JP2001066628A - 光アドレス方式のスイッチング素子 - Google Patents
光アドレス方式のスイッチング素子Info
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Abstract
ネクションを良好にすると共に、簡単な構成により、コ
ストを低減し得るようにし、さらに歩留まりを向上させ
るようにした、光アドレス方式のスイッチング素子を提
供することを目的とする。 【解決手段】 互いに平行に上下に重ねて配設された二
枚のガラス基板11,12と、これらガラス基板の間に
て、下側から順次に積層されたソース電極としての第一
の透明電極15,光導電層16,中間層17,表示層1
8及びドレイン電極としての第二の透明電極12aと、
上記光導電層の直下に隣接して配設されたラインアレイ
状の光源13と、を含んでおり、上記中間層13が、金
属反射板または透明電極として構成されるように、光ア
ドレス方式のスイッチング素子を構成する。
Description
型液晶表示装置における各画素に設けられる光アドレス
方式のスイッチング素子に関するものである。
ッチング素子を利用した液晶表示装置は、例えば図8に
示すように構成されている。図8において、液晶表示装
置1は、互いに平行に上下に重ねて配設され内面に透明
電極2a,3aを備えた二枚のガラス基板2,3と、こ
れらガラス基板2,3の間にて、下側から順次に積層さ
れた光導電層4,誘電体多層膜5及び液晶層6と、下方
のガラス基板2の下方に配設された光アドレス用光源7
と、から構成されている。
ば、透明電極2a,3a間に液晶スイッチング用バイア
ス電圧を印加すると共に、光源7により点光源を走査す
ることにより、光が入射した光導電層4の領域が導通し
て、液晶層6に上記バイアス電圧が印加されることにな
り、液晶分子が整列する。これによって、上方から液晶
表示装置1に入射する光が、誘電体多層膜5で反射され
ることにより、液晶層6による表示が反射光として視認
される。
層4は、すべて所謂全面ベタの構成であることから、容
易に作製され得ると共に、光源7からの点光源のスポッ
ト径によって、液晶による表示の解像度が決まるので、
超高解像度の画像表示が可能である。しかしながら、高
精度の点光源を提供するためには、光源7の構造が複雑
になってしまい、液晶表示装置1の薄型化が困難であ
る。
られている。図9において、液晶表示装置8は、図8に
示した液晶表示装置1と比較して、上方のガラス基板3
の内面に形成された全面ベタの透明電極3aの代わり
に、所謂セグメント式透明電極3bが備えられていると
共に、誘電体多層膜5の代わりに、コモン金属電極9が
備えられている点で異なる構成になっている。
ば、透明電極2a,3b間に液晶スイッチング用バイア
ス電圧を印加すると共に、光源7により点光源または線
光源を走査することにより、光が入射した光導電層4の
領域が導通して、液晶層6に上記バイアス電圧が印加さ
れることになり、液晶分子が整列する。これによって、
上方から液晶表示装置1に入射する光が、コモン金属電
極9で反射されることにより、液晶層6による表示が反
射光として視認される。
コモン金属電極9のパターニングによって、液晶による
表示の解像度が決まるので、高解像度を得るためには、
高精度のパターニングが必要になると共に、光源7が別
体に構成されていることから、同様に薄型化が困難であ
るという問題があった。
8号により開示された液晶表示装置も知られている。こ
の液晶表示装置においては、スイッチング素子として、
所謂TFT(薄膜トランジスタ)を利用して、このTF
Tのゲートラインを光導波路に置き換えて、この光導波
路に端部に設けられたラインアレー状の光源を走査する
ことにより、光導波路を介してソース−ドレイン間に形
成された光導電層に光を照射して、ソース−ドレイン間
のスイッチングを行なうように構成されている。このよ
うな構成の液晶表示装置によれば、スイッチングがTF
Tにより高速に行なわれ得ることになる。
うな構成の光アドレス方式のスイッチング素子において
は、光源からの光が光導波路を介して光導電層に入射す
るように構成されていることから、光源から光導電層ま
での距離が比較的長くなると共に、微細な光導波路に対
して光源からの光を入射させる必要があるため、光源−
光導電層間の光インターコネクションが困難になってし
まうという問題があった。さらに、透過型液晶表示装置
として使用する場合には、バックライトを設ける必要が
あり、部品点数が多くなり、部品コスト及び組立コスト
が高くなってしまうという問題があった。また、光導電
層による表示部と光源とが一体に構成されていることか
ら、表示部及び光源の歩留まりが影響して、液晶表示装
置としての歩留まりが低下してしまうという問題があっ
