JP5500937B2 - 半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法 - Google Patents

半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5500937B2
JP5500937B2 JP2009236116A JP2009236116A JP5500937B2 JP 5500937 B2 JP5500937 B2 JP 5500937B2 JP 2009236116 A JP2009236116 A JP 2009236116A JP 2009236116 A JP2009236116 A JP 2009236116A JP 5500937 B2 JP5500937 B2 JP 5500937B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
image holding
substrate
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2009236116A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010009068A (ja
Inventor
ムン,クッ−チュル
ユン,ジョ−スン
チョイ,ピル−モ
ヤン,ヨン−ホ
アン,ヤン−シック
キム,ホン−ギュン
ヨン,ヨン−ナム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of JP2010009068A publication Critical patent/JP2010009068A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5500937B2 publication Critical patent/JP5500937B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

本発明は半透過型液晶表示装置とこれの製造方法及びこれに利用される薄膜トランジスター基板の製造方法に関し、より詳細には反射モードと透過モードとの間の視角差異を最少化することができる半透過型液晶表示装置、これの製造方法及びこれに利用される薄膜トランジスター基板の製造方法に関するものである。
最近、情報化社会において、ディスプレー装置の役割はますます重要となり、各種ディスプレー装置が多様な産業分野に広範囲に使用されている。半導体技術の急速な発展による各種情報処理装置の小型化及び軽量化が行われている。これによってディスプレー装置も薄くて軽い低消費電力の特徴を有する液晶表示装置が広範囲に使用されつつある。
このような、液晶表示装置は外部から発生された第1光の提供を受けて映像を表示する半透過型液晶表示装置と、自ら生成された第2光の提供を受けて映像を表示する反射型液晶表示装置とで区分される。さらに、第1光または第2光のいずれかの提供を受けて映像を表示する半透過型液晶表示装置が開発されている。
このような、半透過型液晶表示装置は外部光、つまり第1光の量が豊富な所では、外部から発生された第1光を利用して映像をディスプレーし、外部光量が足りない所では、自ら充電された電気エネルギーを消耗して生成された第2光を利用して映像をディスプレーする。
従って、半透過型液晶表示装置は、第1光は反射させ、第2光は透過させる構造を有する。
図1は従来の半透過型液晶表示装置の単位画素を示す平面図である。ただ、図1に図示しなかったが、半透過型液晶表示装置は薄膜トランジスター基板、薄膜トランジスター基板と対向して備えられたカラーフィルタ基板及び、前記薄膜トランジスター基板とカラーフィルタ基板との間に注入された液晶層で構成される。ここで、カラーフィルタ基板は前記薄膜トランジスター基板と対向して備えられ、RGB色画素及びRGB色画素の全面積にわたって塗布された共通電極が形成された基板である。
図1を参照すると、半透過型液晶表示装置の薄膜トランジスター(以下、TFTと称する)基板上に形成された単位画素50はTFT20と画素電極10からなる。また、TFT基板上にロー方向に延びた複数のデータライン31及びコラム方向に延びた複数のゲートライン32が形成される。
具体的に、TFT20はゲート電極21、ソース電極22及びドレーン電極23により構成され、ゲート電極21は複数のゲートライン32とコラム方向に共通的に連結され、ソース電極22は複数のデータライン31とロー方向に共通的に連結され、ドレーン電極23は画素電極10と連結される。
ここで、画素電極10には第1光を反射させることで、映像を表示するための反射電極12及び第2光を透過させることで、映像を表示するための透過電極11が同時に形成される。
即ち、前記TFT20のドレーン電極23と連結されるように透過電極11が形成されると、その上に透過電極11を部分的に露出させるための透過窓13が形成された反射電極12が形成される。
従って、外部光が豊富する時は、単位画素50は前記反射電極12により外部光を反射させる反射モードで映像を表示し、前記外部光が足りない時は透過窓13により露出された透過電極11を通じて光発生手段により発生した光を透過させる透過モードで映像を表示する。
図1で、参照符号‘A’は透過窓13の第2面積であり、‘2A’は反射電極12の第1面積である。よって、‘A’は透過窓13により露出された透過電極11の面積と同様である。透過窓13により露出された透過電極11の面積Aは、面積2Aより小さい。従って、前記半透過型液晶表示装置は一般に反射モードで映像を表示し、前記外部光が足りない場合にのみ光発生手段により発生した光を利用する透過モードで映像を表示することで、光を生成するのに消費される電力を最少化することができる。
しかし、このように第1面積2Aが前記第2面積Aより大きいので、反射モードと透過モードとの間の輝度差異が発生する。即ち、反射モードでの輝度が透過モードでの輝度より高く示される。
このような輝度差異を補償するために、前記透過モードで発生される第2光の量を増加させることができるが、これは消費電力を増加させるという問題を発生させる。
また、‘2A’の第1面積を有する反射電極12が、透過窓13によって露出された透過電極11の第2面積‘A’より広く形成されたことにもかかわらず、前記反射モードでは第1光がカラーフィルタ基板を二度通過することになる。即ち、反射モードで第1光はカラーフィルタ基板を通じて入射された後、前記反射電極12により反射されて再びカラーフィルタ基板を通じて出射される。
従って、前記反射モードと透過モードとの間で、色再現性の差異が発生する。
本発明の目的は、透過モードと反射モードとの間の視角差異を最少化することができる半透過型液晶表示装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、薄形化を具現することができる半透過型液晶表示装置を提供することにある。
