光部品支持基板を構成する基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板または金属基板が使用可能であるが、特にセラミック基板が好ましい。樹脂基板に比較して熱伝導性の高いセラミック基板を用いた場合には、発生した熱が効率よく放散される。そのため、放熱性の悪化に起因する発光波長のズレが回避され、動作安定性・信頼性に優れた光部品支持基板を実現することができる。かかるセラミック基板の好適例を挙げると、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ほう素、ベリリア、ムライト、低温焼成ガラスセラミック、ガラスセラミック等からなる基板がある。これらの中でもアルミナや窒化アルミニウムからなる基板を選択することが特に好ましい。
また、樹脂基板の好適例としては、例えば、EP樹脂(エポキシ樹脂)、PI樹脂(ポリイミド樹脂)、BT樹脂(ビスマレイミド−トリアジン樹脂)、PPE樹脂(ポリフェニレンエーテル樹脂)等からなる基板を挙げることができる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。金属基板の好適例としては、例えば、銅基板、銅合金からなる基板、銅以外の金属単体からなる基板、銅以外の合金からなる基板などを挙げることができる。
かかる基板は、絶縁層と導体層(金属配線層)とを備えた配線基板であることがよい。前記導体層は基板表面に形成されていてもよく、基板内部に形成されていてもよい。これらの導体層の層間接続を図るために、基板内部にビアホール導体が形成されていてもよい。なお、かかる導体層やビアホール導体は、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)などからなる導電性金属ペーストを印刷または充填することにより形成される。そして、このような導体層には電気信号が流れるようになっている。なお、このような配線基板に加えて、例えば、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層を、基板上に備えるビルドアップ配線基板を用いることも許容される。
前記基板は主面を有するとともに、少なくとも前記主面側において開口する第1凹部を有している。従って、かかる第1凹部は主面側においてのみ開口する(即ち開口部を1つ有する)非貫通穴であってもよいほか、主面とは反対側の面側においても開口する(即ち開口部を2つ有する)貫通穴であっても構わない。第1凹部の大きさ、形状等については特に限定されず、後述する第2凹部被形成部が形成可能かつ位置合わせ用ガイド部材が支持可能な程度であればよい。
本発明の光部品支持基板は光学素子を備えていてもよい。ただし、本発明において光学素子は任意の構成要素である。前記光学素子は例えば基板の主面上に1つまたは2つ以上搭載される。その搭載方法としては、例えば、ワイヤボンディングやフリップチップボンディング等の手法、異方導電性材料を用いた手法などを採用することができる。発光部を有する光学素子(即ち発光素子)としては、例えば、発光ダイオード(Light Emitting Diode;LED)、半導体レーザダイオード(Laser Diode ;LD)、面発光レーザ(Vertical Cavity Surface Emitting Laser;VCSEL)等を挙げることができる。これらの発光素子は、入力した電気信号を光信号に変換した後、その光信号を所定部位に向けて発光部から出射する機能を備えている。一方、受光部を有する光学素子(即ち受光素子)としては、例えば、pinフォトダイオード(pin Photo Diode;pin PD)、アバランシェフォトダイオード(APD)等を挙げることができる。これらの受光素子は、光信号を受光部にて入射し、その入射した光信号を電気信号に変換して出力する機能を有している。なお、前記光学素子は発光部及び受光部の両方を有するものであってもよい。前記光学素子に使用する好適な材料としては、例えば、Si、Ge、InGaAs、GaAsP、GaAlAsなどを挙げることができる。このような光学素子(特に発光素子)は、動作回路によって動作される。光学素子及び動作回路は、例えば、基板に形成された導体層(金属配線層)を介して電気的に接続されている。
本発明の光部品支持基板と位置合わせされる光部品は、光伝送機能、集光機能及び光反射機能のうちの少なくとも1つを有している。具体例を挙げると、光伝送機能を有する光部品としては、例えば光導波路や光ファイバなどがある。なお、光導波路を支持する基材も、光伝送機能を有する光部品に該当する。光ファイバと光ファイバを支持する光ファイバコネクタとからなる光部品も、光伝送機能を有する光部品に該当する。集光機能を有する光部品としては、例えばマイクロレンズアレイ等に代表されるレンズ部品などがある。光反射機能を有する光部品としては、例えば光路変換部品などがある。なお、光路変換部が形成された光ファイバコネクタは、光反射機能を有する光部品であるということができる。光路変換部が形成された光導波路は、光伝送機能及び光反射機能を有する光部品であるということができる。なお、本発明の光部品支持基板には、光部品が1つのみ支持されていてもよく、2つ以上の光部品が支持されていてもよい。
前記光導波路とは、光信号が伝搬する光路となるコア及びそのコアを取り囲むクラッドを有した板状またはフィルム状の部材を指し、例えば、ポリマ材料等からなる有機系の光導波路、石英ガラスや化合物半導体等からなる無機系の光導波路等がある。前記ポリマ材料としては、感光性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを選択することができ、具体的には、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、UV硬化性エポキシ樹脂、PMMA(ポリメチルメタクリレート)、重水素化PMMA、重水素フッ素化PMMA等のアクリル樹脂、ポリオレフィン系樹脂などが好適である。
前記光ファイバコネクタとは、本来的には光ファイバ部同士を接続するための手段であるが、ここでは光ファイバ側と基板側とを接続するための手段として用いられる。なお、かかる光ファイバコネクタは、単心光ファイバコネクタであっても、多心光ファイバコネクタであってもよい。また、光ファイバコネクタは、基板側との接続を図るという本来的な機能に加えて、例えば光を反射して光路を変換する等といった付加的な機能を有していてもよい。
前記第2凹部被形成部は、前記第1凹部内に位置し、前記第1凹部よりも小径かつ少なくとも前記主面側において開口する第2凹部を有している。従って、第2凹部は主面側においてのみ開口する(即ち開口部を1つ有する)非貫通穴であってもよいほか、主面とは反対側の面側においても開口する(即ち開口部を2つ有する)貫通穴であっても構わない。第2凹部の大きさ、形状等については特に限定されず、後述する位置合わせ用ガイド部材を支持可能な程度であればよい。また、第1凹部の中心線と第2凹部の中心線とは、必ずしも合っていなくてよい。
前記第2凹部被形成部は、基板を形成する主材料(樹脂、セラミック、ガラス、金属など)よりも加工性のよい材料からなる。ここで「加工性のよい」材料とは、具体的には、穴明けのための加工(例えばドリル加工、パンチ加工、エッチング加工、レーザ加工など)が相対的に容易な材料のことを指す。例えば、基板を形成する主材料よりも硬度の低い材料などは、一般に、基板を形成する主材料よりも加工性のよい材料であるということができる。かかる材料を用いた場合、高精度の穴明けを簡単にかつ低コストで行うことができる。
ここで、基板を形成する主材料がアルミナ等のセラミックである場合には、例えばそのセラミック材料よりも加工性のよいマシナブルセラミックを用いて第2凹部被形成部を設けることがよい。マシナブルセラミックとは、機械を利用して切削加工などが可能なセラミックのことを指す。マシナブルセラミックの好適例としては、マイカセラミック(ガラス中に人工雲母結晶を成長させたもの)や、ガラス質をマトリクスとしフッ素金雲母ジルコニア微結晶を均一にさせた複合マイカセラミックや、多孔質窒化アルミニウム等のセラミックに樹脂を含浸したものを挙げることができる。このように、基板及び第2凹部被形成部がともにセラミックからなる光部品支持基板であれば、放熱性がいっそう向上する。なお、セラミックは無機材料の一種であるため、熱膨張係数が比較的小さい。従って、セラミック基板と熱膨張係数が整合する結果、セラミック基板との界面(即ち第1凹部の内壁面との界面)にクラック等が起こりにくくなり、その部分の信頼性が向上する。ゆえに、位置合わせ用ガイド部材の支持強度が向上する。また、第2凹部被形成部に位置合わせ用ガイド部材を支持させた場合でも、その位置合わせ用ガイド部材の位置精度が低下しにくくなる。
このほか、ガラス材、シリコン、ロウ材などの無機材料を用いて第2凹部被形成部を形成してもよく、あるいは、無機材料を主成分とする導体ペーストなどを用いて第2凹部被形成部を形成してもよい。これらの材料も、熱膨張係数が比較的小さいという利点を有する。
また、第2凹部被形成部は樹脂のような有機材料を用いて形成された樹脂層であってもよい。先に列挙した無機材料に比べ、樹脂はさらに加工性に優れているので、高精度の穴明けを簡単にかつ低コストで行うことができる。
ここで前記第2凹部は精密加工穴であることが好ましい。精密加工穴であると、光軸合わせの際の基準となる位置合わせ用ガイド部材を、正しい位置にて支持することができるからである。
第2凹部被形成部である樹脂層を形成する樹脂としては特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂などを用いることができる。熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等がある。この場合、硬化収縮量が少ない熱硬化性樹脂を選択することが好ましい。熱可塑性樹脂の具体例としては、例えば、ポリスルフォン(PSF)、ポリフェニルエーテル(PPE)、ポリフェニレンスルホン(PPS)、ポリエーテルスルフォン(PES)、ポリフェニレンサルファイド(PPES)等がある。
前記樹脂層は、樹脂以外にフィラーを含んでいてもよい。かかるフィラーとしては、樹脂などからなる有機フィラーや、セラミック、金属、ガラスなどからなる無機フィラーを挙げることができる。この場合、加工容易性の観点からすれば、有機フィラーを選択することが比較的有利である。セラミック基板との熱膨張係数の整合等の観点からすれば、無機フィラーを選択することが比較的有利である。つまり、無機フィラーを含んだ樹脂層の場合、セラミック基板と熱膨張係数が整合する結果、セラミック基板との界面(即ち第1凹部の内壁面との界面)にクラック等が起こりにくくなり、その部分の信頼性が向上する。ゆえに、位置合わせ用ガイド部材の支持強度が向上する。また、樹脂層に位置合わせ用ガイド部材を支持させた場合でも、その位置合わせ用ガイド部材の位置精度が低下しにくくなる。
さらに前記樹脂層は、前記樹脂層を構成する樹脂よりも熱伝導性の高い無機フィラーを含んでいることがよい。この場合には樹脂層の熱伝導性が向上することにより、ひいては光部品支持基板全体の放熱性が向上するからである。また、前記第2凹部を加工形成する際に樹脂層にて熱が発生したとしても、その熱を樹脂層を介してセラミック基板側に逃がすことができるからである。
前記無機フィラーとして好適なセラミック材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、シリカ、窒化珪素、炭化珪素、マグネシア、ベリリア、チタニアなどを挙げることができる。また、前記無機フィラーとして好適な金属材料としては、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)などを挙げることができる。
前記位置合わせ用ガイド部材は、前記第2凹部に嵌合されることで第2凹部被形成部(基板)に支持される。このような支持状態において、位置合わせ用ガイド部の一部は基板の主面側にて突出する。ここで位置合わせ用ガイド部材の形状については特に限定されないが、例えばピン状のもの(ガイドピン)が好ましく、その材料としてはある程度硬質な金属がよい。また、位置合わせ用ガイド部材の直径(特に基板の主面側にて突出する部分の直径)については、光部品の有する位置合わせ凹部と嵌合できるように、当該位置合わせ凹部とほぼ同径である必要がある。
また、前記位置合わせ用ガイド部材の数については特に限定されないが、位置合わせ精度の向上及び固定強度の向上という観点からすると、単数よりは複数であることがよい。
また、上記課題を解決するための別の手段としては、主面を有するとともに、少なくとも前記主面側において開口する第1凹部を有する基板と、前記第1凹部内に位置し、前記第1凹部よりも小径かつ少なくとも前記主面側において開口する第2凹部を有し、前記基板を形成する主材料よりも加工性のよい材料からなる第2凹部被形成部と、前記第2凹部に嵌合されることで支持され、前記基板の前記主面側にてその一部が突出し、光伝送機能、集光機能及び光反射機能のうちの少なくとも1つを有する光部品の有する位置合わせ凹部に対して嵌合可能な位置合わせ用ガイド部材とを備える光部品支持基板の製造方法において、穴加工を行うことにより前記基板に前記第1凹部を形成する第1穴明け工程と、前記第1凹部内に第2凹部被形成部を設ける第2凹部被形成部配設工程と、前記第2凹部被形成部配設工程後に穴加工を行うことにより前記第2凹部被形成部に前記第2凹部を形成する第2穴明け工程と、前記第2凹部に前記位置合わせ用ガイド部材を支持させるガイド部材取付工程とを含むことを特徴とする光部品支持基板の製造方法、がある。
光部品に対しては、位置合わせ凹部形成工程を行うことで前記位置合わせ凹部を形成しておくことが好ましい。ここで、位置合わせ凹部形成工程における穴加工の方法としては周知の技術を採用することができ、具体例としては、ドリル加工、パンチ加工、エッチング加工、レーザ加工などがある。ただし、低コストという観点からすると、ドリル加工やパンチ加工といった機械的加工が好ましい。また、ここで行われる穴加工は、例えば精密ドリルなどを用いた精密穴加工であることがより好ましい。このような加工法によって位置合わせ凹部を形成しておけば、高い精度で光軸合わせを行うことができるからである。なお、位置合わせ凹部は、光部品の表裏両面に開口する貫通穴であってもよいほか、裏面側のみにて開口する非貫通穴であってもよい。また、位置合わせ凹部形成工程後に、必要に応じて仕上げ加工を行うことにより位置合わせ凹部の穴径を微調整してもよい。
第1穴明け工程では、穴加工を行うことにより基板に前記第1凹部を形成する。この場合、後に焼成を経てセラミック基板となるセラミック未焼結体に対して穴加工を行うことが好ましく、その理由は以下のとおりである。即ち、セラミック材料は完全に焼結すると極めて硬くなる性質があるため、加工が難しくなり、加工コストも高くなる。これに対して、それほど硬くない未焼結状態のセラミック材料に対する穴加工は、比較的簡単にかつ低コストで行うことが可能だからである。ここで、第1穴明け工程における穴加工の方法としては周知の技術を採用することができ、具体例としては、ドリル加工、パンチ加工、レーザ加工などがある。ただし、低コストという観点からすると、ドリル加工やパンチ加工といった機械的加工が好ましく、特にはパンチ加工が好ましい。
前記第1穴明け工程では、前記焼成工程を経た時点における前記第1凹部の内径が、前記第2凹部の内径及び前記位置合わせ用ガイド部材の直径よりも大きくなるように設定して、前記第1凹部の穴加工を行うことが好ましい。その理由は、セラミックは焼成工程を経ることで収縮し、それに伴って第1凹部も小径化しかつ位置ズレするため、それを計算に入れて第1凹部を大きめに形成しておく必要があるからである。
前記第1穴明け工程においてセラミック未焼結体を用いた場合には、ここで焼成工程を行い、セラミック未焼結体を高温で加熱することにより焼結させて、セラミック基板とする。この時点でセラミックは硬質化する。焼成温度や焼成時間等については、選択したセラミックの種類に応じて適宜設定される。
続く第2凹部被形成部配設工程では、前記第1凹部内に第2凹部被形成部を設ける。その場合の手法としては特に限定されないが、例えば、前記第1凹部内に未硬化状態の充填材料を充填した後、その材料を硬化させて第2凹部被形成部とすること等が好ましい。この方法によれば、第1凹部と第2凹部被形成部との間に隙間がなくなり、第1凹部の内壁面に対する第2凹部被形成部の密着性がよくなる。よって、第1凹部内に第2凹部被形成部を確実に保持することができ、ひいては基板に位置合わせ用ガイド部材を確実に保持することができる。
例えば、熱硬化性樹脂を選択した場合には充填後に加熱して樹脂材料を硬化させるようにし、感光性樹脂を選択した場合には充填後に紫外線を照射して樹脂材料を硬化させるようにする。樹脂材料の充填は例えば印刷等の手法により行うことができる。また、前記樹脂材料として、各種のフィラーを含む未硬化状態の樹脂材料を用いてもよく、熱伝導性の高い無機フィラーを含む未硬化状態の樹脂材料を用いてもよい。その理由は上述したとおりである。さらに、未硬化状態の樹脂材料の充填を伴わない方法、例えば、完全硬化状態のまたはある程度硬化した状態の樹脂成形体を第1凹部内に嵌め込む、といった方法などを採用してもよい。
また、先に挙げたいくつかの無機材料を用いて第2凹部被形成部を配設してもよい。例えば、マシナブルセラミックを用いる場合には、前記第1凹部内にマシナブルセラミックのスラリーを充填した後、加熱焼成して前記スラリーを焼結させて第2凹部被形成部とする方法等が好ましい。セラミック未焼結体の第1凹部内にマシナブルセラミックのスラリーを充填した後、加熱焼成してセラミック未焼結体とスラリーとを同時焼結させてもよい。また、ガラス材、シリコン、ロウ材などを用いる場合には、前記第1凹部内にそれぞれの材料からなるブロックを嵌め込む等の方法が好適である。
ここで、必要に応じて、基板の少なくとも主面側を研磨して第1凹部の開口部から突出している余剰の材料や、基板の表面に付着している材料を除去する研磨工程を行ってもよい。この工程を行うと、基板の主面における凹凸が解消されて平坦化する。それゆえ、後の工程において光学素子や光部品を基板の主面に対して平行に搭載することができる。このことは光軸合わせの精度を高めるうえで好ましい。即ち、光学素子や光部品が基板の主面に対して平行ではなく傾いていると、光軸が合いにくくなるからである。
続く第2穴明け工程では、前記第2凹部被形成部配設工程後に穴加工を行うことにより前記第2凹部被形成部に前記第2凹部を形成する。第2穴明け工程における穴加工の方法としては周知の技術を採用することができるが、この場合には精密穴加工を行うことが望ましい。このような加工法によって第2凹部を形成しておけば、光軸合わせの際の基準となる位置合わせ用ガイド部材を、所望とする正しい位置にて支持することができるからである。精密穴加工の具体的手法としては、ドリル加工、パンチ加工、レーザ加工などがあるが、コスト性などを考慮すると精密ドリルを使用したドリル加工が最も好ましい。なお、第2穴明け工程後に上記の研磨工程を行うようにしてもよく、この場合には第2穴明け工程によって発生したバリ等を確実に除去することができる。
