JP5507278B2 - マシナブルセラミックス回路基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施例1に係るマシナブルセラミックス回路基板の製造方法を示す工程図であり、図1(A)は、マシナブルセラミックス基板の配線面に配線基材を接着シート部材で接合した接合工程を示す断面図、図1(B)は、接合後の配線基材に所定の配線パターンのエッチング処理を施して配線部を形成した配線形成工程を示すマシナブルセラミックス回路基板の断面図である。
実施例1に係る回路基板の製造方法は、図1に示すように、接合工程(図1(A)参照)と、配線形成工程(図1(B)参照)と、を備える。
図2は、実施例2に係るマシナブルセラミックス回路基板の製造方法を示す工程図であり、図2(A)は、マシナブルセラミックス基板の両側面に配線基材を接着シート部材でそれぞれ接合した接合工程を示す断面図、図2(B)は、回路基板に貫通孔を形成した貫通孔形成工程を示す断面図、図2(C)は、回路基板を銅メッキした導通接続工程を示す断面図、図2(D)は、各導体層に所定の配線パターンのエッチング処理を施して配線部をそれぞれ形成した配線形成工程を示す断面図である。
次に、実施例2に係るマシナブルセラミックス回路基板の製造方法について説明する。
実施例2に係るマシナブルセラミックス回路基板の製造方法は、図2に示すように、接合工程(図2(A)参照)と、貫通孔形成工程(図2(B)参照)と、導通接続工程(図2(C)参照)と、配線形成工程(図2(D)参照)と、を備える。
この導通接続は、貫通孔35,37形成後の第2の回路基板半製品20Bに積層形成した金属メッキ層26で行われる。この金属メッキ層26は、各配線基材24の表面に銅等の金属メッキを施して積層され、導体積層28が形成される。すなわち、前記金属メッキによって前記貫通孔35,37の内周面が金属メッキ層26で覆われ、前記導通接続が実現し、第3の回路基板半製品20Cとなる。
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは技術思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うマシナブルセラミックス回路基板及びその製造方法もまた、本発明における技術的範囲の射程に包含されるものである。
11,21 基板
13,24 配線基材(導体層)
13a,13b,23,25,27 配線部
15,31,33 接着シート部材
26 金属メッキ層
35,37 貫通孔
35a,37a 導通接続部
Claims (6)
- マシナブルセラミックスで形成された基板の配線面に配線部を接合してなるマシナブルセラミックス回路基板であって、
前記基板の配線面と前記配線部との間を接合する接着シート部材を備え、
前記基板を形成するマシナブルセラミックスは、体積含有率70〜90体積%のマイカと、体積含有率10〜30体積%の二酸化ケイ素とを含む混合物を焼結して前記マイカを一方向に配向させた構成である、
ことを特徴とするマシナブルセラミックス回路基板。 - マシナブルセラミックスで形成された基板の表裏の各配線面に各配線部を接合してなるマシナブルセラミックス回路基板であって、
前記各配線面と前記各配線部との各間を接合する各接着シート部材と、
前記基板を貫通して前記各配線部に亘る貫通孔と、
前記貫通孔を通して前記各配線部間を導通接続する導通接続部とを備え、
前記基板を形成するマシナブルセラミックスは、体積含有率70〜90体積%のマイカと、体積含有率10〜30体積%の二酸化ケイ素とを含む混合物を焼結して前記マイカを一方向に配向させた構成である、
ことを特徴とするマシナブルセラミックス回路基板。 - 請求項1又は2記載のマシナブルセラミックス回路基板であって、
前記配線部は、前記配線面に規定の配線間隔又は配線位置で配線され、
前記接着シート部材は、前記配線部側の面方向の伸縮が前記基板側で拘束される肉厚に設定され、
前記規定の配線間隔又は配線位置を許容値内に保持する、
ことを特徴とするマシナブルセラミックス回路基板。 - 請求項3記載のマシナブルセラミックス回路基板であって、
前記基板の熱膨張係数は5ppm/°C以下であり、
前記接着シート部材の肉厚は30μm以下である、
ことを特徴とするマシナブルセラミックス回路基板。 - マシナブルセラミックスで形成された基板の配線面に配線部を接合してなるマシナブルセラミックス回路基板の製造方法であって、
前記基板を、体積含有率70〜90体積%のマイカと体積含有率10〜30体積%の二酸化ケイ素とを含む混合物を焼結して前記マイカを一方向に配向させたマシナブルセラミックスで形成し、
前記配線面に前記配線部を形成するための導体層を接着シート部材で接合する接合工程と、
前記接合後の導体層に所定の配線パターンでエッチング処理を施し前記配線部を形成する配線形成工程と、
を備えたことを特徴とするマシナブルセラミックス回路基板の製造方法。 - マシナブルセラミックスで形成された基板の表裏の各配線面に各配線部を接合してなるマシナブルセラミックス回路基板の製造方法であって、
前記基板を、体積含有率70〜90体積%のマイカと体積含有率10〜30体積%の二酸化ケイ素とを含む混合物を焼結して前記マイカを一方向に配向させたマシナブルセラミックスで形成し、
前記各配線面に前記各配線部を形成するための各導体層を各接着シート部材でそれぞれ接合する接合工程と、
前記基板を貫通して前記各導体層に亘る貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記各導体層間を導通接続する導通接続工程と、
前記各導体層に所定の配線パターンのエッチング処理を施して前記各配線部をそれぞれ形成する配線形成工程と、
を備えたことを特徴とするマシナブルセラミックス回路基板の製造方法。
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