JP5474630B2 - 電子部品およびその製造方法、部品実装基板 - Google Patents
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Description
ICタグから発信された信号は、情報書込/読出装置のアンテナで受信され、コントローラーを介してデータ処理装置へ送られ、識別などのデータ処理が行われる。
このため、ICチップを実装した場合に、その側面部分における導電性ペーストとの絶縁性が良好でなく、ショートを起こすという問題があり、切断工程後に図8に矢印Cで示す被切断加工面を絶縁処理する工程が必要となり、工数が増加し、作業時間が増加し、製造コストが増加するという問題があった。
1.製造コストの削減を図ること。
2.必要な絶縁性を維持すること。
3.スクライブライン幅寸法の低減を図ること。
4.ハンドリング性の向上を図ること。
表面に複数の素子領域を備える連続した部品基板の前記接続面において、前記複数の素子領域にそれぞれ対応する突起端子電極を形成する電極形成工程と、
前記部品基板の接続面に前記複数の素子領域の境界に沿って凹部を設ける凹部形成工程と、
熱可塑性とレーザ光透過性とを有する絶縁樹脂層によって、少なくとも前記凹部内部を充填するとともに前記突起端子電極の表面が露出するように前記部品基板接続面を覆って絶縁樹脂層を形成する封止工程と、
前記凹部にレーザ光を照射して、該凹部内の絶縁樹脂層を透過したレーザ光により該凹部底部を凹部の幅方向中央位置に形成される切断溝により切断するとともに該凹部に充填されている絶縁樹脂層を熱変形させて前記切断溝内に充填させる切断溝形成工程と、
前記凹部および切断溝内の絶縁樹脂層を前記凹部幅方向中央位置で切断して、前記凹部および切断溝の側面で形成される部品基板の側面部分が前記絶縁樹脂層によって覆われた状態として前記複数の素子領域を個々の素子に分割する分離工程と、
を備えたことにより上記課題を解決した。
前記突起端子電極を有する接続面と該接続面に連続する側面部分とにおいて、少なくとも前記突起端子電極をのぞく部分が前記絶縁樹脂層によって絶縁されていることが可能である。
本発明の部品実装基板において、上記の前記電子部品に設けられた前記突起端子電極が前記実装基板の端子に対して接続されてなることができる。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであ
り、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
実装基板1表面1aに設けられた端子2は、所定の回路やアンテナなどからなる導電部分またはこれに接続する部分とされている。
金属基板の原材料としては、例えば、JIS規格による炭素の含有量が0.12%以下のもから0.75%以下で、かつ、JIS規格による伸び率が20%以上のもから45%以上のものであるSUS鋼材、例えば、SUS301、SUS403、SUS410、SUS416、SUS420、SUS429、SUS430、SUS431、SUS434、SUS440等が好適に使用される。
部品基板11は、接続面12に突起端子電極14が設けられ、この突起端子電極14を除く接続面12と、この接続面12に連続する側面部分13との全面が絶縁樹脂層15によって被覆されて絶縁されている。この絶縁樹脂層15は、少なくとも、導電樹脂3と接する部品基板11の表面を覆っていることが必要である。側面部分13は、図1に示すように、接続面12に連続しこの接続面12から立ち上がる側面13aと、この側面13aから離間する外側方向に向かうフランジ平面16a、フランジ部16の端面16bとを含むものとされる。
凹部形成手段WBはレーザ、あるいはダイヤモンドブレード等とされ凹部W13を形成可能であればどのようなものでもよい。
凹部W13の幅寸法は、素子領域Dどうしの間隔寸法、すなわち、スクライブラインの幅寸法以下とされ、20μm程度以下、好ましくは、10μm程度以下、より好ましくは、数μm程度とすることができる。凹部形成手段WBをダイヤモンドブレードとする場合には、ブレード厚さは凹部W13の幅寸法とほぼ等しく設定される。
なお、このレーザ透過性は、レーザの出力を規定する波長に対応して変化する可能性があるので、使用するレーザの種類に応じて、絶縁樹脂層W15の材質・組成を対応させるものである。例えば、YAGレーザを用いた場合には、透明アクリル系樹脂が適応される。
切断溝形成手段WLのレーザービーム照射時間は、底部W13aの厚さによって変化するが、素子領域Dに影響を与えることなくウェーハWが切断可能であれば特に限定はしない。
樹脂切断手段WSは、レーザ、あるいはダイヤモンドブレード等とされて、電子部品10を分離可能であればどのようなものでもよい。レーザとしては、絶縁樹脂層15の樹脂を透過しないものでれば特に限定はなく、連続発振エキシマレーザ:KrF(波長248nm)、炭酸ガスレーザ(波長10μm)等の発振媒質による平均出力0.1W〜50KW程度のものや、例えばXeCl、ArF、ArCl、XeF等のハロゲンガスを用いたガスレーザを用いることや、照射の形態としてパルスレーザとすることもできる。
また、絶縁樹脂層W15の硬度が高い場合には、硬質ブレード等で押圧するなど、物理的に折って個片化することも可能である。この場合、個々の部品基板11に影響を与えることなくスクライブカットすることができる。この分離工程S5により、突起端子電極14を除く接続面12と側面13とが絶縁樹脂層15によって覆われた部品基板11を素子領域ごとに分離することができる。
ここで、封止工程S3より後に突起端子電極14を形成する場合には、この封止工程S3でウェーハWの全面に絶縁樹脂層W15を形成し、その後、フォトリソ等適当な方法によって部分的に絶縁樹脂層W15を除去し、その部分に突起端子電極14を形成することになる。ウェーハW全面に形成した絶縁樹脂層W15も、その厚み寸法は突起端子電極14の最上面14aが露出するように設定される。
Claims (3)
- 実装基板の端子に対して接続される突起端子電極を前記実装基板に対向する部品基板の接続面に有する電子部品の製造方法であって、
表面に複数の素子領域を備える連続した部品基板の前記接続面において、前記複数の素子領域にそれぞれ対応する突起端子電極を形成する電極形成工程と、
前記部品基板の接続面に前記複数の素子領域の境界に沿って凹部を設ける凹部形成工程と、
熱可塑性とレーザ光透過性とを有する絶縁樹脂層によって、少なくとも前記凹部内部を充填するとともに前記突起端子電極の表面が露出するように前記部品基板接続面を覆って絶縁樹脂層を形成する封止工程と、
前記凹部にレーザ光を照射して、該凹部内の絶縁樹脂層を透過したレーザ光により該凹部底部を凹部の幅方向中央位置に形成される切断溝により切断するとともに該凹部に充填されている絶縁樹脂層を熱変形させて前記切断溝内に充填させる切断溝形成工程と、
前記凹部および切断溝内の絶縁樹脂層を前記凹部幅方向中央位置で切断して、前記凹部および切断溝の側面で形成される部品基板の側面部分が前記絶縁樹脂層によって覆われた状態として前記複数の素子領域を個々の素子に分割する分離工程と、
を備えたことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項1記載の製造方法により製造された電子部品であって、
前記突起端子電極を有する接続面と該接続面に連続する側面部分とにおいて、少なくとも前記突起端子電極をのぞく部分が前記絶縁樹脂層によって絶縁されていることを特徴とする電子部品。 - 請求項2記載の前記電子部品に設けられた前記突起端子電極が前記実装基板の端子に対して接続されてなることを特徴とする部品実装基板。
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