JP5551549B2 - 実装用回路基板 - Google Patents
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<金属層>
本発明の金属層は200μm以上2000μm以下の厚みを有する。また、金属層の厚みの下限値は好ましくは300μmである。一方、金属層の厚みの上限値は好ましくは1500μmであり、さらに好ましくは1000μmである。金属層がかかる厚みを有することにより、金属層による十分な放熱効果が得られる。金属層厚みが下限値に満たないと金属層による放熱効果が十分でなく、一方、上限値を超える厚さにすると、回路基板にフレキシブル性が求められる場合に十分なフレキシブル性が発現しない。また金属層厚みが下限値に満たないと、ポリエステルフィルムの熱収縮の影響が大きく、はんだリフロー処理が必要な回路基板において、処理後の反りが大きくなりやすい。
用いられる金属として、銅やアルミニウム、スチールなどが挙げられる。また、かかる厚みの金属層として、一般に金属シートとして市販されているものを用いることができる。これらの金属シートは、圧延されて作成されたものや電解によって作成されたものなど、一般的な方法で得られるものである。
本発明のポリエステルフィルム(A)は、上述の厚みの金属層の片面に積層され、該ポリエステルフィルム(A)の550nmにおける全光線相対反射率が75%以上100%以下であり、かつ該ポリエステルフィルム(A)の厚み方向の熱伝導率が0.2W/(m・K)以上であることを要する。かかる特性を有するポリエステルフィルム(A)を金属層に積層することにより、CPU、MPU、パワートランジスタ、LED、レーザーダイオード等の発熱量の大きな電気素子、デバイス類デバイス類からの発熱を十分に放熱できるとともに、反射フィルムとしての機能を備えるものである。
かかるポリエステルフィルム(A)を構成するポリエステルは、ジカルボン酸またはそのエステル形成性誘導体と、ジオールまたはそのエステル形成性誘導体との重縮合によって得られるポリマーである。かかるジカルボン酸成分として、例えばテレフタル酸、イソフタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、4,4’−ジフェニルジカルボン酸、アジピン酸およびセバシン酸が挙げられ、またジオール成分として、例えばエチレングリコール、トリメチレングリコール、1,4−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、1,4−シクロヘキサンジメタノールが挙げられる。これらのジカルボン酸成分およびジオール成分を重縮合して得られるポリエステルの中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレンジカルボキシレートが好ましく、特に耐熱性の観点から、ポリエチレン−2,6−ナフタレンジカルボキシレートが好ましい。
またポリエステルフィルム(A)は配向フィルムであることが好ましく、二軸配向フィルムであることがさらに好ましい。二軸配向フィルムであることにより、LEDなどのデバイス類を実装する際に十分な耐熱性、フィルム表面性などが得られる。
ポリエステルフィルム(A)は、該フィルム重量を基準として5重量%以上30重量%以下の範囲で、酸化チタン、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、二酸化ケイ素および窒化ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも1種の粒子または繊維を含有する。かかる種類の添加剤を多量にポリエステルフィルム(A)中に含むことにより、ポリエステルフィルム(A)の熱伝導率を0.2W/(m・K)以上とすることができる。
かかる平均粒子径は、レーザー回折・散乱法によって求められる値である。
これら平均繊維径、平均繊維長は、走査型電子顕微鏡を用いて50本測定した平均値より求めることができる。
ポリエステルフィルム(A)には、その他の添加剤として、ポリエステル以外の樹脂、酸化防止剤、紫外線吸収剤、蛍光増白剤などを本発明の目的を逸脱しない範囲内で、必要に応じて混合して含有させてもよい。
