JP2005181121A - X線エリアセンサー - Google Patents

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Abstract

【課題】柱状蛍光体層のスプラッシュ欠陥部に接着剤の染み込みが発生しないX線エリアセンサーを提供すること。
【解決手段】少なくとも基板/柱状蛍光体層/保護層/接着剤層/光電変換素子を有するX線エリアセンサーにおいて、柱状蛍光体層がスプラッシュ欠陥を含有し、少なくとも該スプラッシュ欠陥の周囲の保護層の厚さが2層以上の有機CVD膜で形成されていることを特徴とする。ここで、前記保護層の厚さが20μm以上であることを特徴とする。又、前記柱状蛍光体層の厚さが500μm以上で、且つ、前記保護層の厚さが20μm以上であることを特徴とする。更に、前記保護層層の厚さと接着剤層の厚さの合計が50μm以下であることを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、光電変換素子の表面に接着剤を介して蛍光体を積層して成るX線エリアセンサーに関する。
図3は従来例としてのX線蛍光体を用いたX線エリアセンサーの断面模式図である。ガラス基板210上に格子状に配列された光電変換素子212と、それらを繋ぐ配線部213と、そして、これらを保護する光センサー保護層214と、を備える光センサー211上に、蛍光体203及び反射層202を形成して、X線エリアセンサー(デジタルX線撮影装置のセンサー)が作製される。
蛍光体基板201側から蛍光体203へ入射して来るX線は、蛍光体203でX線から可視光等の光へ波長変換され、その後、可視光は光センサー211の光電変換素子212により光電変換されて電気信号に変わる。その信号を増幅し、画像処理を加えることによりX線デジタル画像ができる。
現在、光センサー211上に蛍光体203を形成する手段として、直接光センサー211上に蛍光体203を蒸着及びコーティングする手法と、図3のように光センサー211とは別な基台201上に反射層202及び蛍光体203を形成し、保護層204で覆った後にローラー220を使い、接着剤206を介し光センサー211に貼り合せる手法とがある。
両者を比べると、後者の方が歩留まり良く効率的に蛍光体203を光センサー211上に形成することができる。
高感度なX線エリアセンサー用の蛍光体の材料として、柱状結晶構造を有するハロゲン化アルカリ蛍光体が使われ始めている。特に発光波長が、光電変換素子の感度波長とマッチングするCsI(ヨウ化セシウム)Tlが使われている。最大発光波長は500nm〜600nmである。ハロゲン化アルカリ蛍光体の成膜方法は蒸着法が用いられる。
例えば CsI:TlはCsI(沃化セシュウム)とTlI(沃化タリウム)を、基板上に共蒸着することによって得られる。柱状蛍光体層の厚さとしては、200μm〜450μmが知られている。
蒸着によって得られる上記ハロゲン化アルカリ蛍光体は、蒸着過程において、蒸着物の異常成長(スプラッシュ)欠陥が生じることが知られている。
ハロゲン化アルカリ蛍光体は、潮解性が高く僅かな水分の存在で柱状蛍光体表面が潮解し発光量が変化する。従って、蛍光体表面を水分透過率が低い保護層で覆う必要がある。保護層は、熱CVD、プラズマCVD等の気相重合で得られる有機薄膜が用いられる。一般にX線エリアセンサーの解像度を保つために保護層の厚さは10μm以下で構成されている。
X線エリアセンサーに用いられる蛍光体に要求される物性として、X線の吸収効率が高いことが要求される。蛍光体のX線吸収率が高いほど、X線エリアセンサーのノイズは低下する。X線の吸収を高くするには、蛍光体の厚さを厚くする必要がある。ハロゲン化アルカリ蛍光体、特にCsI(CsI:Na、CsI:Tl、又はCsBr:Tl)を用いた蛍光体においては蛍光体の厚さを550μm〜650μmにすると十分なX線吸収が得られ、高感度で解像度の低下が比較的少ないX線エリアセンサーが得られることが分かった。
ハロゲン化アルカリ蛍光体、特にCsI:Tlの厚さを550μm蒸着すると、スプラッシュ欠陥の直径の平均サイズが、500nmの厚さにおけるスプラッシュ欠陥の直径の平均サイズの2倍以上になることが判明した。厚さ550μmのCsI:Tlのスプラッシュ欠陥の直径は300〜600μmのものが多く存在することが判明した。
直径300〜600μmのスプラッシュ欠陥の周囲は、スプラッシュ欠陥の周囲に凹部が存在することが判明した。これら凹部は、スプラッシュ欠陥をプレス等で押し潰した後、厚さ10μmの保護層を形成しても十分にカバーすることはできなかった。
蛍光板を接着剤を介して光電変換素子の表面に積層してX線エリアセンサーを得ると、スプラッシュ欠陥の周囲の蛍光体層に接着剤が染み込んだ欠陥が生じる。接着剤が染み込んだ部分は柱状蛍光体の屈折率と接着剤の屈折率との差が小さいため、X線によって発生した柱状蛍光体内の光が隣接する柱状蛍光体に散乱し易くなる。その結果、接着剤が染み込んだ部分のX線画像の解像度は低下することが問題となった。
