JP5529216B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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最後に、レジストパターニングとイオン注入により、周辺回路部にソース・ドレイン領域を形成し、必要に応じて、シリサイド形成、層間絶縁膜成長、コンタクトホール161、および配線162を形成する(図1(h))。
具体的には、レジストをマスクとしてドライエッチングすることにより上記の構造を実現できる。
また、少なくともONO膜形成および周辺回路のゲート絶縁膜形成およびゲート電極の側壁酸化と、さらに場合によってはサイドウォール堆積および少なくとも周辺部LDDおよびソース・ドレインの注入イオン活性化とをビットラインの不純物注入前に行うことができ、従来の方法に比べてビットラインの不純物の拡散による横方向の拡がりが抑制されるとともに、上述のシリサイド化によりビットライン抵抗を小さくできる。さらに、ONO膜のチャネル方向端とビットラインの接合を合わせる(またはオフセットをもたせる)ことで、消去位置を限定することができ、書き込み位置と消去位置の不均衡を防ぐことができる。
Claims (6)
- 半導体基板の主面上に第1の溝を形成し、該第1の溝内に形成した素子分離用絶縁膜により埋め込みビットライン形成領域を画定するステップと、
前記画定された埋め込みビットライン形成領域に前記第1の溝よりも浅い第2の溝を形成するステップと、
第1のイオン注入により前記第2の溝の内面に不純物拡散層を形成するステップと、
前記第2の溝の側面に、側面膜を形成するステップと、
前記側面膜をマスクとして、前記第2の溝にさらに第2のイオン注入するステップと、
前記第2の溝内に導電体膜を埋め込むステップと、
を備えている半導体装置の製造方法。 - 前記第2の溝は、エッチングにより形成されたトレンチ溝である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記側面膜が導電膜もしくは絶縁膜である請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の溝底面の不純物拡散層表面上に高融点金属のシリサイド膜を形成するサブステップを更に備えている請求項1乃至3の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の溝内への前記導電体膜の埋め込みは、一様に成膜された導電体膜をCMP処理して前記第2の溝内の導電体膜を残存させることにより実行される請求項1乃至4の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記不純物拡散層を形成するステップは、前記半導体基板の主面に窒化珪素のサイドウォールを予め設ける工程を備え、前記第1のイオン注入される領域は、前記サイドウォールによりセルフアラインで形成される請求項1乃至5の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
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