KR100640393B1 - 역메사 구조를 이용한 광집적 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 역메사 구조를 이용한 광집적 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 레이저, 광변조기, 반도체 광증폭기, 광검출기 등의 소자가 단일 기판 위에 집적되는 AML(amplifier and modulator integrated distributed-feedback laser diode) 소자에 있어서, 기판과; 상기 기판 위에 메사 구조로 차례로 형성된 하부 클래드층 및 활성층과; 상기 활성층 위에 역메사 구조로 형성된 상부 클래드층과; 상기 상부 클래드층 위에 형성되며, 상기 상부 클래드층의 상부 표면의 폭보다 작은 폭을 갖도록 형성된 오믹 콘택층과; 상기 메사 구조 및 상기 역메사 구조의 측벽을 메우도록 형성된 전류차단층; 및 상기 소자들 사이에 형성되며, 상기 오믹 콘택층의 표면에 비해 높은 상부 표면을 갖도록 오버-그로스(overgrowth) 된 적어도 하나의 윈도우 영역을 포함함을 특징으로 한다.
광집적 소자, 역메사 구조, 출력빔 특성(FFP), 윈도우 영역

Description

역메사 구조를 이용한 광집적 소자 및 그 제조방법{OPTICAL INTEGRATED CIRCUIT USING REVERSE MESA STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
도 1은 종래 기술에 따른 매립 헤테로(BH) 구조의 AML 소자의 구조를 나타낸 단면도,
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 매립 헤테로(BH) 구조의 AML 소자의 제조과정을 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따라, 윈도우 영역에 오버-그로스(overgrowth)를 한 경우의 측 단면을 나타낸 개략도,
도 4는 도 3에 도시된 바와 같이 윈도우 영역을 두껍게 오버-그로스 하기 위한 포토마스크의 레이아웃,
도 5는 본 발명에 따라 윈도우 영역을 두껍게 오버-그로스 한 경우와 그렇지 않은 경우(종래기술)의 윈도우 표면에서의 빛의 반사정도를 비교하여 나타낸 도면.
본 발명은 광집적 소자에 관한 것으로, 특히 소자의 직렬저항을 줄이고 공정 단순화를 가능하게 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
광집적 회로(Photonic Integrated Circuit)의 구현을 위해 여러 가지 기능을 가진 광소자들을 단일기판 혹은 혼성으로 집적하는 것에 대한 연구가 활발하다. 특히 반도체 레이저, 광변조기, 반도체 광증폭기 및 광 검출기 등의 4가지 소자가 단일 기판 위에 집적된 반도체 증폭기 및 전계흡수 변조기 집적 레이저(the amplifier and modulator integrated distributed-feedback laser diode; 이하 AML이라 칭함)에 대한 관심이 높다.
도 1은 종래 기술에 따른 매립 헤테로(buried hetero-structure; BH) 구조의 AML 소자의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 종래의 AML 구조는 n-InP 클래드층(1), 활성층(2), i-n 전류차단층(3), p-InP 클래드층(4), 콘택층(5) 및 절연층(6)을 포함하며, 상기 p-InP 클래드층(4)은 대체로 메사 구조를 갖는다.
그러나 상기와 같은 종래구조에서는 사용되는 전류 차단층의 종류에 따라 달라질 수 있지만, 회절격자(grating) 형성을 위한 성장(layer growth), 메사(mesa) 식각을 위한 성장, 전류 차단층을 위한 성장, p-클래드층 성장, 소자간 격리(isolation)를 위한 절연층 성장(insulating layer growth) 등 다섯 번의 재성장 과정을 거쳐야만 한다. 재성장 과정이 많아질수록 표면의 평탄도는 떨어지고, 포토 리소그래피(photo-lithography) 공정에서 정렬오차가 커지는 원인이 된다. 또한, 광출력면(facet)에서의 반사를 최소화시켜야 하는 전계흡수 변조기가 집적된 DFB 레이저(EML) 혹은 AML 소자의 경우 윈도우 영역 내에서의 표면 굴곡에 의해 출력 빔의 특성(far field pattern; 이하 FFP라 칭함)이 심하게 왜곡되는 현상이 발생한다. 즉, 윈도우 영역의 전체 두께가 얇게 되면 표면에서 반사된 빔이 직진하는 빔과 간섭을 일으키게 되어 사이드로브(side lobe)가 발생하고 피크(peak) 값도 0도에서 치우치는 오프셋(offset) 현상이 생기므로, 이를 제거하기 위해서는 p-클래드층의 전체 두께를 두껍게 유지해야만 한다. 그러나 클래드층의 두께 증가는 직렬저항 또한 증가시키게 된다. 따라서 이러한 구조를 갖는 소자는 필연적으로 두꺼운 p-클래드층에서 기인한 직렬저항 증가를 가져오고, 특히 10Gb/s 이상의 고속 동작 소자에서는 RF 특성의 저하를 초래하게 된다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 에피택시 공정의 단순화를 통해 제작 공정을 단순화시킬 수 있는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 소자의 직렬저항 감소를 통해 RF 특성을 향상시킬 수 있는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 윈도우 구조를 가진 소자에 있어서 광출력 빔의 수직방향 FFP 분포를 개선할 수 있는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 역메사 구조를 이용한 광집적 소자는 반도체 레이저, 광변조기, 반도체 광증폭기, 광검출기 등의 소자가 단일 기판 위에 집적되는 AML(amplifier and modulator integrated distributed-feedback laser diode) 소자에 있어서, 기판과; 상기 기판 위에 메사 구조로 차례로 형성된 하부 클래드층 및 활성층과; 상기 활성층 위에 역메사 구조로 형성된 상부 클래드층과; 상기 상부 클래드층 위에 형성되며, 상기 상부 클래드층의 상부 표면의 폭보다 작은 폭을 갖도록 형성된 오믹 콘택층과; 상기 메사 구조 및 상기 역메사 구조의 측벽을 메우도록 형성된 전류차단층; 및 상기 소자들 사이에 형성되며, 상기 오믹 콘택층의 표면에 비해 높은 상부 표면을 갖도록 오버-그로스(overgrowth) 된 적어도 하나의 윈도우 영역을 포함함을 특징으로 한다.
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또한, 본 발명에 따른 역메사 구조를 이용한 광집적 소자의 제조방법은 AML(amplifier and modulator integrated distributed-feedback laser diode) 소자의 제조방법에 있어서, (a) 기판 위에 하부 클래드층, 활성층, 상부 클래드층 및 오믹 콘택층을 차례로 형성하는 과정과; (b) 상기 상부 클래드층의 적어도 일부가 노출되도록 상기 오믹 콘택층을 식각하는 과정과; (c) 상기 오믹 콘택층의 전부를 감싸도록 상기 상부 클래드층 위에 메사 마스크 패턴을 형성하는 과정과; (d) 상기 메사 마스크 패턴을 이용한 식각 공정을 통해 상기 상부 클래드층은 역메사 구조로 식각하고, 상기 활성층 및 상기 하부 클래드층은 메사 구조로 식각하는 과정과; (e) 상기 메사 구조 및 역메사 구조의 측벽에는 전류차단층을 형성하고, 상기 AML 소자를 이루는 소자들 사이에는 적어도 하나의 윈도우를 오버-그로스(overgrowth)에 의해 형성하는 과정을 포함함을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조번호 및 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 매립 헤테로(BH) 구조의 AML 소자의 제조과정을 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 2a는 n+-InP 기판(21) 위에 n+-InP 클래드층(22), InGaAsP 활성층(23), p+-InP 클래드층(24) 및 InGaAs 오믹 콘택층(25)을 차례로 성장한 상태를 나타낸다.
도 2b는 상기 InGaAs 오믹 콘택층(25) 위에 제1 SiO2 마스크(26)를 폭(w) 2.5㎛로 형성한 상태를 나타낸다.
도 2c는 InGaAs 오믹 콘택층(25) 선택 식각제 예를 들면 H3PO4 : H2O 2 : H2O = 1 : 1 : 5를 이용하여 제1 SiO2 마스크(26) 하부의 상기 InGaAs 오믹 콘택층(25)을 습식식각 하여 InGaAs 오믹 콘택층(25)의 폭이 2㎛가 되도록 습식식각한 상태를 나타낸다.
도 2d는 상기 제1 SiO2 마스크(26)를 제거한 다음, 상기 InGaAs 오믹 콘택층(25) 위에 다시 폭 5㎛의 제2 SiO2 마스크(27)를 형성한 상태를 나타낸다.
도 2e는 제2 SiO2 마스크(27)를 식각 마스크로 이용한 건식식각 공정(dry etching)을 통해 깊이 3㎛ 정도(대개 활성층까지)의 수직 메사를 미리 형성한 다음, 비선택 식각제 예를 들면 HBr : H2O2 : H2O = 10 : 2 : 100를 사용하여 식각한 상태를 나타낸다. 상기 식각공정에 의해 p+-InP 클래드층(24)은 역메사 구조로 형성되고, InGaAsP 활성층(23) 및 n+-InP 클래드층(24)은 메사 구조로 형성된다. 역메사의 형성은 (111)B 결정면이 나타나면 식각제(etchant)와의 반응이 현격히 저하되는 습식식각 공정(wet etching)의 특성을 이용한 것이고, InP 물질의 고유 특성에 의해 약 60°각도를 이루면서 식각이 된다. 역메사 구조의 p+-InP 클래드층(24) 형성 후 InGaAsP 활성층(23)을 만나게 되면 조성이 달라져 더 이상 역메사 구조로 식각되지 않고 메사 구조로 식각된다. 또한, 도 2e의 과정은 습식식각 공정만으로도 가능하나, 전술한 바와 같이 건식식각 공정과 습식식각 공정을 병행하는 것이 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 한편, 직렬저항을 감소시키기 위해서는 활성층(23)과 최상층(top layer)(25) 사이의 두께 즉, p+-InP 클래드층(24)의 두께를 얇게 하는 것이 관건이다. 두꺼운 클래드층의 경우에도 가능은 하나 광소자의 직렬저항 특성 또는 양호한 고주파 응답특성을 얻기 위해서는 최소한의 두께 예를 들면, p+-InP 클래드층(24)의 두께가 0.8 내지 2.0㎛가 되도록 하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 p+-InP 클래드층(24)의 두께가 1.4㎛가 되도록 성장시킨 경우이다.
도 2f는 상기 역메사, 메사 구조의 측벽에 전류차단 및 소자간 전기적 분리를 위해 Fe 도핑된 InP 층(28)을 형성한 상태를 나타낸다. InP 물질이 세미-인슐레이팅(semi-insulating) 특성을 갖도록 하는 도펀트로는 Fe, Co, Cr, Mn, Ti 등의 천이금속(transition metal)이 주로 사용되며, 본 실시예에서는 누설전류가 적은 Fe를 도핑한 경우이다.
한편, 도 2a 내지 도 2f에 도시된 바와 같은 과정에 의해 EMBH(etched mesa buried hetero-structure) 형태의 역메사를 형성하게 되면 직렬저항은 줄어드는 장점이 있다. 그러나 상기와 같은 윈도우(window) 구조를 가지는 경우는 얇은 클래드층 두께로 인해 팁(tip)에서 방출된 빔이 표면에 부딪쳐서 반사되는 성분이 생기고 이 성분은 직진하는 빔과 간섭을 일으켜 FFP 효율을 떨어뜨리게 된다. 게다가 두께에 민감한 오프셋(offset) 각도 변화를 일으키게 되므로 윈도우 영역의 두께를 증가시켜 주어야 한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따라, 윈도우 영역에 오버-그로스(overgrowth) 한 경우의 측 단면을 나타낸 개략도이고, 도 4는 윈도우 영역을 두껍게 오버-그로스 하기 위한 포토마스크(40)의 레이아웃을 나타낸 것으로, 메사 형성용 마스크(41)와의 구별이 용이하도록 오버랩하여 나타낸 것이다.
도 3을 참조하면, AML 소자는 레이저다이오드(LD), 변조기(MOD), 반도체광증폭기(SOA), 모니터포토다이오드(MPD)가 하나의 기판(31) 위에 집적된다. 변조기(MOD)와 반도체광증폭기(SOA) 사이에는 감쇄윈도우(attenuation window) 즉, 소자격리영역(A)을 포함하고, 광출력면(facet)에서의 광 피드백(optical feedback)을 줄이기 위해 반도체광증폭기(SOA)의 팁 끝에서부터 광출력면(facet) 사이에 윈도우 구조(window area, B, C)를 포함한다. 상기 소자격리영역(A)과 윈도우 영역(B, C)은 두껍게 오버-그로스 된 구조이다.
제조공정은 다음과 같다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 먼저, n+-InP 기판(31) 위에 n+-InP 클래드층(32), 활성층(33), p+-InP 클래드층(34) 및 InGaAs 오믹 콘택층(35)을 차례로 성장한다(도 2a의 제조 과정과 동일).
이어서, 상기 InGaAs 오믹 콘택층(35) 위에 제1 SiO2 마스크를 폭(w) 2.5㎛로 형성한 다음(도 2b 참조), 하부의 상기 InGaAs 오믹 콘택층(35)을 습식식각 하여 InGaAs 오믹 콘택층(35)의 폭이 2㎛가 되도록 습식식각한다(도 2c 참조). 계속해서, 상기 제1 SiO2 마스크를 제거한 다음, 상기 InGaAs 오믹 콘택층(35) 위에 다 시 폭 5㎛의 제2 SiO2 마스크를 형성한 후(도 2d 참조) 건식 및 습식 식각공정을 통해 역메사를 형성한다(도 2e 참조).
상기 역메사 형성 후 도 4에 도시된 바와 같이 두껍게 성장시킬 윈도우 영역(도 3의 A, B, C)만 오픈(open) 된 레이아웃의 포토마스크(40)를 이용하여 상기 오믹 콘택층(35) 위에 오버-그로스를 위한 마스크 패턴을 형성한다.
끝으로, 상기 오픈된 윈도우 영역(A, B, C)에 InP 층을 두껍게 재성장한 후 Fe를 도핑하여 전류차단층 겸 소자격리층을 형성한다.
도 5는 본 발명에 따라 윈도우 영역을 두껍게 오버-그로스 한 경우와 그렇지 않은 경우(종래기술)의 윈도우 표면에서의 빛의 반사정도를 비교하여 나타낸 도면이다.
도 5에서, 윈도우 영역이 종래와 같이 대체로 평탄한 경우(51) 출력빔(light)이 표면에서 반사되는(52) 반면 본원발명과 같이 윈도우 영역을 두껍게 형성할 경우(53) 출력빔이 표면에서 반사되지 않고 그대로 직진함(54)을 알 수 있다. 따라서 오프셋(offset) 각도가 줄어들고, 간섭을 최소화함으로써 멀티 로브(multi-lobe) 형태의 FFP에서 단일 로브(single-lobe) 형태의 FFP로 개선할 수 있다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 역메사 구조를 이용한 광집적 소자 및 그 제조방법은 한 번(one-step)의 성장공정을 통해 활성층 및 클래드층을 형성하고 역메사 형성 이후에 전류차단층 겸 소자격리(isolation)층을 성장하기 때문에 총 3번의 재성장 공정으로 공정을 단순화할 수 있다.
또한, 종래에 비해 클래드층을 얇게 형성할 수 있어 직렬저항을 감소시키며 이에 따라 소자의 열적 특성을 개선하며, 10GHz 이상에서도 우수한 고주파 특성을 보장해 주는 장점이 있다.
또한, 윈도우 구조의 두께를 증가시켜 멀티 로브(multi-lobe) 형태의 FFP에서 단일 로브(single-lobe) 형태의 FFP로 개선함으로써 광섬유로의 결합효율을 증가시키는 장점이 있다.

Claims (18)

  1. 반도체 레이저, 광변조기, 반도체 광증폭기, 광검출기 등의 소자가 단일 기판 위에 집적되는 AML(amplifier and modulator integrated distributed-feedback laser diode) 소자에 있어서,
    기판과;
    상기 기판 위에 메사 구조로 차례로 형성된 하부 클래드층 및 활성층과;
    상기 활성층 위에 역메사 구조로 형성된 상부 클래드층과;
    상기 상부 클래드층 위에 형성되며, 상기 상부 클래드층의 상부 표면의 폭보다 작은 폭을 갖도록 형성된 오믹 콘택층과;
    상기 메사 구조 및 상기 역메사 구조의 측벽을 메우도록 형성된 전류차단층; 및
    상기 소자들 사이에 형성되며, 상기 오믹 콘택층의 표면에 비해 높은 상부 표면을 갖도록 오버-그로스(overgrowth) 된 적어도 하나의 윈도우 영역을 포함함을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 오믹 콘택층은
    상기 상부 클래드층의 상부 표면의 폭보다 0.1 내지 2㎛ 정도 좁은 폭을 갖도록 형성됨을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 상부 클래드층은
    소자의 직렬저항특성 또는 양호한 고주파 응답특성을 얻기 위해서 0.8 내지 2.0㎛ 두께로 형성됨을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 상부 클래드층의 두께는
    1.2 내지 1.6㎛ 두께로 형성됨을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 하부 클래드층은 n형 InP층이며, 상기 상부 클래드층은 p형 InP층임을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자.
