JP5534344B2 - 紫外線照射装置 - Google Patents
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- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 title 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 50
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 19
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001621399 Lampris Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005206 flow analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/002—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ultraviolet light
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
このような紫外線は、雰囲気中に酸素が存在すると、その酸素に吸収されて著しく減衰する。
このため、下記特許文献1にも記載のように、紫外線を放射する放電ランプと処理対象物との間の空間に窒素ガス等の不活性ガスを供給して紫外線の減衰を抑制することが従来から行われている。
この白粉は、紫外線照射装置を設置した部屋の雰囲気中に存在するSi系の浮遊物質が紫外線照射装置内に侵入し、放電ランプから放射された紫外線と反応して酸化物となったものと考えられている。
放電ランプの表面にこの白粉が付着すると、その白粉が紫外線を吸収することによって放電ランプからの紫外線放射光量が低下する他、処理対象物不良の一因であるパーティクルになる等の問題があった。
このため、紫外線照射装置の使用者は、放電ランプに付着した白粉を定期的に清掃する作業の実行を要求され、装置の管理負担の増大を招いていた。
本発明は、かかる実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、紫外線照射装置の管理負担を可及的に低減しながら、効率良く処理対象物へ紫外線を照射できるようにする点にある。
外部から侵入した不純物がこの渦状の乱流によって放電ランプ上方まで巻き上げられ、その巻き上げられた不純物が更にガスのダウンフローに乗って放電ランプに吹き付けられることで、放電ランプに上述の白粉が付着していたのである。
このようにガスを直接に放電ランプに吹き付けることで、比較的少ないガスの流量で放電ランプは的確に冷却されて、放電ランプの温度上昇に伴う紫外線の放射強度の低下が抑制される。
更に、放電ランプ表面に沿った層状のガスの清浄な流れによって放電ランプへの白粉の付着が抑制される。
前記ガスを放電ランプに向けて噴射とは、前記ガスが放電ランプ表面に沿った層状の流れを形成するように前記放電ランプ表面に前記ガスを吹き付けること、であると好ましい。放電ランプ表面への白粉の付着を十分に抑制できるからである。
従って、放電ランプ表面に沿って形成された層状のガスの清浄な流れを排出口から排出させることで、渦状特に放電ランプ上方に向かう巻き上げを伴った垂直方向の渦状の流れの発生を抑制することができる。
これによって、ガスの流れに不純物が混入するのを抑制して放電ランプへの白粉の付着を抑制できる。
より好ましくは、前記吹き出し口が、放電ランプの両側側方に配置されてなる紫外線照射装置である。放電ランプの長手方向両側面領域を概ね均一に冷却効果および白粉の付着抑制効果を高めることができるからである。吹き出し口が対抗している場合など、噴出したガスが放電ランプの下側で衝突することがあっても、放電ランプ全体で見た場合には、冷却効果および白粉の付着抑制効果は十分に得られている。さらに、つぎのような場合には、ガスの抜け流路が形成されるので、好ましい。すなわち、ランプの長手方向に対して垂直な一方向にガラス基板などの被照射物を搬送する搬送手段を有している場合には、被照射物の流れで一方向にガスが抜けることになる。
すなわち、放電ランプの短辺方向の端部に向けて吹き出し口から噴出したガスは、その端部の滑らかな湾曲形状に沿って流れて扁平面に緩やかに拡がり、層状の流れを形成する。
このように、ガスの流れが放電ランプの扁平面で緩やかに拡がるので、ガスの流れによる渦の発生が更に抑制される。
すなわち、吹き出し口から噴出した前記ガスの流れは、放電ランプの扁平面で緩やかに拡がって渦状の流れの発生を抑制するものであるが、放電ランプの両側から噴出したガスが扁平面上で衝突する構成では、ガスの流速によっては渦状の流れが発生してしまう可能性もあり得る。