また、本発明の目的は、前記した半透過型液晶表示装置に利用される薄膜トランジスターの製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、透過モードと反射モードとの間の視角差異を最少化しながら、製造工程数を減少させることができる半透過型液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
上述した目的を達成するための本発明による半透過型液晶表示装置は、第1面、前記第1面と対向する第2面及び複数の側面を有する透明基板と、前記第1面上に形成される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタから出力された電源電圧が印加され、第1面積を有する透明な画素電極と、前記画素電極と前記第1面との間に形成された誘電層と、前記誘電層と前記第1面との間に形成されて、前記第1面から前記第2面に向かう方向の光の一部は反射し、画像保持用キャパシタの下部電極として機能し、第2面積を有する画像保持用反射電極とを含む第1基板と、
前記第1基板の第1面と対向し、前記画素電極と対向する位置に色画素共通電極が形成された第2基板と、
前記第1基板と第2基板との間に注入された液晶と、
を含み、前記画像保持用反射電極は前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一工程によって同一層に形成され
前記画素電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極の一部の上に直接的に重なるように形成されていることを特徴とする。
ここで、前記画像保持用反射電極には、開口が形成されることが好ましい。
また、前記画像保持用反射電極と前記画素電極とが重畳しない領域の面積と前記第2面積は同一であることが好ましい。
さらに、前記画像保持用反射電極は、所定形状を有するプレート形状を有することが好ましい。
前記画像保持用反射電極は、第1面と平行であり、第1方向に延在する第1画像保持用反射電極と、前記第1画像保持用反射電極から第1面に沿って前記第1方向と異なる第2方向に延在する第2画像保持用反射電極とを含むことが好ましい。
また、前記第1方向と前記第2方向とは相異することが好ましい。
本発明に係る半透過型液晶表示装置の製造方法は、
第1透明基板の第1面に形成された第1メタル薄膜をパターニングしてゲート電極が1つ以上連結されたゲートライン及び前記ゲートラインと絶縁され、第1面積を有する画像保持用反射電極を形成する段階と、
前記ゲート電極の上部に前記ゲート電極と絶縁されたチャンネル部を形成する段階と、
前記チャンネル部の2箇所が露出されるようにコンタクトホールが形成された絶縁層を第1面の全面にわたって形成する段階と、
前記第1面の全面にわたって形成された第2メタル薄膜をパターニングして、前記コンタクトホールのうち、いずれか1つに接続されるソース電極及びソース電極と接続されるデータライン、前記コンタクトホールのうち、残りの1つの接続されたドレーン電極を形成する段階と、
前記第1面の全面にわたって形成された透明な導電膜をパターニングして、前記ドレーン電極の一部の上に直接的に重なるように形成され、第2面積を有する透明電極を形成する段階と、
前記第1透明基板と対向し、色画素及び共通電極が形成された第2透明基板を前記第1透明基板とアセンブリする段階と、
前記第1及び第2透明基板間に液晶を注入する段階と、
を含む。
ここで、前記ゲート電極と前記チャンネル部は、透明な絶縁層によって絶縁されることが好ましい。
また、前記画像保持用反射電極と前記画素電極とが重畳しない領域の面積と前記第2面積は同一であることが好ましい。
従来の半透過型液晶表示装置の単位画素を示す平面図である。 本発明の一実施例による半透過型液晶表示装置を具体的に示す断面図である。 図2に示した半透過型液晶表示装置の単位画素を示す平面図である。 従来の半透過型液晶表示装置の反射モードと透過モードとの輝度分布曲線を示すグラフである。 図3に示した半透過型液晶表示装置の反射モードと透過モードとの輝度分布曲線を示すグラフである。 本発明の他の実施例による単位画素を示す図面である。 本発明の他の実施例による単位画素を示す図面である。 本発明の他の実施例による半透過型液晶表示装置を具体的に示す断面図である。 図8に示すTFT基板の製造工程を具体的に示す断面図である。 図8に示すTFT基板の製造工程を具体的に示す断面図である。 図8に示すTFT基板の製造工程を具体的に示す断面図である。 図8に示すTFT基板の製造工程を具体的に示す断面図である。 図8に示すTFT基板の製造工程を具体的に示す断面図である。 図8に示すTFT基板の製造工程を具体的に示す断面図である。 図9Aに示すTFT基板を具体的に示す斜視図である。 図9Cに示すTFT基板を具体的に示す斜視図である。 図9Dに示すTFT基板を具体的に示す斜視図である。 図9Fに示すTFT基板を具体的に示す斜視図である。 本発明の他の実施例による半透過型液晶表示装置の他に画素を具体的に示す断面図である。 図11に示す薄膜トランジスター基板を製造する過程を示す図面である。 図11に示す薄膜トランジスター基板を製造する過程を示す図面である。 図11に示す薄膜トランジスター基板を製造する過程を示す図面である。 図11に示す薄膜トランジスター基板を製造する過程を示す図面である。 図11に示す薄膜トランジスター基板を製造する過程を示す図面である。 本発明の他の実施例による薄膜トランジスター基板を示す図面である。 本発明の他の実施例による薄膜トランジスター基板を示す図面である。 本発明の他の実施例による薄膜トランジスター基板を示す図面である。
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施例をより詳細に説明する。
〈実施例1〉
図2は本発明の一実施例による半透過型液晶表示装置の構造を説明するためのプロファイルを示した断面図である。
図2に示すように、半透過型液晶表示装置190は、TFT基板140、前記TFT基板140と対向するカラーフィルタ基板170及びTFT基板140とカラーフィルタ基板170との間に注入される液晶層160により構成される。
TFT基板140は、第1絶縁基板100と、第1絶縁基板100上に備えられたTFT120と、コンタクトホール115を有するようにTFT120上に形成される第1有機絶縁層114と、第1有機絶縁層114上の透過電極111と、透過電極111上の第2有機絶縁層116と、透過窓113と、透過電極111との電気的に接続される反射電極112とを含む。
第1絶縁基板100上には前記TFT120が形成される。前記TFT120はゲート電極121、ソース電極122及びドレーン電極123からなり、ゲート電極121は絶縁膜を通じてソース電極122及びドレーン電極123と絶縁状態を保持する。また、TFT120にはゲート電極121に電圧が印加されるにつれて、前記ソース電極122から前記ドレーン電極123に電圧が印加されるようにする半導体層が形成される。