これらの添加剤を含む場合、その含有量はポリエステルフィルム(A)の重量を基準として5重量%以下であることが好ましく、さらに3重量%以下、特に1重量%以下であることが好ましい。
該ポリエステルフィルム(A)の550nmにおける全光線相対反射率は75%以上100%以下であり、好ましくは75%以上98%以下、さらに好ましくは75%以上95%以下である。
該反射率が下限値に満たない場合、例えば本発明の回路基板をLED実装用の回路基板として用いた場合、視認側と反対方向の光線を効率的に反射させることができず、LED光線の効率的な利用につながらず、ディスプレイ輝度の向上が十分でない。
かかる反射率特性は、添加剤の説明において記載した種類の粒子または繊維を用い、前述の数値範囲の量をポリエステルフィルム(A)中に含有させることにより得ることができる。
該ポリエステルフィルム(A)の厚み方向の熱伝導率は0.2W/(m・K)以上である。かかる熱伝導率は、好ましくは0.2W/(m・K)以上5W/(m・K)以下、さらに好ましくは0.2W/(m・K)以上2W/(m・K)以下、特に好ましくは0.2W/(m・K)以上0.5W/(m・K)以下である。
該ポリエステルフィルム(A)がかかる熱伝導率特性を備えることにより、さらに一定厚みの金属層と積層させて、CPU、MPU、パワートランジスタ、LED、レーザーダイオード等の発熱量の大きな電気素子、デバイス類などの回路基板として用いた場合に、これらデバイス類からの発熱を十分に放熱することができる。
熱伝導度λ=α・Cp・ρ ・・・(1)
なお、厚み方向の熱伝導率は、フィルムサンプルを25mmφに切り取り、その厚み方向を測定方向として測定することにより求めることができる。
本発明の実装用回路基板において、金属層と該ポリエステルフィルム(A)との間に、さらに熱伝導率の高いポリエステル層(B)を有してもよく、ポリエステル層(B)の熱伝導率は0.3W/(m・K)以上であることが好ましい。かかるポリエステル層(B)を用いることで回路基板の放熱性をさらに高めることができる。
ポリエステル層(B)の熱伝導率はポリエステルフィルム(A)の熱伝導率よりも高いことが好ましく、具体的にはポリエステルフィルム(A)の熱伝導率よりも少なくとも0.05W/(m・K)高いことが好ましい。
ポリエステル層(B)を構成するポリエステルとして、含有量を除き、ポリエステル(A)に記載したポリエステルを用いることができる。ポリエステル層(B)におけるポリエステル含有量は、ポリエステル層(B)の重量を基準として50重量%以上90重量%以下であることが好ましい。
ポリエステルフィルム(A)に記載した酸化チタン、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、二酸化ケイ素および窒化ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも1種の粒子または繊維を用いることができる。これらの添加剤を用いる場合、その含有量はポリエステル層(B)の重量を基準として10重量%以上50重量%以下の範囲で含有することが好ましく、かつポリエステルフィルム(A)における含有量より多いことが好ましい。
これらの添加剤の粒径、繊維径などはポリエステルフィルム(A)の記載に準じる。
また、これらの添加剤以外に、酸化アルミニウムの粒子または繊維、炭素系の繊維などを用いてもよく、これらの粒径、繊維径などはポリエステルフィルム(A)における添加剤の記載に準じる。
これらの添加剤の中でも、炭素系の繊維は高い熱伝導率を付与できる点で好ましいが、ポリエステルフィルム(A)に用いると該フィルム(A)面の反射率特性を高めることができないことから、反射率特性を必要としないポリエステル層(B)において用いることが好ましい。
該ポリエステル層(B)の厚み方向の熱伝導率は0.3W/(m・K)以上であることが好ましく、より好ましくは0.35W/(m・K)以上6W/(m・K)以下、さらに好ましくは0.40W/(m・K)以上5W/(m・K)以下である。かかる熱伝導率特性のポリエステル層(B)を金属層とポリエステルフィルム(A)の間に設けることにより、回路基板としての放熱効果をさらに高めることができる。
