CN103314129B - 阴极 - Google Patents

Abstract

该阴极（120）用于成膜装置（100），包括：靶（C）、控制部（E）以及磁场生成部（H），所述靶（C）被设置在所述成膜空间（50）内，且具有：具有第一主面（104a、214a）、第二主面（104b、214b）、第一侧面（111）和第二侧面（112）的背板（104、214），第一母材（105），第二母材（106），以及从所述第一侧面（111）向所述第二侧面（112）贯通所述背板（104、214）的旋转轴（107）；所述控制部（E）使所述旋转轴（107）旋转，经由所述旋转轴（107）对所述靶（C）供给用于溅射的电力；所述磁场生成部（H）被设置在与从所述成膜空间（50）远离的所述背板（104、214）的面靠近的位置，以在所述第一母材（105）或所述第二母材（106）生成漏磁通。

Description

阴极

技术领域

本发明涉及被用于利用溅射法的成膜装置内的阴极。

本申请基于2011年4月15日申请的日本专利申请第2011-091188号主张优先权，在此援用其内容。

背景技术

在半导体器件领域或平板显示器(FPD)领域中，作为形成各种薄膜的装置，使用溅射装置。

一般的溅射装置中，在腔室内设置有溅射用的阴极，在减压的腔室内与安装在阴极的靶空开规定的间隔对置配置有被处理体。

接着，向腔室内导入惰性气体(例如，氩气)，对靶施加负电压，使其放电，使通过放电被离子化的惰性气体与靶碰撞。

而且，通过使从靶飞出的粒子附着于被处理体，进行成膜处理。

图4A是表示采用溅射法的、现有成膜装置600的一例(参照专利文献1)。

图4B是表示在图4A的多个腔室601的各个腔室中，靶及配置在其附近的部件C的放大图(参照专利文献2)。

如图4B所示，靶由背板604、以及配置在背板604的表面的母材605构成。对靶施加溅射电压的阴极主体610使用多个螺栓部件安装在靶上。

而且，阴极主体610经由绝缘板612使用多个螺栓部件被安装在配置于腔室601内的阴极安装凸缘611上。阴极安装凸缘611接地。

在背板604的内部设置有在母材605的表面上生成漏磁通的磁场生成部H。

另外，为了冷却靶，在背板604的内部设置有由导入冷却水的流路608a和导出冷却水的流路608b构成的循环流路。

背板604和阴极主体610被接地屏蔽601a覆盖。在接地屏蔽601a上形成有使靶露出于腔室内的空间(成膜空间)的开口。

接地屏蔽601a抑制面向成膜空间的部件之中、在靶以外的部件中产生的放电，通常在接地的状态下，使用多个螺栓部件安装于腔室(壁部)601。

但是，在使用溅射法的现有的成膜装置中，设置在一个腔室内的阴极具备的溅射用靶的母材的种类仅为一种。而且，在一个腔室中，仅进行使用一种母材的成膜处理。

因此，当连续进行多个种类的成膜时，需要使用与每个成膜的种类对应的单独的腔室，不得不设置多个空间以设置腔室。

另外，每当处理结束，都需要向进行下一处理的腔室搬送被处理体。因此，产生被处理体的搬送作业所需要的时间、以及伴随着将被处理体搬入或搬出腔室内的工序排出腔室内的气体的作业(工序)所需要的时间，从一个处理结束到下一处理开始的时间延长。作为其结果，进行成膜处理所需要的时间缩短。

专利文献1：特开2009-280834号公报

专利文献2：特开2003-328119号公报

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种用于利用溅射法的成膜装置内的，能够在一个腔室内连续进行两种不同的溅射处理的阴极。

本发明的一个方案的阴极，用于成膜装置，包括：靶、控制部以及磁场生成部，所述靶被设置在成膜空间内，且具有：具有第一主面、位于所述第一主面的相反侧的第二主面、第一侧面和位于所述第一侧面的相反侧的第二侧面的背板，被配置在所述第一主面的第一母材，被配置在所述第二主面的第二母材，以及从所述第一侧面向所述第二侧面贯通所述背板的旋转轴；所述控制部使所述旋转轴旋转，经由所述旋转轴对所述靶供给用于溅射的电力；所述磁场生成部被设置在与从所述成膜空间远离的所述背板的面靠近的位置(背板的非溅射处理面侧)且位于所述背板的外部，以在所述第一母材或所述第二母材生成漏磁通。所述磁场生成部，当漏磁通在所述第一母材生成时，被配置在靠近所述第二母材的位置，当漏磁通在所述第二母材生成时，被配置在靠近所述第一母材的位置。