このような構成を有する複数のTFT120はTFT基板140上にマトリックス状に配列される。ここで、マトリックス状に配列されたTFT120のうち、各コラム(column)方向に配列されたTFT120のゲート電極121は、共通ゲートライン(図示せず)によりゲート電圧が印加される。即ち、同一のカラムに配列されたTFT120は、共通ゲートラインによりコラム単位に同時にターンオン又はターンオフされる。
一方、マトリックス状に配列されたTFT120のうち、各ロー(low)に属する全てTFT120のソース電極122は、共通データライン(図示せず)によりデータ電源が印加される。
このように、TFT120のソース電極122に所望する電圧が印加された状態で、選択されたいずれか一つの共通ゲートラインにターンオン電圧が印加されることにより、マトリックス状に配列されたTFT120のうちの選択された一つのコラムに属するTFT120にはソース電極122から半導体層を経てドレーン電極123に電源が出力される。同様に、TFT120のソース電極122に電圧を印加する共通ゲートラインに接続されるTFTは、TFT120の対応する電圧応じて操作される。このように、前記ドレーン電極123に出力された電源に液晶160が駆動されてディスプレーが実施される。
ここで、TFT120のドレーン電極123には透過電極111及び反射電極112が共に形成された画素電極110が連結される。ドレーン電極123とソース電極122は半導体層上において同一層に形成される。よって、ドレーン電極123を透過電極111及び反射電極112と電気的に接続するために、前記TFT120上に所望の厚みの第1有機絶縁膜114が形成される。一方、前記第1有機絶縁膜114の上面は凹凸構造で形成される。
このように、第1絶縁基板100の全面積にわたって形成された前記第1有機絶縁膜114は、部分的に除去され、前記TFT120のドレーン電極123を露出させるためのコンタクトホール115が形成される。コンタクトホール115が形成された後、露出されたドレーン電極123上及び前記第1有機絶縁膜114の上面にはインジウム錫酸化物(以下、ITOと称する)物質またはインジウム亜鉛酸化物(IZO)物質からなる透過電極111が均一な厚さに蒸着される。前記透過電極111はコンタクトホール115を通じてTFT120のドレーン電極123と電気的に接続される。
一方、透過電極111の上面には第2有機絶縁膜116が均一な厚さで形成される。ここで、第2有機絶縁膜116はアクリル系有機絶縁膜が使用される。このように、透過電極111の上面に形成された第2有機絶縁膜116は2箇所が開口される。第1開口はコンタクトホール115である。即ち、開口されるところのうちのいずれか一つはドレーン電極123の上面に位置している。第2開口は、透過電極111の一部を露出するために所定距離TFT120から離れて形成されており、透過窓113として使用される。前記コンタクトホール115は反射電極112と透過電極111を電気的に接触されるようにするために形成される。前記第2有機絶縁膜116の上面は凹凸構造で形成される。
以後、第2有機絶縁膜116の上面には反射電極112が形成される。反射電極112は外部から発生されてTFT基板140に入射された第1光L1を反射させる役割を有する。ここで、反射電極112は第2有機絶縁膜116と同様に凹凸構造の表面構造を有するので、前記第1光L1の反射量を増加させ、また第1光L1を拡散させる。
TFT基板140は、その上部にRGBピクセル172が形成される第2絶縁層171を有するカラーフィルタ基板170と結合される。そして、共通電極173が形成される。液晶160は、カラーフィルタ基板170とTFT基板140との間に形成される。一方、前記反射電極112には透過電極111の一部分を開口させるための前記透過窓113が形成されている。前記透過窓113は半透過型液晶表示装置190自ら生成された第2光L2を透過させる。
図3で、参照符号“2B”は透過窓13の第2面積であり、“B”は前記反射電極12の第1面積である。透過窓13により露出された透過電極1は、2Bと同じである。反射電極112の第1面積Bは、透過窓113により露出された透過電極111の第2面積2Bより小さい。つまり。前記透過窓113により露出された透過電極111の第2面積は、前記透過モード及び反射モードとの間の視角差異を最少化することができる程度に十分大きな面積を有する。
前記単位画素の面積は一定であるために、第2面積2Bを増加させると、相対的に第1面積Bは減少する。ここで、第2面積2Bと第1面積Bとの割合は、反射電極112の反射効率に対応している。つまり、割合Cは、反射電極112の反射効率に比例する。
図3は図2に示した半透過型液晶表示装置の単位画素を示す平面図である。
図3を参照すると、単位画素150はTFT120及びTFT120と連結された画素電極110からなる。TFT120のゲート電極121は第1絶縁基板100上に配線された共通ゲートライン131と連結され、ソース電極122は第1絶縁基板100上に配線された共通データライン132と連結される。また、ドレーン電極123は前記画素電極110と連結される。
前記画素電極110は第1有機絶縁膜116上に形成され、透明なITO物質からなる透過電極111、前記透過電極111の上部に形成されメタル物質からなる反射電極112からなる。一方、反射電極112は透過電極111を露出させるための透過窓113を有する。画素電極110の面積が第3面積で定義されるとすると、反射電極112は、第3面積から透過窓113の面積に対応する第2面積の大きさを減算して得られる第1面積を有する。第2面積は、第1面積よりも大きく、第1と第2面積との割合は、反射電極112の反射効率に依存している。
従来の単位ピクセルにおいて、透過窓の大きさは反射電極よりも小さい。図1で、前記透過窓13により露出された透過電極11の第2面積は“A”であり、前記反射電極12の第1面積は“2A”である。従って、画素電極10の第3面積は“A+2A=3A”である。
しかし、本発明の単位画素150においては、透過窓113の大きさは反射電極112よりも大きい。一方、図3で、透過窓113により露出された透過電極111の第2面積は“2B”であり、反射電極112の第1面積は“B”である。ここで、画素電極の第3面積は“3B”である。
図4は従来の半透過型液晶表示装置の反射モード及び透過モードの輝度分布曲線を示すグラフであり、図5は本発明の半透過型液晶表示装置の一実施例による反射モード及び透過モードの輝度分布曲線を示すグラフである。図4で、図1に示す画素電極を有する液晶表示装置において、R1は反射モードでの輝度分布曲線を示し、T1は透過モードでの輝度分布曲線を示す。図5で、図3に示す画素電極を有する液晶表示装置において、R2は反射モードでの輝度分布曲線を示し、T2は透過電極での輝度分布曲線を示す。
図4及び図5において、反射電極の反射効率が30%であり、ディスプレー有効面積が2インチの製品である半透過型液晶表示装置を例として説明する。ただ、x軸は第1光の明るさ(lux)を示し、y軸は半透過型液晶表示装置の輝度(cd/m)を示す。