接着剤層の厚さは、解像度を高くするために20μm以下にすることが望まれている。更に、接着剤層9の中に気泡が存在しないようにするために、硬化前の接着剤の粘度は3000cP以下が望まれる。粘度が高いと接着剤層の気泡の抜けが悪くなるために、粘度を高くして接着剤の柱状蛍光体層への染み込みを防止することはできなかった。粘度が低いと接着剤の流動性が向上し接着剤の蛍光体層への染み込みが更に大ききなる問題が発生する。
従来知られている、厚さ200μm〜500μmでは、保護層の厚さが10μmにおいて、問題となる接着剤の蛍光体層への染み込みは認められなかった。
CsI:Tlの屈折率は、1.77
一般に接着剤の屈折率は、1.4〜1.6である
空気の屈折率は1.0である。
本発明の目的は、少なくとも、基板/柱状蛍光体層/保護層/接着剤層/光電変換素子を有するX線エリアセンサーにおいて、柱状蛍光体層のスプラッシュ欠陥部に接着剤の染み込みが発生しないX線エリアセンサーを提供することである。
上記の課題を解決するために、請求項1記載の発明は、少なくとも基板/柱状蛍光体層/保護層/接着剤層/光電変換素子を有するX線エリアセンサーにおいて、柱状蛍光体層がスプラッシュ欠陥を含有し、少なくとも該スプラッシュ欠陥の周囲の保護層の厚さが2層以上の有機CVD膜で形成されていることを特徴とする。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記保護層の厚さが20μm以上であることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記柱状蛍光体層の厚さが500μm以上で、且つ、前記保護層の厚さが20μm以上であることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明において、前記保護層層の厚さと接着剤層の厚さの合計が50μm以下であることを特徴とする。
本発明によれば、スプラッシュ欠陥を有する柱状蛍光体層において接着剤の染み込み欠陥(画像がぼける欠陥)が無い感度の高い蛍光体層を有するX線エリアセンサーを得ることができる。
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
図1は本発明に係るX線エリアセンサーの断面の模式図を示す。
蛍光体を形成する基板1の上に下引層2、反射層3を形成し、反射層の上に反射層保護層4を形成し、柱状蛍光体層5を厚さ550μm積層した。スプラッシュ欠陥6が形成されている。
スプラッシュ欠陥をカバーする保護層7,8が形成され、接着剤9を介してガラス基板11の表面に形成された光電変換素子10の上に積層されている。
基板1の材料としては、X線の吸収が小さいアモルファスカーボン基板、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン等の耐熱性プラスチック基板、カーボンフィラー入り基板を用いることができる。耐熱性は200℃以上が必要である。
下引層2は必要に応じて形成する。基板が導電性の場合は電気絶縁性の高い溶媒塗布法で形成される、ポリイミド樹脂(熱硬化)、耐熱性紫外線硬化樹脂及び熱CVDで形成されるポリパラキシリレン樹脂、不飽和炭化水素をモノマーとするプラズマ重合膜を用いることができる
反射層3は蛍光体層で発生する光を反射する機能を有する。
反射層保護層4はハロゲン化アルカリ金属から成る柱状蛍光体層によって反射層が腐食することを抑制する機能を有する。
柱状蛍光体層5は、ハロゲン化アルカリ金属から成る。
CsI:Na、CsI:Tl、CsBrTl等が用いることができる。蛍光体材料は光電変換素子の受光感度の波長に合わせて選択される。
X線エリアセンサーによる人体の撮影において、人体に掛かるX線の線量(エネルギー)を少なくするために、感度の高い、且つ X線エリアセンサーのX線ノイズを減らすために、柱状蛍光体層の厚さを500μm以上、好ましくは550μm以上とする。
スプラッシュ欠陥6は、蛍光体の厚さが550μm以上になると急激に直径が大きくなることが判明した。従来、開示されている方法ではスプラッシュ欠陥周囲の凹部を保護膜で完全に覆うことはできなかった。
保護層7,8を2層以上とし、且つ、層厚さを20μm以上とすることで、接着工程での接着剤9の染み込みを無くすことが可能となった。
保護層7,8の材料としてはハロゲン化アルカリ金属から成る柱状蛍光体層を溶解しない材料が望まれる。材料として熱CVD、プラズマCVD等の気相重合で得られる有機薄膜が用いられる。
光電変換素子はガラス基板上に受光部、TFT、シグナル配線、ゲート配線を形成し、周囲に読み出しのためのICを配置し形成される。
厚さ1mmのアモルファスカーボン基板の表面に厚さ12μmのポリパラキシリレン膜を熱CVD法で形成した。アルミニウムから成る反射膜を3000オングストローム蒸着法で形成した。厚さ12μmのポリパラキシリレン膜を12μm形成し反射層保護層とした。
