JP5537125B2 - ウェハセンシング装置および当該装置を備えた半導体製造装置 - Google Patents
ウェハセンシング装置および当該装置を備えた半導体製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5537125B2 JP5537125B2 JP2009259303A JP2009259303A JP5537125B2 JP 5537125 B2 JP5537125 B2 JP 5537125B2 JP 2009259303 A JP2009259303 A JP 2009259303A JP 2009259303 A JP2009259303 A JP 2009259303A JP 5537125 B2 JP5537125 B2 JP 5537125B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- temperature
- transfer
- processing
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 72
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 54
- 239000012636 effector Substances 0.000 claims description 35
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
(1)ウェハ搬送ロボットのEEが通過する搬送モジュールの任意の位置に赤外線温度センサーユニットを設置して、非接触で、ウェハが2枚以上重なるように搭載される搬送ロボットにおいても問題なく処理後のウェハの有無が判別できる。
(2)光電センサーを使用する際のような光軸調整や距離調整などが不要である。
(4)処理後の回収ウェハの放射温度が本来の高温より低い場合にはチャンバ内の温度制御に異常が有り、回収用ウェハの加工精度が悪化しているとの判定を行うことが可能である。
適用例2:前記赤外線温度センサーは、ゲートバルブを介して前記処理装置と連結された搬送室の下面あるいは上面に設けられた、赤外線を透過する気密の観測窓の外部からウェハの温度を遠隔計測することを特徴とする適用例1に記載されたウェハセンシング装置。
適用例3:前記判定手段は、前記計測結果が第2の一定温度以上の場合は、処理済ウェハが搬送手段に搭載されていると判定し、前記計測結果が第2の一定温度以下であり、かつ第3の一定温度以上の場合は、処理済ウェハが搬送手段に搭載されていると判定すると共に、前記処理装置の温度が異常であることを示す信号を出力し、前記計測結果が第3の一定温度以下である場合は、処理済ウェハが搬送手段に搭載されていないと判定することを特徴とする適用例1に記載されたウェハセンシング装置。
適用例4:ゲートバルブを介して加熱を含む処理を行う処理装置と連結され、搬送ロボットが配置された搬送室を備えた半導体製造装置において、前記搬送室の下面に請求項1乃至3のいずれかに記載されたウェハセンシング装置を備え、前記搬送ロボットは複数のエンドエフェクタを備えていることを特徴とする半導体製造装置。
11…真空処理室
12…搬送ロボット
13…第1アーム
14…第2アーム
15…エンドエフェクタ
16…ゲートバルブ
17…搬送ロボット制御装置
18…センサーユニット
19…測定窓
20…ウェハ搭載台
21…リフター
Claims (3)
- 加熱を含む処理を行う処理装置を備えた半導体製造装置に装備され、半導体ウェハの有無を検出するウェハセンシング装置において、
搬送手段によって搬送されるウェハの温度を赤外線温度センサーにより遠隔計測する温度計測手段と、
前記温度計測手段による計測結果が第1の一定温度以上の場合は、ウェハが前記搬送手段に搭載されていると判定する判定手段であって、
前記計測結果が前記第1の一定温度よりも低い第2の一定温度以上の場合は、処理済ウェハが前記搬送手段に搭載されていると判定し、
前記計測結果が第2の一定温度以下であり、かつ前記第2の一定温度よりも低い第3の一定温度以上の場合は、処理済ウェハが前記搬送手段に搭載されていると判定すると共に、前記処理装置の温度が異常であることを示す信号を出力し、
前記計測結果が第3の一定温度以下である場合は、処理済ウェハが前記搬送手段に搭載されていないと判定する判定手段と
を備えたことを特徴とするウェハセンシング装置。 - 前記赤外線温度センサーは、ゲートバルブを介して前記処理装置と連結された搬送室の下面あるいは上面に設けられた、赤外線を透過する気密の観測窓の外部からウェハの温度を遠隔計測することを特徴とする請求項1に記載されたウェハセンシング装置。
- ゲートバルブを介して加熱を含む処理を行う処理装置と連結され、搬送手段が配置された搬送室を備えた半導体製造装置において、
前記搬送室に請求項1または2に記載されたウェハセンシング装置を備え、
前記搬送手段は複数のエンドエフェクタを備えている
ことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009259303A JP5537125B2 (ja) | 2009-11-12 | 2009-11-12 | ウェハセンシング装置および当該装置を備えた半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009259303A JP5537125B2 (ja) | 2009-11-12 | 2009-11-12 | ウェハセンシング装置および当該装置を備えた半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011108693A JP2011108693A (ja) | 2011-06-02 |
JP5537125B2 true JP5537125B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=44231882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009259303A Active JP5537125B2 (ja) | 2009-11-12 | 2009-11-12 | ウェハセンシング装置および当該装置を備えた半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5537125B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103077909A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-05-01 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 炉管设备的传送装置和传送方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11131504B2 (en) | 2017-03-08 | 2021-09-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Temperature monitoring system and method for a substrate heating furnace |