図1を参照すると、従来の半透過型液晶表示装置は反射電極が透過窓13により露出された透過電極11より広く形成される。ここで、透過モードでの輝度は15cd/mに固定されており、前記反射モードでの輝度は前記第1光の明るさにより変化される。即ち、第1光が10,000luxである時、反射モードでの輝度は10cd/mを示し、第1光が50,000luxである時、反射モードでの輝度は40cd/mを示す。
従来の半透過型液晶表示装置は反射モードでの輝度が15cd/m2以下に示される前記第2光の明るさでは前記透過モードで映像を表示し、反射モードでの輝度が15cd/m2以上に示される前記第1光の明るさでは反射モードで映像を表示する。
従って、従来の半透過型液晶表示装置は一般に前記反射モードで映像を表示し、第1光の明るさが足りない時にのみ透過モードで映像を表示する。
図4に示すように、第1光が増加されるほど反射モードでの輝度もその分増加される。第1光が増加されるにつれて、反射モードでの輝度と透過モードでの輝度との差異の隔差はさらに増加される。
一方、図3に示すように、本発明による半透過型液晶表示装置は透過窓113に露出された透過電極111の第2面積が反射電極112の第1面積よりさらに広く形成される。ただ、図3を説明するにおいて、前記第2面積が第1面積より2倍位増加されたことを例として説明する。
透過モードでの輝度は、透過窓により露出された前記透過電極111の第2面積が2倍増加されるにより、従来より2倍増加された約30cd/m2である。一方、前記反射モードでの輝度は外部から発生された前記第1光の明るさにより変化される。ここで、前記反射電極112の第1面積が従来より1/2倍位減少したので、前記反射モードの輝度もその分減少する。即ち、第1光が10、000luxである時、反射モードでの輝度は5cd/m2を示し、第1光が50,000luxである時、反射モードでの輝度は20cd/m2を示す。
本発明による半透過型液晶表示装置は反射モードでの輝度が30cd/m2以下に示される第2光の明るさでは透過モードで映像を表示し、前記反射モードでの輝度が30cd/m2以上に示される第1光の明るさでは反射モードで映像を表示する。即ち、前記半透過型液晶表示装置は一般に前記透過モードで映像を表示し、足りないときにのみ反射モードで映像を表示する。
このとき、露出された前記透過電極111の第2面積が増加するにつれて、第1面積が減少することになる。それによって、第1光の明るさが増加されるほど反射モードでの輝度の増加量も従来より減少する。従って、前記反射モードでの輝度と透過モードでの輝度との隔差が減少される。
ここで、前記透過モードと前記反射モードとの間でモードは使用者が任意に転換することもでき、前記第1光の明るさを感知するセンサーを装着して前記第1光の明るさによりモードを転換することもできる。
一方、図3に示したように、前記透過電極111を露出させるために形成された透過窓113は一つの直方形の形態に形成されることができる。
従って、透過窓113の形態は第2面積が第1面積より広く形成することができる範囲内で多様に変形して適用することができる。
図6及び図7は、本発明の第1の実施例による単位画素を示した図面である。
図6及び図7に示すように、複数の透過窓が形成される。反射電極112に形成された透過窓113a、113bは図6及び図7に示すように2つの直方形の形態又は複数の円形の形態に形成されることができる。このように、前記透過窓113a、113bを複数で形成することで1つの透過窓113を有する場合に比べて1つの画素電極110内に前記反射電極112が等しく分布されるので、反射電極112を通じて反射される第1光の均一性を向上させることができる。
〈実施例2〉
図8は本発明の第2の実施例による半透過型液晶表示装置の断面図である。
図8を参照すると、半透過型液晶表示装置200はTFT基板250、TFT基板250と対向して備えられるカラーフィルタ基板260及びTFT基板250とカラーフィルタ基板260との間に注入される液晶層270からなる。
前記TFT基板250は第1絶縁基板210上に複数の画素が形成された基板である。前記複数の画素各々はゲート電極、ソース電極及びドレーン電極を含むTFT220、画像保持用キャパシター227を形成するための下部電極221a、前記画像保持用キャパシター227を形成し、第1光を反射するための上部電極用反射板226a及びTFT220から電源が印加され液晶層270の配列を制御し、前記上部電極用反射板226aと対応しない領域で第1光を透過させるための画素電極240からなる。
一方、カラーフィルタ基板260は第2絶縁基板261を含む。第2絶縁基板261の下部表面上にRGB色画素262及び共通電極263が順次形成される。前記カラーフィルタ基板260は前記共通電極263がTFT基板250の画素電極240と向き合うようにTFT基板250と対向して備えられる。
前記TFT基板250とカラーフィルタ基板260が対向して結合すると、前記TFT基板250と前記カラーフィルタ基板260との間に液晶層270が注入される。これにより、前記半透過型液晶表示装置200が完成される。
以下、図9A乃至図10Dを参照して、図8に示したTFT基板の構造及び製造工程を具体的に説明する。
図9A乃至図9Fは図8にTFT基板の製造工程を示す断面図である。
図10Aは図9Aに示したTFT基板を具体的に示した斜視図であり、図10Bは図9Cに示したTFT基板を具体的に示した斜視図である。図10Cは図9Dに示したTFT基板を具体的に示した斜視図であり、図10Dは図9Fに示したTFT基板を具体的に示した斜視図である。
ここで、図9Aは図10Aを切断線I−I’に切断した断面図であり、図9Cは図10Bを切断線II−II’に切断した断面図である。また、図9Dは図10Cを切断線III−III’に切断した断面図であり、図9Fは図10DをIV−IV’に切断した断面図である。
図9A及び図10Aを参照すると、ガラスまたはセラミックなどのように非導電性物質からなる第1絶縁基板210を備えた後、第1絶縁基板210上にスイッチング素子として利用されるTFT220を形成する。TFT220を形成するために、まず、第1絶縁基板210上にアルミニウム、モリブデン、クロム、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、銅又はタングステンなどのような第1金属層を蒸着する。以後、積層された前記第1金属層をパターニングしてゲート配線を形成する。前記ゲート配線は薄膜トランジスター220のゲート電極221を含むゲートラインGL及び画像保持用キャパシター227を形成するための下部電極221aを含む。
ここで、前記ゲート電極221はゲートラインGLより幅がさらに広く形成され、下部電極221aと所定の間隔に離隔して形成される。
図9Bに示すように、ゲートラインGL及び下部電極221aが形成された第1絶縁基板210の全面に窒化シリコン(SixNy)をプラズマ化学気相蒸着方法で積層してゲート絶縁膜222を形成する。