そこで、ガスの吹き出し口の並びを放電ランプの両側で位置ずれさせておくことで、放電ランプの扁平面上でのガスの衝突を抑制して、渦状、特に放電ランプ上方に向かって巻き上げられる垂直方向の渦状の流れの発生をより的確に排除しているのである。
又、上記第2の発明によれば、ガスの流れにおいて渦状、特に放電ランプ上方に向かって巻き上げられる垂直方向の渦状の流れの発生が抑制されるので、放電ランプへの白粉の付着を更に抑制できるものとなった。
又、上記第3の発明によれば、ガスの流れによる渦の発生が更に抑制されるので、放電ランプへの白粉の付着をより一層抑制できるものとなった。
又、上記第4の発明によれば、ガスの渦状の流れの発生をより的確に排除できるので、放電ランプへの白粉の付着を更に抑制できるものとなった。
洗浄装置CLは、洗浄処理の処理対象物であるガラス基板1に対して200nm以下の真空紫外線(具体的には172nmの波長の紫外線)を照射して、その紫外線及びその紫外線によって発生した活性酸素の洗浄作用によってガラス基板1表面の有機汚染物を分解除去する装置であり、図4の概略断面図に示すように、筐体2内に、ガラス基板1を搬送する搬送ローラ3が並べて配置され、搬送ローラ3による搬送経路の中央部寄りの位置に、いわゆるエキシマランプと称される複数本の放電ランプ4がガラス基板1の搬送方向(図4中において矢印TDにて示す方向、図1乃至図3においても同様)に並べて配置されている。このように、放電ランプ、特に下方照射面が平面の扁平形放電ランプの下方照射面側とガラス基板などの非搬送物との間にはガラス窓など配されることなく、気体を介するのみの装置構成であり、放電ランプの配置空間が装置外部の空間に開放されている。このような紫外線照射装置を半開放型の紫外線照射装置という。
放電ランプ4が照射する172nm帯等の真空紫外線は空気中の酸素による吸収が大であるため、筐体2内におけるガラス基板1の搬送経路付近の雰囲気は、外部から供給される清浄な不活性ガスにて置換されており、前記搬送経路を通過した不活性ガスは筐体2下部の排気口2aから排出される。
尚、本実施の形態では、上記の不活性ガスとして窒素ガスを使用しているが、他の不活性ガスを使用しても良い。又、目的に応じて紫外線を照射して実質的に処理を行える程度の少量の空気や酸素等を不活性ガスに混入(「プロセスガス」という)しても良い。さらに、二種類以上のガスを混合したものを使用しても良い。
更に詳細には、放電ランプ4は、それの扁平面の法線方向視では上記1方向(ガラス基板1の搬送横幅方向)に細長い長方形をなし、上記扁平面の短辺方向(ガラス基板1の搬送方向)の端部(側端部)は外方に凸に丸めた滑らかな湾曲形状を有している。
図示を省略するが、放電ランプ4の扁平面には上面側と下面側(ガラス基板1の存在側)とで一対の電極が形成されている。
上面側の電極は金属膜の電極が一様に形成されたベタ電極であり、下面側の電極は金属膜がメッシュ状に形成されたメッシュ電極である。
この上下一対の電極に交流高電圧が印加されると、放電ランプ4の内部空間でいわゆる誘電体バリア放電が発生して放電ランプ4内の封入ガス等に作用し、封入ガスがキセノンの場合、上記の172nm帯の紫外線を発生する。発生した紫外線は下面側のメッシュ電極の隙間を通過して外部に放射される。
放電ランプ4は、この紫外線を放射する扁平面がガラス基板1の搬送方向に沿って設置されているので、搬送されるガラス基板1に対して均等な強度の紫外線を比較的に長い距離に亘って照射することができる。
放電ランプ4近傍におけるガス供給手段GSによる窒素ガスの供給流路は、図1及び図2に示すように、丸パイプ11と、その丸パイプ11の下端に接続される角パイプ12と、ガラス基板1の存在側の反対側すなわち上部側において放電ランプ4の周囲空間を覆う遮蔽体13とによって形成されている。
角パイプ12は、ガラス基板1の搬送横幅方向において放電ランプ4と略同じ長さを有しており、角パイプ12の両側面には、窒素ガスを噴出する複数個の開口12aが形成されている。この開口12aは、角パイプ12の長手方向に原則として等ピッチに並べて形成されている。
この丸パイプ11と角パイプ12とを接続したものは、ガラス基板1の搬送方向に並ぶ各放電ランプ4の間に配置されており、詳しくは後述するが、夫々の角パイプ12はそれの両脇に位置する放電ランプ4に向けて窒素ガスを噴出している。
遮蔽体13も、ガラス基板1の搬送横幅方向において放電ランプ4と略同じ長さを有している。
角パイプ12の側面と遮蔽体13の縦壁部13aとはわずかな隙間を開けて近接配置されており、縦壁部13aには、角パイプ12の開口12aよりも若干大径の吹き出し口13bが、各開口12aと対応して、ガラス基板1の搬送方向視で開口12aと同心状となるように形成されている。
