JP5509469B1 - 高周波スイッチ回路 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
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Abstract
【解決手段】本発明は、第1信号ポートと接続された第1ノードと共通ポートと接続された共通ノードとの間に連結され、ローレベルまたはハイレベルを有する第1制御信号によって動作する第1スイッチ回路部と、第2信号ポートと接続された第2ノードと上記共通ノードとの間に連結され、上記第1制御信号との逆位相を有する第2制御信号によって動作する第2スイッチ回路部と、上記第2ノードと共通ソースノードとの間に連結され、上記第1制御信号によって動作する第1シャント回路部と、上記第1ノードと共通ソースノードとの間に連結され、上記第2制御信号によって動作する第2シャント回路部と、上記共通ソースノードに提供するソース電圧を生成するソース電圧生成部と、を含み、上記ソース電圧は、上記第1制御信号のハイレベル未満であり、接地電位を超過する。
【選択図】図1
Description
120 第2スイッチ回路部
210 第1シャント回路部
220 第2シャント回路部
300 ソース電圧生成部
310 第1電圧選択部
320 第2電圧選択部
330 電圧維持部
PT1 第1信号ポート
N1 第1ノード
PTcom 共通ポート
SC10 第1制御信号
SC20 第2制御信号
Claims (9)
- 第1信号ポートと接続された第1ノードと共通ポートと接続された共通ノードとの間に連結され、ローレベルまたはハイレベルを有する第1制御信号によって動作する第1スイッチ回路部と、
第2信号ポートと接続された第2ノードと前記共通ノードとの間に連結され、前記第1制御信号との逆位相を有する第2制御信号によって動作する第2スイッチ回路部と、
前記第2ノードと共通ソースノードとの間に連結され、前記第1制御信号によって動作する第1シャント回路部と、
前記第1ノードと共通ソースノードとの間に連結され、前記第2制御信号によって動作する第2シャント回路部と、
前記共通ソースノードに提供するソース電圧を生成するソース電圧生成部と、を含み、
前記ソース電圧生成部は、前記第1制御信号及び前記第2制御信号のうちローレベルである制御信号の電圧レベルを有し、接地電位を超過する前記ソース電圧を前記共通ソースノードに提供する、高周波スイッチ回路。 - 第1信号ポートと接続された第1ノードと共通ポートと接続された共通ノードとの間に接続された少なくとも一つのスイッチングトランジスタを含み、第1制御信号によって動作する第1スイッチ回路部と、
第2信号ポートと接続された第2ノードと前記共通ノードとの間に接続された少なくとも一つのスイッチングトランジスタを含み、第2制御信号によって前記第1スイッチ回路部とは相補的にスイッチング動作を行う第2スイッチ回路部と、
前記第2ノードと共通ソースノードとの間に接続された少なくとも一つのシャントトランジスタを含み、前記第1制御信号によって動作する第1シャント回路部と、
前記第1ノードと共通ソースノードとの間に接続された少なくとも一つのシャントトランジスタを含み、前記第2制御信号によって前記第1シャント回路部とは相補的にスイッチング動作を行う第2シャント回路部と、
前記共通ソースノードに提供するソース電圧を生成するソース電圧生成部と、を含み、
前記ソース電圧は、前記シャントトランジスタの閾値電圧(threshold voltage)未満であり、前記シャントトランジスタのサブ閾値電圧(subーthreshold voltage)以上である、高周波スイッチ回路。 - 前記ソース電圧は、
前記第1制御信号及び前記第2制御信号のうちローレベルである制御信号の電圧レベルである、請求項2に記載の高周波スイッチ回路。 - 前記ソース電圧生成部は、
前記第1制御信号及び前記第2制御信号のうちローレベルである制御信号の電圧レベルを有する前記ソース電圧を前記共通ソースノードに提供する、請求項2に記載の高周波スイッチ回路。 - 前記ソース電圧生成部は、
前記第1制御信号がローレベルである場合は、前記第1制御信号の電圧レベルを有する前記ソース電圧を前記共通ソースノードに提供し、前記第2制御信号がローレベルの場合は、前記第2制御信号の電圧レベルを有する前記ソース電圧を前記共通ソースノードに提供する、請求項1または2に記載の高周波スイッチ回路。 - 前記ソース電圧生成部は、
前記第2制御信号がハイレベルであるとき、前記第1制御信号を前記ソース電圧として前記共通ソースノードに提供する第1電圧選択部と、
前記第1制御信号がハイレベルであるとき、前記第2制御信号を前記ソース電圧として前記共通ソースノードに提供する第2電圧選択部と、
前記共通ソースノードの電圧を維持する電圧維持部と、を含む、請求項1または2に記載の高周波スイッチ回路。 - 前記ソース電圧生成部は、
前記第2制御信号がハイレベルであるときにオン状態になって、前記第1制御信号を前記共通ソースノードに提供する少なくとも一つのトランジスタを含む第1電圧選択部と、
前記第1制御信号がハイレベルであるときにオン状態になって、前記第2制御信号を前記共通ソースノードに提供する少なくとも一つのトランジスタを含む第2電圧選択部と、
前記共通ソースノードと接地との間に連結され、前記ソース電圧を充電する電圧維持部と、を含む、請求項1または2に記載の高周波スイッチ回路。 - 前記ソース電圧生成部は、
前記第1制御信号の入力端と前記共通ソースノードとの間に連結された第1トランジスタを含み、前記第1トランジスタは前記第2制御信号がハイレベルであるときにオン状態になる第1電圧選択部と、
前記第2制御信号の入力端と前記共通ソースノードとの間に連結された第2トランジスタを含み、前記第2トランジスタは前記第1制御信号がハイレベルであるときにオン状態になる第2電圧選択部と、
前記共通ソースノードと接地との間に連結され、前記ソース電圧を充電するキャパシタを含む電圧維持部と、を含む、請求項1または2に記載の高周波スイッチ回路。 - 前記ソース電圧生成部は、
前記第1制御信号の入力端と前記共通ソースノードとの間に、スタック構造で配列された複数のトランジスタを有する第1トランジスタグループを含み、前記第1トランジスタグループは前記第2制御信号がハイレベルであるときにオン状態になる第1電圧選択部と、
前記第2制御信号の入力端と前記共通ソースノードとの間に、スタック構造で配列された複数のトランジスタを有する第2トランジスタグループを含み、前記第2トランジスタグループは前記第1制御信号がハイレベルであるときにオン状態になる第2電圧選択部と、
