JP5528299B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 227
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 164
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 50
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 49
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 36
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001219 R-phase Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Inverter Devices (AREA)
Description
上記多層積層体は、板状絶縁材と一対の板状導体とを有し、上記一対の板状導体が上記板状絶縁材を介して対向配置されたものであり、
上記電力変換回路は、複数のアーム回路を有するものであり、
上記アーム回路は、2個の半導体開閉素子が直列接続部にて直列に接続された複数の直列開閉回路を有するものであり、
上記交流導体は、板状の導電材料で形成されたものであって交流導体切り欠き形成部を有し、上記複数のアーム回路に対応して複数設けられたものであり、
上記平滑コンデンサは、上記一対の板状導体に接続され、
上記複数の直列開閉回路の両端が上記一対の板状導体に接続され、その複数の直列接続部が上記交流導体に共通に接続され、
上記複数のアーム回路は上記各アーム回路に対応する上記交流導体がその延在方向が上記板状導体の延在方向に一致するとともに上記板状導体の延在方向に並ぶようにして配置され、上記交流導体に交流負荷または交流電源が接続されるものであり、
上記交流導体切り欠き形成部は、上記交流導体同士が対向する対向部に切り欠きを形成するものである。
上記多層積層体は、板状絶縁材と一対の板状導体とを有し、上記一対の板状導体が上記板状絶縁材を介して対向配置されたものであり、
上記電力変換回路は、複数のアーム回路を有するものであり、
上記アーム回路は、2個の半導体開閉素子が直列接続部にて直列に接続された複数の直列開閉回路を有するものであり、
上記交流導体は、板状の導電材料で形成されたものであって交流導体切り欠き形成部を有し、上記複数のアーム回路に対応して複数設けられたものであり、
上記平滑コンデンサは、上記一対の板状導体に接続され、
上記複数の直列開閉回路の両端が上記一対の板状導体に接続され、その複数の直列接続部が上記交流導体に共通に接続され、
上記複数のアーム回路は上記各アーム回路に対応する上記交流導体がその延在方向が上記板状導体の延在方向に一致するとともに上記板状導体の延在方向に並ぶようにして配置され、上記交流導体に交流負荷または交流電源が接続されるものであり、
上記交流導体切り欠き形成部は、上記交流導体同士が対向する対向部に切り欠きを形成するものであるので、
適切に大電流化を図ることのできる電力変換装置を得ることができる。
図1〜図5は、この発明を実施するための実施の形態1を示すものであり、図1は電力変換装置の要部を示す要部構成図、図2は図1の切断線A−Aにおける断面図、図3は多層積層体の詳細構成を示す分解組立図、図4は電力変換装置の電力変換回路を示す回路図、図5は作用を説明するための説明図である。図4は、装置の大容量化のために半導体素子を各相ごとに3並列接続した場合の一般的な電力変換装置としての三相インバータの電力変換回路関係を示すものであり、図示しない直流電源に接続される正極(P)のブスバー31及び負極(N)のブスバー32に2個の平滑コンデンサ1a,1b及び電力変換回路としてのスイッチング回路3が接続され、スイッチング回路3にモータなどの負荷2が接続されている。スイッチング回路3は、3個の半導体モジュール11a〜11cを有するU相のアーム回路11、3個の半導体モジュール12a〜12cを有するV相のアーム回路12、3個の半導体モジュール13a〜13cを有するW相のアーム回路13を備える。
・電流経路R11:平滑コンデンサ1aのP端子→ブスバー31→U相の半導体モジュール11aの端子T1用の締め付けねじ6→端子T1→U相の半導体モジュール11aの上アームであるスイッチ部4→端子T3→U相の半導体モジュール11aの端子T3用の締め付けねじ8→U相の交流導体95→U相の外部接続端子25(→負荷2)。
・電流経路R12:平滑コンデンサ1aのP端子→ブスバー31→U相の半導体モジュール11bの端子T1用の締め付けねじ6→端子T1→U相の半導体モジュール11bの上アームであるスイッチ部4→端子T3→U相の半導体モジュール11bの端子T3用の締め付けねじ8→U相の交流導体95→U相の外部接続端子25(→負荷2)。
・電流経路R13:平滑コンデンサ1aのP端子→ブスバー31→U相の半導体モジュール11cの端子T1用の締め付けねじ6→端子T1→U相の半導体モジュール11cの上アームであるスイッチ部4→端子T3→U相の半導体モジュール11cの端子T3用の締め付けねじ8→U相の交流導体95→U相の外部接続端子25(→負荷2)。
・電流経路R21:(負荷2→)V相の外部接続端子26→V相の交流導体96→V相の半導体モジュール12aの端子T3用の締め付けねじ8→端子T3→V相の半導体モジュール12aの下アームであるスイッチ部4→端子T2→V相の半導体モジュール12aの端子T2用の締め付けねじ7→ブスバー32→平滑コンデンサ1aのN端子。