続けて、図9C、図9D及び図10Bに示すように、前記ゲート絶縁膜222上にアモルファスシリコン膜及びインサイチュ(in−situ)にドーピングされたnアモルファスシリコン膜をプラズマ化学気相蒸着方法に順次に積層する。次に、積層されたアモルファスシリコン膜及びn+アモルファスシリコン膜をパターニングすることで前記ゲート絶縁膜222のうち、下にゲート電極221が位置した部分の上部に半導体層223及びオーミックコンタクト層224を形成する。
ここで、アモルファスシリコン膜にレーザーを照射してポリシリコン層に転換させることができる。
続けて、図9D及び図10Cに示すように、第1基板210上にアルミニウム又は銀のように金属からなる第2金属層が積層される。以後、前記第2金属層をパターニングすることにより、前記ゲートラインGLに直交するデータラインDL、データラインDLから分岐されるソース電極225とドレーン電極226が形成される。また、前記下部電極221aと対応する前記ゲート絶縁膜222上には前記画像保持用キャパシター227を形成し、上部電極用反射板226aが備えられる。
これにより、第1絶縁基板210の画素部にはゲート電極221、半導体層223、オーミックコンタクト層224、ソース電極225及びドレーン電極226を含むTFT220が完成される。
一方、前記上部電極用反射板226aはアルミニウム又は銀のように金属からなる。従って、上部電極用反射板226aは、カラーフィルタ基板260を通過した後、前記TFT基板250に半透過型液晶表示装置200の外部から入射された第1光を反射する。
図9Dに示したように、ゲート電極221と同一層である下部電極221aと、ソース電極225及びドレーン電極226と同一層である上部電極用反射板226aとにより画像保持用キャパシター227が形成される。
従って、従来に比べて下部電極221aと上部電極用反射板226aとの距離dが狭くなることによって画像保持用キャパシター227の容量がさらに増加される。
図9Eを参照すると、前記薄膜トランジスター220及び画像保持用キャパシター227が形成された第1絶縁基板210の上面には全面にわたって感光性有機絶縁膜230がスピンコーティング方法で塗布される。以後、感光性有機絶縁膜230をパターニングして前記TFT220のドレーン電極226を露出させるためのコンタクトホール231を形成する。
前記感光性有機絶縁膜230はBCB(bisbenzocyclobutene)またはPFCB(perfluorocyclobutene)などからなる有機絶縁物質からなるか、酸化珪素膜(SiO2)または窒化珪素膜(SiNx)などの無機絶縁物質からなる。
図9F及び図10Dに示すように、前記感光性有機絶縁膜230上には前記TFT220から電源の印加を受けて共通電極263と共に電場を形成して前記液晶層270を制御するための画素電極240が形成される。前記画素電極240はITOまたはIZOからなり、前記コンタクトホール231を通じてドレーン電極226と電気的に連結されることにより、前記TFT220から電源の印加を受ける。
図10Dに示すように、前記上部電極用反射板226aの第4面積Eは前記画素電極240の第5面積の半分より小さく形成される。即ち、前記第4面積Eは第5面積で前記第4面積Eを引いた第6面積Fよりさらに小さい。ここで、前記第6面積Fは前記画素電極240で上部電極用反射板226aと対応しない領域の面積である。即ち、第6面積Fは第2光を透過させる透過領域の面積である。
このように、前記上部電極用反射板226aの第4面積Eを前記透過領域第6面積Fより小さく形成することによって、反射モードと透過モードとの間の輝度隔差を減少させることができる。
ここで、前記上部電極用反射板226aの反射効率が増加されると、前記上部電極用反射板226aの第4面積Eがさらに小さく形成される。一方、前記上部電極用反射板226aの第4面積Eは前記透過電極240の第5面積の1/3以下よりさらに小さくは形成されない。これは、前記反射モードでの輝度が低下されることを防止するためのものである。
また、上部電極用反射板226aの第4面積Eが第6面積Fより小さく形成されることにより、前記反射モードの時、前記第1光がカラーフィルタ上に形成されたRGB画素を2度通過しても反射モードと前記透過モードとの間の色再現性の差異を最少化することができる。
〈実施例3〉
図11は本発明の第3実施例による半透過型液晶表示装置の単位画素を具体的に示した図面である。
図11を参照すると、半透過型液晶表示装置600は複数の画素を備えるTFT基板500、TFT基板500に対向するカラーフィルタ基板300、及びTFT基板とカラーフィルタ基板300との間の液晶層400を含む。
TFT基板500は、複数の画素を含んでいる。前記複数の画素各々はTFT550、TFT550のドレーン電極544と連結された透過電極548及び第1画像保持用反射電極526からなる。前記透過電極548は画像保持用キャパシター560の第1電極に利用され、第1画像保持用反射電極526はTFT550のゲート電極522と同一のレイヤーに形成されて外部から入射された第1光を反射する。また、前記第1画像保持用反射電極526は前記画像保持用キャパシター560の第2電極に利用される。第1画像保持用反射電極526は、透過電極548に対向している。
カラーフィルタ基板300第2絶縁基板310を含んでいる。RGBピクセル320と共通電極は均一な厚みを有しており、順次第2絶縁基板310の下部表面上に形成される。カラーフィルタ基板300は、TFT基板500に対向しており、共通電極320はTFT基板500の透過電極548に対向している。TFT基板とカラーフィルタ基板とを結合した後、液晶400がTFT基板500とカラーフィルタ基板300との間に注入され、半透過型液晶表示装置600が完成する。以下、TFT基板500を形成する過程を図面を参照して具体的に説明する。
図12A乃至図12Eは図11に示した薄膜トランジスター基板を製造する過程を示す断面図である。
具体的に、図12Aは透明基板にゲートライン、ゲート電極、画像保持用反射電極が形成されたことを示す斜視図であり、図12Bは図12Aにチャンネル層が形成されたことを示した斜視図である。また、図12Cは透明基板にデータライン、ソース電極、ドレーン電極が形成されたことを示した斜視図であり、図12Dは透明基板に透明な透過電極が形成されたことを示した斜視図である。また、図12EはTFT基板の構造のA−A断面である。
図12Aを参照すると、前記透明基板510にはスパッタリングなどの方法によりゲートメタル薄膜(図示せず)が形成される。前記ゲートメタル薄膜はフォトリソグラフィープロセスを経てパターニングされてゲート電極522、ゲートライン524及び第1画像保持用反射電極526を形成する。
ここで、前記ゲートライン524及びゲート電極522は、、TFT基板のデザインルールに基づいて多様に形成できる。また、ゲートライン524が延在する方向を第1方向D1と称する。