  7. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 역메사 구조로 형성된 상부 클래드층은
    그 식각면이, 상기 기판 표면에 평행한 수평방향을 기준으로 60°정도의 각을 이루도록 형성됨을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 소자들 사이에 형성된 적어도 하나의 윈도우 영역은
    광출력면(facet)에서의 광 피드백(optical feedback)을 줄이기 위해 상기 반도체 광증폭기의 팁 끝에서부터 상기 광검출기 사이에 형성된 윈도우 영역을 포함함을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 소자들 사이에 형성된 적어도 하나의 윈도우 영역은
    상기 광변조기와 상기 반도체 광증폭기 사이의 소자간 격리를 위한 감쇄 윈도우(attenuation window)영역을 포함함을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자.
  10. AML(amplifier and modulator integrated distributed-feedback laser diode) 소자의 제조방법에 있어서,
    (a) 기판 위에 하부 클래드층, 활성층, 상부 클래드층 및 오믹 콘택층을 차례로 형성하는 과정과;
    (b) 상기 상부 클래드층의 적어도 일부가 노출되도록 상기 오믹 콘택층을 식각하는 과정과;
    (c) 상기 오믹 콘택층의 전부를 감싸도록 상기 상부 클래드층 위에 메사 마스크 패턴을 형성하는 과정과;
    (d) 상기 메사 마스크 패턴을 이용한 식각 공정을 통해 상기 상부 클래드층은 역메사 구조로 식각하고, 상기 활성층 및 상기 하부 클래드층은 메사 구조로 식각하는 과정과;
    (e) 상기 메사 구조 및 역메사 구조의 측벽에는 전류차단층을 형성하고, 상기 AML 소자를 이루는 소자들 사이에는 적어도 하나의 윈도우를 오버-그로스(overgrowth)에 의해 형성하는 과정을 포함함을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 (a) 과정은
    한 번(one step)의 반도체층의 재성장 공정에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자의 제조방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 (b) 과정은
    예정된 오믹 콘택층의 크기보다 큰 폭의 마스크 패턴을 상기 오믹 콘택층 위에 형성하는 단계와,
    상기 오믹 콘택층만을 선택적으로 식각하는 선택 식각 공정에 의해 예정된 크기로 상기 오믹 콘택층을 식각하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자의 제조방법.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 (d) 과정은
    상기 메사 마스크 패턴을 이용한 건식식각 공정을 통해 상기 상부 클래드층 및 활성층을 식각하는 단계와,
    상기 상부 클래드층의 (111)B 결정면이 나타나면 식각제와의 반응이 현격히 저하되는 습식식각 공정을 통해 상기 상부 클래드층, 활성층 및 하부 클래드층을 식각하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 상부 클래드층은 p+-InP 클래드층이며,
    상기 습식식각 공정에 사용되는 식각제는 HBr : H2O2 : H2O = 10 : 2 : 100임을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 상부 클래드층은
    그 식각면이, 상기 기판 표면에 평행한 수평방향을 기준으로 60°정도의 각을 이루도록 식각됨을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자의 제조방법.
  16. 제 10 항에 있어서, 상기 (e) 과정은
    상기 역메사 구조 및 메사 구조 형성 후 두껍게 성장시킬 윈도우 영역만 오픈(open) 된 레이아웃의 포토마스크를 이용하여 상기 오믹 콘택층 위에 오버-그로스를 위한 윈도우 마스크 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 오픈된 윈도우 영역에 반도체층을 두껍게 재성장한 후 상기 반도체층이 세미-인슐레이팅(semi-insulating) 특성을 갖도록 도펀트를 도핑하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 도펀트는
    Fe, Co, Cr, Mn, Ti 등의 천이금속(transition metal)으로부터 선택됨을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자의 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 도펀트는
    Fe를 포함함을 특징으로 하는 역메사 구조를 이용한 광집적 소자의 제조방법.
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