JP5520436B2 - 半導体膜の結晶化方法 - Google Patents
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Description
PJELA装置60の主スイッチをONすると、自動的にコンピュータ80が装置パラメータのデータ読み出しを行い、種々の装置パラメータが一覧表となって表示装置68の画面上に表示される(工程K1)。ここで読み出される装置パラメータは、パルス幅、パルス強度比、光の分割数、非単結晶半導体膜の膜厚、目標ずれ量値および目標光強度を少なくとも含むものである。また、読み出される装置パラメータは、前回の結晶化に使用したパルス幅、パルス強度比、光の分割数および非単結晶半導体膜の膜厚を含むものであってもよい。
図示しないマイクロ波発振器によって生成されたマイクロ波はスロット導波管26から誘電性部材30を介して気密容器12内のプラズマ生成空間11に伝搬される。ガス導入口18から成膜ガスとして水素で希釈したモノシランガスを導入するとともに、排気口20を介してポンプ5により容器12内を排気する。容器12の内圧と印加マイクロ波出力とを調整し、表面波プラズマモードになるように動作を制御することによりプラズマ中の電子密度を増大させる。モノシランガス5sccmと水素ガス150sccmとの混合ガスをガス導入口18から容器12内に導入し、1.2kWの出力でマイクロ波を印加し、表面波モードのプラズマを生成した。このときの電子密度をプローブにより測定したところ8×108cm-3であった。水素ガスで大量希釈することにより表面でのSi-H結合の水素を気相中の水素ラジカルが引き抜くことで、結果的に水素含有量の少ないシリコン膜が形成可能となる。
次に実施例2を説明する。実施例1で形成した膜中水素含有量が約4.5%の微結晶シリコン膜をガラス基板上に形成し、その微結晶シリコン膜上に蓄熱層としてSiOx(1.5<x<2.0)のキャップ膜をシランガスとN2Oガスの混合ガスから通常のプラズマCVD法にて形成して、被結晶化基板(実施例試料)を作成した。
次に実施例3を説明する。上記した図1に示すマイクロ波プラズマ処理装置10にガラス基板を搬入して形成した膜中水素含有量が約3%の微結晶シリコン膜をガラス基板上に形成した。その微結晶シリコン膜上に蓄熱層としてSiOx(1.5<x<2.0)のキャップ膜をシランガスとN2Oガスの混合ガスから通常のプラズマCVD法にて形成して、被結晶化基板(実施例試料)を作成した。
次に実施例4を説明する。上記した図1に示すマイクロ波プラズマ処理装置10にガラス基板を搬入して形成した膜中水素含有量が約2%の微結晶シリコン膜をガラス基板上に形成した。その微結晶シリコン膜上に蓄熱層としてSiOx(1.5<x<2.0)のキャップ膜をシランガスとN2Oガスの混合ガスから通常のプラズマCVD法にて形成して、被結晶化基板(実施例試料)を作成した。
次に実施例5を説明する。上記した図1に示すマイクロ波プラズマ処理装置10にガラス基板を搬入して形成した膜中水素含有量が約1%の微結晶シリコン膜をガラス基板上に形成した。その微結晶シリコン膜上に蓄熱層としてSiOx(1.5<x<2.0)のキャップ膜をシランガスとN2Oガスの混合ガスから通常のプラズマCVD法にて形成して、被結晶化基板(実施例試料)を作成した。
次に比較例1を説明する。図14に示すCVD成膜装置200にガラス基板を搬入し、膜中水素含有量が約6%の微結晶シリコン膜をガラス基板上に形成した。その微結晶シリコン膜上に蓄熱層としてSiOx(1.5<x<2.0)のキャップ膜をシランガスとN2Oガスの混合ガスから通常のプラズマCVD法にて形成して、被結晶化基板(比較例試料)を作成した。
次に比較例2を説明する。図14に示すCVD成膜装置200にガラス基板を搬入し、膜中水素含有量が約10%の微結晶シリコン膜をガラス基板上に形成した。その微結晶シリコン膜上に蓄熱層としてSiOx(1.5<x<2.0)のキャップ膜をシランガスとN2Oガスの混合ガスから通常のプラズマCVD法にて形成して、被結晶化基板(比較例試料)を作成した。