この開口12a及び吹き出し口13bの存在高さは、放電ランプ4の高さ方向(すなわち厚さ方向)中央位置と一致させており、角パイプ12の内部空間へ供給された窒素ガスは、開口12a及び吹き出し口13bを通過して、放電ランプ4側端部の頂部に向けて噴出される。
遮蔽体13に上方側を覆われる放電ランプ4は、両側の吹き出し口13bから均等の距離となる中央位置に図示を省略する支持部材にて取り付けられている。
遮蔽体13の上面には、窒素ガスを排出するスリット状の排出口13cが形成されている。
排出口13cは、ガラス基板1の搬送方向(放電ランプ4の短辺側方向)における放電ランプ4の中央位置の直上に位置しており、図3に仮想線で示すように、放電ランプ4の長手方向に複数個が並ぶ状態で形成されている。
但し、吹き出し口13bの並びの端部のみは上流側と下流側とが対向する状態で配置されている。
放電ランプ4の側端部に当たった窒素ガスは、図2において矢印Bにて窒素ガスの流れの方向を示すように、放電ランプ4の側端部の湾曲形状に沿って放電ランプ4の上面側と下面側とに別れて、夫々が更に放電ランプ4の上下の扁平面に沿って流れる。このような放電ランプ4の表面に沿った流れによって、放電ランプ4の表面上に清浄な窒素ガスの層が形成される。
放電ランプ4の上面側の扁平面に沿って流れた窒素ガスは、更に排出口13cへと流れて外部に排出される。
以下、本発明の別実施形態を列記する。
(1)上記実施の形態では、放電ランプ4として扁平形状のものを例示しているが、断面形状が円形の放電ランプ等の各種の形状のものに本発明を適用できる。
(2)上記実施の形態では、放電ランプ4に対して、ガラス基板1の搬送方向上流側の吹き出し口13bと下流側の吹き出し口13bとで、搬送横幅方向での並びが千鳥配置となっている場合を例示しているが、上流側の吹き出し口13bと下流側の吹き出し口13bとが全て対向する位置となるように配置して構成しても良い。
(3)上記実施の形態では、本発明の紫外線照射装置を洗浄装置CLに適用する場合を例示しているが、紫外線を使用する各種の処理装置に適用できる。
(4)上記実施の形態では、1本の放電ランプ4に対してそれの両側脇から窒素ガスを噴出する構成として、ガス供給手段GSが各放電ランプ4毎に窒素ガスを供給する場合を例示しているが、複数本並べた放電ランプに対してまとめてガスを噴出する形態で供給するように構成しても良い。
(5)上記実施の形態では、遮蔽体13における放電ランプ4の上方位置(放電ランプ4に対してガラス基板1の存在側と反対側の位置)に排出口13cを形成する場合を例示しているが、図5に示すように遮蔽体13に排出口13cを備えない構成としても良い。図5は、上記実施の形態における図2に対応するものである。
遮蔽体13に排出口13cを備えない場合、図5において放電ランプ4の上面に沿って流れる窒素ガスは、一旦上昇した後、隣り合う吹き出し口13b間の圧力の低い部分を通過して、放電ランプ4の下方側(放電ランプ4に対してガラス基板1の存在側)へと排出される。
このように構成した場合でも、放電ランプ4の表面に形成される層状の清浄な窒素ガスの流れによって、放電ランプ4への白粉の付着が抑制される。
4 放電ランプ
13 遮蔽体
13b 吹き出し口
13c 排出口
Claims (4)
- 処理対象物に向けて紫外線を照射する放電ランプと、
その放電ランプと前記処理対象物との間の空間にガスを供給するガス供給手段とが設けられた紫外線照射装置であって、
前記ガス供給手段は、
前記放電ランプの側方に配置された前記ガスの吹き出し口と、
前記処理対象物の存在側の反対側において前記放電ランプの周囲空間を覆う遮蔽体とを備え、
前記吹き出し口は、前記ガスを直接に前記放電ランプの側方に吹き付けて、前記放電ランプの上面に沿った前記ガスの流れと、前記放電ランプの下面に沿った前記ガスの流れと、を形成する構成である、紫外線照射装置。 - 前記遮蔽体に、前記ガスの排出用の排出口が形成されている請求項1記載の紫外線照射装置。
- 前記放電ランプは、1方向に長い扁平形状で且つ短辺方向の端部が滑らかな湾曲形状を有するように形成され、
前記吹き出し口は、前記放電ランプの短辺方向の端部に向けて前記ガスを噴出するように、前記放電ランプの両側に複数個並べて配置されて構成されている請求項1又は2記載の紫外線照射装置。 - 前記放電ランプの両側に配置されている前記吹き出し口は、一方の側の前記吹き出し口と他方の側の吹き出し口とが前記放電ランプの長手方向で互いに位置ずれした状態で並べて配置されている請求項3記載の紫外線照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010529827A JP5534344B2 (ja) | 2008-09-18 | 2009-09-18 | 紫外線照射装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008240090 | 2008-09-18 | ||