・電流経路R22:(負荷2→)V相の外部接続端子26→V相の交流導体96→V相の半導体モジュール12bの端子T3用の締め付けねじ8→端子T3→V相の半導体モジュール12bの下アームであるスイッチ部4→端子T2→V相の半導体モジュール12bの端子T2用の締め付けねじ7→ブスバー32→平滑コンデンサ1aのN端子。
・電流経路R23:(負荷2→)V相の外部接続端子26→V相の交流導体96→V相の半導体モジュール12cの端子T3用の締め付けねじ8→端子T3→V相の半導体モジュール12cの下アームであるスイッチ部4→端子T2→V相の半導体モジュール12cの端子T2用の締め付けねじ7→ブスバー32→平滑コンデンサ1bのN端子。
図6及び図7は、実施の形態2を示すものであり、図6は電力変換装置の要部を示す要部構成図、図7は作用を説明するための説明図である。図6において、多層積層体130は、板状導体としての長方形のブスバー131,132と、図3に示す絶縁板35,36,37とが交互に積層されている。ブスバー131は、図1に示したブスバー31に切り欠きとしてのスリット131aを形成する板状導体切り欠き形成部としてのスリット形成部131bを2箇所設けたものである。スリット形成部131bは、U相の半導体モジュール11cが締め付けねじ6によりブスバー131に接続されるブスバー131における第1の接続部131yとV相の半導体モジュール12aが締め付けねじ6によりブスバー131に接続されるブスバー131における第1の接続部131yとの間と、V相の半導体モジュール12cが締め付けねじ6によりブスバー131に接続されるブスバー131における第1の接続部131yとW相の半導体モジュール13aが締め付けねじ6によりブスバー131に接続されるブスバー131における第1の接続部131yとの間に、図6における右方の端部から左方に向かってすなわち所定の方向と交差する方向にそれぞれ締め付けねじ6がブスバー131に接続される第1の接続部131yよりもさらに所定寸法左方に入った位置まで長方形の切り欠きとしてのスリット131aが形成されている。
図8及び図9は、実施の形態3を示すものであり、図8は電力変換装置の要部を示す要部構成図、図9は作用を説明するための説明図である。図8において、平滑コンデンサ1aが1個だけが設けられている。多層積層体230は、板状導体としての長方形のブスバー231,232と、図3に示す絶縁板35,36,37とが交互に積層されている。ブスバー231,232は、接続される平滑コンデンサが平滑コンデンサ1aだけである点以外は図1、図2に示したブスバー31,32と同様のものである。なお、平滑コンデンサ1aは図1に示した平滑コンデンサ1aと同様の方法によりそのP端子が第4の接続部231zにおいてブスバー231に、N端子が第4の接続部232zにおいてブスバー232に接続されている。なお、半導体モジュール11a〜11cの端子T1が締め付けねじ6によりブスバー232における第1の接続部231yにおいてブスバー231に接続され、端子T2が締め付けねじ7によりブスバー232における第2の接続部232yにおいてブスバー232に接続されているのは、図1におけるブスバー31,32と半導体モジュール11a〜11cの関係と同様である。
図10は、実施の形態4である電力変換装置の要部を示す要部構成図である。図10において、多層積層体330は、板状導体としての長方形のブスバー331,332と、図3に示す絶縁板35,36,37とが交互に積層されている。ブスバー331は、図8に示したブスバー231に切り欠きとしてのスリット331aを形成する板状導体切り欠き形成部としてのスリット形成部331bを2箇所設けたものである。ブスバー332は、図8に示したブスバー232に切り欠きとしてのスリット332aを形成する板状導体切り欠き形成部としてのスリット形成部332bを2箇所設けたものである。そして、この実施の形態は、この多層積層体330と実施の形態3である図8における交流導体115、交流導体16、交流導体117とを組み合わせたものである。なお、図10においては、分かりやすくするために図6と同様にスリット331a,332aを黒く塗って表示している。
図11は、実施の形態5である電力変換装置の要部を示す要部構成図、図12は別の半導体モジュールを示す斜視図である。図11において、U相の交流導体415、V相の交流導体416、W相の交流導体417は各交流導体が隣接する別の交流導体と対向する対向部の角部を切り落とした形状であるL状の切り欠き415a,416a,417aを形成する交流導体切り欠き形成部としての切り欠き形成部415b,416b,417bを有する。切り欠き形成部415b,416b,417bは、それぞれ1箇所、2箇所、1箇所設けられている。
多層積層体は、板状絶縁材と一対の板状導体とを有し、一対の板状導体が板状絶縁材を介して対向配置され、一対の板状導体が直流電源または直流負荷に接続されるものであり、
交流導体は、板状の導電材料で形成されたものであって複数のアーム回路に対応して複数設けられ、端部に外部接続端子が配置され、外部接続端子に交流負荷または交流電源が接続されるものであり、
アーム回路は、複数の半導体モジュールを有し、
半導体モジュールは、2個の半導体開閉素子が直列に接続された直列開閉回路と第1、第2、第3の端子とを有し、直列開閉回路の両端が第1及び第2の端子に接続され、2個の半導体開閉素子の直列接続部が第3の端子に接続されたものであり、
アーム回路は、複数の半導体モジュールが多層積層体の一対の板状導体のいずれか一方側にあるようにしてかつ各半導体モジュールの第1の端子が所定の方向に並ぶように配置され、第1の端子が板状導体の一方の所定の方向に並ぶように配置された第1の接続部において板状導体の一方にそれぞれ接続され、第2の端子が板状導体の他方の所定の方向に並ぶように配置された第2の接続部において板状導体の他方にそれぞれ接続され、第3の端子が交流導体の第3の接続部であって第3の接続部は所定の方向に並ぶように配置されるともに外部接続端子から離れた位置にあるものである第3の接続部において交流導体にそれぞれ接続されることにより各半導体モジュールが並列に接続されたものであり、