た。
間の光インターコネクションを良好にすると共に、簡単
な構成により、コストを低減し得るようにし、さらに歩
留まりを向上させるようにした、光アドレス方式のスイ
ッチング素子を提供することを目的としている。
一の態様によれば、互いに平行に上下に重ねて配設され
た二枚のガラス基板と、これらガラス基板の間にて、下
側から順次に積層されたソース電極としての第一の透明
電極,光導電層,中間層,表示層及びドレイン電極とし
ての第二の透明電極と、上記光導電層の直下に隣接して
配設されたラインアレイ状の光源と、を含んでおり、上
記中間層が金属反射板または透明電極として構成されて
いることを特徴とする、光アドレス方式のスイッチング
素子により、達成される。
下に配設されているので、光源から出射した光が、直接
に光導電層に入射する。これにより、二つの透明電極即
ちソース−ドレイン間の表示層の光スイッチングを行な
うことになり、その際、光源−光導電層間の光インター
コネクションが容易に且つ確実に得られると共に、光源
が光導電層の直下に配設されていることにより、全体が
薄型に構成され得ることになる。また、上記光導電層は
全面ベタとして成膜されることから、例えば有機半導体
の印刷法等によって容易に成膜され得ると共に、単純な
構造であることから、部品点数が少なくて済み、部品コ
スト及び組立コストが低減され得る。さらに、別途作製
された後、下方のガラス基板の下側に配設されることに
よって、スイッチング素子全体の歩留まりが向上するこ
とになり、より一層コストが低減され得る。
レス方式のスイッチング素子は、前記第一の態様による
光アドレス方式のスイッチング素子において、上記中間
層が、金属反射板であって、上記光源が、下方のガラス
基板と第一の透明電極との間に配設されている。
が、表示層を介して金属反射板で反射され、再び表示層
を介して外部に出射することにより、表示層の表示が反
射光により視認され得ることになり、反射型の光アドレ
ス方式のスイッチング素子として構成されることにな
る。この場合も、光源が、光導電層の直下に配設される
ことによって、光源から出射した光が、直接に光導電層
に入射する。従って、光源−光導電層間の光インターコ
ネクションが容易に且つ確実に得られることになる。
レス方式のスイッチング素子は、前記第一の態様による
光アドレス方式のスイッチング素子において、上記中間
層が、透明電極であり、上記光導電層が透明性光導電層
であって、上記光源が、下方のガラス基板と第一の透明
電極との間に配設されている。
が、透明性光導電層そして透明電極による中間層を介し
て、表示層を透過して外部に出射することにより、表示
層の光スイッチングを行なうと共に、ラインアレイ状の
光源がバックライトとしても使用され得る。従って、部
品点数の削減によって、コストが低減され得る。
レス方式のスイッチング素子は、前記第二または第三の
態様による光アドレス方式のスイッチング素子におい
て、上記光源が、第一の透明電極に対して誘電体絶縁層
を介して配設されている。この第四の態様によれば、光
源が、第一の透明電極に対して誘電体絶縁層により絶縁
されているので、上面即ち第一の透明電極に対向する表
面に電極を備える光源、例えばELアレイやLEDアレ
イ等も使用することができる。
のスイッチング素子は、前記第一乃至第四の何れかの態
様による光アドレス方式のスイッチング素子において、
上記ラインアレイ状の光源が、ELアレイ層である。
面ベタとして成膜し、ELアレイ層の上下の電極をパタ
ーニングすることにより、作製されるので、例えば有機
半導体を使用して印刷法等により容易に且つ低コストで
成膜され得る。
のスイッチング素子は、前記第一乃至第四の何れかの態
様による光アドレス方式のスイッチング素子において、
上記ラインアレイ状の光源が、LEDアレイである。
アレイを使用することにより、低コストで光源を構成す
ることができる。
レス方式のスイッチング素子は、前記第一の態様による
光アドレス方式のスイッチング素子において、上記中間
層が、透明電極であって、上記光源が、下方のガラス基
板の下側に配設された導光層と、この導光層の一側に配
設されたラインアレイ状の光源から構成されている。
が、導光層内に入射し、導光層の上面全体から上方に向
かって出射することにより、光導電層に入射する。これ
により、二つの透明電極即ちソース−ドレイン間のスイ
ッチングを行なうと共に、光導電層を透過し、さらに液
晶層を透過して外部に出射することにより、バックライ
トとして作用する。この場合も、ラインアレイ状の光源
がバックライトとしても使用され得ることになり、部品
点数の削減によって、コストが低減され得る。
レス方式のスイッチング素子は、前記第一乃至第七の態
様による光アドレス方式のスイッチング素子において、