JP2008240090 | 2008-09-18 | ||
JP2010529827A JP5534344B2 (ja) | 2008-09-18 | 2009-09-18 | 紫外線照射装置 |
PCT/JP2009/066452 WO2010032852A1 (ja) | 2008-09-18 | 2009-09-18 | 紫外線照射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010032852A1 JPWO2010032852A1 (ja) | 2012-02-16 |
JP5534344B2 true JP5534344B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=42039670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010529827A Active JP5534344B2 (ja) | 2008-09-18 | 2009-09-18 | 紫外線照射装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5534344B2 (ja) |
KR (1) | KR101660477B1 (ja) |
CN (1) | CN102132384B (ja) |
TW (1) | TWI466735B (ja) |
WO (1) | WO2010032852A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN108242412B (zh) * | 2016-12-26 | 2020-06-23 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体元件固化装置、基材处理系统以及半导体元件固化方法 |
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6605889B2 (en) * | 2001-10-24 | 2003-08-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Electrodeless low pressure lamp with multiple ferrite cores and coils |
JP4093065B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2008-05-28 | ウシオ電機株式会社 | エキシマランプ発光装置 |
-
2009
- 2009-09-17 TW TW98131385A patent/TWI466735B/zh active
- 2009-09-18 WO PCT/JP2009/066452 patent/WO2010032852A1/ja active Application Filing
- 2009-09-18 JP JP2010529827A patent/JP5534344B2/ja active Active
- 2009-09-18 CN CN200980132822.2A patent/CN102132384B/zh active Active
- 2009-09-18 KR KR1020107027778A patent/KR101660477B1/ko active IP Right Grant
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JP2008043925A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Ushio Inc | エキシマランプ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201014660A (en) | 2010-04-16 |
CN102132384A (zh) | 2011-07-20 |
WO2010032852A1 (ja) | 2010-03-25 |
KR101660477B1 (ko) | 2016-09-27 |
KR20110063712A (ko) | 2011-06-14 |
TWI466735B (zh) | 2015-01-01 |
CN102132384B (zh) | 2013-08-14 |
JPWO2010032852A1 (ja) | 2012-02-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120604 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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