在本发明的一个方案的阴极中，优选地，所述磁场生成部，当漏磁通在所述第一母材生成时，被配置在靠近所述第二母材的位置，当漏磁通在所述第二母材生成时，被配置在靠近所述第一母材的位置。

在本发明的一个方案的阴极中，优选地，所述磁场生成部具备：退避驱动部，当所述靶旋转时使所述磁场生成部退避到所述靶的旋转半径的外侧，当所述旋转结束时使所述磁场生成部返回原来的位置。

在本发明的一个方案的阴极中，优选地，所述磁场生成部具备：摆动驱动部，使所述磁场生成部在与所述靶的长度方向垂直的方向和与所述靶的长度方向平行的方向之中的至少一个方向上摆动。

在本发明的一个方案的阴极中，优选地，具备循环流路，被设置在所述背板的内部，并被形成在靠近所述第一主面或所述第二主面的位置且流动有冷却水。

在本发明的一个方案的阴极中，优选地，所述控制部通过所述旋转轴使冷却水在所述循环流路中循环。

在本发明的一个方案的阴极中，优选地，所述背板具有与所述第一侧面和所述第二侧面不同的第三侧面，在所述第三侧面经由绝缘部件配置有防着板。

本发明的一个方案的阴极具备在两个主面单独配置有母材的溅射用靶。而且，通过以从第一侧面向第二侧面贯通背板的方式设置的旋转轴，能够使靶旋转。

通过使靶(背板)旋转，能够在同一腔室内，变更(更换)与被处理体对置的主面(第一主面)和未与被处理体对置的主面(第二主面)。即，能够将背板的两个主面这两者用作溅射处理面，能够将配置在两个主面的母材这两者应用于溅射处理。

因此，通过在同一腔室内进行两种成膜工序，与每一种成膜工序使用单独的腔室的现有技术相比，能够减少设置成膜工序所需要的腔室的空间。

另外，在使用第一个母材(第一母材)进行第一成膜处理之后，无需向使用第二个母材(第一母材)进行第二成膜处理的腔室搬送被处理体。因此，不会产生如现有技术所示的被处理体的搬送作业所需要的时间，不会产生伴随着将被处理体搬入或搬出腔室内的工序排出腔室内的气体的作业(工序)所需要的时间。

因此，能够缩短从第一成膜处理(第一种成膜处理)结束到第二成膜处理(第二种成膜处理、下一成膜处理)开始的时间，与使用现有技术时相比能够延长设置进行成膜处理所需的时间。

附图说明

图1A是表示具备本发明的实施方式的阴极的成膜装置的剖视图。

图1B是表示连接于控制部的本发明的实施方式的阴极的立体图。

图1C是表示本发明的实施方式的阴极的图，是与旋转轴垂直的面对应的剖视图。

图2A是表示用于本发明的实施方式的靶的制造方法的工序图。

图2B是表示用于本发明的实施方式的靶的制造方法的工序图。

图2C是表示用于本发明的实施方式的靶的制造方法的工序图。

图2D是表示用于本发明的实施方式的靶的制造方法的工序图。

图2E是表示用于本发明的实施方式的靶的制造方法的工序图。

图2F是表示用于本发明的实施方式的靶的制造方法的工序图。

图3是表示在本发明的实施方式的变形例中使用的靶的图，是与旋转轴垂直的面对应的剖视图。

图4A是表示具备现有技术所涉及的阴极的成膜装置的剖视图。

图4B是表示现有技术所涉及的阴极的图，是与长度方向垂直的面对应的剖视图。

具体实施方式

下面，基于优选的实施方式，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在各图中，将各结构部件设为可在附图上识别的程度的大小，因此适当使各结构部件的尺寸和比率与实际有所不同。

<具备阴极的成膜装置的实施方式>

图1A是说明具备本发明的实施方式所涉及的阴极120的成膜装置100的结构的图。

成膜装置100由溅射用的腔室101和阴极120构成。

在腔室101的壁部附设有对腔室内进行排气的排气装置(排气部)P。

阴极120具有溅射用的靶C、与靶C连接的控制部E、以及磁场生成部H。

控制部E具有旋转驱动部、电力供给部以及冷却水循环部。旋转驱动部使靶C具备的旋转轴旋转。电力供给部对靶C施加用于溅射的电压(电力)，或使靶C接地。即，控制部E的电力供给部进行对于靶C的电力供给的切换。冷却水循环部对阴极120供给为控制靶C的温度而使用的冷却水，或从阴极120排出冷却水。

靶C在腔室101内被配置在与支撑被处理基板(被处理体)102的台(支撑台)103对置的位置。支撑台103通过接地部接地。

靶C由具有平坦的形状的背板104、被配置在背板104的第一主面104a(一个主面)的第一母材105、以及被配置在第二主面104b(另一个主面)的第二母材106构成。

作为构成背板104的材料，希望为具有高导电性、热传导性、低气体释放性的材料，主要使用铜或不锈钢。

作为第一母材105和第二母材106，使用金属或绝缘体等的、在被处理基板102形成的膜的材料。此外，第一母材105与第二母材106可以由相同材料构成，也可以由不同材料构成。

磁场生成部H被配置在从成膜空间50(进行溅射的区域)远离的位置且靠近背板104的面的位置(非溅射处理面侧)，以使靠近成膜空间50的所述背板的面(第一母材105或第二母材106)生成漏磁通。

在下面的说明中，背板104的“非溅射处理面”是指第一主面104a或第二主面104b，并载置有未用于溅射的母材(第一母材105或第二母材106)的主面。

另外，背板104的“溅射处理面”是指第一主面104a或第二主面104b，并载置有用于溅射的母材(第一母材105或第二母材106)且被配置在靠近成膜空间50的位置的主面。

这样的“非溅射处理面”和“溅射处理面”伴随着背板104的旋转而切换，当第一主面104a为非溅射处理面时，第二主面104b变为溅射处理面，当第一主面104a为溅射处理面时，第二主面104b变为非溅射处理面。

通过磁场生成部H生成的磁通量的一部分从非溅射处理面向溅射处理面贯通背板104，在配置于背板104的溅射处理面的母材(图1A～图1C中为第一母材105)的表面泄漏。

在磁通量泄漏的区域中，通过等离子体收集成束，母材被集中溅射，因此能够高速进行成膜。

当使用第一母材105进行溅射处理时，磁场生成部H被配置在靠近第二母材106的位置且远离靶C，在第一母材105的表面生成漏磁通。

另外，当使用第二母材106进行溅射处理时，磁场生成部H被配置在靠近第一母材105的位置且远离靶C，在第二母材105的表面生成漏磁通。

图1B是表示构成本发明的实施方式所涉及的阴极120的靶C的放大立体图。

背板104具有作为与其长度方向L平行的旋转轴的旋转轴107。旋转轴107从背板104的第一侧面111(一个侧面)向第二侧面112(另一个侧面)贯通背板104。旋转轴107与控制部E电连接，使用控制部E进行旋转。

而且，与旋转轴107的旋转联动，背板104旋转。为了实现稳定的旋转，希望旋转轴与背板104的重心一致地贯通。

当进行溅射处理时，磁场生成部H希望被配置在靠近靶C的位置，但为了使靶C旋转，需要在磁场生成部H与背板104之间空开距离以便不妨碍靶C的旋转。

因此，本发明的实施方式所涉及的磁场生成部H具备退避驱动部H1。退避驱动部H1为控制磁场生成部H的位置的装置，通常使磁场生成部H配置在靠近靶C的位置。另外，当靶C旋转时，退避驱动部H1使磁场生成部H退避到靶C的旋转半径的外侧。另外，退避驱动部H1在靶C的旋转结束之后，使靶C返回通常的位置(靠近靶C的位置、靶C的旋转半径的内侧)。

此外，本发明的实施方式所涉及的磁场生成部H通常也可以位于靶C的旋转半径的外侧。在这种情况下，也可以仅在溅射处理中，退避驱动部H1使磁场生成部H移动到靠近靶C的位置，且在溅射处理结束之后，退避驱动部H1使磁场生成部H返回通常的位置。

另外，磁场生成部H具备摆动驱动部H2。摆动驱动部H2使磁场生成部H在相对于背板104的主面(104a、104b)平行的方向上摆动。另外，摆动驱动部H2在与靶C的长度方向L垂直的方向和与靶C的长度方向L平行的方向的至少一个方向上使磁场生成部H摆动。

通过该摆动，能够使由磁场生成部H生成的磁通量在配置于靠近溅射处理面的位置的母材的表面均匀地泄漏。

通过使漏磁通均匀地发生，在母材的表面中等离子体收集成束的区域被均匀的形成。

因此，通过溅射处理在母材表面产生的侵蚀被均匀化，能够提高靶C的利用效率。

而且，能够对被处理基板102的表面，进行提高了面内分布的均匀性的成膜处理。

图1C是表示构成图1B所示的本发明的实施方式所涉及的阴极的靶C的图，是与靶C的长度方向L垂直的面对应的剖视图。

在背板104内形成有循环流路(第一循环流路和第二循环流路)，循环流路被形成在靠近第二主面104b的位置(附近)，并且由流路108a和108b构成。在循环流路中流动有冷却水。

冷却水在流路108a和108b之中，从一者导入，从另一者导出。通过在循环流路108a和108b中流动冷却水(制冷剂)，能够抑制溅射处理中的第一母材105和第二母材106的温度上升。

如图1B和图1C所示，旋转轴107与控制部E连接。

对背板104施加的溅射电压从控制部E经由设置在旋转轴107内的电力供给线对背板104供给。

另外，流过循环流路108a、108b的冷却水从控制部E经由设置在旋转轴107内的冷却水的供给和排出用线，被供给到循环流路。

如图1B和图1C所示，在与背板104的长度方向L平行的第三侧面113设置有防着板109。

防着板109接地，防止在溅射处理中产生的粒子绕进背板的侧面。

另外，在防着板109与背板104之间配置有绝缘部件109a，绝缘部件109a防止因在溅射时供给的电压导致防着板109发生损坏。

本发明的实施方式所涉及的阴极具备分别设置在背板104的两个主面并配置有母材的溅射用靶。

而且，该阴极通过从第一侧面111向第二侧面112贯通靶的旋转轴，能够使靶旋转。

通过使靶旋转，能够在同一腔室内，变更(交换)与被处理体对置的主面(第一主面)和未与被处理体对置的主面(第二主面)。即，能够将背板的两个主面这两者用作溅射处理面，能够将配置在两个主面的母材这两者应用于溅射处理。

因此，通过在同一腔室内进行两种成膜工序，与每一种成膜工序使用单独的腔室的现有技术相比，能够减少设置成膜工序所需要的腔室的空间。

另外，在使用第一个母材(第一母材)进行第一成膜处理之后，无需向使用第二个母材(第一母材)进行第二成膜处理的腔室搬送被处理体。因此，不会产生如现有技术所示的被处理体的搬送作业所需要的时间，不会产生伴随着将被处理体搬入或搬出腔室内的工序排出腔室内的气体的作业(工序)所需要的时间。

所以，能够缩短从第一成膜处理结束到第二成膜处理(下一成膜处理)开始的时间，与使用现有技术时相比能够延长设置进行成膜处理所需的时间。

另外，在本发明的实施方式的结构中，磁场生成部H并不设置在背板104的内部，而是被配置在与背板104分离的位置。因此，仅使用一个磁场生成部H，就能够在两个母材各自的表面生成漏磁通。

另外，第二母材106与第一母材105由相同材料构成时，与如现有的使用仅配置在背板的一个主面的母材时相比，能够延长每个靶的使用期限。

据此，能够减少母材的更换次数，能够减少伴随着更换发生的、排出腔室内的气体的作业(工序)的次数。

另外，第一母材105和第二母材106分别由在被处理基板102上形成的形成层压膜的下层和上层的材料构成时，仅使用一个靶，就能够连续进行两个成膜处理。

而且，通过在同一腔室内进行连续的两个成膜处理，不需要在第一母材105的成膜工序与第二母材106的成膜工序之间进行的、排出腔室内的气体的工序以及被处理基板的搬送等的作业(工序)，能够缩短这种作业(工序)所需要的时间。