前記共通ソースノードと接地との間に連結され、前記ソース電圧を充電するキャパシタを含む電圧維持部と、を含む、請求項1または2に記載の高周波スイッチ回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2012-0151457 | 2012-12-21 | ||
KR1020120151457A KR101452072B1 (ko) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 고주파 스위치 회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5509469B1 true JP5509469B1 (ja) | 2014-06-04 |
JP2014123933A JP2014123933A (ja) | 2014-07-03 |
Family
ID=50956859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013032465A Expired - Fee Related JP5509469B1 (ja) | 2012-12-21 | 2013-02-21 | 高周波スイッチ回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8970279B2 (ja) |
JP (1) | JP5509469B1 (ja) |
KR (1) | KR101452072B1 (ja) |
CN (1) | CN103888119B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015076839A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | 株式会社東芝 | シャントスイッチ |
KR101616608B1 (ko) * | 2014-01-28 | 2016-04-28 | 삼성전기주식회사 | 고주파 스위치 회로 및 전자기기 |
KR101642584B1 (ko) * | 2014-08-14 | 2016-07-25 | 삼성전기주식회사 | 고주파 스위치 회로 |
CN106470026B (zh) * | 2015-08-18 | 2021-01-26 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种射频开关电路和射频链路 |
CN106656126A (zh) * | 2015-10-28 | 2017-05-10 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 负电压产生电路、射频开关系统和射频开关电路控制方法 |
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TWI647909B (zh) * | 2018-01-19 | 2019-01-11 | 立積電子股份有限公司 | 開關裝置 |
CN112688712B (zh) * | 2019-10-17 | 2022-07-19 | 立积电子股份有限公司 | 射频装置及其电压产生装置 |
KR20230103356A (ko) * | 2021-12-31 | 2023-07-07 | 삼성전기주식회사 | Rf 스위치 회로 및 그 동작 방법 |
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Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2005006072A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ装置および半導体装置 |
TW200620822A (en) * | 2004-12-08 | 2006-06-16 | Airoha Tech Corp | Switching circuits |
JP2007259112A (ja) | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ回路および半導体装置 |
JP2010233207A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-10-14 | Panasonic Corp | 高周波スイッチ回路及び半導体装置 |
JP4903845B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2012-03-28 | 株式会社東芝 | 半導体スイッチ |
-
2012
- 2012-12-21 KR KR1020120151457A patent/KR101452072B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-02-21 JP JP2013032465A patent/JP5509469B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-27 US US13/779,675 patent/US8970279B2/en active Active
- 2013-03-04 CN CN201310068067.4A patent/CN103888119B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014123933A (ja) | 2014-07-03 |
US8970279B2 (en) | 2015-03-03 |
US20140176225A1 (en) | 2014-06-26 |
KR101452072B1 (ko) | 2014-10-16 |
KR20140081564A (ko) | 2014-07-01 |
CN103888119A (zh) | 2014-06-25 |
CN103888119B (zh) | 2017-08-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140304 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5509469 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |