 3質量部
(B)
トリレンジイソシアネート・トリメチロールプロパンアダクト体(商品名;コロネートL 日本ポリウレタン(株)製)
準備した保護フィルムのPET面側に乾燥後の塗工厚が10μmとなるように、再剥離粘着剤層組成物を塗布し、80℃で90秒間熱風循環式乾燥機にて乾燥して再剥離粘着剤層を形成した後、40℃で5日間の加熱処理することで、上記保護フィルム上に再剥離粘着剤層を形成した。
保護フィルム上に再剥離接着剤組成物を塗布しない以外は同様にして比較例試料を作製した。
(シンチレータパネルの作製)
シンチレータの蛍光体側に、上記の再剥離粘着剤層を有する保護フィルム、基板側には再剥離粘着剤層がない以外は蛍光体側と同じフィルムを配置し、減圧下で周縁部をインパルスシーラーを用いて対向するCPP樹脂層を融着することでシンチレータパネルを作製した。なお、融着部から蛍光体シート周縁部までの距離は1mmとなるように融着した。融着に使用したインパルスシーラーのヒーターは3mm幅のものを使用した。
(剥離力の測定)
200mm×20mmに断裁した厚さ25μmポリエチレンテレフタルレート(PET)をシンチレータパネルに10kPaの圧力で密着させた状態で50℃7日の加熱処理を実施した。その後、ポリエチレンテレフタレート(PET)を90インチ(約229cm/分)の剥離速度、90度の剥離角度で剥離するときに要した力の平均値を粘着力とした。
《シンチレータパネルの評価》
作製したシンチレータパネルについて、下記評価を行った。
(粒状性の評価)
PaxScan2520(Varian社製FPD)の受光素子面に、シンチレータパネル、厚さ12mmのウレタン性フォームからなるクッション部材を順次セットして、カーボン板からなる保護カバーを取り付けた。このとき圧縮されたクッション部材の圧力によりシンチレータパネルが受光素子に対して100gf/cm2(0.98N/cm2)の圧力で圧接されるようになっている。
上記のシンチレータがセットされたFPDを振動試験機上に設置し、FPDの放射線入射面側に管電圧70kVpで3.0mRのX線を照射し、受光素子を形成する各画素の出力補正(Gain補正)を実施した。その後、振動試験機でFPDに25Hz(1.2G)の振動を10秒間与えた後、管電圧70kVpで0.1mRのX線を照射しFPDから画像データを検出しハードディスクに記録した。次にハードディスク上の記録をコンピュータで分析して、画像信号の電気信号の平均値をSとし、この平均強度Sからずれる信号(ノイズ)を2乗平均の平方根値Nとして、
20×log10(S/N) dB
を計算し、この計算値にもとづいて粒状性を評価した。なお、粒状性はシンチレータパネル12(比較例)の粒状性の基準値を0として表示した。
(鮮鋭性の評価)
上記粒状性の評価と同時に鉛製のMTFチャートを通して管電圧70kVpのX線をFPDに照射し、画像データをハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録されたX線像の変調伝達関数MTF(空間周波数1サイクル/mmにおけるMTF値(%))を鮮鋭性の指標とした。MTF値が高いほど鮮鋭性に優れていることを示す。MTFはModulation Transfer Functionの略号を示す。なおMTFはFPDの有効画像領域内の5箇所の平均値とした。
(メンテナンス性の評価)
上記粒状性の評価後、FPDの動作電源を入れたまま、40℃50%の環境下に100時間放置した後、保護カバーを取り外し、FPDからシンチレータパネルを取り出した。この際、受光素子面にダメージが発生したものを×、ダメージがなかったものを○として評価した。
再剥離粘着剤層の粘着力、及びシンチレータパネルの粒状性、鮮鋭性、メンテナンス性を表1に示す。
Figure 0005565444
表より、本発明のシンチレータパネルは、比較例に比べ粒状性、鮮鋭性に優れていることが分かる。また、メンテナンス性も良好であった。
1 フラットパネルディテクタ
11 筐体
12 シンチレータパネル
121 第1保護フィルム
122 蛍光体層
123 基板
124 第2保護フィルム
125 再剥離粘着剤層
13 受光素子
14 保護カバー
15 クッション層

Claims (15)