熱伝導率の測定方法はポリエステルフィルム(A)の記載に準じる。
本発明において、ポリエステルフィルム(A)の片面にさらに電気絶縁層を積層してもよい。具体的にはフィルム(A)の電気抵抗が低い場合に、かかる電気絶縁層を積層することが好ましい。
かかる電気絶縁層として、少なくとも1E13(Ω・cm)以上の体積電気抵抗率を有することが好ましく、より好ましくは1E14(Ω・cm)以上である。
このような観点から、電気絶縁層厚みは、より好ましくは25μm以下、さらに好ましくは20μm以下、特に好ましくは10μm以下である。
これら電気絶縁層を構成する材料は特に限定されないが、熱可塑性樹脂を用いることが好ましく、本発明における他の層との積層のしやすさの点で、ポリエステルフィルム(A)に記載された種類のポリエステルを電気絶縁層の重量を基準として90重量%以上、さらに好ましくは95重量%以上用いることが好ましい。
また、回路基板としての反射特性を確保するために、用いる電気絶縁層は透明であることが好ましく、具体的には全光線透過率が80%以上であることが好ましい。
ポリエステルフィルム(A)の片面または電気絶縁層をさらに有する場合には電気絶縁層の片面に、さらに回路形成用の金属層(以下、回路形成層と称することがある)を積層することが好ましい。かかる回路形成層に用いる金属は公知のものを用いることができ、銅箔、アルミニウム箔が例示される。
これら金属層は、圧延して作成されたものや電解により作成されたものなど、一般的な方法で得られるものである。
回路形成用の金属層は、放熱性発現のために設けられる金属層とは厚み、機能の点で異なっており、回路形成用の金属層厚みは一般的に10〜100μm程度である。
回路形成用の金属層の積層方法として、接着剤を介する方法や積層する層の表層を溶融させ直接シールする方法、メッキやスパッタリングなどによって直接金属層を形成させる方法などが挙げられる。
ポリエステルフィルムの厚みは、合計厚みで5μm以上100μm以下であることが好ましく、より好ましくは10μm以上100μm以下、さらに好ましくは20μm以上100μm以下である。フィルム厚みが下限値に満たないと、特に繊維形状の添加剤を多量に添加することが難しい場合がある。一方、ポリエステルフィルム厚みが上限値を超えると、本発明のポリエステルフィルムによる放熱効果が十分に発現しないことがある。
ここで、ポリエステルフィルムの合計厚みとは、ポリエステルフィルム(A)単層の場合はポリエステルフィルム(A)の層厚みを、またポリエステルフィルム(A)およびポリエステル層(B)の積層構成の場合は、ポリエステルフィルム(A)の厚みとポリエステル層(B)の厚みの合計をそれぞれ指す。
本発明のポリエステルフィルムは、200℃で10分間熱処理後の熱収縮率が、フィルム長手方向(以下、連続製膜方向、縦方向、MD方向と称することがある)、フィルム幅方向(以下、横方向、TD方向と称することがある)の両方向においてそれぞれ−3%以上3%以下であることが好ましく、より好ましくは−2%以上2%以下、さらに好ましくは−1%以上1%以下である。
かかる熱収縮率は、ポリエステルフィルムがポリエステルフィルム(A)およびポリエステル層(B)の積層構成の場合には、積層フィルムとしての熱収縮率で表される。
以下に本発明のポリエステルフィルムを得る方法を以下に具体的に述べるが、以下の例に特に限定されるものではない。
ポリエステルフィルム(A)を構成するポリエステル組成物は、押出機に供給してTダイよりシート状に成形される。
また、さらにポリエステル層(B)、電気絶縁層を積層させる場合、ポリエステル層(B)、ポリエステルフィルム(A)および電気絶縁層を共押出法により積層させた状態でフィルムを製膜することが好ましい。共押出法として、それぞれのポリエステル組成物を別々の押出機に供給した後、フィードブロックを用いて積層し、かかる積層物をTダイを通じてシート状に成形する方法が例示される。
横延伸処理はポリエステルのガラス転移点(Tg)より20℃高い温度から始め、ポリエステルの融点(Tm)より(120〜30)℃低い温度まで昇温しながら行う。かかる横延伸開始温度は、好ましくは(Tg+40)℃以下、横延伸最高温度は、好ましくはTmより(100〜40)℃低い温度である。