また、第2穴明け工程後に、必要に応じて仕上げ加工を行うことにより穴径を微調整してもよい。なお、第2凹部被形成部として樹脂層を形成する場合には、樹脂層を半硬化させた状態で第2穴明け工程を行った後、樹脂層を完全に硬化させてから前記仕上げ加工を行うようにしてもよい。
なお、第2凹部被形成部配設工程を行った後に第2穴明け工程を行う上記手法に代えて、例えば、以下のように第2凹部被形成部配設工程及び第2穴明け工程を同時に行う手法を採用してもよい。具体的には、まず、第1凹部内にスペーサ部材を配置する。スペーサ部材の好適例としては、例えば、ピンを有する金型などがある。前記ピンは第2凹部の形状に対応した形状を有している。この場合、金型と基板とは互いに高精度に位置合わせされるべきである。この状態で、未硬化の材料を充填しかつ硬化させた後、スペーサ部材を除去する。そしてこの手法によれば、第2凹部を有する第2凹部被形成部を、極めて低コストで形成することができる。
そして、ガイド部材取付工程にて前記第2凹部に前記位置合わせ用ガイド部材を支持させた後、位置合わせ用ガイド部材を前記位置合わせ穴に対して嵌合させる。即ち、かかる位置合わせ工程により光部品の光軸を位置合わせすれば、所望の光部品付き光部品支持基板を得ることができる。
なお、第2凹部被形成部配設工程、第2穴明け工程及びガイド部材取付工程を順番に行う上記手法に代えて、例えば、以下のように第2凹部被形成部配設工程及びガイド部材取付工程を同時に行う手法を採用してもよい。具体的には、まず、第1凹部内に位置合わせ用ガイド部材の一部を挿入した状態で保持する。この場合には、位置合わせ用ガイド部材を高精度に位置合わせしておくことが望ましい。また、複数の位置合わせ用ガイド部材をガイド部材保持治具などを用いて一時的に保持固定することがより好適である。次に、この状態で第1凹部内に未硬化の材料を充填しかつ硬化させる。その結果、第2凹部を有する第2凹部被形成部が設けられると同時に、第2凹部に位置合わせ用ガイド部材を支持させることができる。上記ガイド部材保持治具は材料の硬化後に除去される。そしてこの手法も低コスト化に極めて有利である。
また、上記課題を解決するためのさらに別の手段としては、主面を有するとともに、少なくとも前記主面側において開口する第1凹部を有する基板と、前記第1凹部内に位置し、前記第1凹部よりも小径かつ少なくとも前記主面側において開口する第2凹部を有し、前記基板を形成する主材料よりも加工性のよい材料からなる第2凹部被形成部と、前記第2凹部に嵌合されることで支持され、前記基板の前記主面側にてその一部が突出し、光伝送機能、集光機能及び光反射機能のうちの少なくとも1つを有する光部品の有する位置合わせ凹部に対して嵌合可能な位置合わせ用ガイド部材とを備える光部品支持基板の製造方法において、穴加工を行うことにより前記基板に前記第1凹部を形成する第1穴明け工程と、前記第1凹部内に前記位置合わせ用ガイド部材の一部を挿入した状態で保持し、この状態で前記第1凹部内に未硬化の材料を充填しかつ硬化させることにより、前記第2凹部を有する前記第2凹部被形成部を設けかつ前記の第2凹部に前記位置合わせ用ガイド部材を支持させる、第2凹部被形成部配設及びガイド部材取付工程と、を含むことを特徴とする光部品支持基板の製造方法、がある。そして、本発明によれば、上記構成を有する光部品支持基板を確実にかつ低コストで製造することができる。なお、前記第1穴明け工程において穴加工される前記基板は、セラミック未焼結体であることがよい。
[第1の実施の形態]
以下、本発明の参考例である第1の実施形態の光導波路付き光学素子搭載基板10(光部品付き光部品支持基板)を、図1〜図13に基づき詳細に説明する。
図1,図2に示されるように、本実施形態の光学素子搭載基板10を構成するセラミック基板11は、上面12(主面)及び下面13を有する略矩形状の板部材である。かかるセラミック基板11はいわゆる多層配線基板であって、上面12(主面)、下面13、内層に図示しない金属配線層を備えている。このセラミック基板11はビアホール導体(図示略)も備えており、層の異なる金属配線層同士はビアホール導体を介して層間接続されている。
図2においてセラミック基板11の上面12の左端には、光学素子(発光素子)の一種であるVCSEL14(光学素子)が、発光面を上方に向けた状態で搭載されている。このVCSEL14は、一列に並べられた複数(ここでは4つ)の発光部15を発光面内に有している。従って、これらの発光部15は、セラミック基板11の上面12に対して直交する方向(即ち図2の上方向)に、所定波長のレーザ光を出射するようになっている。一方、図2においてセラミック基板11の上面12の右端には、光学素子(受光素子)の一種であるフォトダイオード16が、受光面を上方に向けた状態で搭載されている。このフォトダイオード16は、一列に並べられた複数(ここでは4つ)の受光部17を受光面内に有している。従って、これらの受光部17は、図2の上側から下側に向かうレーザ光を受けやすいような構成となっている。
なお、フォトダイオード16及びVCSEL14は、セラミック基板11の上面12の金属配線層上にそれぞれ接合されている。特にVCSEL14は、セラミック基板11の上面12に搭載された図示しない動作回路用ICに対し、前記金属配線層を介して電気的に接続されている。
図1,図2に示されるように、セラミック基板11における複数の箇所(ここでは4箇所)には、第1凹部としての第1貫通穴21が設けられている。第1貫通穴21は円形かつ等断面形状であって、セラミック基板11の上面12(主面)及び下面13の両方にて開口している。本実施形態の場合、第1貫通穴21の直径は1.0mm〜2.0mm程度になるように設定されている。また、本実施形態では、4つある第1貫通穴21のうちの2つがVCSEL14に近接して配置され、残りの2つがフォトダイオード16に近接して配置されている。VCSEL14に近接して配置された一対の第1貫通穴21は、発光部15の列とほぼ同一直線上にあって、発光部15の列をその両端側から挟む位置に配置されている。フォトダイオード16に近接して配置された一対の第1貫通穴21は、受光部17の列とほぼ同一直線上にあって、受光部17の列をその両端側から挟む位置に配置されている。
これらの第1貫通穴21の内部には樹脂層22(第2凹部被形成部)が設けられており、その樹脂層22のほぼ中心部には第2貫通穴23(第2凹部)が設けられている。第2貫通穴23は円形かつ等断面形状であって、セラミック基板11の上面12(主面)及び下面13の両方にて開口している。本実施形態の場合、第2貫通穴23の直径は上記第1貫通穴21よりも小さく、約0.7mmに設定されている。4つある第2貫通穴23の内部には、ステンレス鋼からなる断面円形状のガイドピン24(位置合わせ用ガイド部材)が、上面12(主面)側に一端を突出させた状態で嵌着されている。本実施形態において具体的には、JIS C 5981に規定するガイドピン「CNF125A−21」(直径0.699mm)を使用している。
図1,図2に示されるように、セラミック基板11の上面12(主面)側には、セラミック基板11よりも一回り小さい略矩形状かつフィルム状の光導波路31(光部品)が配置されている。この光導波路31を構成する基材32は、コア33及びそれを上下から取り囲むクラッド34を有している。実質的にコア33は光信号が伝搬する光路となる。本実施形態の場合、コア33及びクラッド34は、屈折率等の異なる透明なポリマ材料、具体的には屈折率等の異なるPMMA(ポリメチルメタクリレート)により形成されている。光路となるコア33は発光部15及び受光部17の数と同じく4つであって、それらは直線的にかつ平行に延びるように形成されている。コア33の両端部にはコア33の長手方向に対して45°の角度を持つ傾斜面が形成され、その傾斜面には光を全反射可能な金属からなる薄膜が蒸着されている。よって、各コア33の両端部は、それぞれ光を90°の角度で反射する光路変換用ミラー35,37を備えたものとなっている。光導波路31の四隅には円形状の位置合わせ穴36が貫通形成されている。これらの位置合わせ穴36は、ガイドピン24の大きさに対応して直径約0.7mmに設定されている。そして、光導波路31の有する各位置合わせ穴36(光部品側位置合わせ凹部)には、セラミック基板11から突出する各ガイドピン24が嵌合されている。その結果、セラミック基板11の上面12(主面)上にて、光導波路31が位置合わせされた状態で固定されている。ここで「位置合わせされた状態」とは、具体的には、図2の左端側に位置する各光路変換用ミラー35が各発光部15の直上にあり各コア33と各発光部15との光軸が合った状態、かつ、図2の右端側に位置する各光路変換用ミラー37が各受光部17の直上にあり各コア33と各受光部17との光軸が合った状態をいう。なお本実施形態では、セラミック基板11及び光導波路31は、位置合わせ穴36とガイドピン24との嵌合関係のみをもって互いに固定されている。
このように構成された光導波路付き光学素子搭載基板10の一般的な動作について簡単に述べておく。
VCSEL14及びフォトダイオード16は、セラミック基板11の金属配線層を介した電力供給により、動作可能な状態となる。セラミック基板11上の動作回路用ICからVCSEL14に電気信号が出力されると、VCSEL14は入力した電気信号を光信号(レーザ光)に変換した後、その光信号をコア33の左端にある光路変換用ミラー35に向けて、発光部15から出射する。発光部15から出射した光信号は、光導波路31の下面側から入射して、コア33の光路変換用ミラー35に入射する。光路変換用ミラー35に入射した光信号は、そこで進行方向を90°変更する。このため、光信号はコア33の内部をその長手方向に沿って伝搬することとなる。そして、コア33の右端に到った光信号は、今度は光導波路31の右端に形成されている光路変換用ミラー37に入射する。光路変換用ミラー37に入射した光信号は、そこで進行方向を90°変更する。このため、光信号は光導波路31の下面側から出射し、さらにフォトダイオード16の受光部17に入射する。フォトダイオード16は受光した光信号を電気信号に変換し、変換した電気信号をセラミック基板11上のさらに別のIC(図示略)等に出力するようになっている。
次に、上記構成の光導波路31付き光学素子搭載基板10の製造方法を図3〜図13に基づいて説明する。
まず、従来公知の手法によって光導波路31を作製し(図3参照)、これに対して精密ドリル加工を施すことにより四隅に位置合わせ穴36を形成しておく(図4参照)。
また、以下の手順によりセラミック基板11を作製する。アルミナ粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤などを均一に混合・混練してなる原料スラリーを作製し、この原料スラリーを用いてドクターブレード装置によるシート成形を行って、所定厚みのグリーンシートを形成する。グリーンシートにおける所定部分にはパンチ加工を施し、形成された穴の中にビアホール導体形成用の金属ペーストを充填する。また、グリーンシートの表面に金属ペーストを印刷することにより、後に金属配線層となる印刷層を形成する。そして、これら複数枚のグリーンシートを積層してプレスすることにより一体化し、図5のグリーンシート積層体18とする。図5のグリーンシート積層体18においては、上記の金属配線層やビアホール導体は示されず、省略されている。
その後、前記グリーンシート積層体18にパンチ加工を行って、第1貫通穴21(第1凹部)を形成する(第1穴明け工程、図6参照)。この段階ではまだ未焼結状態であるので、穴加工を比較的簡単にかつ低コストで行うことができる。第1穴明け工程では、焼成工程を経た時点における第1貫通穴21(第1凹部)の内径が、第2貫通穴23(第2凹部)の内径(約0.7mm)及びガイドピン24の直径(約0.7mm)よりも大きくなるように設定して、穴加工を行う。具体的には、1.2mm〜2.4mm程度に設定して第1貫通穴21の穴加工を行う。その理由は、セラミックは焼成工程を経ることで収縮し、それに伴って第1貫通穴21(第1凹部)も小径化しかつ位置ズレするため、このことを計算に入れて第1貫通穴21(第1凹部)を大きめに形成しておく必要があるからである。
次に、周知の手法に従って乾燥工程や脱脂工程などを行った後、さらにアルミナが焼結しうる加熱温度にて焼成工程を行う。これにより、グリーンシート積層体18(セラミック未焼結体)を焼結させてセラミック基板11とする。この時点でセラミックは硬質化しかつ収縮する(図7参照)。
続く樹脂層配設工程(第2凹部被形成部形成工程)では、以下のようにして第1貫通穴21(第1凹部)内に樹脂層22を設ける。まず、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(JER社製「エピコート807」)80重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(JER社製「エピコート152」)20重量部に対し、硬化剤(四国化成工業社製「2P4MZ−CN」)5重量部、シランカップリング剤(信越化学社製「KBM−403」)で処理したシリカフィラー(龍森製「TSS−6」)200重量部、消泡剤(サンノプコ社製「ベレノールS−4」)を混合する。この混合物を3本ロールにて混練することにより、樹脂層22形成用の樹脂材料としておく。即ち、本実施形態では、熱硬化性樹脂中に無機フィラーを含む未硬化状態の樹脂材料を用いる。
次に、セラミック基板11を印刷装置にセットし、その上面12に所定のメタルマスク(図示略)を密着させて配置する。かかるメタルマスクにおいて第1貫通穴21に対応する箇所には、開口部があらかじめ形成されている。このようなメタルマスクを介して前記樹脂材料を印刷することにより、各第1貫通穴21内に樹脂材料を隙間なく完全に充填する。この後、印刷後のセラミック基板11を印刷装置から取り外した後、120℃,1時間の条件で加熱し、前記樹脂材料の充填によって形成された樹脂層22をある程度硬化(半硬化)させる(図8参照)。ここで、樹脂層22を完全に硬化させないのは、次の第2穴明け工程での穴加工をよりいっそう容易に行うためである。
続く第2穴明け工程では、精密ドリルを用いた精密穴加工を行って樹脂層22に第2貫通穴23(第2凹部、基板側位置合わせ凹部)を形成する(図9参照)。このような加工法によれば、光軸合わせの際の基準となるガイドピン24を、所望とする正しい位置にて支持可能な第2貫通穴23とすることができる。
次に、前記セラミック基板11を表面研磨装置にセットして、上面12及び下面13を研磨することにより、第1貫通穴21の開口部から突出している余剰の樹脂層22や、基板表面に付着している樹脂層22を除去する(図10参照)。なお、この研磨工程を行うと、セラミック基板11の上面12(主面)における凹凸が解消されて平坦化する。
次に、前記セラミック基板11を150℃,5時間の条件で加熱する本硬化処理を行って、樹脂層22を完全に硬化させる。さらに、周知の手法により仕上げ加工を行って、第2貫通穴23の穴径を0.700mmとなるように微調整する。このときの加工に要求される精度は、具体的には±0.001mmである。
次に、平坦化されたセラミック基板11の上面12上に、図示しない異方導電性材料を介してVCSEL14及びフォトダイオード16を搭載する(図11参照)。その結果、セラミック基板11の上面12における金属配線層の一部と、VCSEL14及びフォトダイオード16の接続端子とが電気的に接続される。なお、このとき上面12は凹凸のない平坦面となっているので、VCSEL14及びフォトダイオード16は上面12に対して平行な状態となる。本実施形態では、仕上げ加工の実施後かつガイド部材取付工程の実施前の段階で、光学素子搭載工程を行っている。そのため、既に搭載されたVCSEL14及びフォトダイオード16が、ドリル加工によって発生しうる熱、振動、塵等に晒されなくなるというメリットがある。また、光学素子搭載部分の近くにガイドピン24がまだ立設していない状態であるため、VCSEL14及びフォトダイオード16を比較的容易に搭載することができる。
続くガイド部材取付工程では、専用の治具などを用いて、第2貫通穴23(第2凹部)にガイドピン24を圧入するようにして嵌着させる(図12参照)。
続く位置合わせ工程では、セラミック基板11の有する各ガイドピン24を光導波路31の有する各位置合わせ穴36に対して嵌合させる。これにより、光導波路31及びVCSEL14の光軸合わせと、光導波路31及びフォトダイオード16の光軸合わせと同時に行いつつ、光導波路31をセラミック基板11に固定する。以上のようにして本実施形態の光導波路付き光学素子搭載基板10が完成する。
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
(1)本実施形態では、ガイドピン24と位置合わせ穴36との嵌合関係をもって、光軸合わせを達成しつつセラミック基板11と光導波路31とを相互に固定した構成となっている。よって、リフロー時のセルフアライメント作用のみに頼る従来の消極的な光軸合わせに比べて、より積極的にかつ高い精度で光軸が合った状態となる。ゆえに、光の伝送ロスが小さく、高速度化・高密度化等に十分に対応しうる光学素子搭載基板10を実現することができる。また、樹脂基板に比較して熱伝導性の高いセラミック基板11を用いているため、VCSEL14及び動作回路用ICの発する熱が効率よく放散される。よって、放熱性の悪化に起因する発光波長のズレも回避され、動作安定性・信頼性に優れた光学素子搭載基板10を実現することができる。
(2)また、本実施形態の製造方法では、セラミック基板11を形成するセラミック材料よりも加工性のよい樹脂材料を用い、それに樹脂層(第2凹部被形成22部)を形成している。このため、高精度の穴明けを簡単にかつ低コストで行うことが可能となり、上記構成を有する光学素子搭載基板10を確実にかつ低コストで製造することができる。
[第2の実施の形態]
次に、本発明の参考例である第2の実施形態における光導波路付き光学素子搭載基板10(光部品付き光部品支持基板)について説明する。本実施形態では、樹脂層22の組成が第1の実施形態のものと異なっている点において唯一第1の実施形態と相違している。
樹脂層配設工程(第2凹部被形成部形成工程)においては、まず、エポキシ樹脂(JER社製「エピコート828」)100重量部に対し、硬化剤(四国化成工業社製「2P4MZ−CN」)5重量部、銅フィラー(日本アトマイズ加工製「SRF−Cu−10」)600重量部、消泡剤(サンノプコ社製「ベレノールS−4」)、増粘剤(日本アエロジル社製「RY200」)を混合する。この混合物を3本ロールにて混練することにより、樹脂層22形成用の樹脂材料としておく。即ち、本実施形態では、熱硬化性樹脂中に高熱伝導性の無機フィラーを含む未硬化状態の樹脂材料を用いる。そして、このような樹脂材料を第1貫通穴21内に印刷充填した後、加熱硬化処理を行い、第2穴明け工程以降の工程を順次実施する。
従って本実施形態の構成であっても、第1の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。しかも、樹脂層22はエポキシ樹脂よりも熱伝導性の高い銅からなるフィラーを含んでいる。そのため、樹脂層22の熱伝導性が向上し、ひいては光学素子搭載基板10全体の放熱性が向上する。また、第2貫通穴23の形成時に樹脂層22にて発生した熱が、樹脂層22を介してセラミック基板11側に効率よく逃がされる。このため、熱の作用によって樹脂層22の加工精度が低下するような心配がなくなり、ガイドピン24を高い位置精度を支持することができる。
