JP5475612B2 - 電源装置 - Google Patents

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Description

本発明は、電源装置に関し、具体的には、昇圧回路を駆動する起動回路を備える電源装置に関する。
昇圧回路の起動回路方式として、起動開始時に、周波数が可変で固定デューティの起動PWM(Pulse Width Modulation)信号を電源電圧である1次電圧から生成し、この起動PWM信号を用いて昇圧回路を駆動する方式が知られている(特許文献1を参照)。
図1は、斯かる起動回路を用いた従来の電源装置の回路構成の例を示すブロック図である。
図1に示すように、電源装置100は、1次電圧を発生するバッテリー等の電源102と、1次電圧を昇圧し1次電圧より高い2次電圧を生成する昇圧回路110と、PWM信号を生成するPWM信号生成回路112と、起動用PWM信号を生成する起動回路114と、PWM信号生成回路112からのPWM信号及び起動回路114からの起動用PWM信号を入力しどちらか一方を昇圧回路110に出力する切り替え部116と、2次電圧と予め設定された所定電圧とを比較し、比較結果に基づき生成した切替制御信号を切り替え部116に出力するコンパレータ104とを備える。
起動回路114には、電源電圧として1次電圧が供給される。PWM信号生成回路112や図示しない他の回路には、電源電圧として2次電圧が供給される。
次に、斯かる電源装置100の動作を説明する。
動作開始時には、起動回路114が生成した起動用PWM信号により、昇圧回路110を駆動する。これにより、昇圧回路110は1次電圧より高い2次電圧を生成する。この2次電圧が所定電圧を超えると、コンパレータ104が起動完了の判定を行う。起動が完了すると、PWM信号生成回路112が生成したPWM信号を切り替え部116が選択し、PWM信号により昇圧回路110を駆動して、昇圧回路110の定常動作時における定常駆動が継続される。
ここで、1次電圧は、例えばバッテリーの充電が十分である場合はその電圧値が高く、充電が不十分である場合はその電圧値が低いなど、バッテリーの充電状態によりその電圧値が異なる。
電源装置100は、1次電圧の電圧値に基づいて、起動用PWM信号の周波数を変えるように構成される。このため、バッテリーの充電が不十分で1次電圧の電圧値が低い場合は、起動用PWM信号の周波数を高くして2次電圧を早く上昇させ、起動に要する時間を早くすることができる。
特開2005−160155号公報
ところが、従来の電源装置における昇圧回路への起動用PWM信号は、周波数は可変であるがデューティ比が固定であるため、1次電圧がより低電圧のときには十分な昇圧が行われず、起動に要する時間が所定の時間を越えてしまう場合があり、2次電圧が所望の電圧値まで上昇せずに起動不能となるという問題があった。また、1次電圧がより高電圧のとき、必要以上の昇圧が行われて2次電圧が高くなり過ぎ、電流を無駄に消費するという問題があった。
本発明の目的は、上記の問題を鑑みて、昇圧回路の起動動作時において、昇圧回路の起動用PWM信号のデューティを1次電圧又は2次電圧等の電源電圧に依存して変化させ、電源電圧が低電圧のときにはデューティ比を高くして起動時間の高速化を行い、電源電圧が高電圧のときにはデューティ比を低くして効率的に起動を行うことが可能な電源装置を提供することである。
本発明は、入力電圧を発生する電源と、入力電圧を所望の出力電圧へ昇圧させる昇圧回路と、電源電圧として出力電圧が供給される、昇圧回路の定常動作時に昇圧回路を駆動させるPWM信号を生成するPWM信号生成回路と、電源電圧として入力電圧が供給される、昇圧回路の動作開始時に昇圧回路を駆動させる起動用PWM信号を生成する起動回路と、出力電圧と所定電圧との比較結果に基づき出力電圧が所望の値に昇圧されたか否かを判定し、切替制御信号を出力する比較回路と、切替制御信号に基づき、PWM信号又は起動用PWM信号のどちらか一方を選択して昇圧回路に供給する切り替え部とを備える電源装置であって、起動回路は、一定の周波数を有するクロック信号を生成する発振回路と、入力電圧又は出力電圧に基づきクロック信号を遅延させた信号を生成する遅延生成部を有し、前記PWM信号を生成し出力するディレイ回路とを備え、起動用PWM信号のデューティ比を入力電圧又は出力電圧に依存して可変にすることを特徴とする。
本発明の一実施形態において、起動回路は、発振回路とディレイ回路との間にリミット回路をさらに備えることを特徴とする
本発明の一実施形態において、リミット回路は、発振回路からのクロック信号を入力し、クロック信号の立下りに一定比率の遅延を持たせHi区間を伸ばしたクロック信号(信号B)を出力することで、ディレイ回路からの出力である起動用PWM信号のデューティが100%となるのを防止することを特徴とする
本発明の一実施形態において、遅延生成部は、各ドレインが共通接続され入力信号が各ゲートに供給されるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタと、PMOSトランジスタのソースに入力電圧を供給する電源端子と、NMOSトランジスタのソースに電流を供給する可変電流源と、PMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタのドレインに接続される容量素子とを備え、電流源の電流値は、入力電圧に依存して変化することを特徴とする。
本発明の一実施形態において、遅延生成部は、各ドレインが共通接続され入力信号が各ゲートに供給されるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタと、PMOSトランジスタのソースに入力電圧を供給する電源端子と、NMOSトランジスタのソースに電流を供給する可変電流源と、PMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタのドレインに接続される容量素子とを備え、電流源の電流値は、出力電圧に依存して変化することを特徴とする。
本発明によれば、起動回路が生成する昇圧クロックである起動用PWM信号を1次電圧又は2次電圧等の電源電圧に基づいて制御し、電源電圧が低電圧のときにはデューティ比を高くして起動時間の高速化を行い、電源電圧が高電圧のときにはデューティ比を低くして効率的に起動を行わせることで、低消費電流を実現することができる。
従来の電源装置の回路構成の例を示すブロック図である。 本発明の第1の実施形態に係る電源装置の回路構成の例を示すブロック図である。 本発明の第1の実施形態に係る電源装置の回路の構成要素を説明するための図であり、(a)は昇圧回路の回路図であり、(b)は起動回路のブロック図である。 本発明の第1の実施形態に係るリミット回路を説明するための図であり、(a)はリミット回路の回路図であり、(b)は電流源を示す図である。 図4(a)の各ノードにおける信号の波形例を示す図であり、(a)が信号Aの波形を表し、(b)が信号N1の波形を表し、(c)が信号N2の波形を表し、(d)が信号N3の波形を表し、(e)が信号N4の波形を表し、(f)が信号Bの波形を表す。 本発明の第1の実施形態に係るディレイ回路を説明するための図であり、(a)はディレイ回路の回路図であり、(b)は電流源の回路図である。 図6(a)の各ノードにおける信号の波形例を示す図であり、(a)が信号Aの波形を表し、(b)が信号Bの波形を表し、(c)が信号N5の波形を表し、(d)が信号N6の波形を表し、(e)が信号N7の波形を表し、(f)が信号N8の波形を表し、(g)が信号N9の波形を表し、(h)が信号Cの波形を表す。 1次電圧が低電圧のときの、各信号の波形例を示す図であり、(a)が信号Aの波形を表し、(b)が信号Bの波形を表し、(c)が信号N7の波形を表し、(d)が信号Cの波形を表す。 1次電圧が高電圧のときの、各信号の波形例を示す図であり、(a)が信号Aの波形を表し、(b)が信号Bの波形を表し、(c)が信号N7の波形を表し、(d)が信号Cの波形を表す。 本発明の第2の実施形態に係る電源装置の回路構成の例を示すブロック図である。 本発明の第2の実施形態に係る起動回路のブロック図である。 本発明の第2の実施形態に係るディレイ回路を説明するための図であり、(a)はディレイ回路の回路図であり、(b)は電流源の回路図である。
以下、図面を参照して、本発明に係る電源装置について説明する。
先ず、本発明の第1の実施形態を説明する。