電力変換回路は、複数のアーム回路が各アーム回路の第1、第2、第3の接続部がそれぞれ所定の方向に並ぶようにして配設されものであり、
かつ交流導体に設けられたものであって複数の交流導体の互いに隣接し対向する対向部に切欠きを形成する交流導体切り欠き形成部及び一対の板状導体にそれぞれ設けられたものであって隣接するアーム回路同士の第1の端子が接続される第1の接続部間及び隣接するアーム回路同士の第2の端子が接続される第2の接続部間に切欠きを形成する板状導体切り欠き形成部の少なくとも一方、を備えたので、電流経路の不均一を軽減して適切に大電流化を図ることができる。
半導体モジュールは、第1または第2の端子の一方が貫通部形成部を貫通する貫通導体によって一対の板状導体の他方に接続されたものであるので、コンパクト化しても電流経路の不均一の増大を招くことなく適切に大電流化を図ることができる。
6,7,8 締め付けねじ、11,12,13 アーム回路、
11a〜11c 半導体モジュール、12a〜12c 半導体モジュール、
13a〜13c 半導体モジュール、15,16,17 交流導体、
15b,16b,17b 切り欠き形成部、15y,16y,17y 第3の接続部、
25,26,27 外部接続端子、30 多層積層体、31,32 ブスバー、
31d 孔形成部、31y,32y 第1及び第2の接続部、31z 第4の接続部、
36 絶縁板、115,117 交流導体、115b,117b 切り欠き形成部、
115y,117y 第3の接続部、130 多層積層体、131,132 ブスバー、
131b,132b スリット形成部、131y,132y 第1及び第2の接続部、
230 多層積層体、231,232 ブスバー、
231y,232y 第1及び第2の接続部、330 多層積層体、
331,332 ブスバー、331b,332b スリット形成部、
331y,332y 第1及び第2の接続部、415,416,417 交流導体、
415b,416b,417b 切り欠き形成部、
415y,416y,417y 第3の接続部、601 半導体モジュール。
Claims (5)
- 多層積層体と電力変換回路と交流導体と平滑コンデンサとを有する電力変換装置であって、
上記多層積層体は、板状絶縁材と一対の板状導体とを有し、上記一対の板状導体が上記板状絶縁材を介して対向配置されたものであり、
上記電力変換回路は、複数のアーム回路を有するものであり、
上記アーム回路は、2個の半導体開閉素子が直列接続部にて直列に接続された複数の直列開閉回路を有するものであり、
上記交流導体は、板状の導電材料で形成されたものであって交流導体切り欠き形成部を有し、上記複数のアーム回路に対応して複数設けられたものであり、
上記平滑コンデンサは、上記一対の板状導体に接続され、
上記複数の直列開閉回路の両端が上記一対の板状導体に接続され、その複数の直列接続部が上記交流導体に共通に接続され、
上記複数のアーム回路は上記各アーム回路に対応する上記交流導体がその延在方向が上記板状導体の延在方向に一致するとともに上記板状導体の延在方向に並ぶようにして配置され、上記交流導体に交流負荷または交流電源が接続されるものであり、
上記交流導体切り欠き形成部は、上記交流導体同士が対向する対向部に切り欠きを形成するものである
電力変換装置。 - 上記一対の板状導体は、上記各アーム回路が接続される上記一対の板状導体の接続部間に切り欠きを形成する板状導体切り欠き形成部をそれぞれ有するものであることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
- 上記交流導体切り欠き形成部及び上記板状導体切り欠き形成部の少なくとも一方は、長方形の切り欠きを形成するものである
ことを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。 - 上記交流導体切り欠き形成部は、上記交流導体の上記対向部の角にL状に切り欠かれたL状切り欠きを形成するものである
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電力変換装置。 - 上記電力変換回路は、上記アーム回路を3相分有する三相一括形のものである
ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010241584A JP5528299B2 (ja) | 2010-10-28 | 2010-10-28 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010241584A JP5528299B2 (ja) | 2010-10-28 | 2010-10-28 | 電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012095472A JP2012095472A (ja) | 2012-05-17 |
JP5528299B2 true JP5528299B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=46388202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010241584A Active JP5528299B2 (ja) | 2010-10-28 | 2010-10-28 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5528299B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104380587B (zh) | 2012-05-31 | 2017-05-31 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 功率转换装置 |