CN106885476B (zh) * | 2017-03-08 | 2019-08-27 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种基板加热炉温度监测系统及方法 |
KR102319050B1 (ko) * | 2017-10-27 | 2021-10-28 | 세메스 주식회사 | 포토 마스크 처리 장치 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3577436B2 (ja) * | 1999-02-16 | 2004-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法 |
JP2003257882A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの熱処理装置および熱処理方法 |
JP2003303870A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Nec Kansai Ltd | 半導体ウェハー搬送機構 |
JP3896927B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-03-22 | ミツミ電機株式会社 | エピタキシャル成長方法 |
JP2005142200A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Sharp Corp | 気相成長装置および気相成長方法 |
JP2007227781A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板の位置ずれ検査機構,処理システム及び基板の位置ずれ検査方法 |
-
2009
- 2009-11-12 JP JP2009259303A patent/JP5537125B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103077909A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-05-01 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 炉管设备的传送装置和传送方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011108693A (ja) | 2011-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10777445B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate transfer method | |
CN100440475C (zh) | 算出搬送机构的搬送偏差的方法及半导体处理装置 | |
US20100326637A1 (en) | Load-lock apparatus and substrate cooling method | |
JP5537125B2 (ja) | ウェハセンシング装置および当該装置を備えた半導体製造装置 | |
US9558976B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of transferring substrate, method of manufacturing semiconductor device, and state detecting program | |
US9929030B2 (en) | Substrate processing device and substrate transfer method | |
US20090316749A1 (en) | Substrate temperature measurement by infrared transmission in an etch process | |
CN114127524B (zh) | 非接触式的低基板温度测量方法 | |
WO2002007236A1 (fr) | Detecteur de deplacement et systeme de traitement | |
KR20190024718A (ko) | 반송 장치 및 기판 처리 장치 | |
KR20120033226A (ko) | 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 그 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 | |
KR20160001649U (ko) | 로봇 장착식 관통-빔 기판 검출기 | |
US20230016016A1 (en) | Systems and methods of placing substrates in semiconductor manufacturing equipment | |
KR102411116B1 (ko) | 기판처리시스템, 기판처리시스템의 기판이송방법 | |
JP3904843B2 (ja) | 基板検出装置、基板処理装置及び基板検出方法 | |
JP2014036070A (ja) | ミニエンバイロメント及びその温度制御方法 | |
JP2005142245A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2023050652A (ja) | 半田付け装置及び半田付け製品の製造方法 | |
JP2825618B2 (ja) | ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置 | |
KR102423378B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체 | |
JP6675027B2 (ja) | 物品監視装置、搬送装置、熱処理装置、および、物品監視方法 | |
US20230054858A1 (en) | Apparatus and method for transferring wafer, and apparatus for controlling transferring wafer | |
JP3181265U (ja) | 基板搬送装置 | |
JP2017183384A (ja) | 搬送装置及び半導体製造装置 | |
KR20090110621A (ko) | 반도체 제조 설비 및 그의 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121025 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140401 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5537125 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |