JP5548204B2 - 紫外線照射装置 - Google Patents
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Description
紫外線光源としては、例えば、窒化ガリウム(GaN)系化合物半導体を用いた紫外線発光ダイオード(LED)が知られており、このような紫外線LEDにおける、例えば380nm以下の紫外線波長領域での発光を、活性層を構成するアルミニウム(Al)を含むGaN系化合物半導体におけるAlの組成比を変化させることにより、調整することができることが知られている。
当該半導体多層膜素子は、Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x<1,0<y≦1,x+y≦1)による単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造を有する活性層と、当該活性層の上面に形成された、アルミニウムまたはアルミニウム合金の金属粒子からなり、当該金属粒子によるナノ構造を有する金属膜と有してなり、
前記電子線放射源からの電子線が前記半導体多層膜素子に照射されることにより、紫外線が前記紫外線透過窓を介して外部に放射されることを特徴とする。
また、金属膜を構成する金属粒子によるナノ構造の作用によって、活性層と金属膜との界面における表面プラズモンポラリトンを特定波長の光として取り出すことができるので、半導体多層膜素子の構造の簡素化を図ることができると共に容易に製造することができる。
従って、このような半導体多層膜素子を具えてなる紫外線照射装置によれば、特定波長の紫外線を高い効率で放射することができる。
図1は、本発明の紫外線照射装置の一例における構成の概略を示す断面図、図2は、本発明の紫外線照射装置に係る半導体多層膜素子の一構成例の概略を示す断面図である。
この紫外線照射装置10は、箱形形状の筐体に形成された開口が紫外線透過窓12によって気密に閉塞されて内部空間が例えば真空状態で封止された、例えばガラスよりなる真空容器11を備え、当該真空容器11内における紫外線透過窓12の内面上に半導体多層膜素子20が配設されると共に、半導体多層膜素子20に対向した位置に、当該半導体多層膜素子20に電子線を照射する電子線放射源15が配設されて、構成されている。
この実施例における半導体多層膜素子20は、金属膜30が電子線放射源15に対して露出された状態で、基板21が紫外線透過窓12に対してUV硬化性樹脂により接着されて固定されており、従って、電子線放射源15よりの電子線が、金属膜30側から照射される構成とされている。
各々の量子井戸層26の厚みは、電子線照射により生成される励起子の径と同等またはそれより小さく設定されており、各々の障壁層27の厚みは、量子井戸層26の井戸幅より大きく設定されている。
最上層の量子井戸層26Aの一面と金属膜30の他面との距離d、すなわち、最上層の障壁層27Aの厚みは、例えば10〜20nmであることが好ましい。これにより、活性層25において生成される励起子から最上層の障壁層27Aと金属膜30との界面Bにおける表面プラズモンへのエネルギーの移動が効率よく起こり、表面プラズモンポラリトンを高い効率で生成することができる。
活性層25を多重量子井戸構造により構成する場合においては、量子井戸層26の周期は、実際上、例えば1〜100とされる。
金属膜30の厚みは、例えば2nm〜10μmであることが好ましい。
また、金属膜30がアルミニウム合金の金属粒子よりなる場合には、アルミニウムの含有割合が50%以上であることが好ましく、アルミニウム合金を構成する他の金属としては、例えば銀を例示することができる。
また、量子井戸層26としてInAlGaNを成長させる場合は、原料ガスとして、上記のものに加えてトリメチルインジウムを用い、AlGaNの成長温度より成長温度を低く設定すればよい。
なお、半導体多層膜の形成方法は、MOCVD法に限定されるものではなく、例えば、MBE法なども用いることができる。
また、ナノ構造を有する金属膜30は、粒径の揃った適宜のナノ微粒子を最上層の障壁層27A上に展開し、その上から金属粒子を蒸着し、その後、アニーリングすることによってナノアイランド構造を作製することにより、得ることもできる。
この紫外線照射装置10においては、電子線放射源15よりの電子線e- が半導体多層膜素子20に照射されることにより活性層25において励起子が励起され、当該励起子(電子、正孔)の再結合により活性層25と金属膜30との界面Bにおける表面プラズモン(以下、「SP」という。)と結合(励起子からのエネルギーの移動)され、表面プラズモンポラリトン(以下、「SPP」という。)が生成される。
そして、当該SPPの波数が金属膜30を構成する金属粒子によるナノ構造の作用によって変調されて当該界面Bより光として取り出され、波長220〜370nmの紫外線が紫外線透過窓12を介して紫外線照射装置外部に放射される。
先ず、金属膜を有さない構成の試料(半導体多層膜素子)における、時間分解PL測定などにより測定される発光速度(発光寿命の逆数)k0 PLは、下記式(2)に示すように、輻射再結合寿命krad と非輻射再結合寿命knon の和で表わされる。
例えば、AlN障壁層27とアルミニウム膜30との界面Bにおいて生成されるSPPは、図5に示すように、その分散曲線(図5において実線で示す。)が、AlとAlNの誘電関数から算出されるSP振動数(図5において点線で示す。)より低エネルギー側に存在し、破線で示すライトラインとは交わらない傾向を有するため、AlN障壁層27Aとアルミニウム膜30との界面Bより光として取り出すためには、SPPの波数を変調する必要がある。ここに、AlN障壁層27Aとアルミニウム膜30との界面BでのSP振動数(ωSP)は、波長220nmの光に相当する振動数であって、図5においては、SPPの波数を変調、具体的には小さくすることにより、220nmより長波長の紫外線領域、特に、波長220〜370nmの紫外線領域においてSPPを有効に利用できること(表面プラズモン効果が得られること)が示されている。
グレインサイズは、走査型電子顕微鏡や原子間力顕微鏡等で確認することができる。
すなわち、図7に示すように、ライトコーン(発光領域)Lcの外側領域に位置されるSPPの分散曲線を、グレインサイズaの金属粒子によるグレイン構造の作用によるゾーンフォールディングによって波数π/aの位置で折り返すことにより、波数kSPの位置αがライトコーンLcの内側領域の波数を有する位置βに移動されるよう波数変調するとき(Δkx=2π/a)、グレインサイズaの上限値amax および下限値amin は、図8に基づいて、下記式(10)により示される。
また、金属膜30を構成する金属粒子によるナノ構造の作用によって、AlN障壁層27Aと金属膜30との界面BにおけるSPPを、波長220〜370nmの紫外線として取り出すことができ、従って、半導体多層膜素子20は高い発光効率を有するものとなる。
従って、このような半導体多層膜素子20を具えてなる紫外線照射装置10によれば、特定波長の紫外線を高い効率で放射することができる。
図1〜図3に示す構成に従って、電子線放射源としてスピント型エミッターを用いると共に、上記において例示した構成(段落0026参照)の半導体多層膜素子(寸法;1×1×0.5mm)を用いて、本発明に係る紫外線照射装置を作製し、電子線を10mA/cm2 の電子線量で半導体多層膜素子に照射したところ、波長250nmの紫外線についての発光強度が、金属膜を有さないことの他は同一の構造を有する半導体多層膜素子の発光強度の約2倍程度に増強されて放射されることが確認された。
例えば、プラズモン発生層としての金属膜は、(純)アルミニウム膜に限定されるものではなく、例えば、アルミニウムと銀の合金よりなるアルミニウム合金膜により構成することができる。このような構成の金属膜によれば、銀はアルミニウムよりもプラズマ振動数が低いものであるので、AlN障壁層とアルミニウム合金膜との界面での表面プラズモン振動数(SP振動数)を、アルミニウム膜に係るSP振動数に比して低い波長に相当するエネルギーに変調することができ、従って、金属膜が純アルミニウム膜により構成された半導体多層膜素子において増強される発光波長より長波長領域の紫外線について、高い発光効率を得ることができる。
具体的には、例えば、図1に示す構成の紫外線照射装置において、発光波長が250nmである半導体多層膜素子と、発光波長が310nmである半導体多層膜素子の、互いに発光波長の異なる2つの半導体多層膜素子を電子線放射源に対して並べて配置した構成とすることができる。ここに、上記において例示した構成の半導体多層膜素子において、量子井戸層をAl0.3 Ga0.7 Nにより井戸幅(厚み)が2nmとなる状態で構成することにより、発光波長310nmの半導体多層膜素子を得ることができる。
このような構成のものにおいては、アルミニウム膜の界面において、Alのグレインサイズが例えば100〜150nmになるグレイン構造を形成することにより、波長250nmおよび波長310nmのいずれの波長の紫外線についても、SPPからフォトンへの変換効率を向上させることができる。
また、例えば、図10(A)、(B)に示すように、複数個、例えば24個の半導体多層膜素子20が電子線放射源15に対して並列配置され、すべての半導体多層膜素子20に共通の電子線放射源15により電子線が照射される構成とすることもできる。このような構成のものにおいては、半導体多層膜素子20として、例えば互いに発光波長の異なるものが用いられることにより、複数のピーク波長(λ1、λ2、λ3、・・・)が得られる紫外線照射装置10を得ることができる。
11 真空容器
12 紫外線透過窓
15 電子線放射源
20 半導体多層膜素子
21 基板(サファイア基板)
22 バッファ層(AlNバッファ層)
25 活性層
26 量子井戸層(AlGaN量子井戸層)
26A 最上層の量子井戸層
27 障壁層(AlN障壁層)
27A 最上層の障壁層
30 金属膜(アルミニウム膜)
40 半導体発光素子
41 透明基板
42 n型コンタクト層
43 活性層
44 オーバーフロー抑制層
45 p型コンタクト層
47 p電極
48 プラズモン発生層
49 n電極
G 結晶粒
B 界面
Lc ライトコーン
Claims (5)
- 紫外線透過窓を有する真空封止された容器内に、少なくとも1つ以上の半導体多層膜素子と、当該半導体多層膜素子に電子線を照射する電子線放射源とが配設されてなり、
当該半導体多層膜素子は、Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x<1,0<y≦1,x+y≦1)による単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造を有する活性層と、当該活性層の上面に形成された、アルミニウムまたはアルミニウム合金の金属粒子からなり、当該金属粒子によるナノ構造を有する金属膜と有してなり、
前記電子線放射源からの電子線が前記半導体多層膜素子に照射されることにより、紫外線が前記紫外線透過窓を介して外部に放射されることを特徴とする紫外線照射装置。 - 前記半導体多層膜素子から放射される紫外線の波長が220〜370nmの範囲内であることを特徴とする請求項2に記載の紫外線照射装置。
- 前記電子線放射源からの電子線が前記半導体多層膜素子における金属膜に照射されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の紫外線照射装置。
- 前記半導体多層膜素子が前記紫外線透過窓の内面上に配置されていると共に、前記電子線放射源が前記半導体多層膜素子の金属膜と対向して配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の紫外線照射装置。
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Families Citing this family (18)
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WO2011027896A1 (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | パナソニック電工株式会社 | 窒化物半導体多層構造体およびその製造方法、窒化物半導体発光素子 |
JP5833325B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-12-16 | スタンレー電気株式会社 | 深紫外光源 |
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JP5370408B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2013-12-18 | ウシオ電機株式会社 | 電子線励起型光源装置 |
WO2013175670A1 (ja) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | 日本電気株式会社 | 光学素子、照明装置および画像表示装置 |
JP5580865B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2014-08-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法 |
JP6111818B2 (ja) * | 2013-04-24 | 2017-04-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子、半導体素子の製造方法 |
JP6345413B2 (ja) * | 2013-11-22 | 2018-06-20 | 学校法人立命館 | 深紫外発光素子 |