上記表示層が、液晶層である。
ることから、光源からの光が光導電層に入射することに
より、液晶層の光スイッチングが行なわれ、液晶層によ
る表示が行なわれることになる。
を図1乃至図7を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第一の実施形
態の構成を示している。図1において、液晶表示装置1
0は、反射型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、互いに平行に上下に重ねて配設された二枚のガラ
ス基板11,12と、これらガラス基板11,12の間
にて、下側から順次に積層された光源13,誘電体絶縁
層14,ソース電極としての全面ベタの第一の透明電極
15,光導電層16,中間層としての金属反射板17,
液晶層18と、から構成されている。
ガラス基板11の内面(上面)には、光源13のための
コモン金属電極11aが形成されていると共に、上方の
ガラス基板12の内面(下面)には、ITO等から成る
ドレイン電極としてのセグメント式透明電極12aが形
成されている。
有機半導体から成るELアレイとして構成されたELセ
ルであって、その上面にITO等から成るコモン透明電
極13aが形成されているが、他の発光素子セル、例え
ば無機LEDアレイ等であってもよい。また、光源13
は、他の構成要素と共にガラス基板11上に順次に積層
されてもよく、また別体に構成された後、他の構成要素
と貼り合わせされてもよい。具体的には、例えばトリス
(8−ヒドロキシキナリナト)アルミニウム(Tris(8-h
ydroxyquinolinato)Aluminium)からなる有機発光層と
N,N−ジフェニル−N,N―ビス(3−メチルフェニ
ル)1,1−ビフェニル−4,4−ジアミンからなる正
孔輸送層との積層構造とした有機半導体や、ポリパラフ
ェニレンビニレン等の高分子系材料からなる有機半導体
を用いたELアレイを使用することができる。
電率が高くなる性質を有する材料、好ましくは有機半導
体から構成されている。ここで、有機半導体は、トラン
ジスタ等の電気的スイッチング素子として使用するには
移動度が低過ぎることにより、実用的ではないが、発光
素子または光電素子として使用することにより、μsオ
ーダーの高速スイッチングが可能であり、例えばa(ア
モルファス)−Si−TFTと同程度の性能を得ること
ができる可能性がある。
であって、液晶分子が封入されていると共に、金属反射
板17の上面及び透明電極12aの下面には、それぞれ
図示しない配向膜が形成されている。
ように構成されており、使用する場合には、ソース電極
としての透明電極15及びドレイン電極としての透明電
極12a間に液晶スイッチング用バイアス電圧を印加す
ると共に、光源13に対して、金属電極11a及びコモ
ン透明電極13a間に、コモンアドレスとして駆動電圧
を印加することにより、ELセルを線順次駆動する。こ
れにより、光源13の駆動電圧が印加された領域が発光
し、これに対応する光導電層16の導電性が向上するこ
とにより、対応する液晶層18にて、液晶分子が整列す
ることにより、液晶層18の光スイッチングが行なわれ
る。その際、上方から入射する光が、ガラス基板12か
ら液晶層18を通って金属反射板17で反射され、再び
外部に出射することにより、液晶層18による表示が行
なわれることになる。
5,光導電層16は、全面ベタであって、透明電極12
a、金属反射板17及び光源の電極である金属電極11
aのみをパターンニングすればよいことから、容易に作
製され得ることになる。特に、光源13であるEL層及
び光導電層16は、有機半導体から構成される場合に
は、印刷法による成膜が可能であるので、より容易に作
製され得る。尚、光源13を構成するELセルは、別途
作製した後、他の構成要素と貼り合わせることによっ
て、液晶表示装置10としての歩留まりが向上すること
になる。
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第二の実施形
態の構成を示している。図2において、液晶表示装置2
0は、透過型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、図1に示した液晶表示装置10と比較して、光導
電層16の代わりに、透明性光導電層21が設けられ、
また金属反射板17の代わりに、中間層としての透明電
極22が設けられている点を除いては、同様の構成であ
る。
ると共に、光が入射したとき導電率が高くなる性質を有
する材料、例えば無機材料としてはBSO結晶やPLZ
Tセラミックス等が使用され得るが、大面積の成膜を容
易にするためには、好ましくは透明性OPCが使用され
得る。
ための光源としてだけでなく、バックライト用の光源と