ガラス基板上に下地絶縁膜を介してプラズマCVDにより平均粒径が5nmの結晶粒からなる非単結晶シリコン膜を成膜した。この非単結晶シリコン膜にPMELA法により逆ピークパターン状の光強度分布を有するパルスレーザー光を照射して照射領域を溶融し、溶融領域を結晶化した。この工程を順次照射領域を移動させて500回照射した。この結果、照射領域にアブレーションの発生を見出すことができなかった。このような実施例を平均結晶粒が微結晶からナノ結晶までの非単結晶シリコン膜についておこなった。
平均粒径が4nmの非単結晶シリコン膜では、500回の照射でアブレーションが2箇所発見された。
平均粒径が6nmの非単結晶シリコン膜では、500回の照射でアブレーションが発見されなかった。
平均粒径が7nmの非単結晶シリコン膜では、500回の照射でアブレーションが発見されなかった。
平均粒径が10nmの非単結晶シリコン膜では、500回の照射でアブレーションが発見されなかった。
平均粒径が20nmの非単結晶シリコン膜では、500回の照射でアブレーションが発見されなかった。
平均粒径が30nmの非単結晶シリコン膜では、500回の照射でアブレーションが発見されなかった。
平均粒径が40nmの非単結晶シリコン膜では、500回の照射でアブレーションが発見されなかった。
平均粒径が50nmの非単結晶シリコン膜では、500回の照射でアブレーションが発見されなかった。
平均粒径が52nmの非単結晶シリコン膜では、500回の照射でアブレーションが2箇所発見された。
平均粒径が55nmの非単結晶シリコン膜では、500回の照射でアブレーションが10箇所発見された。
平均粒径が2nmの非単結晶シリコン膜では、500回の照射でアブレーションが2箇所発見された。
次に、図12と図6を参照して本発明の薄膜トランジスタ(TFT)の構成およびその製造方法について説明する。上述の結晶化方法により大結晶粒化した半導体膜をもつ基板を利用して薄膜トランジスタを作製した。
6…電源ユニット、8…制御器、
10…マイクロ波プラズマ処理装置、
11…プラズマ生成空間、12…気密容器、
14,33…誘電性部材、16…導波管、
18…ガス導入口、20…排気口、24…サセプタ(基板載置台)、
26…スロット(開口)、28…電磁波、30,34…溝、
32…壁、34…間隙、38…孔、
50…被処理基板、51…ガラス基板、52…下地保護膜、
53…結晶化対象膜(非単結晶半導体膜)、54…キャップ膜、
60…結晶化装置、
61…レーザー光源、62…アッテネータ、63…照明光学系、64…位相シフタ、
65…結像光学系、66…基板ステージ、68…表示装置、
80…制御部。
Claims (3)
- ガラス基板上の半導体膜にパルスレーザー光を照射して照射領域を溶融して半導体膜を結晶化する半導体膜の結晶化方法であって、
(a)表面波プラズマを生成する化学気相成長法を用いて500℃以下の温度で前記ガラス基板上に平均粒径が5nm以上50nm以下の結晶粒を堆積させることにより、前記半導体膜として5原子%以下の水素を含む非単結晶半導体膜を成膜し、
(b)結晶化のための条件としてパルス幅、パルス強度比、非単結晶半導体膜の膜厚、目標ずれ量値および目標光強度を含む装置パラメータを求め、求めた装置パラメータを読み出し可能に記録部に記録・保存しておき、
(c)ハイトセンサからの検出信号を用いて基板ステージと前記ガラス基板とのずれ量を求め、
(d)前記記録部から前記目標ずれ量値を読み出し、前記工程(c)で求めた基板ステージと前記ガラス基板とのずれ量が読み出した前記目標ずれ量値に一致するように前記基板ステージの動作を制御し、また前記記録部から前記目標光強度を読み出し、ビームプロファイラで測定した光強度と前記目標光強度とを比較して、前記ビームプロファイラで測定した光強度が前記目標光強度になるように、かつ光強度分布の最小光強度値が前記非単結晶半導体膜の融点以下の温度になるように前記アッテネータを制御し、前記結晶化装置の光源から前記光強度分布のレーザー光を出射し、該レーザー光を前記非単結晶半導体膜に照射して結晶化させることを特徴とする半導体膜の結晶化方法。 - 前記工程(a)において、シラン系ガスと水素ガスを質量流量比で1:20〜1:100の割合で供給する化学気相成長法を用いて前記ガラス基板上に非単結晶半導体膜を成膜することを特徴とする請求項1に記載の半導体膜の結晶化方法。
- 前記工程(a)において、前記半導体膜の成膜ガスは、ハロゲン化珪素ガスであることを特徴とする請求項1に記載の半導体膜の結晶化方法。
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