JP5466001B2 - 圧電材料の処理 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 129
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 54
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 17
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 229920005669 high impact polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004797 high-impact polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 1
- VJPLIHZPOJDHLB-UHFFFAOYSA-N lead titanium Chemical compound [Ti].[Pb] VJPLIHZPOJDHLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/01—Manufacture or treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49126—Assembling bases
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
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- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
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Description
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
圧電材料の層の第1の表面を移行基板に接合することと、
研磨表面を形成するために、該層の第1の表面と反対側にある該圧電材料の露出された表面を研磨することと、
該研磨表面をMEMS本体に接合することと
を含む、MEMS形成のための方法。
(項目2)
圧電材料の層の第1の表面を移行基板に接合することは、上記第1の表面を該移行基板に樹脂を用いて接着することを含む、項目1に記載の方法。
(項目3)
上記研磨表面をMEMS本体に接合することは、該研磨表面を該MEMS本体に樹脂を用いて接着することを含む、項目1に記載の方法。
(項目4)
上記研磨することは、化学機械研磨である、項目1に記載の方法。
(項目5)
上記移行基板は、約1〜10オングストロームの表面粗度を有する、項目1に記載の方法。
(項目6)
上記研磨表面は、約10〜20オングストロームの表面粗度を有する、項目1に記載の方法。
(項目7)
上記研磨表面に導電層を形成することをさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目8)
上記MEMS本体に上記研磨表面を接合することの前に、上記圧電材料を切断することをさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目9)
研磨することの前に、上記圧電材料の一部分を研削により除去することをさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目10)
上記移行基板を研削により除去することをさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目11)
上記移行基板を研磨により除去することをさらに含む、項目10に記載の方法。
(項目12)
上記研磨表面と反対側にある上記圧電材料の表面を研磨することをさらに含む、項目10に記載の方法。
(項目13)
上記研磨表面と反対側にある上記圧電材料の表面に導電層を形成することをさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目14)
上記露出された表面を研磨することは、損傷を取り除くため、上記圧電材料を少なくとも約4ミクロン研磨により除去することを含む、項目1に記載の方法。
(項目15)
上記露出された表面を研磨することは、損傷を取り除くため、上記圧電材料を約4〜10ミクロンだけ研磨により除去することを含む、項目1に記載の方法。
(項目16)
平坦表面を形成するために圧電材料のブロックを研磨することと、
該平坦表面に導電層を適用することと、
該移行基板に該導電層を接合し、該平坦表面と反対側にある表面を露出することと、
該移行基板に該導電層を接合することの後、該圧電材料のブロックを薄くすることと、
該平坦表面と反対側にある該表面を研磨することと、
該平坦表面と反対側にある該表面を研磨することの後、内部空間を有する本体に該圧電材料を接合することと、
該移行基板を除去することと
を含む、MEMS形成のための方法。
いくつかの実施形態において、圧電材料の層250の周辺領域310は、移行基板230が除去された後も残る。図12および13を参照すると、圧電材料の周辺領域310を、切削、ダイシング、またはエッチング等によりアセンブリから取り除くことができる(ステップ510)。周辺領域310は、研磨工程によるある量のロールオフを生じる可能性がある。すなわち、圧電材料の層250の端において、研磨は、より早い、またはより遅い場合がある。研磨表面の整合性も、ロールオフに寄与し得る。アクチュエータ間の均一性を促進するため、中央部分と比較して、薄いまたは厚い圧電材料の端部分は取り除かれる。単一のアセンブリ上に複数のMEMSが形成される場合、MEMSはアセンブリから個々のチップに分割されることができる。周辺領域310はまた、本工程で取り除かれることができる。
Claims (16)
- MEMSを形成する方法であって、該方法は、
移行基板を研磨することであって、該研磨された移行基板は、50オングストローム未満の表面粗度を有する、ことと、
バルク圧電材料の層の第1の表面を該移行基板に樹脂を用いて接合することと、
該第1の表面を該移行基板に接合した後に、該層の第1の表面と反対側にある該バルク圧電材料の露出された表面を研磨することにより、研磨表面を形成することと、
該研磨表面をMEMS本体に接合することと
を含む、方法。 - 前記研磨表面をMEMS本体に接合することは、該研磨表面を該MEMS本体に樹脂を用いて接着することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記研磨することは、化学機械研磨を行うことである、請求項1に記載の方法。
- 前記移行基板は、約1オングストローム〜10オングストロームの表面粗度を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記研磨表面上に導電層を形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記研磨表面を前記MEMS本体に接合する前に、前記圧電材料を切断することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 研磨する前に、前記圧電材料の一部分を研削により除去することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記移行基板を研削により除去することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記移行基板を研磨により除去することをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記研磨表面と反対側にある前記圧電材料の表面を研磨することをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記研磨表面と反対側にある前記圧電材料の表面上に導電層を形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記露出された表面を研磨することは、損傷を取り除くため、前記圧電材料を少なくとも約4ミクロン研磨により除去することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記露出された表面を研磨することは、損傷を取り除くため、前記圧電材料を約4ミクロン〜10ミクロンだけ研磨により除去することを含む、請求項1に記載の方法。