  1. 基材上に蛍光体層が設けてなるシンチレータと、該シンチレータの蛍光体面を被覆する保護層からなるシンチレータパネルを、2次元状に配置した複数の画素を有する平面受光素子面上に配置したフラットパネルディテクタにおいて、前記保護層と平面受光素子面との間に、アクリル系樹脂、ゴム系樹脂およびシリコン系樹脂から選択される少なくとも1種を含有する再剥離粘着剤層が、前記保護層の平面受光素子面に接する側に全面にわたって設けられていることを特徴とするフラットパネルディテクタ。
  2. 前記アクリル系樹脂が、単量体成分として炭素数1〜14のアルキル側鎖を有するアクリル酸エステルを含有するラジカル重合性モノマー、側鎖に水酸基、カルボキシル基およびアミノ基から選択される少なくとも1種の極性基を有するアクリル酸エステル、ならびに、少なくとも1種のその他のビニル系単量体を反応させて得られる樹脂であることを特徴とする請求項1に記載のフラットパネルディテクタ。
  3. 前記ゴム系樹脂が、合成ゴム系粘着剤および天然ゴムから選択される少なくとも1種であるか、
    シリコンゴム、フッ素ゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴムおよびアクリルニトリルブタジエンゴムから選択されるいずれか1種のゴムまたは2種以上のゴム混合物から形成され、
    上記合成ゴム系粘着剤が、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー系、ポリブタジエンまたはポリブチレンであることを特徴とする請求項1に記載のフラットパネルディテクタ。
  4. 前記シリコン系樹脂が、過酸化物架橋タイプ若しくは付加縮合タイプの単体またはそれらの混合物であるか、ポリマー主鎖および側鎖の少なくともいずれかにシリコン成分がペンダントしているアクリル系樹脂であることを特徴とする請求項1に記載のフラットパネルディテクタ。
  5. 前記保護層に、再剥離粘着剤層を形成することが可能であることを特徴とする請求項1に記載のフラットパネルディテクタ。
  6. 前記保護層が、ポリパラキシリレン膜、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリメタクリレートフィルム、ニトロセルロースフィルム、セルロースアセテートフィルム、ポリプロピレンフィルムおよびポリエチレンナフタレートフィルムから選択されるいずれか1種からなることを特徴とする請求項1に記載のフラットパネルディテクタ。
  7. 前記再剥離粘着剤層が、平面受光素子を破壊することなくシンチレータを剥離できるような再剥離性を有する請求項1〜のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
  8. 前記シンチレータパネルを保護する保護カバーが設けられ、該保護カバーがカーボン板またはアルミ板により構成されることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
  9. 前記再剥離粘着剤層が、シリコン系樹脂であり、前記再剥離粘着剤層の粘着力が、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレート(PET)に対して0.05〜1N/20mmであることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
  10. 前記平面受光素子上に、再剥離粘着剤層が形成されているシンチレータパネルが載置され、該シンチレータパネルがクッション層の圧力で圧接されていることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
  11. 前記シンチレータパネルの総厚が1mm以下であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
  12. 前記基材が高分子フィルムからなることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
  13. 前記蛍光体層が、セシウム、タリウム、ユーロピウム、インジウム、リチウム、カリウム、ルビジウム、ナトリウム、銅、セリウム、亜鉛、チタン、ガドリニウムおよびテルビウムから選択される少なくとも1種の元素を含むことを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
  14. 前記蛍光体層が柱状結晶構造を有することを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載のフラットパネルディテクタ。
  15. 前記蛍光体層がCsI(ヨウ化セシウム)またはCsBr(臭化セシウム)であることを特徴とする請求項14に記載のフラットパネルディテクタ。
JP2012237669A 2007-09-06 2012-10-29 フラットパネルディテクタ Expired - Fee Related JP5565444B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012237669A JP5565444B2 (ja) 2007-09-06 2012-10-29 フラットパネルディテクタ

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007231259 2007-09-06
JP2007231259 2007-09-06
JP2012237669A JP5565444B2 (ja) 2007-09-06 2012-10-29 フラットパネルディテクタ

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012087290A Division JP2012154940A (ja) 2007-09-06 2012-04-06 フラットパネルディテクタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013019912A JP2013019912A (ja) 2013-01-31
JP5565444B2 true JP5565444B2 (ja) 2014-08-06