熱固定処理後、150℃〜250℃の温度条件で1〜3%の熱弛緩処理を行うことが好ましく、さらにオフライン工程にて150〜250℃で5分以上熱処理(アニール処理)し、50〜80℃で除冷するアニール処理を施すことが好ましい。オフライン工程で行うアニール処理は、かかる熱処理条件の範囲内で温度を高くするか、または処理時間を長くすることにより、熱収縮率を小さくすることができる。アニール処理時間の上限は特に制限されないが、長すぎるとフィルム物性が低下する可能性があるため、高々1時間であることが好ましい。
本発明の回路基板において、ポリエステルフィルム(A)と一定厚みの金属層は、例えば接着剤を介する方法、あるいは貼り合せるポリエステルフィルム(A)の表面を溶融させて直接シールする方法を用いて積層することができる。
ポリエステルフィルム(A)の片面、または電気絶縁層を有する場合には電気絶縁層の片面にさらに回路形成用の金属層を設ける方法は特に限定されないが、接着剤を介する方法、積層する相手層の表層を溶融させ直接シールする方法、メッキやスパッタリングなどによって直接金属層を形成させる方法などが例示される。
本発明の実装用回路基板は、CPU、MPU、パワートランジスタ、LED、レーザーダイオード等の発熱量の大きな電気素子、デバイス類を実装する回路基板として好適に用いることができる。特に従来の反射フィルムの性能も兼ね備えることから、LED等といったディスプレイの光源として用いられる用途の回路基板として好適に使用される。
フィルムサンプルの断面を株式会社日立サイエンスシステムズ製の走査電子顕微鏡(S−4300SE/N形)で観察した。また金属層については電子マイクロメータ(アンリツ(株)製の商品名「K−312A型」)を用い、針圧30gで測定した。
キセノンフラッシュアナライザ(NETZSCH社製;LFA447)により、厚み方向の熱拡散率α(cm2/sec)を測定し、別に測定した比熱容量Cp(J/g・K)と密度ρ(g/cc)から、厚み方向の熱伝導率λ(W/cm・K)をλ=α・Cp・ρで求め、単位換算を実施した値を用いて評価を行った。
なお、厚み方向の熱拡散率αはフィルムサンプルを25mmφに切り取り測定した。
また、密度ρは、硝酸カルシウム水溶液を用いて密度勾配管法にて測定して得ることができる。
また、比熱容量Cpは、JIS K 7123に準じて測定された値である。
分光光度計(株式会社島津製作所製「UV−3101PC」)に積分球を取り付け、BaSO4白板の反射率を100%とし、フィルムサンプルについて測定光入射(反射)角5゜、550nmで測定した反射率をもとに、相対的な反射率(%)を求めた。
シリコーンラバーヒーター(10V, 30W)の片面にアルミ粘着両面テープを用いて30mm角のSUS板を貼り合わせた。
下記の方法で作成した金属積層基板を100mm角に切り取り、金属積層基板のポリエステルフィルム(A)上にシリコーンラバーヒーターのSUS板側がフィルム(A)と対向するよう積層し、シリコーンラバーヒーターに直流電源で0.1Aの電流を流した状態で60分間置いた後、基板上の4隅に熱電対を貼り付けて基板表面温度の平均を測定した。
フィルムサンプルに30cm間隔で標点をつけ、荷重をかけずに200℃のオーブンで10分間熱処理を実施し、熱処理後の標点間隔を測定して、フィルム連続製膜方向(MD方向)と、製膜方向に垂直な方向(TD方向)において、下記式にて熱収縮率を算出した。
熱収縮率(%)
={(熱処理前標点間距離−熱処理後標点間距離)/熱処理前標点間距離}×100
下記の方法で作成した金属積層基板を10cm×10cmに切り取り、260℃10秒間をピークとするはんだリフローを通した後ガラス板状に置き、4隅の反り量(mm)の平均を測定した。
作成したポリエステルフィルム(A)に以下の接着剤(a)を塗布し、該接着層面に、実施例、比較例それぞれに記載した厚みの金属板を貼り合わせた。その後、80℃で1時間、さらに140℃で1時間の熱処理後、室温まで自然に冷却し取り出した。