- MEMSを形成する方法であって、該方法は、
圧電材料のブロックを研磨することにより、平坦表面を形成することと、
該平坦表面上に導電層を適用することと、
移行基板を研磨することであって、該研磨された移行基板は、50オングストローム未満の表面粗度を有する、ことと、
該導電層を該移行基板に接合し、該平坦表面と反対側にある表面を露出したままにすることと、
該導電層を該移行基板に接合した後に、該圧電材料のブロックを薄くすることと、
該導電層を該移行基板に接合した後に、該平坦表面と反対側にある該表面を研磨することと、
該平坦表面と反対側にある該表面を研磨した後に、内部にチャンバが形成された本体に該圧電材料を接合することと、
該移行基板を除去することと
を含む、方法。 - 前記圧電材料を切断することは、前記移行基板において切断することをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- MEMSを形成する方法であって、該方法は、
移行基板を研磨することであって、該研磨された移行基板は、50オングストローム未満の表面粗度を有する、ことと、
バルク圧電材料の層の第1の表面を該移行基板に接合することと、
該バルク圧電材料の層の厚さを20ミクロン未満まで低減することと、
該第1の表面を該移行基板に接合した後に、該層の第1の表面と反対側にある該圧電材料の露出された表面を研磨することにより、研磨表面を形成することと、
該研磨表面をMEMS本体に接合することと
を含む、方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US74659806P | 2006-05-05 | 2006-05-05 | |
US60/746,598 | 2006-05-05 | ||
US11/744,124 US7779522B2 (en) | 2006-05-05 | 2007-05-03 | Method for forming a MEMS |
US11/744,124 | 2007-05-03 | ||
PCT/US2007/068278 WO2007131188A1 (en) | 2006-05-05 | 2007-05-04 | Processing piezoelectric material |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009536108A JP2009536108A (ja) | 2009-10-08 |
JP2009536108A5 JP2009536108A5 (ja) | 2010-07-15 |
JP5466001B2 true JP5466001B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=38661685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009510107A Active JP5466001B2 (ja) | 2006-05-05 | 2007-05-04 | 圧電材料の処理 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7779522B2 (ja) |
EP (2) | EP2024294B1 (ja) |
JP (1) | JP5466001B2 (ja) |
KR (1) | KR101440101B1 (ja) |
CN (1) | CN101484398B (ja) |
HK (2) | HK1126180A1 (ja) |
WO (1) | WO2007131188A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8621749B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-01-07 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd | Non-deleterious technique for creating continuous conductive circuits |
US8952919B2 (en) | 2011-02-25 | 2015-02-10 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. | Capacitive touch sensitive housing and method for making the same |
US20120273261A1 (en) | 2010-10-20 | 2012-11-01 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. | Circuit substrate having a circuit pattern and method for making the same |
WO2014192597A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 日本碍子株式会社 | 複合基板用支持基板および複合基板 |
US9437802B2 (en) | 2013-08-21 | 2016-09-06 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Multi-layered thin film piezoelectric devices and methods of making the same |
US9475093B2 (en) | 2013-10-03 | 2016-10-25 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Piezoelectric ultrasonic transducer array with switched operational modes |
US9525119B2 (en) * | 2013-12-11 | 2016-12-20 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Flexible micromachined transducer device and method for fabricating same |
WO2022098607A1 (en) * | 2020-11-03 | 2022-05-12 | Corning Incorporated | Substrate thining using temporary bonding processes |
NL2027189B1 (en) * | 2020-11-03 | 2022-06-27 | Corning Inc | Substrate thining using temporary bonding processes |
EP3993074A1 (en) * | 2020-11-03 | 2022-05-04 | Corning Incorporated | Substrate thining using temporary bonding processes |
FR3137792A1 (fr) * | 2022-07-07 | 2024-01-12 | Soitec | Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice ou piézoélectrique |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3151644B2 (ja) * | 1993-03-08 | 2001-04-03 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪膜型素子 |
JPH10264385A (ja) | 1997-03-27 | 1998-10-06 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子、インクジェット式記録ヘッドおよびそれらの製造方法 |
FR2781925B1 (fr) * | 1998-07-30 | 2001-11-23 | Commissariat Energie Atomique | Transfert selectif d'elements d'un support vers un autre support |
JP2000228547A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電基板の製造方法 |
JP3065611B1 (ja) * | 1999-05-28 | 2000-07-17 | 三菱電機株式会社 | マイクロミラ―装置およびその製造方法 |
WO2001018857A1 (en) * | 1999-09-03 | 2001-03-15 | University Of Maryland, College Park | Process for fabrication of 3-dimensional micromechanisms |
JP2001156583A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
US7011134B2 (en) * | 2000-10-13 | 2006-03-14 | Chien-Min Sung | Casting method for producing surface acoustic wave devices |
FR2823012B1 (fr) * | 2001-04-03 | 2004-05-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert selectif d'au moins un element d'un support initial sur un support final |
TW573375B (en) * | 2001-12-17 | 2004-01-21 | Intel Corp | Film bulk acoustic resonator structure and method of making |
JP4186494B2 (ja) * | 2002-04-01 | 2008-11-26 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド |
US6767749B2 (en) * | 2002-04-22 | 2004-07-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for making piezoelectric resonator and surface acoustic wave device using hydrogen implant layer splitting |
US7052117B2 (en) * | 2002-07-03 | 2006-05-30 | Dimatix, Inc. | Printhead having a thin pre-fired piezoelectric layer |
US7089635B2 (en) * | 2003-02-25 | 2006-08-15 | Palo Alto Research Center, Incorporated | Methods to make piezoelectric ceramic thick film arrays and elements |
JP3774782B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2006-05-17 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
CN100548692C (zh) * | 2003-10-10 | 2009-10-14 | 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司 | 具有薄膜的打印头 |
US20060018796A1 (en) * | 2004-07-21 | 2006-01-26 | Hans Sitte | Methods and apparatus for preparing multiwell sheets |
US7420317B2 (en) * | 2004-10-15 | 2008-09-02 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Forming piezoelectric actuators |
US7388319B2 (en) * | 2004-10-15 | 2008-06-17 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Forming piezoelectric actuators |
TWI401739B (zh) * | 2004-10-21 | 2013-07-11 | Fujifilm Dimatix Inc | 蝕刻犧牲材 |
CN1286774C (zh) * | 2005-06-02 | 2006-11-29 | 武汉理工大学 | 一种铌酸盐无铅压电材料 |
-
2007
- 2007-05-03 US US11/744,124 patent/US7779522B2/en active Active
- 2007-05-04 KR KR1020087029799A patent/KR101440101B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-04 JP JP2009510107A patent/JP5466001B2/ja active Active
- 2007-05-04 CN CN2007800254576A patent/CN101484398B/zh active Active
- 2007-05-04 WO PCT/US2007/068278 patent/WO2007131188A1/en active Application Filing
- 2007-05-04 EP EP07783312.7A patent/EP2024294B1/en active Active
- 2007-05-04 EP EP15150914.8A patent/EP2862846B1/en active Active
-
2009
- 2009-06-01 HK HK09104916.4A patent/HK1126180A1/xx unknown
-
2015
- 2015-09-09 HK HK15108767.7A patent/HK1208213A1/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7779522B2 (en) | 2010-08-24 |
CN101484398B (zh) | 2013-02-06 |
JP2009536108A (ja) | 2009-10-08 |
US20070259468A1 (en) | 2007-11-08 |
HK1126180A1 (en) | 2009-08-28 |
HK1208213A1 (en) | 2016-02-26 |
CN101484398A (zh) | 2009-07-15 |
EP2862846A1 (en) | 2015-04-22 |
WO2007131188A1 (en) | 2007-11-15 |
EP2024294A1 (en) | 2009-02-18 |
EP2862846B1 (en) | 2018-04-25 |
EP2024294A4 (en) | 2012-07-25 |
KR20090014193A (ko) | 2009-02-06 |
KR101440101B1 (ko) | 2014-09-17 |
EP2024294B1 (en) | 2015-01-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
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|
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|
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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