図2は、本発明の第1の実施形態に係る電源装置の回路構成の例を示すブロック図である。
図2に示すように、電源装置200は、1次電圧を発生するバッテリー等の電源202と、1次電圧を昇圧し1次電圧より高い2次電圧を生成する昇圧回路210と、PWM信号を生成するPWM信号生成回路212と、起動用PWM信号を生成する起動回路214と、PWM信号生成回路212からのPWM信号及び起動回路214からの起動用PWM信号を入力しどちらか一方を昇圧回路210に出力する切り替え部216と、2次電圧と予め設定された所定電圧とを比較し、比較結果に基づき生成した切替制御信号を切り替え部216に出力するコンパレータ204とを備える。
起動回路214には、電源電圧として1次電圧が供給される。PWM信号生成回路212や図示しない他の回路には、電源電圧として2次電圧が供給される。
図2に示す回路構成は、図1に示した回路構成と類似するが、起動回路214が、1次電圧の電圧値に基づいて、起動用PWM信号のデューティ比を変えるように構成される点で相違する。
次に、斯かる電源装置200の動作を説明する。
動作開始時には、起動回路214が生成した起動用PWM信号により、昇圧回路210を駆動する。これにより、昇圧回路210は1次電圧より高い2次電圧を生成する。この2次電圧が所定電圧を超えると、コンパレータ204が起動完了の判定を行う。起動が完了すると、PWM信号生成回路212が生成したPWM信号を切り替え部216が選択し、PWM信号により昇圧回路210を駆動して、昇圧回路210の定常動作時における定常駆動が継続される。
図3(a)は、図2の昇圧回路210の構成の例を示す回路図である。
昇圧回路210は、1次電圧が供給されるコイルと、ソースにコイルを介して1次電圧が供給されドレインから2次電圧を供給するPMOSスイッチと、ソースにコイルを介して1次電圧が供給されると共にソースがPMOSスイッチのソースに接続されドレインが接地されるNMOSスイッチと、PMOSスイッチのドレインに接続され2次電圧の電荷を保持するキャパシタとを備える。
NMOSスイッチのゲートには、インバーターを介して切り替え部216からのPWM信号又は起動用PWM信号が入力される。PMOSスイッチのゲートには、直列接続された2つのインバーターを介して切り替え部216からのPWM信号又は起動用PWM信号が入力される。
昇圧回路210は、PWM信号又は起動用PWM信号によりNMOSスイッチとPMOSスイッチとが交互にオンオフされることにより、入力された1次電圧を昇圧し、1次電圧より高い2次電圧を生成して出力する。
図3(b)は、図2の起動回路214の構成の例を示すブロック図である。
起動回路214は、一定の周波数を有するクロック信号(信号A)を生成する発振回路302と、信号Aを入力しクロック信号の立下りに一定比率の遅延を持たせHi区間を伸ばしたクロック信号(信号B)を出力するリミット回路304と、信号Bを入力し起動時に1次電圧に依存した起動用PWM信号(信号C)を生成するディレイ回路306とから構成される。ここで、リミット回路及びディレイ回路には、1次電圧が供給されている。
ディレイ回路306は、発振回路302が出力したクロック信号のデューティを1次電圧に依存して変化させる回路である。
リミット回路304は、ディレイ回路306からの出力である起動用PWM信号のデューティが100%となるのを防止するため、発振回路302とディレイ回路306との間に設置されている。
次に、リミット回路の具体的な構成例について、図4(a)及び図4(b)を参照して説明する。
図4(a)に、図3(b)に示したリミット回路304の一例を示す。
リミット回路は、入力信号(信号A)の逆相の信号N1を生成する第1のインバーターと、信号N1の立ち上がりエッジを遅延させた信号N3を生成する遅延生成部402と、信号N3の逆相の信号N4を生成する第2のインバーターと、入力信号(信号A)と入力信号の立下りエッジを遅延させた信号N4とのORをとるOR回路とから構成される。斯かるリミット回路により前段の発振回路が出力した信号AのHi区間を伸ばすことができる。
図4(b)に、図4(a)に示した遅延生成部402を構成する電流源の一例を示す。