より詳細には、第1方向D1に伸びたゲートライン524には1つ以上のゲート電極522が一体に形成される。ここで、前記ゲート電極522の個数及びゲートライン524の個数は、半透過型液晶表示装置の解像度により異なる。前記ゲートライン524及びゲート電極522は後述される薄膜トランジスターのターンオン信号を印加する役割を有する。
図12Aに示したように、前記ゲート電極522から所定距離離隔されて透明基板510上に第1画像保持用反射電極526が形成される。前記第1画像保持用反射電極526は1つフレームの間に画像を保持するための画像保持用キャパシターの第1電極役割をすると同時に、第1光を反射させる役割も遂行する。
前記第1画像保持用反射電極526は平坦なプレート形状の内部に開口領域526aが形成された四角フレーム形状を有する。
このように、ゲート電極522が形成されたゲートライン524と第1画像保持用反射電極526は透明基板510上に所望する解像度により反復して形成される。
以後、ゲート電極522、ゲートライン524及び第1画像保持用反射電極526が形成された前記透明基板510の上面には透明な第1絶縁薄膜(図示せず)が所定の厚さで形成される。
次に、図12Bに示すように、前記第1絶縁薄膜の上面に導電体の特性及び不導体の特性を全て有する半導体層(図示せず)を形成した後、これをパターニングしてゲート電極522と対応する領域内にチャンネル層535が形成される。チャンネル層535は電界の形成可否により選択的に導体または不導体の特性を全て有する非結晶質であるアモルファスシリコン又は多結晶ポリシリコンまたは単結晶シリコンなどが使用されることができる。
以後、チャンネル層535及び第1絶縁薄膜上には透明な第2絶縁薄膜(図示せず)が形成される。
続いて、図12Cを参照すると、前記第2絶縁薄膜にはチャンネル層535を露出させるための第1及び第2コンタクトホール542a、544aが形成される。
一方、図示しなかったが、前記第2絶縁薄膜の上面の全面積にわたってソース/ドレーンメタル薄膜(図示せず)がスパッタリングなどの方法により形成される。以後、前記ソース/ドレーンメタル薄膜はフォトリソグラフィ工程によりパターニングされる。
この結果、図12Cに示すように、データライン544、データライン544の一部から突出されたソース電極542及びドレーン電極546が形成される。
ここで、本発明では説明の便宜上、図12Cに示すようにデータライン544、ソース電極542及びドレーン電極546を示したが、これらの形状及び配置は設計によって図示された内容と異なる設計としても良い。
前記データライン524は前記ゲートライン522と直交する第2方向D2に複数個が相互に所定間隔離隔されて並列方式に配列される。ここで、データライン544から延びられた前記ソース電極542は前記第1コンタクトホール542aを通じてチャンネル層535と連結される。一方、前記ドレーン電極546は第2コンタクトホール546aを通じて前記チャンネル層535と連結される。
ここで、前記ドレーン電極546は前記第1画像保持用反射電極526と部分的に重畳されないように形成されることが望ましい。
図12Dに示すように、前記透明基板510の全面積にわたって透明な導電性薄膜(図示せず)が形成される。前記透明な導電性薄膜はITOまたはIZOからなる物質である。
以後、図12Dに示すように、前記透明な導電性薄膜をパターニングするフォトリソグラフィー工程を経て、ドレーン電極546と連結された透過電極548を形成する。
図12Eに示すように、外部から入射された第1光L1は前記透過電極548を通過して第1画像保持用反射電極526により反射された後、再度外部に出射される。一方、半透過型液晶表示装置自らで生成された前記第1光は前記開口領域526aを通じて出射される。半透過型液晶表示装置で発生した第2光L2は、図12Cに示す開口526aを介して蓋部に出射される。
ここで、第1画像保持用反射電極526は前記開口領域526aと同一な面積を有する。
図13A及び図13Bは本発明の第3の実施例による薄膜トランジスター基板を示す図面である。
図13A及び図13Bに示すように、透明基板510上にはプレート形状の第2画像保持用反射電極527が形成される。ここで、前記第2画像保持用反射電極527はゲートライン524及びデータライン544により取り囲まれて形成された内部領域527aのセンターを基準にしていずれか一側にシフトされる。従って、第2画像保持用反射電極527は透過電極548と部分的に重畳する。
ここで、第2画像保持用反射電極527の面積は第2画像保持用反射電極527と前記透過電極548が重畳しない領域の面積と同一である。
図14は本発明の第3の実施例による薄膜トランジスター基板を示す図面である。
図14に示すように、透明基板510上には、第3画像保持用反射電極528がゲートライン524とデータライン544により取り囲まれた内部領域に形成される。前記第3画像保持用反射電極528は第1方向D1に延びられた第1反射電極528aと第2方向D2に延びた第2反射電極528bからなる。
ここで、第3画像保持用反射電極528は透過電極548の面積の1/2の面積を有する。
本実施例で説明した外にも、第1乃至第3画像保持用反射電極526、527、528は、第1乃至第3画像保持用反射電極526、527、528と透過電極548との割合を考慮して多様な形態及び形状にパターニングされることができる。
ただ、前記第1乃至第3画像保持用反射電極526、527、528は、第1乃至第3画像保持用反射電極526、527、528と透過電極548との割合を考慮して面形成されることが望ましい。
半透過型液晶表示装置では、TFTとTFTのドレーン電極に接続された画素電極は、TFT基板上に形成されている。画素電極は、透過電極及び部分的に透過電極を露出する透過窓を有する反射電極を有している。
前述した本発明によると、TFT基板は反射電極が形成された第1領域の面積が透過窓により透過電極が露出された第2領域の面積より小さい複数の画素を備える。
従って、反射モードと透過モードとの輝度及び色再現性の差異を最少化することができる。
また、反射電極はソース/ドレーン電極と同一工程により形成され、画像保持用キャパシターの上部電極は第1光を反射する反射板に利用される。従って、半透過型液晶表示装置の製造工程数を減少させることができ、全体的な厚さを最少化することにより薄形化を具現することができる。
また、画像保持用の下部電極は、第1光の反射板として使用される。従って、半透過型液晶表示装置の製造工程の数を減少させることができ、全体的な厚さを最少化することにより薄形化を具現することができる。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
100 第1絶縁基板
110 画素電極
111 透過電極
112 反射電極
115 コンタクトホール
116 第2有機絶縁膜
120 TFT
121 ゲート電極
122 ソース電極
123 ドレーン電極
131 共通ゲートライン
132 共通データライン
140 TFT基板
150 単位画素
160 液晶
261 第2絶縁基板
262 RGB色画素
263 共通電極
522 ゲート電極
524 ゲートライン

Claims (7)

  1. 第1面、前記第1面と対向する第2面及び複数の側面を有する透明基板と、前記第1面上に形成される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタから出力された電源電圧が印加され、第1面積を有する透明な画素電極と、前記画素電極と前記第1面との間に形成された誘電層と、前記誘電層と前記第1面との間に形成されて、前記第1面から前記第2面に向かう方向の光の一部は反射し、画像保持用キャパシタの下部電極として機能し、第2面積を有する画像保持用反射電極とを含む第1基板と、
    前記第1基板の第1面と対向し、前記画素電極と対向する位置に色画素共通電極が形成された第2基板と、
    前記第1基板と第2基板との間に注入された液晶と、
    を含み、前記画像保持用反射電極は前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一工程によって同一層に形成され、
    前記画素電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極の一部の上に直接的に重なるように形成されており、
    前記画像保持用反射電極は、第1面と平行であり、第1方向に延在する第1画像保持用反射電極と、前記第1画像保持用反射電極から第1面に沿って前記第1方向と異なる第2方向に延在する第2画像保持用反射電極とを含むことを特徴とする半透過型液晶表示装置。
  2. 前記画像保持用反射電極には、開口が形成されることを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。
  3. 前記画像保持用反射電極と前記画素電極とが重畳しない領域の面積と前記第2面積は同一であることを特徴とする請求項1に記載の半透過液晶表示装置。
  4. 前記画像保持用反射電極は、所定形状を有するプレート形状を有することを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。
  5. 第1透明基板の第1面に形成された第1メタル薄膜をパターニングしてゲート電極が1つ以上連結されたゲートライン及び前記ゲートラインと絶縁され、第1面積を有する画像保持用反射電極を形成する段階と、
    前記ゲート電極の上部に前記ゲート電極と絶縁されたチャンネル部を形成する段階と、
    前記チャンネル部の2箇所が露出されるようにコンタクトホールが形成された絶縁層を第1面の全面にわたって形成する段階と、
    前記第1面の全面にわたって形成された第2メタル薄膜をパターニングして、前記コンタクトホールのうち、いずれか1つに接続されるソース電極及びソース電極と接続されるデータライン、前記コンタクトホールのうち、残りの1つの接続されたドレーン電極を形成する段階と、
    前記第1面の全面にわたって形成された透明な導電膜をパターニングして、前記ドレーン電極の一部の上に直接的に重なるように形成され、第2面積を有する透明電極を形成する段階と、
    前記第1透明基板と対向し、色画素及び共通電極が形成された第2透明基板を前記第1透明基板とアセンブリする段階と、
    前記第1及び第2透明基板間に液晶を注入する段階と、
    を含み、前記画像保持用反射電極は、第1面と平行であり、第1方向に延在する第1画像保持用反射電極と、前記第1画像保持用反射電極から第1面に沿って前記第1方向と異なる第2方向に延在する第2画像保持用反射電極とを含むことを特徴とする半透過型液晶表示装置の製造方法。
  6. 前記ゲート電極と前記チャンネル部は、透明な絶縁層によって絶縁されることを特徴とする請求項5に記載の半透過型液晶装置の製造方法。
  7. 前記画像保持用反射電極と前記画素電極とが重畳しない領域の面積と前記第2面積は同一であることを特徴とする請求項6に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
JP2009236116A 2001-08-01 2009-10-13 半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法 Expired - Lifetime JP5500937B2 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20010046648 2001-08-01
KR2001/46648 2001-08-01
KR1020010080713A KR100776756B1 (ko) 2001-08-01 2001-12-18 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR2001/80713 2001-12-18
KR2002/1803 2002-01-11
KR1020020001803A KR100787914B1 (ko) 2001-08-01 2002-01-11 반사-투과형 액정표시장치 및 박막 트랜지스터 기판의제조방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003517665A Division JP4761707B2 (ja) 2001-08-01 2002-06-26 半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010009068A JP2010009068A (ja) 2010-01-14
JP5500937B2 true JP5500937B2 (ja) 2014-05-21