US9278870B2 (en) | 2014-01-21 | 2016-03-08 | Panasonic Corporation | Ultraviolet irradiation apparatus and ultraviolet irradiation method |
US9425351B2 (en) * | 2014-10-06 | 2016-08-23 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Hybrid heterostructure light emitting devices |
KR102240023B1 (ko) | 2014-11-03 | 2021-04-15 | 삼성전자주식회사 | 자외선 발광장치 |
KR102373677B1 (ko) * | 2015-08-24 | 2022-03-14 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 |
US9899556B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-02-20 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Hybrid tandem solar cells with improved tunnel junction structures |
KR101901173B1 (ko) * | 2017-02-20 | 2018-09-21 | 전남대학교기술지주회사(주) | 자외선 발광 소자 및 그 패키지 |
JP6889920B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2021-06-18 | 国立大学法人千葉大学 | 逆光電子分光測定装置及び逆光電子分光測定用基板並びに逆光電子分光測定方法 |
US10727431B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-07-28 | International Business Machines Corporation | Optoelectronic devices based on intrinsic plasmon-exciton polaritons |
CN109346577B (zh) * | 2018-09-30 | 2020-08-14 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 |
CN112687520B (zh) * | 2020-12-16 | 2021-09-24 | 中山大学 | 一种空间电子激发的反射式深紫外光源 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088519A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 微細パターンの形成方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法 |
WO2009072573A1 (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Alps Electric Co., Ltd. | 半導体発光素子 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4130163B2 (ja) | 2003-09-29 | 2008-08-06 | 三洋電機株式会社 | 半導体発光素子 |
US20050285128A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-12-29 | California Institute Of Technology | Surface plasmon light emitter structure and method of manufacture |
DE112005000637T5 (de) * | 2004-03-24 | 2008-06-26 | Meijo University Educational Foundation, Nagoya | Leuchtstoff und Leuchtdiode |
JP2006190541A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Dialight Japan Co Ltd | Uv光源 |
JP2007214260A (ja) | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US20070228986A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | General Electric Company | Light source incorporating a high temperature ceramic composite for selective emission |
US7781977B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-08-24 | General Electric Company | High temperature photonic structure for tungsten filament |
KR101552104B1 (ko) * | 2009-01-20 | 2015-09-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088519A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 微細パターンの形成方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法 |
WO2009072573A1 (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Alps Electric Co., Ltd. | 半導体発光素子 |
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CN102484172B (zh) | 2014-11-05 |
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TWI514617B (zh) | 2015-12-21 |
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