電流源は、閾値Vthが負の特性を持つディプリーションMOSトランジスタを備える。ディプリーションMOSトランジスタのゲート及びソースはグラウンドとなる0Vを接地し、ドレインはMOSトランジスタNM1のソースに接続され、定電流Iを引くように構成される。このような回路構成により、電流Iが1次電圧に依存せず常に一定となる。
次に、リミット回路の動作について説明する。
遅延生成部402では、信号AがHiのとき、MOSトランジスタPM1がオンしてコンデンサC1が充電される。信号AがHiからLoに立ち下がると、MOSトランジスタNM1がオンして電流源がコンデンサC1の放電を開始する。
図5に、このときの、図4(a)の各ノードにおける波形例を示す。図5(a)が信号Aの波形を表し、図5(b)が信号N1の波形を表し、図5(c)が信号N2の波形を表し、図5(d)が信号N3の波形を表し、図5(e)が信号N4の波形を表し、図5(f)が信号Bの波形を表す。電流源がコンデンサC1の放電を開始すると、信号N2の電位が下がり始める。信号N2の電位が次段のインバーターの閾値以下に下がると、信号N3、信号N4が反転する。このとき、信号Bのデューティが100%に達しないように、コンデンサC1の容量を調整する。その結果、図5の波形例に示すように発振回路が出力する信号Aから、例えばデューティ90%の信号Bを生成することができる。ここで、電流が1次電圧に依存せず常に一定となる電流源を使用しているので、1次電圧が変化して信号Aのクロック周期が変化しても、コンデンサC1の放電時間がクロック周期に連動して変化するため、信号Bのデューティを一定にすることができる。
次に、ディレイ回路の具体的な構成例について、図6(a)及び図6(b)を参照して説明する。
図6(a)に、図3(b)に示したディレイ回路306の一例を示す。
ディレイ回路は、入力信号(信号B)の逆相の信号N5を生成する第1のインバーターと、信号N5の逆相の信号N6を生成する第2のインバーターと、信号N6から信号N8を生成する遅延生成部602と、信号N8の逆相の信号N9を生成する第3のインバーターと、信号N5の逆相の信号N10を生成する第4のインバーターと、信号N10と信号Bの立ち上がりエッジを遅延させた信号N9とのANDをとるAND回路とから構成される。斯かるディレイ回路により信号Cのデューティを1次電圧に依存させて変化させることができる。
図6(b)に、図6(a)の遅延生成部602を構成する電流源回路の一例を示す。
リミット回路と同様に、ディプリーションMOSトランジスタで電流を流す構成にし、ソースはグラウンドとなる0Vを接地し、ドレインはMOSトランジスタNM2のソースに接続され、定電流Iを引くように構成される。
ただし、リミット回路と異なり、斯かる電流源回路は、直列接続された抵抗を備え、ディプリーションMOSトランジスタのゲートには1次電圧を分圧した1次電圧に依存する電圧を供給する。このような回路構成により、1次電圧が低電圧のときには電流源の電流量が減少し、1次電圧が高電圧のときには電流源の電流量が増加する。
次に、ディレイ回路の動作について説明する。
遅延生成部602では、信号BがLoのとき、MOSトランジスタPM2がオンしてコンデンサC2が充電される。信号BがLoからHiに立ち上がると、MOSトランジスタNM2がオンして電流源がコンデンサC2の放電を開始する。
図7に、このときの、図6(a)の各ノードにおける波形例を示す。図7(a)が信号Aの波形を表し、図7(b)が信号Bの波形を表し、図7(c)が信号N5の波形を表し、図7(d)が信号N6の波形を表し、図7(e)が信号N7の波形を表し、図7(f)が信号N8の波形を表し、図7(g)が信号N9の波形を表し、図7(h)が信号Cの波形を表す。電流源がコンデンサC2の放電を開始すると、信号N7の電位が下がり始める。信号N7の電位が次段のインバーターの閾値以下に下がると、信号N8、N9が反転する。このとき、電流源の電流量を1次電圧に依存して変化させることにより、図7の波形例に示すように、信号Cのデューティ比を変化させることが可能となる。
1次電圧が低電圧のときには電流源の電流量が減少して、コンデンサC2の放電時間を長くすることができ、1次電圧が高電圧のときには電流源の電流量が増加して、コンデンサC2の放電時間を短くすることができる。その結果、信号N7の電位が下がる時間を1次電圧の値によって調整することができる。