Family

ID=27350501

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003517665A Expired - Lifetime JP4761707B2 (ja) 2001-08-01 2002-06-26 半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法
JP2009236116A Expired - Lifetime JP5500937B2 (ja) 2001-08-01 2009-10-13 半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003517665A Expired - Lifetime JP4761707B2 (ja) 2001-08-01 2002-06-26 半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6879361B2 (ja)
JP (2) JP4761707B2 (ja)
KR (2) KR100776756B1 (ja)
WO (1) WO2003012539A1 (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100672626B1 (ko) * 2000-12-27 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정패널 및 그 제조방법
JP3895600B2 (ja) * 2002-01-04 2007-03-22 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
JP2004085720A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Sharp Corp アクティブマトリクス基板、反射透過型液晶表示パネル、および反射透過型液晶表示装置
TWI358053B (en) * 2002-12-06 2012-02-11 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device having a thin film t
JP3849659B2 (ja) * 2003-03-13 2006-11-22 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
US7433005B2 (en) * 2003-03-31 2008-10-07 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having electrode units each provided with a solid part and an extending part and method of manufacturing the same
JP3966221B2 (ja) * 2003-05-01 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置、及び電子機器
KR100524621B1 (ko) * 2003-05-23 2005-10-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
US20050140634A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-30 Nec Corporation Liquid crystal display device, and method and circuit for driving liquid crystal display device
KR100617031B1 (ko) * 2003-12-30 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4540355B2 (ja) * 2004-02-02 2010-09-08 富士通株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
WO2005086179A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 半透明・反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置
JP4191641B2 (ja) * 2004-04-02 2008-12-03 三菱電機株式会社 半透過型液晶表示装置およびその製造方法
US7379135B2 (en) * 2004-05-28 2008-05-27 Fujitsu Limited Transflective liquid crystal display
KR20050120999A (ko) * 2004-06-21 2005-12-26 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR20060066356A (ko) * 2004-12-13 2006-06-16 삼성전자주식회사 표시 장치와 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그제조 방법
US7911568B2 (en) * 2005-05-13 2011-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-layered thin films, thin film transistor array panel including the same, and method of manufacturing the panel
TWI301554B (en) * 2005-11-16 2008-10-01 Prime View Int Co Ltd Electronic ink display device
US8053816B2 (en) * 2006-03-10 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4884829B2 (ja) * 2006-05-10 2012-02-29 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
TWI299574B (en) * 2006-05-12 2008-08-01 Innolux Display Corp Method for fabricating transflective liquid crystal display
TWI326129B (en) * 2007-03-21 2010-06-11 Au Optronics Corp Pixel structure and manufacturing method thereof
KR100843386B1 (ko) * 2007-04-12 2008-07-03 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 제조방법
JP5024786B2 (ja) * 2007-04-13 2012-09-12 Nltテクノロジー株式会社 半透過型液晶表示装置
WO2011081041A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
CN103779202B (zh) * 2014-01-27 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构及其制作方法和显示面板
JP2020181190A (ja) * 2019-04-24 2020-11-05 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4704002A (en) * 1982-06-15 1987-11-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dot matrix display panel with a thin film transistor and method of manufacturing same
JP2992420B2 (ja) * 1992-12-24 1999-12-20 キヤノン株式会社 電源装置
CN1148600C (zh) * 1996-11-26 2004-05-05 三星电子株式会社 薄膜晶体管基片及其制造方法
JP2955277B2 (ja) * 1997-07-28 1999-10-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6195140B1 (en) * 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
JP3281849B2 (ja) * 1997-10-07 2002-05-13 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
WO1999028782A1 (en) * 1997-12-04 1999-06-10 Flat Panel Display Co. (Fpd) B.V. Display device
JP3377447B2 (ja) * 1998-03-05 2003-02-17 シャープ株式会社 液晶表示パネル及びその製造方法
JP3380482B2 (ja) * 1997-12-26 2003-02-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4167335B2 (ja) * 1998-01-30 2008-10-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2000016563A (ja) * 1998-06-30 2000-01-18 Mitsubishi Electric Corp ワーク搬送台車及びワーク搬送システム
KR20010015373A (ko) * 1999-07-20 2001-02-26 구본준 반사투과 액정 표시장치
KR100312327B1 (ko) * 1999-07-31 2001-11-03 구본준, 론 위라하디락사 반사투과형 액정 표시장치
KR100312328B1 (ko) * 1999-08-06 2001-11-03 구본준, 론 위라하디락사 반사투과형 액정 표시장치
KR100656696B1 (ko) * 1999-12-21 2006-12-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치
KR100661825B1 (ko) * 1999-12-28 2006-12-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR100685296B1 (ko) * 1999-12-31 2007-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
JP3665263B2 (ja) 2000-01-18 2005-06-29 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100611044B1 (ko) * 2000-03-02 2006-08-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치 및 그 제조방법
JP3400403B2 (ja) 2000-03-29 2003-04-28 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4278834B2 (ja) * 2000-06-02 2009-06-17 株式会社日立製作所 液晶表示装置とその製造方法
JP4815659B2 (ja) 2000-06-09 2011-11-16 ソニー株式会社 液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4761707B2 (ja) 2011-08-31
KR100776756B1 (ko) 2007-11-19
JP2010009068A (ja) 2010-01-14
KR100787914B1 (ko) 2007-12-24
KR20030012792A (ko) 2003-02-12
WO2003012539A1 (en) 2003-02-13
JP2004537754A (ja) 2004-12-16
KR20030050302A (ko) 2003-06-25
US6879361B2 (en) 2005-04-12
US20030025859A1 (en) 2003-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5500937B2 (ja) 半透過型液晶表示装置、これの製造方法及び薄膜トランジスター基板の製造方法
US7488983B2 (en) Transflective liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7714963B2 (en) Transflective liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR101517034B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판
KR20060100872A (ko) 반투과 액정 표시 장치 패널 및 그 제조 방법
US7110069B2 (en) Liquid crystal display with two surface display function
US7220610B2 (en) Manufacturing method of array substrate for liquid crystal display device
US7463318B2 (en) Reflective-transmissive type liquid crystal display device and method for fabricating the same
TW200405400A (en) Method for manufacturing liquid crystal display device
US6954244B2 (en) Reflection liquid crystal display device with reflection electrode region having two widths
KR100511353B1 (ko) 액정표시소자의 제조방법 및 이 방법에 의한 액정표시소자
KR100698240B1 (ko) 반사형 액정표시장치
TW201020625A (en) Transflective type liquid crystal apparatus, method for manufacturing thereof and method for manufacturing thin film transistor board thereof
US6646704B2 (en) Apparatus for projection utilizing liquid crystal light modulator and method of manufacturing said liquid crystal light modulator
KR100983520B1 (ko) 액정표시장치
JP2003005211A (ja) 半透過型アクティブ素子アレイ基板およびその製造方法
KR20040049541A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2001066628A (ja) 光アドレス方式のスイッチング素子
KR100906956B1 (ko) 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR20040041759A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20050070608A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20050050729A (ko) 액정표시장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091013

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120306

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120502

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20120502

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20121213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130409

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130522

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140311

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5500937

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term