しても使用されるようになっており、発光は1ラインの
みの発光であるが、例えば毎秒60画面の場合、(1/
60)×(1/ライン数)/秒で各ラインをスイッチン
グすることによって、面発光バックライトと同様な表示
を行なうことができる。さらに、RGB発光層を備える
場合には、対応したライン及びフィールドシーケンシャ
ル駆動によって、フルカラー表示を行なうことができ、
あるいはEL層を白色発光させると共に、液晶層にカラ
ーフィルターを備えることにより、カラー表示を行なう
ことも可能である。なお、フルカラー表示を行うために
は、発光層及び液晶層の双方を超高速で光スイッチング
することが好ましい。
合には、光源13と光導電層21との間に偏光子を挿入
するか、またはELセルを偏光発光させる必要がある。
ここで、ELセルを偏光発光させるためには、一軸配向
処理を施した高分子有機ELを使用すればよい。
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極1
5及びドレイン電極としての透明電極12a間に液晶ス
イッチング用バイアス電圧を印加すると共に、光源13
に対して、金属電極11a及びコモン透明電極13a間
に、コモンアドレスとして駆動電圧を印加することによ
り、ELセルを線順次駆動する。これにより、光源13
の駆動電圧が印加された領域が発光し、これに対応する
光導電層21の導電性が向上することにより、対応する
液晶層18にて、液晶分子が整列することにより、液晶
層18の光スイッチングが行なわれる。その際、光源1
3から出射する光が、誘電体絶縁層14,透明性光導電
層21及び透明電極22を通って、液晶層18内に入射
し、液晶層18の表示をバック照明することにより、液
晶層18による表示が行なわれることになる。
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第三の実施形
態の構成を示している。図3において、液晶表示装置3
0は、反射型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、互いに平行に上下に重ねて配設された二枚のガラ
ス基板31,32と、これらガラス基板31,32の間
にて、下側から順次に積層された光導電層34,金属画
素電極35,配向膜36,液晶層37,配向膜38と、
光導電層34の周囲を画成するブラックマスク33と、
上方のガラス基板32の上方に配設された円偏光板39
及び下方のガラス基板31の下側に配設された光源40
と、を含んでいる。
ガラス基板31の内面(上面)には、ITO等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極31aが形成されて
いると共に、上方のガラス基板32の内面(下面)に
は、ITO等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極32aが形成されている。
あって、例えばELアレイ層やLEDアレイから構成さ
れており、例えば別体に構成された後、ガラス基板31
の下面に貼り合わされている。
であって、液晶分子37aが封入されていると共に、互
いに垂直な配向方向を有する配向膜36,38により挟
持されている。
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極3
1a及びドレイン電極としての透明電極32aに対し
て、それぞれソース電圧Vs及びドレイン電圧Vdを印
加して、これらの電極31a,32a間にバイアス電圧
を印加すると共に、光源40に対してコモンアドレスと
して駆動電圧を印加することにより、光源40を線順次
駆動する。これにより、光源40の駆動電圧が印加され
た領域が発光し、これに対応する光導電層33の導電性
が向上することにより、対応する液晶層37にて、液晶
分子37aが整列することにより、液晶層37の光スイ
ッチングが行なわれる。
板12から液晶層37を通って金属画素電極35で反射
され、再び外部に出射することにより、液晶層37によ
る表示が行なわれることになる。即ち、ソース電圧Vs
が図4(A)に示すように変化すると共に、光源40が
図4(B)に示すように点灯することによって、液晶層
37による反射光強度が、図4(C)に示すように変化
し、液晶層37の反射による表示が行なわれる。
レス方式のスイッチング素子を使用した液晶表示装置の
第四の実施形態の構成を示している。図5において、液
晶表示装置50は、透過型アクティブマトリックス液晶
表示装置であって、互いに平行に上下に重ねて配設され
た二枚のガラス基板51,52と、これらガラス基板5
1,52の間にて、下側から順次に積層された絶縁膜5
3,透明画素電極54,液晶層55と、絶縁膜53及び