さらにポリエステル層(B)を積層したサンプルにおいては、ポリエステル層(B)側の面に実施例、比較例に記載した厚みの金属板を貼り合せた以外は、ポリエステルフィルム(A)を用いた金属積層基板の作成方法と同様の方法で作成した。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂として、大日本インキ化学(株)製、「EPICLON 850」を7.5g、フェノールノボラ型エポキシ樹脂として、大日本インキ化学(株)製、「EPICLON N−770−70M」3.6g、アクリル樹脂(合成法:混合機及び冷却器を備え付けた反応器にエチルアクリレート75部、ブチルアクリレート25部を入れ、80〜85℃に加熱し、重合触媒t−ブチルパーオキシベンゾエート0.05部、メチルエチルケトン2部を添加し、4〜8時間保温し、重合率20〜30%反応させた重合体を得る。冷却後メタノールを加えポリマーを沈澱させ、上澄み液を取り除く。ポリマー中に残ったメタノールを乾燥させ、続いてメチルエチルケトン添加し、固形分15%の液を得た。)を66.7g、エポキシ樹脂用硬化剤として、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール(四国化成(株)製、商品名「キュアゾールC11Z−CN」)を0.04g、溶剤としてトルエンを45g加え、均一に溶解して接着剤組成物を調整した。
ポリエステルとしてポリエチレン−2,6−ナフタレート樹脂を用い、平均粒子径0.3μmの球状酸化チタンをフィルム(A)重量を基準として15重量%の含有量となるよう添加し、かかる樹脂組成物(A)を290℃に加熱された押出機に供給し、290℃のダイスよりシート状に成形した。さらにこのシートを表面温度60℃の冷却ドラムで冷却固化した未延伸フィルムを140℃に加熱したロール群に導き、長手方向(縦方向)に3.0倍で延伸し、60℃のロール群で冷却した。続いて、縦延伸したフィルムの両端をクリップで保持しながらテンターに導き150℃に加熱された雰囲気中で長手に垂直な方向(横方向)に3.1倍で延伸した。その後テンタ−内で250℃の熱固定を行い、250℃で2%の弛緩後、均一に除冷して、室温まで冷やして25μm厚みの二軸配向ポリエステルフィルム(A)を得た。
得られた二軸配向ポリエステルフィルム(A)、および金属層として1000μm厚みのアルミ板を用い、上記の「金属積層基板の作成方法」に記載された方法によって金属ベース基板を作成した。
得られた特性を表1に示す。本実施例は基板温度の上昇が小さく、熱放散性の高い基板であった。またポリエステルフィルム(A)面の反射率も78%と高かった。
金属層として300μm厚みのアルミ板を用いた以外は実施例1と同様の方法で金属積層基板を作成した。得られた特性を表1に示す。本実施例は、基板温度の上昇が小さく、熱放散性の高い基板であり、かつ高い反射率が得られた。
100μm厚みのポリエステルフィルム(A)を用いた以外は実施例1と同様の方法で金属積層基板を作成した。得られた特性を表1に示す。
ポリエステルフィルム(A)に添加する添加剤として窒化硼素粒子(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製;BNパウダーPT−180)を用いた以外は実施例1と同様の方法で金属積層基板を作成した。得られた特性を表1に示す。
ポリエステルフィルム(A)を構成する樹脂組成物として実施例1における樹脂組成物(A)を用い、さらにポリエステル層(B)を構成する樹脂組成物として、ポリエチレン−2,6−ナフタレート樹脂、および気相成長炭素繊維(昭和電工製、商品名「VGCF−H」)をポリエステル層(B)の重量を基準として10重量%の含有量となるよう添加した樹脂組成物(B)を用い、それぞれの樹脂組成物を290℃に加熱された2台の押出機にそれぞれ供給し、フィードブロックを用いた以外は実施例1と同様の方法で二軸配向積層ポリエステルフィルムを得た。
得られた二軸配向積層ポリエステルフィルム、および金属層として1000μm厚みのアルミ板を用い、上記の「金属積層基板の作成方法」に記載された方法によって金属ベース基板を作成した。得られた特性を表1に示す。
ポリエステル層(B)の樹脂組成物をポリエチレン−2,6−ナフタレート樹脂のみとし、添加剤を用いなかったこと、およびポリエステル層(B)の厚みを変更した以外は実施例5と同様の方法で金属積層基板を作成した。得られた特性を表1に示す。