さらに、リミット回路の遅延生成部と同じように、ディレイ回路の遅延生成部はディプリーションMOSトランジスタで構成されるため、コンデンサC2の放電時間が、コンデンサC1の放電時間よりも長くならないように調整を行うことで、前段のリミット回路が出力した信号Bのデューティの範囲内で、信号Cのデューティ比を変化させることが可能となる。
図8は、1次電圧が低電圧のときの、各信号の波形例を示す図である。図8(a)が信号Aの波形を表し、図8(b)が信号Bの波形を表し、図8(c)が信号N7の波形を表し、図8(d)が信号Cの波形を表す。1次電圧が低電圧のときは、コンデンサC2の放電時間が長くなるため、信号N7の電位が降下する時間が長くなる。このため、信号Cのデューティ比が大きくなる。
図9は、1次電圧が高電圧のときの、各信号の波形例を示す図である。図9(a)が信号Aの波形を表し、図9(b)が信号Bの波形を表し、図9(c)が信号N7の波形を表し、図9(d)が信号Cの波形を表す。1次電圧が高電圧のときは、コンデンサC2の放電時間が短くなるため、信号N7の電位が降下する時間が短くなる。このため、信号Cのデューティ比が小さくなる。
以上からわかるように、発振回路が出力した信号Aからデューティの最大値を設定した信号Bを生成し、信号Bから1次電圧に依存したデューティ比を持つ信号Cを生成することが可能となる。
次に、本発明の第2の実施形態を説明する。
図10は、本発明の第2の実施形態に係る電源装置の回路構成の例を示すブロック図である。
図10に示すように、電源装置1000は、1次電圧を発生するバッテリー等の電源1002と、1次電圧を昇圧し1次電圧より高い2次電圧を生成する昇圧回路1010と、PWM信号を生成するPWM信号生成回路1012と、起動用PWM信号を生成する起動回路1014と、PWM信号生成回路1012からのPWM信号及び起動回路1014からの起動用PWM信号を入力しどちらか一方を昇圧回路に出力する切り替え部1016と、2次電圧と予め設定された所定電圧とを比較し、比較結果に基づき生成した切替制御信号を切り替え部1016に出力するコンパレータ1004とを備える。
起動回路1014には、電源電圧として1次電圧が供給される他に2次電圧も供給される。PWM信号生成回路1012や図示しない他の回路には、電源電圧として2次電圧が供給される。
2次電圧は、1次電圧を徐々に昇圧することにより生成され、起動時間の経過によりその電圧値が異なる。本実施形態の起動回路は、2次電圧の電圧値に基づいて、起動用PWM信号のデューティ比を変えるように構成される。
次に、斯かる電源装置1000の動作を説明する。
動作開始時には、起動回路1014が生成した起動用PWM信号により、昇圧回路1010を駆動する。これにより、昇圧回路1010は1次電圧より高い2次電圧を生成する。この2次電圧が所定電圧を超えると、コンパレータ1004が起動完了の判定を行う。起動が完了すると、PWM信号生成回路1012が生成したPWM信号を切り替え部1016が選択し、PWM信号により昇圧回路1010を駆動して、昇圧回路1010の定常動作時における定常駆動が継続される。
第2の実施形態に係る昇圧回路の構成は、図3(a)に示した第1の実施形態に係る昇圧回路の構成と同じであるため説明を省略する。
図11は、図10の起動回路1014の構成の例を示すブロック図である。
起動回路1014は、一定の周波数を有するクロック信号(信号A)を生成する発振回路1102と、信号Aを入力しクロック信号の立下りに一定比率の遅延を持たせHi区間を伸ばしたクロック信号(信号B)を出力するリミット回路1104と、信号Bを入力し起動時に1次電圧に依存した起動PWM信号(信号C)を生成するディレイ回路1106とから構成される。ここで、リミット回路1104には、1次電圧が供給され、ディレイ回路1106には、1次電圧及び2次電圧が供給されている。
ディレイ回路1106は、発振回路1102が出力したクロック信号のデューティを2次電圧に依存して変化させる回路である。
リミット回路1104は、ディレイ回路1106からの出力である起動用PWM信号のデューティが100%となるのを防止するため、発振回路1102とディレイ回路1106との間に設置されている。