透明画素電極54の一側に形成された光導電層56,こ
の光導電層56の上に形成された金属電極57と、これ
ら絶縁膜53,透明画素電極54及び光導電層56の周
囲を画成するブラックマスク58と、下方のガラス基板
51の下側に配設された光源59と、を含んでいる。
ガラス基板51の内面(上面)には、ITO等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極51aが形成されて
いると共に、上方のガラス基板52の内面(下面)に
は、ITO等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極52aが形成されている。
電気的に接続されている。また、上記光源59は、ライ
ンアレイ状の光源であって、図示の場合、ブラックマス
ク58により画成される画素に関して、その一側縁の外
側に沿って、光導電層56に対向して配設されていると
共に、例えばELアレイ層やLEDアレイから構成され
ており、例えば別体に構成された後、ガラス基板51の
下面に貼り合わされている。この場合、光源は、光スイ
ッチングのための光源としてだけでなく、バックライト
用の光源としても使用されるようになっている。
であって、液晶分子(図示せず)が封入されていると共
に、互いに垂直又は水平な配向方向を形成する配向膜
(図示せず)により挟持されている。
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極5
1a及びドレイン電極としての透明電極52aの間に、
バイアス電圧を印加すると共に、光源59に対してコモ
ンアドレスとして駆動電圧を印加することにより、光源
59を駆動する。これにより、光源59の駆動電圧が印
加された領域が発光し、これに対応する光導電層56の
導電性が向上して、金属電極57そして透明画素電極5
4と透明電極52a間に液晶駆動電圧が印加されること
になり、対応する液晶層55にて、液晶分子が整列する
ことにより、液晶層55の光スイッチングが行なわれ
る。
光が、ガラス基板51から絶縁膜53,透明画素電極5
4を通って、液晶層55内に入射し、液晶層18の表示
をバック照明することにより、液晶層18による表示が
行なわれることになる。
レス方式のスイッチング素子を使用した液晶表示装置の
第五の実施形態の構成を示している。図6において、液
晶表示装置60は、反射型アクティブマトリックス液晶
表示装置であって、互いに平行に上下に重ねて配設され
た二枚のガラス基板61,62と、これらガラス基板6
1,62の間にて、下側から順次に積層された光導電層
63,金属画素電極64,液晶層65と、光導電層63
の周囲を画成するブラックマスク66と、下方のガラス
基板61の下側に配設された光源67と、を含んでい
る。
ガラス基板61の内面(上面)には、ITO等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極61aが形成されて
いると共に、上方のガラス基板62の内面(下面)に
は、ITO等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極62aが形成されている。
あって、例えばELアレイ層やLEDアレイから構成さ
れており、例えば別体に構成された後、ガラス基板61
の下面に貼り合わされている。
であって、液晶分子(図示せず)が封入されていると共
に、互いに垂直な配向方向を有する配向膜(図示せず)
により挟持されている。
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極6
1a及びドレイン電極としての透明電極62a間にバイ
アス電圧を印加すると共に、光源67に対してコモンア
ドレスとして駆動電圧を印加することにより、光源67
を線順次駆動する。これにより、光源67の駆動電圧が
印加された領域が発光し、これに対応する光導電層63
の導電性が向上することにより、対応する液晶層65に
て、液晶分子が整列して、液晶層67の光スイッチング
が行なわれる。
板62から液晶層65を通って金属画素電極64で反射
され、再び外部に出射することにより、液晶層65によ
る表示が行なわれることになる。尚、この実施形態にお
いては、反射型のアクティブマトリックス液晶表示装置
として構成されているが、これに限らず、所謂発光型の
アクティブマトリックス表示装置として構成されてもよ
く、その場合、液晶層65の代わりに、例えば無機また
は有機EL素子,PDP(プラズマディスプレイパネ
ル),フィールドエミッションディスプレイ等の面発光
体が設けられる。
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第六の実施形