JP6222713B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-11-01 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | バスバー構造及びバスバー構造を用いた電力変換装置 |
WO2015145679A1 (ja) | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 株式会社日立製作所 | 電力変換ユニット、電力変換装置、及び電力変換装置の製造方法 |
JP5778840B1 (ja) | 2014-09-25 | 2015-09-16 | 株式会社日立製作所 | 電力変換ユニットおよび電力変換装置 |
JP6561663B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2019-08-21 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP6807632B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2021-01-06 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置 |
JP6824840B2 (ja) * | 2017-07-11 | 2021-02-03 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ラミネートブスバー |
JP6979340B2 (ja) * | 2017-11-21 | 2021-12-15 | 高周波熱錬株式会社 | 電源装置 |
JP6852834B2 (ja) | 2018-04-18 | 2021-03-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7223266B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-02-16 | 日本ケミコン株式会社 | バスバー積層体及びそれを備える電子部品実装モジュール、電子部品実装モジュールの製造方法 |
US11056860B2 (en) | 2019-10-11 | 2021-07-06 | Eaton Intelligent Power Limited | Bus structure for parallel connected power switches |
JP7322786B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2023-08-08 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
KR20230048147A (ko) | 2021-06-11 | 2023-04-10 | 듀플리코 디.오.오. | 적층 전기 회로의 자동 조립 또는 분해에 사용되는 키트 |
JP7329654B1 (ja) | 2022-04-12 | 2023-08-18 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0746857A (ja) * | 1993-05-27 | 1995-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | インバータ装置の主回路 |
JP3709512B2 (ja) * | 1998-08-11 | 2005-10-26 | 株式会社日立製作所 | 電力変換器の主回路構造 |
JP3642012B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2005-04-27 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置,電力変換装置及び自動車 |
JP4491992B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2010-06-30 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体素子の並列接続用導体 |
JP4609075B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2011-01-12 | 富士電機システムズ株式会社 | 電力変換装置の配線構造 |
JP4561874B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2010-10-13 | 株式会社豊田自動織機 | 電力変換装置 |
-
2010
- 2010-10-28 JP JP2010241584A patent/JP5528299B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012095472A (ja) | 2012-05-17 |
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