JP5521583B2 - 半導体光素子とその製造方法 - Google Patents
半導体光素子とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5521583B2 JP5521583B2 JP2010016998A JP2010016998A JP5521583B2 JP 5521583 B2 JP5521583 B2 JP 5521583B2 JP 2010016998 A JP2010016998 A JP 2010016998A JP 2010016998 A JP2010016998 A JP 2010016998A JP 5521583 B2 JP5521583 B2 JP 5521583B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ridge
- semiconductor
- optical device
- mask layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 93
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010067482 No adverse event Diseases 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本実施形態は図1乃至図5を参照して説明する。なお、同一または対応する構成要素には同一の符号を付して複数回の説明を省略する場合がある。他の実施形態でも同様である。
本実施形態は図6乃至図10を参照して説明する。本実施形態はSiO2などのマスク層を利用して半導体層の(111)A面方向の成長を抑制することが特徴である。図6は本実施形態の半導体光素子の断面図である。本実施形態の半導体光素子60は活性層62、クラッド層64、コンタクト層18からなるリッジを備える。活性層62、クラッド層64は半導体層66に埋め込まれる。
本実施形態は図11乃至図14を参照して説明する。本実施形態は、半導体層の(111)A面が成長し突起が形成された後に、突起を除去する点が特徴である。図11は本実施形態の半導体光素子の断面図である。図11に示すように破線で囲まれた突起82が形成されたあとに、突起82に物理的な力を加えることにより突起82を除去する。そのような物理的な力は図11に矢印で示す方向に行う。また、物理的な力はブラシなどを用いて直接的に力を加えても良いし水流によって力を加えても良い。
Claims (3)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の(100)面上に形成されたリッジと、
前記リッジの側面に接して形成された半導体層とを備え、
前記リッジの側面であって前記半導体層に埋め込まれた部分の上端部分には(111)B面が形成され、
前記リッジの側面の前記上端部分以外の部分には(011)面が形成されたことを特徴とする半導体光素子。 - 半導体基板の(100)面上にリッジを形成する工程と、
前記リッジ上にマスク層を形成する工程と、
前記リッジの側面に、(011)面を残しつつ、前記マスク層と接する部分に(111)B面を形成するようにエッチングを行う工程と、
前記リッジの側面と接し前記リッジを埋め込むように半導体層を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体光素子の製造方法。 - 前記エッチングで前記リッジがエッチングされる幅は、前記半導体基板の(100)面に成長するべき層厚×<100>方向の成長レート÷<011>方向の成長レートで算出される値より大きいことを特徴とする請求項2に記載の半導体光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010016998A JP5521583B2 (ja) | 2010-01-28 | 2010-01-28 | 半導体光素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010016998A JP5521583B2 (ja) | 2010-01-28 | 2010-01-28 | 半導体光素子とその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014078692A Division JP5846239B2 (ja) | 2014-04-07 | 2014-04-07 | 半導体光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011155205A JP2011155205A (ja) | 2011-08-11 |
JP5521583B2 true JP5521583B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=44540946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010016998A Active JP5521583B2 (ja) | 2010-01-28 | 2010-01-28 | 半導体光素子とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5521583B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0722691A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザとその製造方法 |
KR100640393B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2006-10-30 | 삼성전자주식회사 | 역메사 구조를 이용한 광집적 소자 및 그 제조방법 |
-
2010
- 2010-01-28 JP JP2010016998A patent/JP5521583B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011155205A (ja) | 2011-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112582255A (zh) | 使用应力控制制造厚电介质膜的方法 | |
JP2014038322A (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
JP2011243857A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP5846239B2 (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP5521583B2 (ja) | 半導体光素子とその製造方法 | |
JPWO2016152771A1 (ja) | グレーティング素子 | |
JP2010192888A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JP6485340B2 (ja) | 量子カスケード半導体レーザを作製する方法、量子カスケード半導体レーザ | |
CN111370995B (zh) | 表面光栅半导体激光器及其制作方法 | |
JP2007320246A (ja) | モールド及びモールドの作製方法 | |
JP5891695B2 (ja) | 量子カスケード半導体レーザを作製する方法 | |
JP2010267674A (ja) | Iii−v化合物半導体光素子を作製する方法 | |
JP5082593B2 (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP2008294156A (ja) | 半導体成膜用基板の製造方法 | |
JP2009182249A (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP2005156674A (ja) | 複合光導波路 | |
CN114488394B (zh) | 一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件 | |
JP2006245342A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
US20140287590A1 (en) | Optical Waveguide Structure and Method of Manufacture Thereof | |
JP2010098200A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP2009117616A (ja) | 半導体光素子を作製する方法 | |
JP2002319739A (ja) | リブ型光導波路分布反射型半導体レーザの製造方法 | |
JPWO2003067293A1 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
JP2010014880A (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
WO2018198193A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131008 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140311 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140324 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5521583 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |