JP5555430B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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半導体層3の上に設けられ、半導体素子6と電気的に接続される配線層20と、
半導体素子6と配線層20とを被覆する保護層22とを備える。
41:エッチング用ウエハホルダ、42:埋め込み電極、43:ウエハ吸着部、44:電流入力部、45:リークディテクション部、61:半導体基板、62:第1の不純物層、63:第2の不純物層、64:エピタキシャル半導体基板、66:半導体素子、67:導電層、71:ゲート電極、72:LOCOS酸化膜、73:ソース領域、77:ソース電極、80:配線層、81:導電接続層、82:保護膜、86:接着層
Claims (3)
- 第1導電型の半導体基板の内部に第2導電型の第1の不純物層を形成することにより、前記半導体基板にPN接合を形成する工程(a)と、
前記第1の不純物層の上面と前記半導体基板表面との間の半導体基板表面層に、半導体素子と、前記第1の不純物層と電気的に接続され、前記半導体基板の表面に露出する導電層とを形成する工程(b)と、
前記第1の不純物層と接続される前記導電層を、エッチング用電源の一方の電極と接続し、対向電極を前記エッチング用電源の他方の電極と接続し、前記半導体基板と前記対向電極とをエッチング液に浸し、前記半導体基板の内部に形成されたPN接合に逆バイアスを印加することにより、前記第1の不純物層をエッチング停止層として、前記第1の不純物層の下面と前記半導体基板裏面との間の半導体基板裏面層を除去する工程(c)と、
前記第1の不純物層の下面に、恒久支持基板を取り付ける工程(d)と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 工程(a)において、前記半導体基板が単一材料からなる第1導電型の半導体基板であって、前記単一材料からなる第1導電型の半導体基板の内部にイオン注入により第2導電型の第1の不純物層を形成して、前記半導体基板の内部にPN接合を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 工程(a)において、前記半導体基板がエピタキシャル基板であって、単一材料からなる第1導電型の半導体基板の上に、第2導電型の第1の不純物層をエピタキシャル成長し、第2導電型の前記第1の不純物層の表面に第1導電型の前記半導体基板表面層を形成することにより前記エピタキシャル基板を形成し、それにより、前記エピタキシャル半導体基板の内部にPN接合を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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