態の構成を示している。図7において、液晶表示装置7
0は、透過型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、互いに平行に上下に重ねて配設された二枚のガラ
ス基板71,72と、これらガラス基板71,72の間
にて、下側から順次に積層された透明性光導電層73,
コモン透明電極74,液晶層75と、下方のガラス基板
71の下面に設けられた導光層76と、この導光層76
の一側の端面に対向して配設された光源77と、を含ん
でいる。
ガラス基板71の内面(上面)には、ITO等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極71aが形成されて
いると共に、上方のガラス基板72の内面(下面)に
は、ITO等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極72aが形成されている。
れていると共に、図7(B)に示すように、光源77に
対して、コモン間隔で光を全反射するミラータイプの隔
壁76aを備えている。また、上記光源77は、ライン
アレイ状の光源であって、例えばLEDアレイから構成
されている。ここで、上記導光層76及び光源77は、
例えば別体に構成された後、ガラス基板71の下面に貼
り合わされている。この場合、光源77は、光スイッチ
ングのための光源としてだけでなく、バックライト用の
光源としても使用されるようになっている。
であって、液晶分子(図示せず)が封入されていると共
に、互いに垂直な配向方向を有する配向膜(図示せず)
により挟持されている。
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極7
1a及びドレイン電極としての透明電極72aの間に、
バイアス電圧を印加すると共に、光源77に対してコモ
ンアドレスとして駆動電圧を印加することにより、光源
77を駆動する。これにより、光源77の駆動電圧が印
加されたLEDが発光し、これに対応する光導電層73
の導電性が向上して、透明電極74と透明電極72a間
に液晶駆動電圧が印加されることになり、対応する液晶
層75にて、液晶分子が整列して、液晶層75の光スイ
ッチングが行なわれる。
した光は、導光層76内で反射または拡散されることに
より、導光層76の上面から、ガラス基板71,透明性
光導電層73そして透明電極74を通って、液晶層75
内に入射し、液晶層75の表示をバック照明することに
より、液晶層75による表示が行なわれる。この場合、
光源77としてLEDアレイを使用すると共に、隔壁7
6aを備えた導光層76を使用していることから、容易
にRGBフルカラー化に対応することができる。
イ状の光源として、ELセルまたはLEDアレイを使用
しているが、これに限らず、他の形式の発光素子セルを
使用してもよいことは明らかである。また、上述した実
施形態においては、光アドレス方式のスイッチング素子
を使用した液晶表示装置について説明したが、これに限
らず、光アドレス方式の光スイッチングを行なう他の種
類の表示部を備えた表示装置、例えば無機/有機EL,
PDP,フィールドエミッションディスプレイ等の発光
型平面ディスプレイや、LCD,エレクトロクロミック
ディスプレイ,電気泳動ディスプレイ,ツイストボール
ディスプレイ,サスペンデッドパーティクルディスプレ
イ等の反射型非発光ディスプレイ、さらには透過型非発
光ディスプレイに対しても、本発明を適用し得ることは
明らかである。
源が光導電層の直下に配設されているので、光源から出
射した光が、直接に光導電層に入射する。これにより、
二つの透明電極即ちソース−ドレイン間の表示層の光ス
イッチングを行なうことになり、その際、光源−光導電
層間の光インターコネクションが容易に且つ確実に得ら
れると共に、光源が光導電層の直下に配設されているこ
とにより、全体が薄型に構成され得ることになる。ま
た、上記光導電層は全面ベタとして成膜されることか
ら、例えば有機半導体の印刷法等によって容易に成膜さ
れ得ると共に、単純な構造であることから、部品点数が
少なくて済み、部品コスト及び組立コストが低減され得
る。さらに、別途作製された後、下方のガラス基板の下
側に配設されることによって、スイッチング素子全体の
歩留まりが向上することになり、より一層コストが低減
され得る。このようにして、本発明によれば、光源と光
導電層間の光インターコネクションを良好にすると共
に、簡単な構成により、コストを低減し得るようにし、
さらに歩留まりを向上させるようにした、極めて優れた
光アドレス方式のスイッチング素子が提供され得る。
子を使用した液晶表示装置の第一の実施形態を示す概略
断面図である。
子を使用した液晶表示装置の第二の実施形態を示す概略