[第3の実施の形態]
図14〜図16には、本発明の参考例である第3の実施形態の光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板50(光部品付き光部品支持基板)が示されている。ここでは、第1の実施形態と相違する点について説明する反面、第1の実施形態と同じ点については共通の部材番号を付すのみとする。
図14,図15に示されるように、この光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板50における光ファイバコネクタ52は、多心構造(図14では4心)を有する光ファイバ51の先端に設けられた、いわゆるMTコネクタである。光ファイバ51の端面(即ち各コア33の端部)は、光ファイバコネクタ52の下端面において露出している。光ファイバコネクタ52の下端面における両端部には、下端面にて開口する位置合わせ穴54が一対設けられている。そして、これらの位置合わせ穴54にセラミック基板11側のガイドピン24が嵌合されている。その結果、左側の光ファイバコネクタ52は、VCSEL14と光軸が合った状態で、セラミック基板11の上面12側に固定されている。右側の光ファイバコネクタ52は、フォトダイオード16と光軸が合った状態で、セラミック基板11の上面12側に固定されている。
そして、上記構成を有する本実施形態においても、第1の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
[第4の実施の形態]
図17,図18には、本発明を具体化した第4の実施形態の光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板80(光部品付き光部品支持基板)が示されている。図17は、前記光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板80の概略断面図である。図18は、前記光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板80の製造過程において、セラミック基板11とマイクロレンズアレイ101と光ファイバコネクタ111との位置合わせを行いつつ各々の部品を固定する際の様子を示す概略断面図である。
図17,図18に示されるように、本実施形態の光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板80は、VCSEL14(光学素子)、セラミック基板11(基板)、マイクロレンズアレイ101、光ファイバコネクタ111、ガイドピン24(位置合わせ用ガイド部材)等によって構成されている。
セラミック基板11は、上面12(主面)及び下面13を有する略矩形状の板部材である。かかるセラミック基板11はいわゆる多層配線基板であって、金属配線層を備えている。例えば、上面12(主面)に位置する金属配線層93の一部には、各種電子部品を実装するための複数の接続パッド92が形成されている。図示しないが、金属配線層はセラミック基板11の内層にも形成されている。このセラミック基板11はビアホール導体(図示略)も備えており、層の異なる金属配線層同士はビアホール導体を介して層間接続されている。また、セラミック基板11の下面13には、前記ビアホール導体に接続する複数のはんだバンプ95が設けられている。
セラミック基板11の上面12には、光学素子(発光素子)の一種であるVCSEL14(光学素子)が、発光面を上方に向けた状態で搭載されている。このVCSEL14は、一列に並べられた複数(ここでは4つ)の発光部15を発光面内に有している。従って、これらの発光部15は、セラミック基板11の上面12に対して直交する方向(即ち図17,図18の上方向)に、所定波長のレーザ光を出射するようになっている。VCSEL14の有する複数の端子は、セラミック基板11の上面12に設けられた接続パッド92上にそれぞれ接合されている。なお、VCSEL14のような発光素子に代えて、フォトダイオードのような受光素子を搭載した構成としてもよいが、ここではその詳細な説明を省略する。
また、セラミック基板11の上面12においてVCSEL14の近傍には、VCSEL14を駆動するための動作回路用IC94(いわゆるドライバIC)が配置されている。動作回路用IC94の有する複数の端子は、セラミック基板11の上面12に設けられた接続パッド92上にそれぞれ接合されている。従って、VCSEL14と動作回路用IC94とが、金属配線層93を介して電気的に接続されている。
図17,図18に示されるように、セラミック基板11において電子部品が実装されていない領域には、第1凹部としての第1貫通穴21が設けられている。なお、具体的に図示されてはいないが、本実施形態では第1貫通穴21が2箇所に設けられている。第1貫通穴21は円形かつ等断面形状であって、セラミック基板11の上面12(主面)及び下面13の両方にて開口している。本実施形態の場合、第1貫通穴21の直径は1.0mm〜2.0mm程度になるように設定されている。これらの第1貫通穴21の内部には樹脂層22が設けられており、その樹脂層22のほぼ中心部には第2貫通穴23(第2凹部)が設けられている。第2貫通穴23は円形かつ等断面形状であって、セラミック基板11の上面12(主面)及び下面13の両方にて開口している。本実施形態の場合、第2貫通穴23の直径は上記第1貫通穴21よりも小さく、約0.7mmに設定されている。2つある第2貫通穴23の内部には、ステンレス鋼からなる断面円形状のガイドピン24(位置合わせ用ガイド部材)の一端が嵌着されている(図17参照)。本実施形態において具体的には、JIS C 5981に規定するガイドピン「CNF125A−21」(直径0.699mm)を使用している。
図17,図18に示されるように、セラミック基板11の上面12(主面)側に配置されるマイクロレンズアレイ101は、底面側に収容凹部を有する蓋状のマイクロレンズアレイ本体105を備えている。マイクロレンズアレイ本体105は樹脂成形品であって、VCSEL15の上方の位置にはマイクロレンズ取付穴104が形成されている。マイクロレンズ取付穴104には、透光性樹脂材料からなる凸状のマイクロレンズ102が取り付けられている。マイクロレンズアレイ本体105における別の箇所には、位置合わせ穴103(マイクロレンズアレイ側位置合わせ凹部)が表裏を貫通するようにして形成されている。本実施形態では、位置合わせ穴103の直径は約0.7mmに設定されている。そして、このような位置合わせ穴103には、ガイドピン24が挿通された状態で嵌合するようになっている。なお、本実施形態のマイクロレンズアレイ101は、集光機能を有する光部品であると把握することができる。マイクロレンズ102及びマイクロレンズアレイ本体105は、上記のように別体として構成されていてもよいが、一体として構成されていてもよい。
図17,図18に示されるように、マイクロレンズアレイ101の上側に配置される光ファイバコネクタ111は、光ファイバ112の先端に取り付けられている。光ファイバコネクタ111の左端側下部には、約45°の傾斜面を有する切欠部115が設けられている。切欠部115の傾斜面には、光を反射する金属の薄膜からなる光路変換ミラー114(光路変換部)が形成されている。切欠部115を有する前記光ファイバコネクタ111は、例えば、合成樹脂材料を用いた金型成形加工によって形成可能であるほか、シリコン等の金属を材料としたエッチング加工によっても形成可能である。そして、光路変換ミラー114が形成された本実施形態の光ファイバコネクタ111は、光反射機能を有する光部品(即ち光路変換部品)であると把握することもできる。
この光ファイバコネクタ111における所定箇所には、複数の位置合わせ穴113が表裏を貫通するようにして形成されている。本実施形態では、位置合わせ穴113の直径は約0.7mmに設定されている。そして、このような位置合わせ穴113には、ガイドピン24が挿通された状態で嵌合するようになっている。
そして、上記のように構成された光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板80では、セラミック基板11とマイクロレンズアレイ101と光ファイバコネクタ111とが、ガイドピン24の嵌合によって互いに位置合わせされた状態で固定されている。ここで「位置合わせされた状態」とは、具体的には、VCSEL14の各発光部15の光軸と、各マイクロレンズ102の光軸と、光ファイバ112の各コアの光軸とが合った状態をいう。
このように構成された光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板80の一般的な動作について簡単に述べておく。
VCSEL14は、セラミック基板11側からの電力供給により、動作可能な状態となる。セラミック基板11上の動作回路用IC94からVCSEL14に電気信号が出力されると、VCSEL14は入力した電気信号を光信号(レーザ光)に変換した後、その光信号を上方に向けて、発光部15から出射する。発光部15から出射した光信号は、拡がりながら進もうとするが、マイクロレンズ102を通過する際に集光された後、光路変換ミラー114に到達する。光路変換ミラー114に入射した光信号は、そこで進行方向を90°変更した後、光ファイバ112の一方の端部に入射するようになっている。なお、光ファイバ112の他方の端部付近には図示しないフォトダイオードが設けられていて、最終的に光信号はそのフォトダイオードに到るようになっている。