第2の実施形態に係るリミット回路1104及び電流源の構成は、図4(a)及び図4(b)に示した第1の実施形態に係るリミット回路及び電流源の構成と同じであるため説明を省略する。
次に、ディレイ回路の具体的な構成例について、図12(a)及び図12(b)を参照して説明する。
図12(a)に、図11に示したディレイ回路1106の一例を示す。
ディレイ回路は、入力信号(信号B)の逆相の信号N5を生成する第1のインバーターと、信号N5の逆相の信号N6を生成する第2のインバーターと、信号N6から信号N8を生成する遅延生成部1202と、信号N8の逆相の信号N9を生成する第3のインバーターと、信号N5の逆相の信号N10を生成する第4のインバーターと、信号N10と信号Bの立ち上がりエッジを遅延させた信号N9とのANDをとるAND回路とから構成される。ここで、電流源以外の素子には1次電圧が供給され、電流源には2次電圧が供給されている。電流源に2次電圧が供給されることにより信号Cのデューティを2次電圧に依存させて変化させることができる。
図12(b)に、図12(a)に示した遅延生成部1202を構成する電流源回路の一例を示す。
リミット回路と同様に、ディプリーションMOSトランジスタで電流を流す構成にし、ソースはグラウンドとなる0Vを接地し、ドレインはMOSトランジスタNM2のソースに接続され、定電流Iを引くように構成される。
ただし、リミット回路と異なり、斯かる電流源回路は、直列接続された抵抗を備え、ディプリーションMOSのゲートには2次電圧を分圧した2次電圧に依存する電圧を供給する。このような回路構成により、2次電圧が低電圧のときには電流源の電流量が減少し、2次電圧が高電圧のときには電流源の電流量が増加する。
遅延生成部1202では、信号BがLoのとき、MOSトランジスタPM2がオンしてコンデンサC2が充電される。信号BがLoからHiに立ち上がると、MOSトランジスタNM2がオンして電流源がコンデンサC2の放電を開始する。
このときの各ノードにおける信号の波形例は、図7の1次電圧を2次電圧に置き換えたものと同じである。電流源がコンデンサC2の放電を開始すると、信号N7の電位が下がり始める。信号N7の電位が次段のインバーターの閾値以下に下がると、信号N8、N9が反転する。このとき、電流源の電流量を2次電圧に依存して変化させることにより、信号Cのデューティ比を変化させることが可能となる。
2次電圧が低電圧のときには電流源の電流量が減少して、コンデンサC2の放電時間を長くすることができ、2次電圧が高電圧のときには電流源の電流量が増加して、コンデンサC2の放電時間を短くすることができる。その結果、信号N7の電位が下がる時間を2次電圧の値によって調整することができる。
さらに、リミット回路の遅延生成部と同じように、ディレイ回路の遅延生成部はディプリーションMOSトランジスタで構成されるため、コンデンサC2の放電時間が、コンデンサC1の放電時間よりも長くならないように調整を行うことで、前段のリミット回路が出力した信号Bのデューティの範囲内で、信号Cのデューティ比を変化させることが可能となる。
2次電圧が低電圧のときの、各信号の波形例は、図8の1次電圧を2次電圧に置き換えたものと同じである。2次電圧が低電圧のときは、コンデンサC2の放電時間が長くなるため、信号N7の電位が降下する時間が長くなる。このため、信号Cのデューティ比が大きくなる。
2次電圧が高電圧のときの、各信号の波形例は、図9の1次電圧を2次電圧に置き換えたものと同じである。2次電圧が高電圧のときは、コンデンサC2の放電時間が短くなるため、信号N7の電位が降下する時間が短くなる。このため、信号Cのデューティ比が小さくなる。
以上からわかるように、発振回路が出力した信号Aからデューティの最大値を設定した信号Bを生成し、信号Bから2次電圧に依存したデューティ比を持つ信号Cを生成することが可能となる。
本発明の第1の実施形態及び第2の実施形態ではインバーターをCMOSトランジスタで構成しているが、インバーターとして機能するものであればバイポーラトランジスタ等で構成しても良く、構成素子の形態は問わない。また、遅延生成部の電流源をディプリーションMOSトランジスタで構成しているが、電流源として機能するものであれば、ディプリーションMOSトランジスタ以外の素子で構成しても良い。
また、ディレイ回路からの出力である起動用PWM信号のデューティ比が100%となるのを防止するために、発振回路とディレイ回路との間にリミット回路を設置した例を示したが、発振回路が出力するクロックのデューティ比及びディレイ回路の遅延生成部を構成する電流源の電流量によっては、リミット回路無しでも起動用PWM信号のデューティ比が100%とならないため、リミット回路を設置しない構成にしても良い。
100、200、1000 電源装置
102、202、1002 電源
104、204、1004 コンパレータ
110、210、1010 昇圧回路
112、212、1012 PWM信号生成回路
114、214、1014 起動回路
116、216、1016 切り替え部
302、1102 発振回路
304、1104 リミット回路
306、1106 ディレイ回路
402、602、1202 遅延生成部

Claims (5)

  1. 入力電圧を発生する電源と、
    前記入力電圧を所望の出力電圧へ昇圧させる昇圧回路と、
    電源電圧として前記出力電圧が供給される、前記昇圧回路の定常動作時に昇圧回路を駆動させるPWM信号を生成するPWM信号生成回路と、
    電源電圧として前記入力電圧が供給される、前記昇圧回路の動作開始時に昇圧回路を駆動させる起動用PWM信号を生成する起動回路と、
    前記出力電圧と所定電圧との比較結果に基づき前記出力電圧が所望の値に昇圧されたか否かを判定し、切替制御信号を出力する比較回路と、
    前記切替制御信号に基づき、前記PWM信号又は前記起動用PWM信号のどちらか一方を選択して前記昇圧回路に供給する切り替え部と
    を備え、
    前記起動回路は、一定の周波数を有するクロック信号を生成する発振回路と、前記入力電圧又は出力電圧に基づき前記クロック信号を遅延させた信号を生成する遅延生成部を有し、前記PWM信号を生成し出力するディレイ回路とを備え、起動用PWM信号のデューティ比を前記入力電圧又は前記出力電圧に依存して可変にすることを特徴とする電源装置。
  2. 前記起動回路は、前記発振回路と前記ディレイ回路との間にリミット回路をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の電源装置。
  3. 前記リミット回路は、前記発振回路からの前記クロック信号を入力し、クロック信号の立下りに一定比率の遅延を持たせHi区間を伸ばしたクロック信号(信号B)を出力することで、前記ディレイ回路からの出力である前記起動用PWM信号のデューティが100%となるのを防止することを特徴とする請求項2に記載の電源装置。
  4. 前記遅延生成部は、
    各ドレインが共通接続され前記入力信号が各ゲートに供給されるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタと、
    前記PMOSトランジスタのソースに前記入力電圧を供給する電源端子と、
    前記NMOSトランジスタのソースに電流を供給する可変電流源と、
    前記PMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタのドレインに接続される容量素子と
    を備え、
    前記電流源の電流値は、前記入力電圧に依存して変化することを特徴とする請求項3に記載の電源装置。
  5. 前記遅延生成部は、
    各ドレインが共通接続され前記入力信号が各ゲートに供給されるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタと、
    前記PMOSトランジスタのソースに前記入力電圧を供給する電源端子と、
    前記NMOSトランジスタのソースに電流を供給する可変電流源と、
    前記PMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタのドレインに接続される容量素子と
    を備え、
    前記電流源の電流値は、前記出力電圧に依存して変化することを特徴とする請求項に記載の電源装置。
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