断面図である。
子を使用した液晶表示装置の第三の実施形態を示す
(A)概略斜視図及び(B)概略断面図である。
圧,(B)光源の発光強度及び(C)液晶層の反射光強
度を示すグラフである。
子を使用した液晶表示装置の第四の実施形態を示す
(A)概略斜視図,(B)概略断面図及び(C)要部平
面図である。
子を使用した液晶表示装置の第五の実施形態を示す
(A)概略斜視図,(B)概略断面図及び(C)要部平
面図である。
子を使用した液晶表示装置の第六の実施形態を示す
(A)概略断面図及び(B)概略平面図である。
用した液晶表示装置の一例の構成を示す概略断面図であ
る。
用した液晶表示装置の他の例の構成を示す概略断面図で
ある。
1,72 ガラス基板 12a,32a,52a,62a,72a 透明電極
(ドレイン電極) 13,40,59,67,77 光源 14 誘電体絶縁層 15 透明電極(ソース電極) 16,34,56,63 光導電層 17 金属反射板 18,37,55,65,75 液晶層 21,74 透明性光導電層 22,75 透明電極 33,58,66 ブラックマスク 35,64 金属画素電極 39 円偏光板 53 絶縁膜 54 透明画素電極 57 金属電極 76 導光層
Claims (8)
- 【請求項1】 互いに平行に上下に重ねて配設された二
枚のガラス基板と、 これらガラス基板の間にて、下側から順次に積層された
ソース電極としての第一の透明電極,光導電層,中間
層,表示層及びドレイン電極としての第二の透明電極
と、 上記光導電層の直下に隣接して配設されたラインアレイ
状の光源と、を含んでおり、 上記中間層が、金属反射板または透明電極として構成さ
れていることを特徴とする、光アドレス方式のスイッチ
ング素子。 - 【請求項2】 上記中間層が、金属反射板であって、 上記光源が、下方のガラス基板と第一の透明電極との間
に配設されていることを特徴とする、請求項1に記載の
反射型の光アドレス方式のスイッチング素子。 - 【請求項3】 上記中間層が、透明電極であり、 上記光導電層が透明性光導電層であって、 上記光源が、下方のガラス基板と第一の透明電極との間
に配設されていることを特徴とする、請求項1に記載の
透過型の光アドレス方式のスイッチング素子。 - 【請求項4】 上記光源が、第一の透明電極に対して誘
電体絶縁層を介して配設されていることを特徴とする、
請求項2または3に記載の光アドレス方式のスイッチン
グ素子。 - 【請求項5】 上記光源が、ELアレイ層であることを
特徴とする、請求項1から4の何れかに記載の光アドレ
ス方式のスイッチング素子。 - 【請求項6】 上記光源が、LEDアレイであることを
特徴とする、請求項1から4の何れかに記載の光アドレ
ス方式のスイッチング素子。 - 【請求項7】 上記中間層が、透明電極であって、 上記光源が、下方のガラス基板の下側に配設された導光
層と、この導光層の一側に配設されたラインアレイ状の
光源とから構成されていることを特徴とする、請求項1
に記載の透過型の光アドレス方式のスイッチング素子。 - 【請求項8】 上記表示層が、液晶層であることを特徴
とする、請求項1から7の何れかに記載の光アドレス方
式のスイッチング素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23799799A JP4803689B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | 光アドレス方式のスイッチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP23799799A JP4803689B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | 光アドレス方式のスイッチング素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001066628A true JP2001066628A (ja) | 2001-03-16 |
JP4803689B2 JP4803689B2 (ja) | 2011-10-26 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4803689B2 (ja) |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060509 |
|
A521 | Written amendment |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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