CsIとTlIを用いて蒸着法によって柱状直径5μmのCsI:Tlの柱状蛍光体層を厚さ550μm積層した。スプラッシュ欠陥部の直径が300〜800μm、高さが40μm以上のスプラッシュ欠陥20個存在した。保護層7を15μm形成し、スプラッシュ欠陥部をプレス加工しスプラッシュ欠陥の高さを20μmとした後、更に保護層8を15μm形成して蛍光板11を得た。
保護層7,8はポリパラキシリレン膜(パラキシリレンC、スリーボンド社製)である。
蛍光板11を光電変換素子10に接着剤を用いてX線エリアセンサーを得た。
接着剤9とし硬化前の粘度が1400cpsの熱硬化タイプのアクリル系接着剤を用いた。
接着剤の厚さは5μmであった。
図1に示されるようなX線エリアセンサーを得ることができた。
接着剤の蛍光体層への染み込みは認められなかった。
厚さ1mmのアモルファスカーボン基板の表面に厚さ12μmのポリパラキシリレン膜を熱CVD法で形成した。アルミニウムから成る反射膜を3000オングストローム蒸着法で形成した。厚さ12μmのポリパラキシリレン膜を12μm形成し反射層保護層とした。
CsIとTlIを用いて蒸着法によって柱状直径5μmのCsI:Tlの柱状蛍光体層を厚さ550μm積層した。スプラッシュ欠陥部の直径が300〜800μm、高さが40μm以上のスプラッシュ欠陥20個存在した。保護層7を15μm形成し、スプラッシュ欠陥部をプレス加工してスプラッシュ欠陥の高さを20μmとした後、更に保護層8を15μm形成して蛍光板11を得た。
保護層7,8はポリパラキシリレン膜(パラキシリレンC、スリーボンド社製)である。
蛍光板11を光電変換素子10に接着剤を用いてX線エリアセンサーを得た。
接着剤9とし硬化前の粘度が1400cpsの熱硬化タイプのアクリル系接着剤を用いた。
接着剤の厚さは5μmであった。
図1に示されるようなX線エリアセンサーを得ることができた。
接着剤の蛍光体層への染み込みは認められなかった。
厚さ1mmのアモルファスカーボン基板の表面に厚さ5μmのポリイミド膜を溶剤塗布法で形成した後、240℃で熱硬化し得た。アルミニウムから成る反射膜を3000オングストローム蒸着法で形成した。厚さ5μmのポリイミド膜を溶剤塗布法で形成した後240℃で熱硬化し、反射層保護層を得た。
CsIとTlIを用いて蒸着法によって柱状直径5μmのCsI:Tlの柱状蛍光体層を厚さ550μm積層した。スプラッシュ欠陥部の直径が300〜800μm、高さが40μm以上のスプラッシュ欠陥10個が存在した。保護層7を12μm形成し、スプラッシュ欠陥部をプレス加工してスプラッシュ欠陥の高さを20μmとした後、更に保護層8を13μm形成して蛍光板11を得た。
蛍光板11を光電変換素子10に接着剤を用いてX線エリアセンサーを得た。
接着剤9として硬化前の粘度が1400cpsの熱硬化タイプのアクリル系接着剤を用いた。接着剤の厚さは7μmであった。
図1に示されるようなX線エリアセンサーを得ることができた。
接着剤の蛍光体層への染み込みは認められなかった
<比較例1>
実施例1の柱状蛍光体層の厚さを400μmとしたX線エリアセンサーを作製した。
<比較例2>
実施例1の保護層7の厚さを5μm、保護層8の厚さを10μmとし、X線エリアセンサーを得た。
比較表を下表に示す。
Figure 2005181121
本発明は、光電変換素子の表面に接着剤を介して蛍光体を積層して成るX線エリアセンサーに対して適用可能である。
本発明に係るX線エリアセンサーの模式的断面図である。 従来の課題として接着剤の柱状蛍光体層への染み込み欠陥部の模式図である。 光電変換素子への蛍光体の貼り合わせ方法を示す断面図である。
符号の説明
201 蛍光体基台
202 反射層
203 蛍光体基台
204 保護層
205 緩衝材
206 接着剤
207 蛍光板
210 ガラス基板
211 光センサー
212 光電変換素子
213 配線部
214 光センサー保護層
220 ローラー

Claims (4)

  1. 少なくとも、基板/柱状蛍光体層/保護層/接着剤層/光電変換素子を有するX線エリアセンサーにおいて、
    柱状蛍光体層がスプラッシュ欠陥を含有し、少なくとも該スプラッシュ欠陥の周囲の保護層の厚さが2層以上の有機CVD膜で形成されていることを特徴とするX線エリアセンサー。
  2. 前記保護層の厚さが20μm以上であることを特徴とする請求項1記載のX線エリアセンサー。
  3. 前記柱状蛍光体層の厚さが500μm以上で、且つ、前記保護層の厚さが20μm以上であることを特徴とする請求項1記載のX線エリアセンサー。
  4. 前記保護層層の厚さと接着剤層の厚さの合計が50μm以下であることを特徴とする請求項3記載のX線エリアセンサー。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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