<靶的制造方法的实施方式>

使用图2A至图2F所示的工序图，对具备上述本发明的实施方式的结构的靶的制造方法进行说明。

首先，在图2A所示的第一工序中，将第一母材105与背板104的第一主面104a对置配置，将第二母材106与背板104的第二主面104b对置配置。

接着，在图2B所示的第二工序中，使用第一粘接部件(未图示)，将第一母材105与背板104的第一主面104a接合。

更具体而言，在形成接合面的背板104的第一主面104a涂布第一粘接部件，以熔点以上的温度加热背板104和第一粘接部件并使其熔化。

而且，在熔化的第一粘接部件上配置第一母材105，在第一母材105与背板104之间夹着熔化的第一粘接部件的状态下冷却至室温。

作为在该工序中使用的第一粘接部件，希望为低熔点金属，例如使用铟。

在第二工序中，背板104与第一母材105在高温状态下被接合，保持接合的状态被冷却至室温。

而且，伴随着冷却，背板104被压缩。

此时，由于仅在第一主面104a接合第一母材105，因此第一主面104a中的背板104的压缩率与第二主面104b中的背板104的压缩率不同。

因此，背板104在第一主面104a或第二主面104b中具有凸状地产生弯曲的形状。

在图2B中，表示了背板104在第一主面104a产生凸状的弯曲的例子，根据构成背板104与第一母材105的材料的组合，也会在第二主面104b产生凸状的弯曲。

接着，在图2C所示的第三工序中，对因第一母材105与背板104的接合而弯曲的背板104进行整形，使其成为平坦的形状。

对背板104进行整形的方法并不限定为特定的方法，但在本实施方式中，使用在与产生弯曲的方向相反的方向上对背板104的第二主面104b施加压力而机械地矫正的方法。

接着，在图2D所示的第四工序中，使用第二粘接部件(未图示)，将第二母材106与背板104的第二主面104b接合。

更具体而言，在形成接合面的背板104的第二主面104b涂布第二粘接部件，以熔点以上的温度加热背板104和第二粘接部件并使其熔化。

而且，在熔化的第二粘接部件上配置第二母材106，在第二母材106与背板104之间夹着熔化的第二粘接部件的状态下冷却至室温。

作为在该工序中使用的第二粘接部件，希望为低熔点金属，例如使用铟。

在第四工序中，背板104与第二母材106在高温状态下被接合，并保持接合的状态被冷却至室温。

而且，伴随着冷却，背板104被压缩。

此时，由于在第一主面104a接合第一母材105，在第二主面104b接合第二母材106，因此第一主面104a中的背板104的压缩率与第二主面104b中的背板104的压缩率不同。

因此，背板104在第一主面104a或第二主面104b中具有凸状地产生弯曲的形状。

因此，在图2E所示的第五工序中，对因第二母材106与背板104的接合而弯曲的背板104进行整形，使其成为平坦的形状。

对背板104进行整形的方法并不限定为特定的方法，但在本实施方式中，使用在与产生弯曲的方向相反的方向上对背板104施加压力而机械地矫正的方法。

而且，在图2F所示的第六工序中，通过在与背板104的长度方向L平行的侧面，使用绝缘性的粘接部件(绝缘部件)109a接合防着板109，形成本发明的实施方式的靶。

在此，表示了对背板104以第一母材105、第二母材106的顺序接合的例子，但接合的顺序也可以相反，或者也可以为在背板104的两面同时粘接第一母材105和第二母材106后，机械地矫正的方法。

根据上述本发明的实施方式的靶的制造方法，无需如使用螺栓或夹具等固定部件将母材固定于背板的情况，在母材上设置固定区域。

因此，能够将被配置在背板104的各个主面的第一母材105和第二母材106的全部区域用于溅射。

另外，在本发明的实施方式的靶的制造方法中，使母材与背板的第一主面104a或第二主面104b接合后，因接合而弯曲的背板被整形为平坦的形状。

因此，能够制造分别在背板的两个主面单独接合有表面为平坦的形状的母材的靶。

据此，由于平行地配置母材与被处理基板，因此能够使从母材飞出的溅射粒子均匀地附着在被处理基板的处理面内而成膜。

此外，在图2A至图2F中，作为例子表示了使用粘接部件，将第一母材105和第二母材106与背板104的各个主面接合的方法。作为其他例子，还具有使用螺栓或夹具等固定用部件，将第一母材105和第二母材106与背板104的各个主面固定的方法。