次に、上記構成の光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板80の製造方法を説明する。
まず、シリコン基材をエッチングすることによって、傾斜面を有する切欠部115を形成する。次に、傾斜面に対して金をスパッタリングすることにより、光路変換ミラー114を形成する。さらに、シリコン基材に対して精密ドリル加工を施すことにより、その表裏を貫通する位置合わせ穴113を形成する。シリコン基材はセラミック材料ほど硬くないので、精密ドリル加工によって比較的簡単に高精度の穴を形成することができる。そして、このようにして作製された光ファイバコネクタ111の切欠部115に対し、光ファイバ112の端部を接合する。なお、シリコン基材に対する精密ドリル加工は、光路変換ミラー114を形成する工程の前に行われてもよい。また、光路変換ミラー114の形成はスパッタリング以外の手法(例えば真空蒸着、CVDなど)により行われてもよい。
一方、合成樹脂を材料とした金型成形法によりマイクロレンズアレイ本体105を作製した後、そのマイクロレンズアレイ本体105に対して精密ドリル加工を施すことにより、その表裏を貫通する位置合わせ穴103を形成する。一般に合成樹脂材料はセラミック材料ほど硬くないので、精密ドリル加工によって比較的簡単に高精度の穴を形成することができる。マイクロレンズ取付穴104については、精密ドリル加工時に形成されてもよいが、金型成形時に形成されてもよい。そして、このマイクロレンズ取付穴104にマイクロレンズ102を取り付けて、マイクロレンズアレイ101を完成させる。
また、以下の手順によりセラミック基板11を作製する。アルミナ粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤などを均一に混合・混練してなる原料スラリーを作製し、この原料スラリーを用いてドクターブレード装置によるシート成形を行って、所定厚みのグリーンシートを形成する。グリーンシートにおける所定部分にはパンチ加工を施し、形成された穴の中にビアホール導体形成用の金属ペーストを充填する。また、グリーンシートの表面に金属ペーストを印刷することにより、後に金属配線層となる印刷層を形成する。そして、これら複数枚のグリーンシートを積層してプレスすることにより一体化し、グリーンシート積層体とする。その後、前記グリーンシート積層体にパンチ加工を行って、第1貫通穴21(第1凹部)を形成する(第1穴明け工程)。この段階ではまだ未焼結状態であるので、穴加工を比較的簡単にかつ低コストで行うことができる。第1穴明け工程では、焼成工程を経た時点における第1貫通穴21(第1凹部)の内径が、第2貫通穴23(第2凹部、基板側位置合わせ凹部)の内径(約0.7mm)及びガイドピン24の直径(約0.7mm)よりも大きくなるように設定して、穴加工を行う。具体的には、1.2mm〜2.4mm程度に設定して第1貫通穴21の穴加工を行う。その理由は、セラミックは焼成工程を経ることで収縮し、それに伴って第1貫通穴21(第1凹部)も小径化しかつ位置ズレするため、このことを計算に入れて第1貫通穴21(第1凹部)を大きめに形成しておく必要があるからである。次に、周知の手法に従って乾燥工程や脱脂工程などを行った後、さらにアルミナが焼結しうる加熱温度にて焼成工程を行う。これにより、グリーンシート積層体(セラミック未焼結体)を焼結させてセラミック基板11とする。この時点でセラミックは硬質化しかつ収縮する。
続く樹脂層配設工程では、以下のようにして第1貫通穴21(第1凹部)内に樹脂層22を設ける。まず、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(JER社製「エピコート807」)80重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(JER社製「エピコート152」)20重量部に対し、硬化剤(四国化成工業社製「2P4MZ−CN」)5重量部、シランカップリング剤(信越化学社製「KBM−403」)で処理したシリカフィラー(龍森製「TSS−6」)200重量部、消泡剤(サンノプコ社製「ベレノールS−4」)を混合する。この混合物を3本ロールにて混練することにより、樹脂層22形成用の樹脂材料としておく。即ち、本実施形態では、熱硬化性樹脂中に無機フィラーを含む未硬化状態の樹脂材料を用いる。
次に、セラミック基板11を印刷装置にセットし、その上面12に所定のメタルマスク(図示略)を密着させて配置する。かかるメタルマスクにおいて第1貫通穴21に対応する箇所には、開口部があらかじめ形成されている。このようなメタルマスクを介して前記樹脂材料を印刷することにより、各第1貫通穴21内に樹脂材料を隙間なく完全に充填する。この後、印刷後のセラミック基板11を印刷装置から取り外した後、120℃,1時間の条件で加熱し、前記樹脂材料の充填によって形成された樹脂層22をある程度硬化(半硬化)させる。ここで、樹脂層22を完全に硬化させないのは、次の第2穴明け工程での穴加工をよりいっそう容易に行うためである。
続く第2穴明け工程では、精密ドリルを用いた精密穴加工を行って樹脂層22に第2貫通穴23(第2凹部)を形成する。このような加工法によれば、光軸合わせの際の基準となるガイドピン24を、所望とする正しい位置にて支持可能な第2貫通穴23とすることができる。
次に、前記セラミック基板11を150℃,5時間の条件で加熱する本硬化処理を行って、樹脂層22を完全に硬化させる。さらに、周知の手法により仕上げ加工を行って、第2貫通穴23の穴径を0.700mmとなるように微調整する。このときの加工に要求される精度は、具体的には±0.001mmである。
次に、セラミック基板11の上面12にある接続パッド92上にはんだペーストを印刷した後、VCSEL14及び動作回路用IC94を搭載してリフローを行う。その結果、接続パッド92と、VCSEL14及び動作回路用IC94の端子とが、はんだを介して接合される。
続くガイド部材取付工程では、専用の治具などを用いて、まず第2貫通穴23(第2凹部、基板側位置合わせ凹部)にガイドピン24を圧入するようにして嵌着させる。
続く位置合わせ工程では、セラミック基板11から突出する各ガイドピン24を、まず、マイクロレンズアレイ101が有する各位置合わせ穴103(光部品側位置合わせ凹部)に嵌挿する。これにより、VCSEL14の各発光部15と各マイクロレンズ102との光軸合わせを行いつつ、マイクロレンズアレイ101をセラミック基板11に固定する。このとき、マイクロレンズアレイ101とセラミック基板11との界面を、接着剤等を用いて確実に接合するようにしてもよい。さらに、前記各ガイドピン24を光ファイバコネクタ111が有する各位置合わせ穴113(光部品側位置合わせ凹部)に嵌挿する。これにより、VCSEL14の各発光部15、各マイクロレンズ102及び光ファイバ112の各コアの光軸合わせが行われるとともに、セラミック基板11に光ファイバコネクタ111が固定される。そして、以上のようにして本実施形態の光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板80が完成する。
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
(1)本実施形態では、第2貫通穴23に嵌着されたガイドピン24と位置合わせ穴103,113との嵌合関係をもって、光軸合わせを達成しつつ、セラミック基板11とマイクロレンズアレイ101と光ファイバコネクタ111とを相互に固定した構成となっている。よって、リフロー時のセルフアライメント作用のみに頼る従来の消極的な光軸合わせに比べて、より積極的にかつ高い精度で光軸が合った状態となる。ゆえに、光の伝送ロスが小さく、高速度化・高密度化等に十分に対応しうる光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板80を実現することができる。また、樹脂基板に比較して熱伝導性の高いセラミック基板11を用いているため、VCSEL14及び動作回路用IC94の発する熱が効率よく放散される。よって、放熱性の悪化に起因する発光波長のズレも回避され、動作安定性・信頼性に優れた光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板80を実現することができる。
(2)また、本実施形態の製造方法によれば、上記構成を有する光ファイバコネクタ付き光学素子搭載基板80を確実にかつ低コストで製造することができる。
[第5の実施の形態]
次に、図19〜図26に基づいて、本発明の参考例である第5の実施形態における光導波路付き光学素子搭載基板60(光部品付き光部品支持基板)について説明する。
上記第1の実施形態では、第1凹部として第1貫通穴21を形成し、第2凹部として第2貫通穴23を形成していたが、本実施形態では、第1凹部として第1非貫通穴61を形成し、第2凹部として第2非貫通穴63を形成している。それ以外の構成については共通している。以下、このような構成の光導波路付き光学素子搭載基板60を製造する方法について述べる。
(第1の製造方法)
まず、上記第1の実施形態の手順に従ってセラミック基板11を作製する。ここでは、グリーンシート積層体に対するドリル加工を行い、所定箇所に第1非貫通穴61(第1凹部)を形成しておく(第1穴明け工程)。この段階ではまだ未焼結状態であるので、穴加工を比較的簡単にかつ低コストで行うことができる。次に、周知の手法に従って乾燥工程や脱脂工程などを行った後、さらにアルミナが焼結しうる加熱温度にて焼成工程を行う。これにより、グリーンシート積層体(セラミック未焼結体)を焼結させてセラミック基板11とする(図20参照)。この時点でセラミックは硬質化しかつ収縮する。