Family

ID=40428888

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009531257A Expired - Fee Related JP4819163B2 (ja) 2007-09-06 2008-09-03 フラットパネルディテクタ
JP2011186902A Expired - Fee Related JP5035464B2 (ja) 2007-09-06 2011-08-30 フラットパネルディテクタ
JP2012087290A Pending JP2012154940A (ja) 2007-09-06 2012-04-06 フラットパネルディテクタ
JP2012237669A Expired - Fee Related JP5565444B2 (ja) 2007-09-06 2012-10-29 フラットパネルディテクタ

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009531257A Expired - Fee Related JP4819163B2 (ja) 2007-09-06 2008-09-03 フラットパネルディテクタ
JP2011186902A Expired - Fee Related JP5035464B2 (ja) 2007-09-06 2011-08-30 フラットパネルディテクタ
JP2012087290A Pending JP2012154940A (ja) 2007-09-06 2012-04-06 フラットパネルディテクタ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8525132B2 (ja)
JP (4) JP4819163B2 (ja)
WO (1) WO2009031574A1 (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8525132B2 (en) 2007-09-06 2013-09-03 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Flat panel detector
JP2011059058A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Fujifilm Corp 放射線画像撮影装置
JP5254918B2 (ja) * 2009-09-25 2013-08-07 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置
JP5421849B2 (ja) * 2010-04-30 2014-02-19 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システム
CN102870008A (zh) * 2010-04-30 2013-01-09 富士胶片株式会社 辐射成像装置、辐射成像系统和用于将辐射转换板固定在辐射成像装置中的方法
JP5597039B2 (ja) * 2010-06-23 2014-10-01 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法
JP5645500B2 (ja) * 2010-06-23 2014-12-24 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法
JP5649872B2 (ja) * 2010-08-24 2015-01-07 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器の製造方法
JP5554209B2 (ja) * 2010-11-18 2014-07-23 富士フイルム株式会社 放射線検出器および放射線画像撮影装置
JP5647581B2 (ja) * 2010-11-29 2015-01-07 富士フイルム株式会社 放射線撮影装置
JP5604323B2 (ja) * 2011-01-31 2014-10-08 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置
JP5557773B2 (ja) 2011-02-24 2014-07-23 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ並びに放射線撮影装置
US9069083B2 (en) * 2011-05-19 2015-06-30 Danimar Ltd. Portable radiation detector
JP2013050364A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
US20130236677A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Detector and method of panel bonding using removable adhesive film
JP5462305B2 (ja) 2012-03-12 2014-04-02 株式会社東芝 画像処理装置、画像処理方法およびそのプログラム
US8784597B2 (en) * 2012-04-13 2014-07-22 Pal Wonn (Taiwan) Co., Ltd. Method for reinforcing a glass of touch panel and reinforcement structure thereof
CN102956661B (zh) * 2012-11-21 2016-01-20 烟台睿创微纳技术有限公司 一种芯片封装方法及其封装结构
WO2014187502A1 (en) * 2013-05-24 2014-11-27 Teledyne Dalsa B.V. A moisture protection structure for a device and a fabrication method thereof
JP6314984B2 (ja) * 2013-07-04 2018-04-25 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル及びその製造方法
JP2015057589A (ja) * 2013-08-16 2015-03-26 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置の製造方法
DE102013221883A1 (de) * 2013-10-28 2015-04-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Messvorrichtung und Fluidikvorrichtung zum Messen einer Menge einer zu untersuchenden Substanz
JP2016070890A (ja) * 2014-10-01 2016-05-09 キヤノン株式会社 放射線撮影装置および放射線撮影システム
WO2017128281A1 (en) 2016-01-29 2017-08-03 Shanghai United Imaging Healthcare Co., Ltd. Method and apparatus for temperature control in a pet detector
TWI613804B (zh) 2017-09-04 2018-02-01 友達光電股份有限公司 光感測裝置
JPWO2021256011A1 (ja) * 2020-06-16 2021-12-23