当使用螺栓或夹具等固定用部件时，不会产生因第一母材105与背板的热膨胀率差或第二母材106与背板的热膨胀率差引起的弯曲。

因此，不需要相当于上述第二工序和第四工序的工序，能够以更简化的工序制造靶。

<变形例>

图3是表示靶的变形例的图，是与旋转轴垂直的面对应的剖视图。

上述实施方式的背板104由单板形成，与此相对，变形例的背板214由两张板(背板)204和211叠合的胶合板构成。

在背板214的内部设置有形成在靠近作为背板的最外面的第一主面214a的位置，并流动有冷却水的循环流路208a、208b；以及形成在靠近作为背板的最外面的第二主面214b的位置，并流动有冷却水的循环流路213a、213b。

在变形例中，靶的其他结构与本发明的实施方式的结构相同。在图3中，对与上述实施方式相同的部件标注相同符号，省略或简化其说明。

在本发明的实施方式的结构中，冷却水的循环流路108a、108b在背板104内，形成在靠近第一主面104a和第二主面104b的任一个的位置。

与此相对，在变形例的结构中，冷却水的循环流路208a、208b在背板214内，形成在靠近第一主面214a和第二主面214b这两者的位置。

因此，根据变形例的结构，能够得到具有冷却第一母材205和第二母材212这两者的高冷却功能的靶。

在靶的变形例中，分别在作为背板的最外面的两个主面配置有用于溅射的母材。

因此，能够在腔室内使用被配置在第一主面214a的第一母材205进行溅射处理之后，反转靶，使用被配置在第二主面214b的第二母材212进行溅射处理。

因此，当第二母材212由与第一母材205相同的材料构成时，与现有的使用仅配置在背板的一个主面的母材时相比，能够延长每个靶的使用期限。

据此，能够减少母材的交换次数，并能够减少伴随着交换发生的、排出腔室内的气体的作业(工序)的次数。

另外，第一母材205和第二母材212分别由形成在被处理基板上的形成层压膜的下层和上层的材料构成时，仅使用一个靶，就能够连续进行两个成膜处理。

而且，通过在同一腔室内进行连续的两个成膜处理，不需要在使用第一母材205的成膜工序与使用第二母材212的成膜工序之间进行的、排出腔室内的气体的工序以及被处理基板的搬送等的作业(工序)，能够缩短这种作业(工序)所需要的时间。

<靶的制造方法的变形例>

对具备上述变形例的结构的靶的制造方法的一例进行说明。

首先，在第一工序中，使用第一粘接部件，将第一母材205与背板204的第一主面204a接合。

更具体而言，在形成接合面的背板204的第一主面104a涂布第一粘接部件，以熔点以上的温度加热背板204和第一粘接部件并使其熔化。

而且，在熔化的第一粘接部件上配置第一母材205，在第一母材205与背板204之间夹着熔化的第一粘接部件的状态下冷却至室温。

作为在该工序中使用的第一粘接部件，希望为低熔点金属，例如使用铟。

在第一工序中，背板204与第一母材205在高温状态下被接合，并保持接合的状态被冷却至室温。

而且，伴随着冷却，背板204被压缩。

此时，由于仅在第一主面104a接合第一母材205，因此第一主面204a中的背板204的压缩率与第二主面204b中的背板204的压缩率不同。

因此，背板204在第一主面204a或第二主面204b中具有凸状地产生弯曲的形状。

接着，在第二工序中，对因第一母材205与背板204的接合而弯曲的背板204进行整形，使其成为平坦的形状。

对背板204进行整形的方法并不限定为特定的方法，在本变形例中，使用在与产生弯曲的方向相反的方向上对背板204施加压力而机械地矫正的方法。

接着，在第三工序中，使用第二粘接部件，将第二母材212与背板211的第一主面211a接合。

更具体而言，在形成接合面的背板211的第一主面211a涂布第二粘接部件，以熔点以上的温度加热背板211和第二粘接部件并使其熔化。

而且，在熔化的第二粘接部件上配置第二母材212，在第二母材212与背板211之间夹着熔化的第二粘接部件的状态下冷却至室温。

作为在该工序中使用的第二粘接部件，希望为低熔点金属，例如使用铟。

接着，在第四工序中，对因背板211与第二母材212的接合而弯曲的背板211进行整形，使其成为平坦的形状。

对背板211进行整形的方法并不限定为特定的方法，在本变形例中，使用在与产生弯曲的方向相反的方向上对背板211施加压力而机械地矫正的方法。

接着，在第五工序中，以背板204的第二主面204b与背板211的第二主面211b彼此面对的方式，使背板204与背板211一体化。

作为使两个背板一体化的方法，例如可以举出在主面204b与主面211b之间配置粘接部件，接合两块板的方法。或者，具有在使主面204b与主面211b重合的状态下，通过螺栓或夹具等固定用部件固定两块板的方法。

接着，在第六工序中，通过在与背板214的长度方向平行的侧面(第三侧面113)使用绝缘性的粘接部件(绝缘部件)209a接合防着板209，形成靶的变形例。

此外，第一工序至第二工序与第三工序至第四工序可以交换顺序进行，也可以同时进行。

另外，靶的变形例通过使两块板204和211叠合而预先形成背板214，然后，与本发明的实施方式中的背板104相同，通过使用上述的靶的制造方法也可形成。

根据上述靶的制造方法的变形例，无需如使用螺栓或夹具等固定部件将母材固定于背板的情况，在母材上设置固定区域。

因此，能够将配置在背板214的各个主面的第一母材205和第二母材212的全部区域用于溅射。

另外，在靶的制造方法的变形例中，使母材与背板的第一主面214a或第二主面214b接合之后，将因接合而弯曲的背板整形为平坦的形状。

因此，能够制造分别在背板的两个主面单独接合有表面为平坦的形状的母材的靶。

据此，由于平行地配置母材与被处理基板，因此能够使从母材飞出的溅射粒子均匀地附着在被处理基板的处理面内而成膜。

本发明能够广泛地应用于对被处理体进行利用溅射法的成膜工序的情况。

符号说明

100…成膜装置             104…背板

104a、104b…主面          105…第一母材

106…第二母材             107…旋转轴

108a、108b…流路          109…防着板

109a…绝缘部件            120…阴极

C…靶                     E…控制部

H…磁场生成部             L…长度方向

Claims (7)

1.一种阴极，用于成膜装置，所述阴极的特征在于，包括：靶、控制部以及磁场生成部，

所述靶被设置在成膜空间内，且具有：具有第一主面、位于所述第一主面的相反侧的第二主面、第一侧面和位于所述第一侧面的相反侧的第二侧面的背板，被配置在所述第一主面的第一母材，被配置在所述第二主面的第二母材，以及从所述第一侧面向所述第二侧面贯通所述背板的旋转轴；

所述控制部使所述旋转轴旋转，经由所述旋转轴对所述靶供给用于溅射的电力；

所述磁场生成部被设置在与从所述成膜空间远离的所述背板的面靠近的位置且位于所述背板的外部，以在所述第一母材或所述第二母材生成漏磁通，

所述磁场生成部，当漏磁通在所述第一母材生成时，被配置在靠近所述第二母材的位置，当漏磁通在所述第二母材生成时，被配置在靠近所述第一母材的位置。

2.根据权利要求1所述的阴极，其特征在于，所述磁场生成部具备：退避驱动部，当所述靶旋转时使所述磁场生成部退避到所述靶的旋转半径的外侧，当所述旋转结束时使所述磁场生成部返回原来的位置。

3.根据权利要求1所述的阴极，其特征在于，所述磁场生成部具备：摆动驱动部，使所述磁场生成部在与所述靶的长度方向垂直的方向和与所述靶的长度方向平行的方向之中的至少一个方向上摆动。

4.根据权利要求2所述的阴极，其特征在于，所述磁场生成部具备：摆动驱动部，使所述磁场生成部在与所述靶的长度方向垂直的方向和与所述靶的长度方向平行的方向之中的至少一个方向上摆动。

5.根据权利要求1所述的阴极，其特征在于，具备：循环流路，被设置在所述背板的内部，并形成在靠近所述第一主面或所述第二主面的位置且流动有冷却水。

6.根据权利要求5所述的阴极，其特征在于，所述控制部通过所述旋转轴使冷却水在所述循环流路中循环。

7.根据权利要求1所述的阴极，其特征在于，所述背板具有与所述第一侧面和所述第二侧面不同的第三侧面，在所述第三侧面经由绝缘部件配置有防着板。