次に、位置合わせ用ガイド部材である複数のガイドピン24の上端部を、ガイド部材保持治具であるチャック121等により保持固定する。そして、把持されたガイドピン24の下端部を第1非貫通穴61内に挿入した状態で、ガイドピン24を保持する。その際、ガイドピン24をX−Y軸方向に高精度に位置合わせをしておく。さらに、ディスペンサ122等を用いて、第1非貫通穴61内に未硬化の樹脂材料123を充填する(図21参照)。本実施形態では、第1の実施形態と同様に、熱硬化性樹脂中に無機フィラーを含む未硬化状態の樹脂材料を用いている。そして、充填された樹脂材料123を加熱して硬化させた後、チャック121による保持を解除する。その結果、略中心部に第2非貫通穴63を有する樹脂層22を配設できるとともに、第2非貫通穴63にガイドピン24を支持させることができる(図22参照、樹脂層配設及びガイド部材取付工程)。
従って、上記第1の製造方法によると、樹脂層配設工程とガイド部材取付工程とが同時に行われることから、第1の実施形態の製造方法に比べて工数が少なくなる。ゆえに、低コスト化に極めて有利である。
なお、この第1の製造方法においては、チャック121以外のガイド部材保持治具を用いてもよい。また、第1非貫通穴61内に未硬化の樹脂材料123を充填するにあたって、ディスペンサ122以外の手段を用いてもよい。さらには、以下のような変更も可能である。即ち、先に第1非貫通穴61内に未硬化の樹脂材料123を充填しておき、その後でガイドピン24の下端部を第1非貫通穴61内に挿入保持するようにする。このような順序にすれば、樹脂材料123の充填時にガイドピン24が邪魔にならないことから、樹脂材料123を充填する方法の選択の幅が広くなる。従って、例えば印刷法などの手法を採用すること等が可能となる。
(第2の製造方法)
まず、上記第1の実施形態の手順に従ってセラミック基板11を作製する。ここでは、グリーンシート積層体に対するドリル加工を行い、所定箇所に第1非貫通穴61(第1凹部)を形成しておく(第1穴明け工程)。この段階ではまだ未焼結状態であるので、穴加工を比較的簡単にかつ低コストで行うことができる。次に、周知の手法に従って乾燥工程や脱脂工程などを行った後、さらにアルミナが焼結しうる加熱温度にて焼成工程を行う。これにより、グリーンシート積層体(セラミック未焼結体)を焼結させてセラミック基板11とする(図23参照)。この時点でセラミックは硬質化しかつ収縮する。
次に、スペーサ部材である金型126を用意する。この金型126は、ガイドピン24の形状に対応した形状のピン127を複数個有している(図24参照)。そして、セラミック基板11と金型126とをX−Y軸方向に高精度に位置合わせした状態で、各ピン127の下端部を第1非貫通穴61内に挿入した状態で、金型126を保持する。さらに、ディスペンサ122等を用いて、第1非貫通穴61内に未硬化の樹脂材料123を充填する。本実施形態では、第1の実施形態と同様に、熱硬化性樹脂中に無機フィラーを含む未硬化状態の樹脂材料を用いている。そして、充填された樹脂材料123を加熱して硬化させた後、金型126を引き上げて除去する。その結果、略中央部に第2非貫通穴63を有する樹脂層22が形成される(図25参照、樹脂層配設及び第2穴明け工程)。そして最後に、各第2非貫通穴63内にそれぞれガイドピン24を圧入するようにして嵌着支持させる(図26参照、ガイド部材取付工程)。
従って、上記第2の製造方法によると、樹脂層配設工程と第2穴明け工程とが同時に行われることから、第1の実施形態の製造方法に比べて工数が少なくなる。ゆえに、低コスト化に極めて有利である。
なお、この第2の製造方法においては、第1非貫通穴61内に未硬化の樹脂材料123を充填するにあたって、ディスペンサ122以外の手段を用いてもよい。さらには、以下のような変更も可能である。即ち、先に第1非貫通穴61内に未硬化の樹脂材料123を充填しておき、その後で金型126のピン127の下端部を第1非貫通穴61内に挿入保持するようにする。このような順序にすれば、樹脂材料123の充填時に金型126が邪魔にならないことから、樹脂材料123を充填する方法の選択の幅が広くなる。従って、例えば印刷法などの手法を採用すること等が可能となる。
[第6の実施の形態]
図27〜図29には、本発明の参考例である第6の実施形態の光導波路付き光学素子搭載基板130(光部品付き光学素子搭載基板)が示されている。図27は、前記光導波路付き光学素子搭載基板130の概略断面図である。図28は、図27のA−A断面図である。図29は、前記光導波路付き光学素子搭載基板130の製造過程において、セラミック基板11と下側光導波路141と上側光導波路151との位置合わせを行いつつ各々の部品を固定する際の様子を示す概略断面図である。
図27,図28に示されるように、本実施形態の光導波路付き光学素子搭載基板130は、VCSEL14(光学素子)、セラミック基板11(基板)、下側光導波路141(光部品)、上側光導波路151(光部品)、ガイドピン24(位置合わせ用ガイド部材)等によって構成されている。なお、本実施形態のVCSEL14は、4個の発光部15からなる発光部列を2列有している。
セラミック基板11は、上面12(主面)及び下面13を有する略矩形状の板部材である。かかるセラミック基板11はいわゆる多層配線基板であって、その内部に金属配線層(即ち配線パターン134やビアホール導体135)を備えている。上面12側の略中央部には、チップ収容部であるキャビティ136が設けられている。一方、下面13側には複数の外部接続端子132が形成されている。セラミック基板11における外周部には第1凹部としての第1貫通穴21が設けられ、その第1貫通穴21の内部には樹脂層22が設けられている。樹脂層22の略中心部には第2貫通穴23(第2凹部)が設けられ、その第2貫通穴23にはガイドピン24が嵌着されている。
下側光導波路141はセラミック基板11の上面12に密接して配置されている。下側光導波路141を構成する基材32は、コア33及びクラッド34を有している。基材32における所定部位には内角が約90°のV字溝153が形成され、そのV字溝153の内面(傾斜面)には光を全反射可能な金属からなる薄膜152が蒸着されている。その結果、VCSEL14が発した光の進行方向を約90°変換する光路変換用ミラーが構成されている。かかる光路変換用ミラーは、VCSEL14における一方の発光部列の直上に配置されている。また、下側光導波路141を構成する基材32の外周部には、位置合わせ穴146(位置合わせ凹部)が貫通形成されている。その位置合わせ穴146には、ガイドピン24が挿通された状態で嵌合している。
下側光導波路141の下面側には、配線層(接続パッド92や金属配線層93)が形成されている。また、下側光導波路141の下面側には、光学素子(発光素子)の一種であるVCSEL14(光学素子)、動作回路用IC94(いわゆるドライバIC)が搭載されている。従って、VCSEL14の発光部15は上向きに配置されていて、その発光時には下側光導波路141の下面側からレーザ光が入射する。下側光導波路141は基本的に透明な部材であるので、入射したレーザ光は下側光導波路141の上面側に通り抜けることができる。なお、VCSEL14及び動作回路用IC94はキャビティ136内に収容された状態で配置される。VCSEL14及び動作回路用IC94の下面と、キャビティ136の底面との隙間に、放熱性向上を目的としてシリコーンオイル等を充填してもよい。本実施形態において下側光導波路141は、光学素子を直接支持する支持体であると把握することが可能である。また、セラミック基板11は、下側光導波路141を介して光学素子を間接的に支持する基板であると把握することも可能である。
上側光導波路151は下側光導波路141の上面に密接して配置されている。上側光導波路151を構成する基材32は、コア33、クラッド34、V字溝153に薄膜152を蒸着してなる光路変換用ミラーを有している。ただし、上側光導波路151における光路変換ミラーは、下側光導波路141における光路変換ミラーとは別の位置、具体的にはVCSEL14における他方の発光部列の直上に配置されている。つまり本実施形態では、下側光導波路141の光路変換ミラー及び上側光導波路151の光路変換ミラーが、例えば下側光導波路141下面側から見て重なり合わないように、下面に平行な方向(具体的にはコア33の長手方向)にずらして配置されている。それゆえ、入射光の干渉を避けることができ、各コア33とVCSEL14との光結合に支障を来たさないようになっている。また、上側光導波路151を構成する基材32の外周部には、位置合わせ穴156(位置合わせ凹部)が貫通形成されている。ガイドピン24はその位置合わせ穴156にも挿通された状態で嵌合している。
そして本実施形態では、セラミック基板11、下側光導波路141及び上側光導波路151の三者が、ガイドピン24との嵌合によって、互いに位置合わせされた状態で固定されている。ここで「位置合わせされた状態」とは、具体的には、VCSEL14の各発光部15の光軸と、下側光導波路141及び上側光導波路151の各コア33の光軸とが合った状態をいう。
従って、本実施形態によれば以下の作用効果を奏する。