実施例1に記載した方法で得た25μm厚みの二軸配向ポリエステルフィルム(A)の片面に、2μm厚みのポリエチレン−2,6−ナフタレートフィルムを電気絶縁層とし、接着剤(a)を3μm厚みとなるよう塗布して貼り合せた。
得られた積層ポリエステルフィルムを用い、「金属積層基板の作成方法」に記載された方法において、ポリエステルフィルム(A)側の面に接着剤(a)を塗布し、表1に記載した厚みの金属板を貼り合わせ、80℃で1時間、さらに140℃で1時間の熱処理後、室温まで自然に冷却し取り出して金属ベース基板を作成した。得られた特性を表1に示す。
金属層を用いなかった以外は実施例1と同様の方法で基板を作成した。得られた特性を表1に示す。本比較例は基板温度の上昇が大きく、熱放散性の低い基板であった。
金属層として50μm厚みのアルミ板を用いた以外は実施例1と同様の方法で金属積層基板を作成した。得られた特性を表1に示す。本比較例は基板温度の上昇が大きく、熱放散性の低い基板であった。また、金属層厚みが薄いため、ポリエステルフィルムの熱収縮の影響が大きく、はんだリフロー後の反りが大きかった。
125μm厚みのポリエステルフィルム(A)を用いた以外は実施例1と同様の方法で、金属積層基板を作成した。得られた特性を表1に示す。本比較例は基板温度の上昇が大きく、熱放散性の低い基板であった。
ポリエステルフィルム(A)の樹脂組成物をポリエチレン−2,6−ナフタレート樹脂のみとし、添加剤を用いなかった以外は、実施例1と同様の方法で金属積層基板を作成した。得られた特性を表1に示す。本比較例は基板温度の上昇が大きく、熱放散性の低い基板であった。
ポリエステルフィルム(A)を構成する添加剤の種類を酸化アルミニウムに変更し、その含有量を15重量%とした以外は、実施例1と同様の方法で金属積層基板を作成した。得られた特性を表1に示す。本比較例のフィルムは反射率特性が低かった。
Claims (8)
- 200μm以上2000μm以下の厚みの金属層の片面にポリエステルフィルム(A)が積層された実装用回路基板であり、該ポリエステルフィルム(A)を構成するポリエステルがポリエチレンナフタレンジカルボキシレートであって、該ポリエステルフィルム(A)の550nmにおける全光線相対反射率が75%以上100%以下であり、かつ該ポリエステルフィルム(A)の厚み方向の熱伝導率が0.2W/(m・K)以上であり、ポリエステルフィルムの200℃、10分間熱処理後の熱収縮率がフィルム長手方向、フィルム幅方向の両方向においてそれぞれ−2%以上2%以下であることを特徴とする実装用回路基板。
- 酸化チタン、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、二酸化ケイ素および窒化ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも1種の粒子または繊維が該ポリエステルフィルム(A)の重量を基準として5重量%以上30重量%以下の範囲でポリエステルフィルム(A)に含有されてなる請求項1に記載の実装用回路基板。
- 金属層および該ポリエステルフィルム(A)の間に、さらに0.3W/(m・K)以上の熱伝導率のポリエステル層(B)を有する請求項1または2に記載の実装用回路基板。
- 該ポリエステル層(B)を構成するポリエステルがポリエチレンナフタレンジカルボキシレートである、請求項3に記載の実装用回路基板。
- ポリエステルフィルムの厚みが合計厚みで5μm以上100μm以下である請求項1〜4のいずれかに記載の実装用回路基板。
- 該ポリエステルフィルム(A)の片面にさらに電気絶縁層を積層してなる請求項1〜5のいずれかに記載の実装用回路基板。
- 該ポリエステルフィルム(A)の片面、または電気絶縁層を有する場合には電気絶縁層の片面にさらに回路形成用の金属層を積層してなる請求項1〜6のいずれかに記載の実装用回路基板。
- 回路形成用の金属層が銅箔またはアルミニウム箔である請求項7に記載の実装用回路基板。
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