JP5512450B2 - イオンミリング装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態に係るイオンミリング装置を示す図である。真空を実現する真空容器18は、試料1を加工するためのイオンビームを発射するイオン銃17、試料1を設置する試料台2、試料台2の温度を監視する熱電対14、試料台2を傾斜させる試料ステージ3、試料ステージ3を傾斜させる傾斜機構4、を備える。
たとえば、融点が180℃の半田を試料としてイオンミリング処理する場合を考える。イオンビーム照射により試料の温度が上昇するので、室温30℃から加工すると、試料温度が徐々に上昇し、150〜160℃に達した時点で変形・融解が発生する。そこで、試料を予め、室温−30℃まで冷却して加工すれば、前述の温度に達するまで長時間加工を続けることができる。この場合、ペルチェ素子8と温度制御装置15による温度制御が有効である。なお、大気側からガスラインを介して液体窒素により試料の温度を下げる手段では、温度制御のために比較的複雑な機器構成が必要となる。
2 試料台
3 試料ステージ
4 傾斜機構
5 編み線
6 樹脂チューブ
7 イオン液体
8 ペルチェ素子
9 放熱フィン
10 冷却ファン
11 試料板
12 シール
13 ハーメチックシール
14 熱電対
15 温度制御装置
16 ペルチェ素子電源ケーブル
17 イオン銃
18 真空容器
19 試料ステージ傾斜中心軸
Claims (4)
- 真空内でイオンビームを照射し、試料台に載置した試料を加工するイオンミリング装置であって、
前記試料および試料台からの熱を大気側に配置された冷却源に伝達する熱伝達手段を備え、
前記熱伝達手段は、樹脂チューブの内部に、イオン液体を充填した金属製の編み線が設置されることを特徴とするイオンミリング装置。 - さらに、前記冷却源に接続され、前記試料台を前記イオンビームの方向に対して傾斜させる傾斜機構を備え、
前記熱伝達手段は、前記試料台と前記傾斜機構とに接続されることを特徴とする請求項1記載のイオンミリング装置。 - 前記冷却源は、ペルチェ素子または液体窒素デュワーであることを特徴とする請求項1記載のイオンミリング装置。
- 前記樹脂チューブはポリテトラフルオロエチレン製であり、前記編み線は銅製であることを特徴とする請求項1記載のイオンミリング装置。
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