(1)本実施形態では、ガイドピン24との嵌合関係をもって、光軸合わせを達成しつつセラミック基板11と下側光導波路141と上側光導波路151とを相互に固定した構成となっている。よって、リフロー時のセルフアライメント作用のみに頼る従来の消極的な光軸合わせに比べて、より積極的にかつ高い精度で光軸が合った状態となる。ゆえに、光の伝送ロスが小さく、高速度化・高密度化等に十分に対応しうる光導波路付き光学素子搭載基板130を実現することができる。また、樹脂基板に比較して熱伝導性の高いセラミック基板11を用いているため、VCSEL14及び動作回路用IC94の発する熱が効率よく放散される。よって、放熱性の悪化に起因する発光波長のズレも回避され、動作安定性・信頼性に優れた光導波路付き光学素子搭載基板130を実現することができる。
(変形例)
図30,図31には、第6実施形態の光導波路付き光学素子搭載基板130(光部品付き光学素子搭載基板)の変形例が示されている。図30は、変形例の光導波路付き光学素子搭載基板130の概略断面図である。図31は、図30のB−B断面図である。
この光導波路付き光学素子搭載基板130では、下側光導波路141の配線層(接続パッド92や金属配線層93)が省略され、その代わりにキャビティ136の底面に接続パッド158が設けられている。そして、これらの接続パッド158上にVCSEL14、動作回路用IC94等がはんだ付けされている。また、上側光導波路151の各コア33及び下側光導波路141の各コア33が、下面側から見て重なり合わないように、コア33の幅方向にずらして配置されている(図31参照)。なお、この場合のずらし量は、隣接するコア33同士の中心線間距離の半分の値に設定されている。それゆえ、本変形例においても、入射光や出射光の干渉を避けることができ、各コア33とVCSEL14との光結合に支障を来たさないようになっている。
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
・第2穴明け工程における精密穴加工のみによって十分高精度な穴が形成できるのであれば、仕上げ加工を省略しても構わない。
・第1の実施形態では、光学素子であるVCSEL14やフォトダイオード16を搭載する工程を、仕上げ加工の実施後かつガイド部材取付工程の実施前の段階で行っていた。しかし、これに限定されることはなく、光学素子搭載工程をガイド部材取付工程の実施後に行ったり、仕上げ加工の実施前に行ったりしてもよい。
・第6の実施形態では、光伝送機能及び光反射機能を有する光部品として光導波路141,151を用いていたが、その代わりに光ファイバコネクタ等の光伝送機能を有する光部品を用いて構成してもよい。さらには、光導波路141,151に代えて、マイクロレンズアレイ等の集光機能を有する光部品を用いるようにしてもよい。
・第1の実施形態では、図8〜図10に示したように、第2凹部を樹脂層22で穴埋めする工程→樹脂層22をドリル加工して第2凹部を加工形成する第2穴明け工程→余剰の樹脂層22を表面研磨して除去する工程、という順序で実施しているが、その順序を変更してもよい。例えば、表面研磨工程の前に第2穴明け工程を実施してもよく、この場合には平坦面に対するドリル加工となるため、第2凹部の加工精度を向上させることができる。また、ドリル加工後に表面研磨を行った場合に比べて、第2凹部の開口部の欠けが起こりにくくなる。
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
(1)主面を有するとともに、少なくとも前記主面側において開口する第1凹部を有する基板と、前記第1凹部内に位置し、前記第1凹部よりも小径かつ少なくとも前記主面側において開口する第2凹部を有し、前記基板を形成する主材料よりも加工性のよい材料からなる第2凹部被形成部と、前記第2凹部に嵌合されることで支持され、前記基板の前記主面側にてその一部が突出し、光伝送機能、集光機能及び光反射機能のうちの少なくとも1つを有する光部品の有する位置合わせ凹部に対して嵌合可能な位置合わせ用ガイド部材とを備える光部品支持基板の製造方法において、穴加工を行うことによりセラミック未焼結体に前記第1凹部を形成する第1穴明け工程と、前記セラミック未焼結体を焼結させて前記セラミック基板とする焼成工程と、前記第1凹部内に半硬化状態の前記第2凹部被形成部を設ける第2凹部被形成部配設工程と、前記第2凹部被形成部配設工程後に穴加工を行うことにより前記第2凹部被形成部に前記第2凹部を穴明け形成する第2工程と、前記第2穴明け工程後に前記第2凹部被形成部を完全に硬化させる本硬化処理を行う工程と、前記本硬化処理を行う工程後に前記第2凹部に仕上げ加工を施す仕上げ加工工程と、前記仕上げ加工工程後に前記第2凹部に前記位置合わせ用ガイド部材を支持させるガイド部材取付工程と、を含むことを特徴とする光部品支持基板の製造方法。
(2)基板側位置合わせ凹部を有する基板と、少なくとも光反射機能を有し、第1光部品側位置合わせ凹部を有する第1光部品と、前記基板と前記第1光部品との間に配置され、少なくとも集光機能を有し、第2光部品側位置合わせ凹部を有する第2光部品と、前記第1光部品側位置合わせ凹部、前記第2光部品側位置合わせ凹部及び前記基板側位置合わせ凹部に対して嵌合可能な位置合わせ用ガイド部材と、を備えることを特徴とする光部品付き光部品支持基板。
(3)主面を有するとともに、少なくとも前記主面側において開口する第1凹部を有するセラミック基板と、少なくとも光反射機能を有し、第1光部品側位置合わせ凹部を有する第1光部品と、前記基板と前記第1光部品との間に配置され、少なくとも集光機能を有し、第2光部品側位置合わせ凹部を有する第2光部品
と、前記第1凹部内に位置し、前記第1凹部よりも小径かつ少なくとも前記主面側において開口する第2凹部を有する第2凹部被形成部と、前記第1光部品側位置合わせ凹部、前記第2光部品側位置合わせ凹部及び基板側位置合わせ凹部である前記第2凹部に対して嵌合可能な位置合わせ用ガイド部材と、を備えることを特徴とする光部品付き光部品支持基板。
(4)前記第1光部品は、光路変換部を有し、光ファイバの端部に接続される光ファイバコネクタであることを特徴とする技術的思想(2)または(3)に記載の光部品付き光部品支持基板。
(5)主面を有するとともに、少なくとも前記主面側において開口する第1凹部を有する基板と、前記第1凹部内に位置し、前記第1凹部よりも小径かつ少なくとも前記主面側において開口する第2凹部を有し、前記基板を形成する主材料よりも加工性のよい材料からなる第2凹部被形成部と、前記第2凹部に嵌合されることで支持され、前記基板の前記主面側にてその一部が突出し、光伝送機能、集光機能及び光反射機能のうちの少なくとも1つを有する光部品の有する位置合わせ凹部に対して嵌合可能な位置合わせ用ガイド部材とを備える光部品支持基板の製造方法において、穴加工を行うことによりセラミック未焼結体に前記第1凹部を形成する第1穴明け工程と、前記セラミック未焼結体を焼結させて前記セラミック基板とする焼成工程と、前記第1凹部内にスペーサ部材を配置し、この状態で未硬化の材料を充填しかつ硬化させた後、前記スペーサ部材を除去することにより、前記第2凹部を有する前記第2凹部被形成部を設ける、第2凹部被形成部配設及び第2穴明け工程と、前記第2凹部に前記位置合わせ用ガイド部材を支持させるガイド部材取付工程と、を含むことを特徴とする光部品支持基板の製造方法。
(6)主面を有するとともに、少なくとも前記主面側において開口する第1凹部を有する基板と、前記第1凹部内に位置し、前記第1凹部よりも小径かつ少なくとも前記主面側において開口する第2凹部を有し、前記基板を形成する主材料よりも加工性のよい材料からなる第2凹部被形成部と、前記第2凹部に嵌合されることで支持され、前記基板の前記主面側にてその一部が突出し、光伝送機能、集光機能及び光反射機能のうちの少なくとも1つを有する光部品の有する位置合わせ凹部に対して嵌合可能な位置合わせ用ガイド部材とを備える光部品支持基板の製造方法において、穴加工を行うことによりセラミック未焼結体に前記第1凹部を形成する第1穴明け工程と、前記セラミック未焼結体を焼結させて前記セラミック基板とする焼成工程と、前記第1凹部内に前記位置合わせ用ガイド部材の一部を挿入した状態で保持し、この状態で前記第1凹部内に未硬化の材料を充填しかつ硬化させることにより、前記第2凹部を有する前記第2凹部被形成部を設けかつ前記の第2凹部に前記位置合わせ用ガイド部材を支持させる、第2凹部被形成部配設及びガイド部材取付工程と、を含むことを特徴とする光部品支持基板の製造方法。
(7)前記基板はセラミック基板であり、前記第2凹部被形成部は樹脂層であることを特徴とする技術的思想(1),(5)または(6)に記載の光部品支持基板。
(8)前記樹脂層は、前記樹脂層を構成する樹脂よりも熱伝導性の高い無機フィラーを含むことを特徴とする技術的思想(7)に記載の光部品支持基板。
(9)光導波路と、主面を有するとともに、少なくとも前記主面側において開口する第1凹部を有するセラミック基板と、前記第1凹部内に位置し、前記第1凹部よりも小径かつ少なくとも前記主面側において開口する第2凹部を有し、前記基板を形成する主材料よりも加工性のよい材料からなる第2凹部被形成部と、前記第2凹部に嵌合されることで支持され、前記セラミック基板の前記主面側にてその一部が突出し、前記光導波路の有する位置合わせ凹部に対して嵌合可能な位置合わせ用ガイド部材と、を備えることを特徴とする光導波路付き光部品支持基板。
(10)光ファイバコネクタと、主面を有するとともに、少なくとも前記主面側において開口する第1凹部を有するセラミック基板と、前記第1凹部内に位置し、前記第1凹部よりも小径かつ少なくとも前記主面側において開口する第2凹部を有し、前記基板を形成する主材料よりも加工性のよい材料からなる第2凹部被形成部と、前記第2凹部に嵌合されることで支持され、前記セラミック基板の前記主面側にてその一部が突出し、前記光ファイバコネクタの有する位置合わせ凹部に対して嵌合可能な位置合わせ用ガイド部材と、を備えることを特徴とする光ファイバコネクタ付き光部品支持基板。