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2382736A (en) * 1944-02-07 1945-08-14 Mason Collins Label
JP3334581B2 (ja) 1997-11-27 2002-10-15 松下電器産業株式会社 X線画像検出器
JP3649907B2 (ja) 1998-01-20 2005-05-18 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびその製造方法
EP1156346B1 (en) 1998-06-18 2006-10-04 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
JP3789646B2 (ja) 1998-06-19 2006-06-28 浜松ホトニクス株式会社 放射線イメージセンサ
JP2002006050A (ja) * 2000-06-26 2002-01-09 Canon Inc 二次元撮像装置の実装構造
JP2002055165A (ja) * 2000-08-09 2002-02-20 Canon Inc 放射線検出装置及びそれを備えた放射線撮像システム
AU2001284525A1 (en) * 2000-09-11 2002-03-26 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them
JP2002341039A (ja) * 2001-05-15 2002-11-27 Canon Inc 放射線検出装置、その製造方法及び放射線検出システム
JP4307127B2 (ja) * 2003-04-02 2009-08-05 キヤノン株式会社 放射線撮影装置
US7355184B2 (en) * 2003-04-07 2008-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus and method for manufacturing the same
JP2005062015A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線像変換パネルおよびその製造方法
WO2005038490A1 (en) * 2003-10-22 2005-04-28 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection device, scintillator panel, method of making the same, making apparatus, and radiation image pick-up system
JP2005172511A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 放射線検出装置、その製造方法、および放射線撮像システム
JP2005181121A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Canon Inc X線エリアセンサー
JP2006184187A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Canon Inc 放射線検出装置、シンチレータパネル、および放射線検出システム
JP2006189377A (ja) 2005-01-07 2006-07-20 Canon Inc シンチレータパネル、放射線検出装置、及び放射線検出システム
JP2006220439A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Canon Inc シンチレータパネル、放射線検出装置及びその製造方法
JP2006337184A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Canon Inc 放射線検出装置
US8525132B2 (en) 2007-09-06 2013-09-03 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Flat panel detector
JP2011186902A (ja) 2010-03-10 2011-09-22 Nec Corp バックアップシステム及びバックアップ方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2009031574A1 (ja) 2010-12-16
US20100243908A1 (en) 2010-09-30
US8525132B2 (en) 2013-09-03
JP4819163B2 (ja) 2011-11-24
JP2012154940A (ja) 2012-08-16
JP2012008141A (ja) 2012-01-12
WO2009031574A1 (ja) 2009-03-12
JP5035464B2 (ja) 2012-09-26
JP2013019912A (ja) 2013-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5565444B2 (ja) フラットパネルディテクタ
JP5050572B2 (ja) 放射線画像検出器
US8895932B2 (en) Scintillator plate and radiation detection panel
JP5979262B2 (ja) フラットパネルディテクタ
JP4894453B2 (ja) 放射線画像検出器
JP5966925B2 (ja) 放射線画像検出器の製造方法
WO2011125383A1 (ja) フラットパネルディテクタの製造方法
JP2018155699A (ja) 放射線検出器
JP5239866B2 (ja) 放射線フラットパネルディテクター
JP5229320B2 (ja) シンチレータパネル及びそれを具備した放射線画像検出装置
JPWO2008111379A1 (ja) シンチレータパネル及び放射線フラットパネルディテクター
JP2009068888A (ja) フラットパネルディテクタ
JP6926726B2 (ja) 放射線画像検出パネルおよび放射線検出装置
JP2012083186A (ja) シンチレータパネル、及びそれを用いた放射線像検出装置
JPWO2008090796A1 (ja) シンチレータパネル及び放射線フラットパネルディテクタ
JP5482856B2 (ja) 放射線画像撮影装置
JP5597930B2 (ja) 放射線画像検出装置とその製造方法
JP2009002776A (ja) シンチレータパネル及び放射線フラットパネルディテクター
JP7287515B2 (ja) 放射線検出器
JP5136661B2 (ja) 放射線画像検出器
JP2009300213A (ja) シンチレータパネル及び放射線フラットパネルディテクター
JP2008232781A (ja) シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ
JP2008107134A (ja) 放射線画像検出器
JP2010281624A (ja) 放射線像変換パネル、及び放射線像検出装置
JP2009002775A (ja) シンチレータパネル及び放射線フラットパネルディテクター

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121029

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20130417

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130604

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130731

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140204

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140326

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140520

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140602

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5565444

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees