FR3137792A1 - Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice ou piézoélectrique - Google Patents
Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice ou piézoélectrique Download PDFInfo
- Publication number
- FR3137792A1 FR3137792A1 FR2206980A FR2206980A FR3137792A1 FR 3137792 A1 FR3137792 A1 FR 3137792A1 FR 2206980 A FR2206980 A FR 2206980A FR 2206980 A FR2206980 A FR 2206980A FR 3137792 A1 FR3137792 A1 FR 3137792A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- substrate
- donor substrate
- layer
- bonding
- recipient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 280
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 20
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 claims description 12
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 7
- 238000001314 profilometry Methods 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 171
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 11
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 10
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 241000894007 species Species 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001101998 Galium Species 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure semiconductrice ou piézoélectrique, comprenant les étapes successives suivantes :(a) fourniture d’un substrat donneur (11) comprenant une couche semiconductrice ou piézoélectrique (5),(b) fourniture d’un substrat receveur (12),(c) traitement d’une surface libre (7) du substrat donneur (11) et/ou d’une surface libre (9) du substrat receveur (12),(d) collage du substrat donneur (11) sur le substrat receveur (12), ladite au moins une surface traitée (7, 9) étant à l’interface entre le substrat donneur (11) et le substrat receveur (12), et (e) transfert d’une portion (3) de la couche semiconductrice ou piézoélectrique (5) du substrat donneur (11) sur le substrat receveur (12),le traitement de la surface libre (7) du substrat donneur (11) et/ou de la surface libre (9) du substrat receveur (12) comprenant les étapes successives suivantes :(c1) un polissage mécano-chimique,(c2) un retrait de matière dans une région périphérique de la surface polie (7,9). Figure pour l’abrégé : figure 9
Description
L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice ou piézoélectrique.
Le transfert d’une couche active, c’est-à-dire destinée à la formation de composants pour des dispositifs électroniques, optiques ou opto-électroniques, sur un substrat support par l’intermédiaire d’une couche électriquement isolante, est largement utilisé dans l’industrie microélectronique.
Dans certaines situations, la couche active est obtenue par amincissement d’un substrat donneur, ledit amincissement étant réalisé par un retrait de matière, tel qu’un meulage (« grinding » selon la terminologie anglo-saxonne). Pour améliorer l’état de surface de la couche active avant le collage, il est généralement nécessaire de procéder à un polissage mécano-chimique (CMP, acronyme du terme anglo-saxon « Chemical Mechanical Polishing »).
Tel est le cas notamment pour la fabrication d’un dispositif radiofréquence (RF), tel qu’un résonateur ou filtre, sur un substrat comprenant successivement, de sa base vers sa surface, un substrat support, généralement en un matériau semi-conducteur tel que du silicium, une couche électriquement isolante et une couche piézoélectrique.
La couche piézoélectrique est typiquement obtenue par transfert d’un substrat épais en un matériau piézoélectrique sur un substrat support.
Le transfert de la couche de piézoélectrique implique un collage du substrat piézoélectrique épais sur le substrat support, suivi d’un amincissement du substrat piézoélectrique épais, de sorte à ne laisser sur le substrat support qu’une couche piézoélectrique mince, de l’épaisseur souhaitée pour la fabrication du dispositif RF.
Pour une bonne adhésion du substrat piézoélectrique sur le substrat support, on procède généralement à la formation d’une couche d’oxyde (par exemple un oxyde de silicium) sur chacun des deux substrats, et on colle lesdits substrats par l’intermédiaire desdites couches d’oxyde.
La couche d’oxyde formée à la surface du substrat support peut être formée par oxydation thermique. Par exemple, s’il s’agit d’un substrat de silicium, on peut ainsi former une couche d’oxyde de silicium. Toutefois, l’oxydation thermique présente plusieurs inconvénients. Elle peut être incompatible avec certains matériaux, par exemple avec les couches de piégeage de charges en silicium polycristallin. En outre, l’oxydation thermique génère des couches d’oxyde qui ne permettent pas une bonne diffusion, par exemple du lithium ou de l’hydrogène.
Ainsi, le dépôt d’une couche d’oxyde par PECVD est souvent préféré à l’oxydation thermique. La couche d’oxyde peut ensuite être polie, par exemple par polissage mécano-chimique.
Pour renforcer le collage oxyde-oxyde entre le substrat piézoélectrique et le substrat support, il est connu d’effectuer, après le collage, un recuit de consolidation. Ledit recuit de consolidation est typiquement réalisé à une température comprise entre 100 °C et 300 °C.
Or, le matériau piézoélectrique et le matériau du substrat support présentant des coefficients de dilatation thermique très différents, la mise en œuvre d’un tel recuit peut engendrer une déformation importante de l’assemblage.
Pour pallier ce type de problème, il est connu de recourir à un pseudo-substrat donneur, c’est-à-dire une hétérostructure dans laquelle le substrat piézoélectrique est collé sur un substrat de manipulation (« handle substrate » en anglais).
Le procédé de fabrication du pseudo-substrat donneur comprend généralement plusieurs étapes. Ainsi, une couche en un matériau piézoélectrique épaisse est collée sur le substrat de manipulation. Puis, la couche en matériau piézoélectrique est amincie et éventuellement détourée. Enfin, la surface libre de la couche en matériau piézoélectrique amincie est polie, par exemple dans un procédé de polissage mécano-chimique (CMP) et éventuellement recouverte d’une fine couche d’oxyde de sorte à réaliser le collage oxyde-oxyde précédemment décrit.
Après collage dudit pseudo-substrat donneur et du substrat support, le substrat piézoélectrique est maintenu entre le substrat de manipulation et le substrat support. Le choix des matériaux et des épaisseurs du substrat de manipulation et du substrat support permet d’assurer une certaine symétrie des coefficients de dilatation thermique, et ainsi de minimiser la déformation de l’assemblage lors de l’application de traitements thermiques.
Toutefois, lors de la mise en œuvre d’un tel procédé de fabrication d’une structure de type piézoélectrique sur isolant, les demandeurs observent des imperfections de collage entre le pseudo-substrat donneur et le substrat support, sous la forme de trous, dénommés « edge bonding voids » en anglais, dans lesquels le collage ne se produit pas à la périphérie des substrats.
Un but de l’invention est d’améliorer, lors de la fabrication d’une structure de type couche active sur isolant, le procédé de collage entre un substrat donneur et un substrat receveur, la surface à coller du substrat donneur et/ou la surface à coller du substrat receveur ayant été polie préalablement audit collage.
A cet effet, l’invention propose un procédé de fabrication d’une structure semiconductrice ou piézoélectrique, comprenant les étapes successives suivantes :
(a) fourniture d’un substrat donneur comprenant une couche semiconductrice ou piézoélectrique,
(b) fourniture d’un substrat receveur,
(c) traitement d’une surface libre du substrat donneur et/ou d’une surface libre du substrat receveur,
(d) collage du substrat donneur sur le substrat receveur, ladite au moins une surface traitée étant à l’interface entre le substrat donneur et le substrat receveur, et
(e) transfert d’une portion de la couche semiconductrice ou piézoélectrique (5) du substrat donneur sur le substrat receveur,
le traitement de la surface libre du substrat donneur et/ou de la surface libre du substrat receveur comprenant les étapes successives suivantes :
(c1) un polissage mécano-chimique,
(c2) un retrait de matière dans une région périphérique de la surface polie.
(a) fourniture d’un substrat donneur comprenant une couche semiconductrice ou piézoélectrique,
(b) fourniture d’un substrat receveur,
(c) traitement d’une surface libre du substrat donneur et/ou d’une surface libre du substrat receveur,
(d) collage du substrat donneur sur le substrat receveur, ladite au moins une surface traitée étant à l’interface entre le substrat donneur et le substrat receveur, et
(e) transfert d’une portion de la couche semiconductrice ou piézoélectrique (5) du substrat donneur sur le substrat receveur,
le traitement de la surface libre du substrat donneur et/ou de la surface libre du substrat receveur comprenant les étapes successives suivantes :
(c1) un polissage mécano-chimique,
(c2) un retrait de matière dans une région périphérique de la surface polie.
Le retrait de matière dans une région périphérique de la surface à coller de l’un et/ou l’autre des substrats qui a été préalablement polie, permet d’améliorer la planéité de ladite surface préalablement au collage de sorte que la qualité du collage s’en trouve améliorée.
Selon d’autres caractéristiques optionnelles de l’invention prises seules ou en combinaison lorsque cela est techniquement possible :
- à l’issue de l’étape de polissage mécano-chimique du substrat donneur et/ou du substrat receveur (c1), la surface polie présente un relief à la périphérie dudit substrat, de sorte que l’étape de retrait de matière (c2) dans la région périphérique de ladite surface est effectuée pour aplanir ledit relief,
- le retrait de matière périphérique est réalisé par abrasion par un faisceau d’ions focalisé sur une zone de la périphérie de la couche semiconductrice ou piézoélectrique polie, le faisceau d’ions balayant l’ensemble de ladite périphérie,
- le retrait de matière périphérique est réalisé après enregistrement du profil topographique de la surface polie par profilométrie et mis en œuvre de sorte que le profil modifié après retrait de matière ne présente qu’un seul maximum et que ledit maximum est le point le plus au centre de la surface polie du profil modifié,
- la portion de la couche semiconductrice ou piézoélectrique du substrat donneur à transférer sur le substrat receveur est délimitée par formation d’une zone de fragilisation préalablement au collage (d) du substrat donneur sur le substrat receveur, de sorte que le transfert de ladite portion sur le substrat receveur comprend le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation,
- la zone de fragilisation dans le substrat donneur est formée par implantation d’hydrogène et/ou d’hélium,
- le substrat donneur comprend une couche piézoélectrique, la surface du substrat donneur à traiter et à coller étant une surface libre de la couche piézoélectrique et la portion du substrat donneur transférée étant une portion de la couche piézoélectrique,
- la fourniture du substrat donneur comprend les étapes successives suivantes :
(a1) collage d’une couche piézoélectrique épaisse sur un substrat de manipulation,
(a2) amincissement de la couche piézoélectrique épaisse par sa face opposée au substrat de manipulation,
de sorte que le polissage mécano-chimique (c1) est réalisé sur la surface libre de la couche piézoélectrique amincie, opposée au substrat de manipulation,
(a1) collage d’une couche piézoélectrique épaisse sur un substrat de manipulation,
(a2) amincissement de la couche piézoélectrique épaisse par sa face opposée au substrat de manipulation,
de sorte que le polissage mécano-chimique (c1) est réalisé sur la surface libre de la couche piézoélectrique amincie, opposée au substrat de manipulation,
- la couche piézoélectrique épaisse présente une épaisseur comprise entre 100 µm et 2 mm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 200 µm et 1mm et en ce que la couche piézoélectrique amincie et polie présente une épaisseur comprise entre 1 µm et 100 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 5 µm et 50 µm,
- la fourniture du substrat donneur comprend en outre une étape (a3) de retrait d’une portion périphérique du substrat donneur préalablement au polissage mécano-chimique (c1) de la surface libre de la couche piézoélectrique amincie,
- le substrat donneur comprend une couche semi-conductrice, la surface du substrat donneur à traiter et à coller étant une surface libre de la couche semi-conductrice et la portion du substrat donneur transférée étant une portion de la couche semi-conductrice,
- le procédé comprend en outre une étape de formation d’une couche d’oxyde sur la surface libre de la couche piézoélectrique ou semi-conductrice, de sorte que le collage (d) du substrat donneur sur le substrat receveur est réalisé par l’intermédiaire de ladite couche d’oxyde,
- la couche d’oxyde formée à la surface de la couche piézoélectrique ou semiconductrice polie présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 30 nm et 5 µm,
- l’étape (c) comprend un traitement de la surface libre de la couche piézoélectrique ou semi-conductrice du substrat donneur et dans lequel la formation de la couche d’oxyde sur ladite surface libre est réalisé après ladite étape de traitement (c) et préalablement au collage (d),
- la fourniture du substrat receveur (b) comprend la formation d’une couche électriquement isolante, préférentiellement une couche d’oxyde, la surface du substrat receveur à traiter et à coller étant une surface libre de la couche électriquement isolante,
- la couche électriquement isolante formée à la surface du substrat receveur présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 30 nm et 5 µm,
- la couche électriquement isolante est formée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD),
- l’étape de retrait de matière (c2) est réalisée sur l’ensemble de la surface polie du substrat receveur,
- la quantité de matière à retirer localement à la surface de la couche électriquement isolante lors de l’étape de retrait de matière à la surface de ladite couche électriquement isolante est déterminée à partir de mesures d’épaisseur de ladite couche électriquement isolante par ellipsométrie et/ou réflectométrie.
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés, sur lesquels :
- la représente une vue en coupe d’une structure multicouche de type piézolélectrique sur isolant préparée selon un mode de réalisation du procédé conforme à l’invention comprenant le collage d’un substrat donneur sur un substrat receveur,
- la représente une vue en coupe du substrat donneur,
- la représente une vue en coupe d’une étape de la préparation du substrat donneur comprenant le collage d’une couche piézoélectrique épaisse sur un substrat de manipulation,
- la représente une vue en coupe d’une étape de la préparation du substrat donneur comprenant l’amincissement de la couche piézoélectrique épaisse collée sur le substrat de manipulation,
- la représente le relief périphérique observée sur la surface de la couche piézoélectrique amincie opposée au substrat de manipulation après une étape supplémentaire de polissage mécano-chimique,
- la représente une vue en coupe du substrat receveur,
- la représente une vue en coupe d’une étape de la préparation du substrat receveur comprenant le collage d’une couche électriquement isolante sur un substrat support,
- la représente une vue en coupe de la formation d’une zone de fragilisation dans la couche piézoélectrique amincie du substrat donneur,
- la représente une vue en coupe du collage du substrat donneur sur le substrat receveur,
- la représente une vue en coupe de la formation d’une zone de fragilisation dans la couche piézoélectrique amincie du substrat donneur, le substrat donneur comprenant en outre une couche d’oxyde préalablement formée sur la surface libre, éventuellement polie et aplanie, de la couche piézoélectrique amincie,
- la représente une vue en coupe du collage du substrat donneur sur le substrat receveur, le substrat donneur lorsque le substrat donneur comprend en outre la couche d’oxyde sur la couche piézoélectrique amincie du côté opposé au substrat de manipulation.
Pour des raisons de lisibilité, les dessins ne sont pas nécessairement réalisés à l’échelle.
L’invention concerne un procédé de fabrication de composants multicouches comprenant le transfert d’une couche active d’un substrat donneur sur un substrat receveur.
Pour améliorer la qualité de collage entre le substrat donneur et le substrat receveur lors de la mise en œuvre dudit transfert, il peut être favorable de réaliser, préalablement audit collage, un polissage mécano-chimique d’au moins une des deux surfaces formant l’interface de collage si la rugosité de ladite surface est trop importante pour induire un bon collage. C’est par exemple le cas si une des surfaces de collage a été formée lors de l’amincissement d’une couche par meulage. Néanmoins, les structures multicouches issues d’un tel procédé présentent de nombreux trous à leur périphérie, au niveau de leur interface de collage, qui diminuent la qualité du collage entre la couche active transférée et le substrat receveur.
Les inventeurs ont observé que, lors de la fabrication de telles structures multicouches, des microgouttes d’eau de condensation restent bloquées en périphérie des substrats, au moment du collage desdits substrats, à la limite de la propagation de l’onde de collage. Les inventeurs suspectent que ces microgouttes de condensation engendrent les trous visibles dans les structures multicouches finales.
Les inventeurs ont également observé que les surfaces libres des substrats qui ont été polies par polissage mécano-chimique présentent un relief, sous la forme d’une surépaisseur, sur leur périphérie. Les inventeurs proposent que ce soit ce relief périphérique qui bloque l’eau de condensation en périphérie des substrats lors de leur collage, ce qui génère les trous observés dans la structure finale multicouche.
A ce titre, l’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure multicouche comprenant le transfert d’une couche active d’un substrat donneur sur un substrat receveur, au moins une des deux interfaces de collage ayant été polie préalablement au collage des deux substrats, le procédé comprenant en outre une étape de retrait de matière périphérique sur l’au moins une des deux surfaces polies.
Dans la suite, on décrit un mode particulier de réalisation de l’invention, dans lequel on prépare une structure multicouche de type piézoélectrique sur isolant 10 représentée sur la , la structure comprenant successivement, de sa face arrière vers sa face avant :
- un substrat support 1,
- une couche électriquement isolante 2, préférentiellement une couche d’oxyde,
- une couche piézoélectrique 3.
- un substrat support 1,
- une couche électriquement isolante 2, préférentiellement une couche d’oxyde,
- une couche piézoélectrique 3.
A titre d’exemple, la couche piézoélectrique 3 est fabriquée dans un matériau tel que le tantalate de lithium (LiTaO3), le niobate de lithium (LiNbO3), le titanate de baryum (BaTiO3) et/ou le titano-zirconate de plomb (PZT). La couche piézoélectrique 3 présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 20 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 100 nm et 10 µm.
La couche électriquement isolante 2 peut comprendre un oxyde, un nitrure et/ou un carbure de silicium (SiOx, SiOxNy, SiNx, SiCx, SiOxCy), x et y étant des nombres réels compris entre 0 et 2, et/ou des polymères. La couche électriquement isolante présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 30 nm et 5 µm.
Enfin, le substrat support 1 est par exemple un substrat de silicium (Si), saphir, alumine (Al2O3), nitrure d’aluminium (AlN), verre, quartz, mullite, molybdène (Mo), tungstène (W), phosphure d’indium (InP), arséniure de galium (GaAs) et/ou carbure de silicium (SiC). Le substrat support 1 présente une épaisseur comprise entre 10 µm et 2 mm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 200 µm et 1 mm.
De telles structures de type piézoélectrique sur isolant 10 trouvent des applications dans le domaine des composants radiofréquences et des filtres.
Dans ce mode de réalisation particulier, le procédé selon l’invention comprend la fourniture d’un substrat donneur 11 comprenant une couche piézoélectrique à transférer 3, la fourniture d’un substrat receveur 12 comprenant le substrat support 1 et la couche électriquement isolante 2, et le transfert de la couche piézo-électrique à transférer 3 du substrat donneur 11 sur le substrat receveur 12, la couche électriquement isolante 2 étant à l’interface de collage (voir ).
Selon ce mode de réalisation, le substrat donneur 11 représenté sur la est une hétérostructure couramment qualifiée de substrat pseudo- donneur qui comprend, de sa face arrière vers sa face avant :
- un substrat de manipulation 4,
- une couche piézoélectrique amincie 5 dans laquelle va être délimitée la couche piézoélectrique à transférer 3 sur le substrat receveur 12,
- de manière optionnelle, une couche électriquement isolante 6, préférentiellement une couche d’oxyde.
- un substrat de manipulation 4,
- une couche piézoélectrique amincie 5 dans laquelle va être délimitée la couche piézoélectrique à transférer 3 sur le substrat receveur 12,
- de manière optionnelle, une couche électriquement isolante 6, préférentiellement une couche d’oxyde.
Le matériau piézoélectrique de la couche piézoélectrique 3 et le matériau du substrat support 1 présentent des coefficients de dilatation thermique très différents. Le dépôt d’une couche en matériau piézoélectrique sans substrat de manipulation sur le substrat support, une couche électriquement isolante étant à l’interface, exposerait la structure multicouche résultante à des déformations importantes lors de la mise en œuvre de recuits thermiques, par exemple pour renforcer l’interface de collage entre couche en matériau piézoélectrique et substrat support.
Le substrat de manipulation 4 est donc fabriqué dans un matériau dont le coefficient de dilatation thermique est proche de celui du matériau du substrat support 1 sur lequel la couche piézoélectrique 3 est destinée à être transférée. Par proche, on entend une différence de coefficient de dilatation thermique entre le matériau du substrat de manipulation 4 et le matériau du substrat support 1 inférieure ou égale à 5 %, et de préférence égale ou voisine de 0 %. Des matériaux adaptés sont par exemple le silicium, le saphir, le nitrure d’aluminium polycristallin, ou encore l’arséniure de gallium. Préférentiellement, le substrat de manipulation 4 est fabriqué dans le même matériau que le substrat support 1. Dans la présente invention, on s’intéresse au coefficient de dilatation thermique dans un plan parallèle à la surface principale des substrats. Le substrat de manipulation 4 présente une épaisseur comprise entre 100 µm et 2 mm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 200 µm et 1 mm. Préférentiellement, le substrat de manipulation 4 présente une épaisseur proche de celle du substrat support 1, afin que la structure obtenue après collage du substrat donneur 11 sur le substrat receveur 12 soit la plus symétrique et la plus équilibrée possible en termes de comportements mécanique et thermique. Un coefficient de dilatation thermique et une épaisseur du substrat de manipulation 4 proches respectivement du coefficient de dilatation thermique et de l’épaisseur du substrat support 1 permettent de minimiser les contraintes sur la structure multicouche et sa déformation sous l’effet des variations de température.
La couche électriquement isolante 6 est par exemple une couche d’oxyde, de nitrure et/ou de carbure de silicium (SiOx, SiOxNy, SiNx, SiCx, SiOxCy), x et y étant des nombres réels compris entre 0 et 2, et/ou un polymère. La couche électriquement isolante 6 présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 30 nm et 5 µm.
Fourniture du substrat donneur et éventuels traitements d’une surface libre du substrat donneur
Comme représenté sur la , la formation du substrat donneur 11 comprend le collage d’une couche piézoélectrique épaisse 8 sur un substrat de manipulation 4.
La couche piézoélectrique épaisse 8 présente une épaisseur comprise entre 100µm et 2 mm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 200 µm et 1 mm. La couche piézoélectrique épaisse 8 est formée du matériau piézoélectrique qui constitue la couche piézolélectrique 3 dans la structure piézoélectrique sur isolant finale 10. La couche piézoélectrique épaisse 8 peut donc comprendre du LiTaO3, LiNbO3, BaTiO3et/ou PZT.
Le collage de la couche piézoélectrique épaisse 8 sur le substrat de manipulation 4 est par exemple réalisé à l’aide d’une couche adhésive photo-polymérisable préalablement déposée sur une face exposée du substrat de manipulation 4 ou de la couche piézoélectrique épaisse 8. Le dépôt de la couche adhésive photo-polymérisable est avantageusement effectué par enduction centrifuge, ou « spin coating » selon la terminologie anglo-saxonne. Le collage par une couche adhésive photo-polymérisable présente l’avantage de comprendre moins d’étapes de fabrication que le collage moléculaire. En outre, le polymère, initialement liquide, va combler les défauts de planéité et compenser en partie la tombée de bord due au chanfreinage des substrats. Le collage par une couche adhésive photo-polymérisable permet donc de coller les substrats plus proches de leur périphérie que le collage moléculaire.
Alternativement, le collage de la couche piézoélectrique épaisse 8 sur le substrat de manipulation 4 est réalisé par collage moléculaire, par collage par abrasion moléculaire sous ultra vide ou par collage métal/métal par thermocompression.
Après le collage de la couche piézoélectrique épaisse 8 sur le substrat de manipulation 4, on amincit la couche piézoélectrique épaisse 8 par sa face opposée au substrat de manipulation, comme représenté sur la , de sorte que la couche piézoélectrique amincie 5 présente une épaisseur comprise entre 1 µm et 100 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 5 µm et 50 µm.
L’amincissement de la couche piézoélectrique épaisse 8 est par exemple réalisé par un meulage (« grinding » selon la terminologie anglo-saxonne) grossier, qui permet de réduire rapidement l’épaisseur du substrat donneur 11. Puis, un meulage plus fin peut être mis en œuvre pour continuer à réduire l’épaisseur du substrat donneur 11, mais en diminuant la rugosité de la surface dudit substrat donneur 11.
Enfin, un polissage mécano-chimique (CMP, acronyme du terme anglo-saxon « Chemical Mechanical Polishing ») est réalisé pour lisser la surface libre 7 de la couche piézoélectrique amincie 5 opposée au substrat de manipulation 4, de sorte à atteindre la rugosité souhaitée pour le collage du pseudo-substrat donneur 11 sur le substrat support 12 et ainsi améliorer la qualité de collage.
Préalablement au polissage mécano-chimique, le procédé peut comprendre en outre une étape de détourage de la couche piézoélectrique 8, 5. L’étape de détourage peut être mise en œuvre avant, pendant (par exemple entre deux meulages de finesses différentes) ou après l’étape d’amincissement de la couche piézoélectrique 8, 5. Le détourage comprend un retrait de matière périphérique sur au moins l’épaisseur de la couche piézoélectrique 8, 5.
La couche piézoélectrique épaisse 8 présente un chanfrein périphérique C sur chacune de ses faces principales (non représenté sur les figures). L’objectif de l’étape de détourage est de supprimer l’angle vif généré par l’amincissement du substrat donneur 11 au niveau du chanfrein lorsque l’épaisseur e de la couche piézoélectrique amincie 5 est inférieure à l’épaisseur du chanfrein C de la couche piézoélectrique amincie 5 et de générer un angle droit (ou obtus). En effet, un tel angle vif est susceptible de se briser lors de la manipulation du substrat donneur 11, de générer de l’écaillage ou « flaking » selon la terminologie anglo-saxonne et de polluer la ligne de fabrication avec les débris.
Le détourage peut être réalisé à l’aide d’une roue abrasive, par exemple une roue diamantée, entrainée en rotation autour d’un axe Y, le substrat donneur 11 étant lui-même fixé sur un support entrainé en rotation autour d’un axe X, l’axe Y pouvant être parallèle ou perpendiculaire à l’axe X.
Quelle que soit la technique utilisée, le détourage peut générer des défauts que le polissage mécano-chimique va permettre en partie de résorber.
Le polissage mécano-chimique permet d’obtenir une surface libre 7 de la couche piézoélectrique amincie 5 présentant une rugosité compatible avec un collage sur le substrat receveur 12. Toutefois, à l’issue d’une telle étape de polissage mécano-chimique, les inventeurs ont remarqué que la surface polie 7 de la couche piézoélectrique amincie 5 présente un relief périphérique. La rapporte une analyse par profilométrie de la surface 7. L’analyse profilométrique est menée à l’aide d’une pointe dont on enregistre le déplacement vertical durant le balayage de la surface 7, de sorte à obtenir le profil topographique de la surface le long du chemin suivi par la pointe. La profilométrie de la surface 7 permet donc de mettre en évidence le relief périphérique précédemment mentionné (carré noir sur la ).
Plus les profils s’écartent de la planéité, plus l’impact sur le collage est négatif. Le procédé selon l’invention comprend donc un retrait de matière dans la région périphérique de ladite surface.
L’étape de retrait de matière dans la région périphérique de la surface polie 7 de la couche piézoélectrique amincie 5 est préférentiellement réalisée de sorte à aplanir le relief périphérique formé lors de l’étape de polissage mécano-chimique. L’objectif est d’éviter que, lors du collage sur le substrat receveur 12, ledit relief ne bloque l’eau de condensation et n’empêche son élimination sous l’effet de la propagation de l’onde de collage.
Les inventeurs observent que le relief périphérique peut atteindre plusieurs micromètres d’épaisseur et plusieurs millimètres de largeur et que les dimensions dudit relief dépendent des paramètres de meulage (tels que les vitesses de rotation de la meule et du plateau de meulage, la vitesse de descente et l’inclinaison de la meule) et des paramètres de polissage mécano-chimique (tels que la répartition de la pression appliquée sur les plaques, l’hydrodynamique du mélange colloïdal utilisé, la vitesse de rotation relative de la tête de polissage et du plateau). Il s’avère très difficile de décorréler l’effet de chacun de ces paramètres sur les caractéristiques du relief périphérique qui en résulte et donc d’identifier des valeurs de paramètres n’entrainant pas la formation d’un tel relief. Le retrait de matière périphérique selon l’invention apporte une solution extérieure au procédé d’amincissement et de polissage qui permet de supprimer le relief périphérique quels que soient les paramètres de meulage et de polissage mécano-chimique utilisés.
Le retrait de matière périphérique peut être réalisé par abrasion par un faisceau d’ions focalisé sur une zone de la périphérie de la surface 7 de la couche piézoélectrique amincie et polie 5, le faisceau d’ions balayant l’ensemble de ladite périphérie. Lors de la mise en œuvre de l’abrasion par faisceau d’ions, on peut régler plusieurs paramètres, tels que la largeur du faisceau, l’angle d’incidence, le courant (correspondant au flux d’ions constituant le faisceau), la vitesse de balayage (définissant le temps pendant lequel une zone de la surface se situe sous le faisceau) et la vitesse d’abrasion (correspondant à la vitesse d’enlèvement de la matière), afin de contrôler de manière très précise ledit retrait de matière périphérique. Il est en effet possible de moduler la vitesse d’abrasion jusqu’à des valeurs très faibles (de l’ordre de 10-3m3/s). Le contrôle combiné de la vitesse d’abrasion et de la vitesse de balayage permet d’atteindre une précision du profil de surface au nanomètre près.
L’abrasion par faisceau d’ions est une technique classiquement utilisée pour ajuster l’épaisseur d’un substrat piézoélectrique afin d’en améliorer les performances. L’invention propose d’utiliser cette technique pour rectifier la topologie de la surface du substrat et en améliorer la planéité. L’abrasion par faisceau d’ions présente l’avantage de permettre de corriger le profil de la surface avec suffisamment de précision pour éviter un retrait de matière trop important et la formation d’un creux. En effet, un tel creux affecterait également la qualité de collage entre le substrat donneur et le substrat receveur en augmentant la largeur de la surface périphérique sur laquelle les substrats ne sont pas correctement collés, surface qui se forme classiquement lors du collage de deux substrats notamment à cause des chanfreins que présentent les deux substrats.
En pratique, on enregistre préalablement le profil topographique par profilométrie. Puis, l’épaisseur à supprimer est déterminée de sorte à ce que le profil modifié ne présente qu’un seul maximum, donc un point de dérivée nulle, et que ce point soit le point le plus au centre du substrat (point le plus à droite des profils de la ).
Optionnellement enfin, la formation du substrat donneur 11 représenté sur la comprend en outre une étape de formation de la couche électriquement isolante 6 sur la surface libre 7 de la couche piézoélectrique amincie 5, du côté opposé au substrat de manipulation 4. Dans le cas où on a réalisé un polissage mécano-chimique suivi d’un retrait d’une portion périphérique de ladite surface 7, la couche électriquement isolante 6 est préférentiellement formée postérieurement à ces traitements sur la couche piézoélectrique amincie 5, polie et aplanie.
La couche électriquement isolante 6 est préférentiellement formée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) ou par dépôt physique en phase vapeur (PVD).
Selon un mode de réalisation alternatif de l’invention non développé ici, le substrat donneur comprend une couche semi-conductrice, la surface du substrat donneur à traiter (par polissage mécano-chimique et par retrait périphérique de matière) et à coller étant une surface libre de la couche semi-conductrice et la portion du substrat donneur transférée étant une portion de la couche semi-conductrice. Dans ce mode de réalisation également, l’abrasion par faisceau laser assure un retrait de matière périphérique avec une très grande précision.
Selon ce mode de réalisation également, une couche d’oxyde peut être formée sur la surface libre de la couche semi-conductrice, ladite couche pouvant avoir été préalablement traitée par polissage mécano-chimique et retrait de matière périphérique.
Selon ce mode de réalisation, le procédé permet d’obtenir une structure multicouche de type semi-conducteur sur isolant par transfert de la couche semi-conductrice sur un substrat receveur tel que le substrat 12
Fourniture d’un substrat receveur et éventuels traitements de la surface libre du substrat receveur.
Selon le mode de réalisation détaillé ici, le substrat receveur 12 représenté sur la comprend, de sa face arrière vers sa face avant :
- un substrat support qui forme le substrat support 1 dans la structure de type piézoélectrique sur isolant 10 finale,
- une couche électriquement isolante qui forme la couche électriquement isolante 2 dans la structure de type piézoélectrique sur isolant 10 finale.
- un substrat support qui forme le substrat support 1 dans la structure de type piézoélectrique sur isolant 10 finale,
- une couche électriquement isolante qui forme la couche électriquement isolante 2 dans la structure de type piézoélectrique sur isolant 10 finale.
Le substrat support 1 est donc fabriqué en un matériau tel que le silicium (Si), le saphir, l’alumine (Al2O3), le nitrure d’aluminium (AlN), le verre, le quartz, la mullite, le molybdène (Mo), le tungstène (W), le phosphure d’indium (InP), l’arséniure de galium (GaAs) et/ou le carbure de silicium (SiC). Le substrat support 1 présente une épaisseur comprise entre 10 µm et 2 mm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 200 µm et 1 mm.
La couche électriquement isolante 2 comprend par exemple un oxyde, un nitrure et/ou un carbure de silicium (SiOx, SiOxNy, SiNx, SiCx, SiOxCy), x et y étant des nombres réels compris entre 0 et 2, et/ou un polymère. La couche électriquement isolante 2 du substrat receveur présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 30 nm et 5 µm.
La fourniture du substrat receveur 12 comprend la formation de la couche électriquement isolante 2 sur une surface libre du substrat support 1, de sorte à obtenir le substrat receveur 12. La couche électriquement isolante 2 est préférentiellement formée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). Une représentation d’un tel dépôt est donnée sur la . Le procédé PECVD engendre une non-uniformité et une rugosité importantes non compatibles avec un collage de bonne qualité. Par ailleurs, même si d’autres procédés de dépôt peuvent procurer de meilleurs résultats en termes d’uniformité et de rugosité, une rugosité excessive de la couche électriquement isolante peut également provenir de la surface libre du substrat support, par exemple lorsque le substrat support comprend à sa surface une couche de silicium polycristallin qui n’a pas été planarisée.
On réalise donc un polissage mécano-chimique de la surface libre 9 de la couche électriquement isolante 2 opposée au substrat support 1.
Dans ce cas également, les inventeurs observent la formation d’un relief périphérique sur la surface libre 9 de la couche électriquement isolante 2 à l’issue du polissage, ledit relief pouvant atteindre plusieurs centaines de nanomètres d’épaisseur et plusieurs millimètres de largeur. Les inventeurs remarquent en outre que ces dimensions varient en fonction des paramètres utilisés pour la mise en œuvre du polissage mécano-chimique, tels que l’hydrodynamique du mélange colloïdal utilisé, la répartition de la pression appliquée sur les plaques et la vitesse de rotation relative de la tête et du plateau de polissage mécano-chimique. Le procédé selon l’invention comprend donc, outre le polissage mécano-chimique, un retrait de matière dans la région périphérique.
Le retrait de matière dans la région périphérique de ladite surface est préférentiellement effectué pour aplanir ledit relief, quels que soient les paramètres utilisés pour la mise en œuvre du polissage mécano-chimique.
Tout comme précédemment décrit, le retrait de matière périphérique est préférentiellement réalisé par abrasion par un faisceau d’ions focalisé sur une zone de la périphérie de la surface polie 9 de la couche électriquement isolante 2, le faisceau d’ions balayant l’ensemble de ladite périphérie. En pratique, de la même façon que pour la réalisation de l’aplanissement de la surface 7 de la couche piézoélectrique amincie et polie 5, on enregistre préalablement un profil topographique de la surface polie 9 de la couche électriquement isolante 2 par profilométrie. Puis, l’épaisseur à supprimer est déterminée de sorte à ce que le profil modifié ne présente qu’un seul maximum, donc un point de dérivée nulle, et que ce point soit le point le plus au centre du substrat.
Optionnellement, l’étape de retrait est réalisée sur l’ensemble de la surface polie 9 du substrat receveur 12, de sorte à améliorer l’uniformité de la couche électriquement isolante 2. Dans ce cas, la quantité de matière à retirer localement à la surface 9 de la couche électriquement isolante 2 lors de l’étape de retrait de matière sur ladite surface 9 peut être déterminée à partir de mesures de l’épaisseur locale de ladite couche électriquement isolante 2 par ellipsométrie et/ou réflectométrie.
Transfert d’une portion du substrat donneur sur le substrat receveur
Dans la suite, on transfère une portion 3 de la couche piézoélectrique amincie 5 du substrat donneur 11 sur le substrat receveur 12.
A titre d’exemple, le transfert peut comprendre la formation d’une zone de fragilisation dans la couche piézoélectrique amincie 5, de sorte à délimiter la couche piézoélectrique à transférer 3, le collage du substrat donneur 11 sur le substrat receveur 12, la couche piézoélectrique à transférer 3 étant à l’interface de collage, et le détachement du substrat donneur 11 le long de la zone de fragilisation.
Selon un mode de réalisation préféré représenté sur la , la zone de fragilisation est formée par implantation d’espèces atomiques dans la couche piézoélectrique amincie 5, l’implantation (flèches de la ) étant réalisée à travers la surface libre 7 de ladite couche 5. Les espèces atomiques sont implantées à une profondeur déterminée, cette profondeur fixant l’épaisseur de la couche piézoélectrique à transférer 3. Les espèces atomiques implantées sont de préférence de l’hydrogène et/ou de l’hélium.
Par la suite, le collage du substrat donneur 11 sur le substrat receveur 12 tel qu’illustré sur la , est réalisé entre la surface libre 7 de la couche piézo-électrique amincie 5 ayant été exposée à l’implantation et la surface libre 9 de la couche électriquement isolante 2 du substrat receveur 12, au moins une des deux surfaces de collage 7,9 ayant préalablement subi le traitement de surface préalablement décrit, ledit traitement comprenant un polissage mécano-chimique suivi d’un retrait périphérique de matière.
Le collage du substrat donneur 11 sur le substrat receveur 12 est préférentiellement réalisé par adhésion moléculaire, car il permet d’obtenir un collage résistant et stable mécaniquement à une température supérieure à 400 °C. De telles propriétés du collage sont particulièrement utiles lorsque le transfert de la portion 3 de la couche piézoélectrique amincie 5 du substrat donneur 11 sur le substrat receveur 12 est réalisé selon le procédé Smart CutTM(qui comprend la formation d’une zone de fragilisation par implantation d’espèces atomiques). En effet, le procédé Smart CutTMgénère dans le substrat des défauts qu’un recuit thermique à haute température permet de guérir. De telles propriétés de collage ne sont pas atteignables par collage avec un polymère ou par collage métal/métal. Les polymères sont pour l’immense majorité complètement dégradés au-delà de 300°C. Le collage métal/métal quant à lui évolue en température (augmentation de la taille des grains) et conduit la plupart du temps à la déformation du substrat, sans compter la diffusion des atomes de métal dans les couches ce qui perturbe les propriétés électriques de l’empilement de départ.
Le collage moléculaire nécessite une surface extrêmement plane car tout défaut de planéité empêche la mise en contact intime des deux substrats et donc la formation d’un défaut de collage qui, par la suite, provoquera un manque dans la surface transférée. L’invention trouve donc un avantage particulier dans ce mode de réalisation et dans tout mode de réalisation où le collage entre substrat donneur et substrat receveur est préférentiellement mis en œuvre par adhésion moléculaire.
Dans ce mode de réalisation, au moment du collage, les inventeurs n’observent pas la formation de microgouttes d’eau à la fin de l’onde de collage, en périphérie des substrats.
Après collage, on détache le substrat donneur 11 le long de la zone de fragilisation. Le détachement le long de la zone de fragilisation peut être déclenché par une action mécanique et/ou un apport d’énergie thermique.
On obtient alors la structure de type piézo-électrique sur isolant finale 10 représentée sur la comprenant, de la face arrière vers la face avant, le substrat support 1, la couche électriquement isolante 2 et la couche piézoélectrique transférée 3.
Dans le cas où une couche d’oxyde 6 a été formée à la surface du substrat donneur 10, l’implantation des espèces atomiques représentée sur la est réalisée à travers la couche d’oxyde 6 et le collage représenté sur la est réalisé entre la surface libre 13 de ladite couche d’oxyde 6 et la surface libre 9 de la couche électriquement isolante 2 du substrat receveur 12, de sorte que la couche d’oxyde 6 est transférée en même temps que la couche piézoélectrique à transférer 3. Dans ce mode de réalisation, la couche électriquement isolante de la structure finale comprend la couche d’oxyde 6 formée sur le substrat donneur 11 préalablement au collage.
La formation d’une couche électriquement isolante 6 à la surface du substrat donneur 11 permet donc de réaliser avantageusement un collage oxyde-oxyde. Dans le cas où un collage par adhésion moléculaire est mis en œuvre, le collage entre deux couches d’oxyde peut facilement être renforcé, simplement en portant ledit collage à une température supérieure à 200 °C. En outre, dans une atmosphère ayant une hygrométrie non nulle, les couches d’oxyde permettent d’absorber l’eau naturellement présente à leur surface et ainsi d’éviter que cette eau ne forme des bulles de gaz à l’interface de collage quand ledit collage est recuit au-delà de 200 °C pour son renforcement.
De manière alternative au procédé Smart Cut™ décrit ci-dessus, le transfert de couche peut être réalisé en amincissant le substrat donneur par sa face opposée à la face collée sur le substrat support, jusqu’à l’obtention de l’épaisseur souhaitée pour la première couche semi-conductrice. Toutefois, le procédé Smart CutTMest préféré pour le transfert de couches d’épaisseur inférieure au micromètre.
Une analyse de détection des défauts par balayage laser révèle que la structure finale de type piézoélectrique sur isolant 10 ne comprend pratiquement pas de trous entre la couche piézoélectrique 2 et la couche électriquement isolante 3 en périphérie de ladite structure. Lors de la mise en œuvre d’un collage moléculaire notamment, toute particule à l’interface de collage génère un trou. La périphérie étant plus sensible à la présence de particules, les quelques trous encore détectés en périphérie suite à la mise en œuvre du procédé selon l’invention sont attribués, non pas à des microgouttes d’eau à la fin de l’onde de collage au moment du collage des deux couches (elles ne sont d’ailleurs pas observées), mais à la présence de particules à l’interface de collage.
Les inventeurs estiment que c’est le retrait de matière périphérique sur les surfaces de collage ayant subi un polissage qui permet d’éliminer le relief généré en bordure lors dudit polissage préalablement au collage desdites surfaces, et qu’en conséquence, l’eau de condensation n’est pas retenue en périphérie des substrats lors de la propagation de l’onde de collage, ce qui évite la formation des microgouttes. La qualité du collage s’en trouve améliorée puisque le nombre de trous est beaucoup plus faible dans la structure finale.
Le procédé selon l’invention permet donc d’améliorer la qualité de collage entre deux substrats dans un procédé où l’application d’un polissage mécano-chimique d’au moins une des deux surfaces de collage était nécessaire préalablement audit collage.
Claims (19)
- Procédé de fabrication d’une structure semiconductrice ou piézoélectrique (10), comprenant les étapes successives suivantes :
(a) fourniture d’un substrat donneur (11) comprenant une couche semiconductrice ou piézoélectrique (5),
(b) fourniture d’un substrat receveur (12),
(c) traitement d’une surface libre (7) du substrat donneur (11) et/ou d’une surface libre (9) du substrat receveur (12),
(d) collage du substrat donneur (11) sur le substrat receveur (12), ladite au moins une surface traitée (7, 9) étant à l’interface entre le substrat donneur (11) et le substrat receveur (12), et
(e) transfert d’une portion (3) de la couche semiconductrice ou piézoélectrique (5) du substrat donneur (11) sur le substrat receveur (12),
le traitement de la surface libre (7) du substrat donneur (11) et/ou de la surface libre (9) du substrat receveur (12) comprenant les étapes successives suivantes :
(c1) un polissage mécano-chimique,
(c2) un retrait de matière dans une région périphérique de la surface polie (7,9). - Procédé selon la revendication 1, dans lequel, à l’issue de l’étape de polissage mécano-chimique du substrat donneur (11) et/ou du substrat receveur (12) (c1), la surface polie (7,9) présente un relief à la périphérie dudit substrat (11,12), de sorte que l’étape de retrait de matière (c2) dans la région périphérique de ladite surface (7,9) est effectuée pour aplanir ledit relief.
- Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel le retrait de matière périphérique est réalisé par abrasion par un faisceau d’ions focalisé sur une zone de la périphérie de la couche semiconductrice ou piézoélectrique (5) polie, le faisceau d’ions balayant l’ensemble de ladite périphérie.
- Procédé selon la revendication 1 à 3, dans lequel le retrait de matière périphérique est réalisé après enregistrement du profil topographique de la surface polie (7,9) par profilométrie et mis en œuvre de sorte que le profil modifié après retrait de matière ne présente qu’un seul maximum et que ledit maximum est le point le plus au centre de la surface polie (7,9) du profil modifié.
- Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la portion (3) de la couche semiconductrice ou piézoélectrique (5) du substrat donneur (11) à transférer sur le substrat receveur (12) est délimitée par formation d’une zone de fragilisation préalablement au collage (d) du substrat donneur (11) sur le substrat receveur (12), de sorte que le transfert de ladite portion (3) sur le substrat receveur (12) comprend le détachement du substrat donneur (11) le long de la zone de fragilisation.
- Procédé selon la revendication 5, dans lequel la zone de fragilisation dans le substrat donneur (11) est formée par implantation d’hydrogène et/ou d’hélium.
- Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat donneur (11) comprend une couche piézoélectrique (5), la surface du substrat donneur à traiter et à coller étant une surface libre (7) de la couche piézoélectrique (5) et la portion du substrat donneur transférée étant une portion (3) de la couche piézoélectrique (5).
- Procédé selon la revendication 7, dans lequel la fourniture du substrat donneur (11) comprend les étapes successives suivantes :
(a1) collage d’une couche piézoélectrique épaisse (8) sur un substrat de manipulation (4),
(a2) amincissement de la couche piézoélectrique épaisse (8) par sa face opposée au substrat de manipulation (4),
de sorte que le polissage mécano-chimique (c1) est réalisé sur la surface libre (7) de la couche piézoélectrique amincie (5), opposée au substrat de manipulation (4). - Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche piézoélectrique épaisse (8) présente une épaisseur comprise entre 100 µm et 2 mm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 200 µm et 1mm et en ce que la couche piézoélectrique amincie et polie (5) présente une épaisseur comprise entre 1 µm et 100 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 5 µm et 50 µm.
- Procédé selon l’une des revendications 8 ou 9, dans lequel la fourniture du substrat donneur (11) comprend en outre une étape (a3) de retrait d’une portion périphérique du substrat donneur (11) préalablement au polissage mécano-chimique (c1) de la surface libre (7) de la couche piézoélectrique amincie (5).
- Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat donneur (11) comprend une couche semi-conductrice, la surface du substrat donneur à traiter et à coller étant une surface libre de la couche semi-conductrice et la portion du substrat donneur transférée étant une portion de la couche semi-conductrice.
- Procédé selon l’une des revendications 7 à 11, caractérisé en ce qu’il comprend en outre une étape de formation d’une couche électriquement isolante (6) sur la surface libre de la couche piézoélectrique (5) ou semi-conductrice, de sorte que le collage (d) du substrat donneur (11) sur le substrat receveur (12) est réalisé par l’intermédiaire de ladite couche électriquement isolante (6).
- Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche électriquement isolante (6) formée à la surface de la couche piézoélectrique (5) ou semiconductrice polie présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 30 nm et 5 µm.
- Procédé selon l’une des revendications 12 ou 13, dans lequel l’étape (c) comprend un traitement de la surface libre (7) de la couche piézoélectrique (5) ou semi-conductrice du substrat donneur (11) et dans lequel la formation de la couche électriquement isolante (6) sur ladite surface libre (7) est réalisé après ladite étape de traitement (c) et préalablement au collage (d).
- Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, dans lequel la fourniture du substrat receveur (12) (b) comprend la formation d’une couche électriquement isolante (2), préférentiellement une couche d’oxyde, la surface du substrat receveur (12) à traiter et à coller étant une surface libre (9) de la couche électriquement isolante (2).
- Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que la couche électriquement isolante (2) formée à la surface du substrat receveur (12) présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm, préférentiellement une épaisseur comprise entre 30 nm et 5 µm.
- Procédé selon l’une des revendications 15 ou 16, dans lequel la couche électriquement isolante (2) est formée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD).
- Procédé selon l’une des revendications 15 à 17, dans lequel l’étape de retrait de matière (c2) est réalisée sur l’ensemble de la surface polie (9) du substrat receveur (12).
- Procédé selon la revendication 18, dans lequel la quantité de matière à retirer localement à la surface de la couche électriquement isolante (2) lors de l’étape de retrait de matière à la surface (9) de ladite couche électriquement isolante (2) est déterminée à partir de mesures d’épaisseur de ladite couche électriquement isolante (9) par ellipsométrie et/ou réflectométrie.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR2206980A FR3137792A1 (fr) | 2022-07-07 | 2022-07-07 | Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice ou piézoélectrique |
PCT/FR2023/051048 WO2024009046A1 (fr) | 2022-07-07 | 2023-07-07 | Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice ou piézoélectrique |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR2206980 | 2022-07-07 | ||
FR2206980A FR3137792A1 (fr) | 2022-07-07 | 2022-07-07 | Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice ou piézoélectrique |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR3137792A1 true FR3137792A1 (fr) | 2024-01-12 |
Family
ID=83899501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR2206980A Pending FR3137792A1 (fr) | 2022-07-07 | 2022-07-07 | Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice ou piézoélectrique |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR3137792A1 (fr) |
WO (1) | WO2024009046A1 (fr) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120785A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Canon Inc | 半導体層の製造方法及び基板の製造方法 |
US20070259468A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-08 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Processing Piezoelectric Material |
FR3045678A1 (fr) * | 2015-12-22 | 2017-06-23 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une couche piezoelectrique monocristalline et dispositif microelectronique, photonique ou optique comprenant une telle couche |
FR3117668A1 (fr) * | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Structure amelioree de substrat rf et procede de realisation |
-
2022
- 2022-07-07 FR FR2206980A patent/FR3137792A1/fr active Pending
-
2023
- 2023-07-07 WO PCT/FR2023/051048 patent/WO2024009046A1/fr unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120785A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Canon Inc | 半導体層の製造方法及び基板の製造方法 |
US20070259468A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-08 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Processing Piezoelectric Material |
FR3045678A1 (fr) * | 2015-12-22 | 2017-06-23 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une couche piezoelectrique monocristalline et dispositif microelectronique, photonique ou optique comprenant une telle couche |
FR3117668A1 (fr) * | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Structure amelioree de substrat rf et procede de realisation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2024009046A1 (fr) | 2024-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3859800B1 (fr) | Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface | |
EP3776641B1 (fr) | Procede de transfert d'une couche piezoelectrique sur un substrat support | |
EP3465784B1 (fr) | Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface | |
EP4128329B1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince en sic monocristallin sur un substrat support en sic | |
EP4012790B1 (fr) | Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface et procede de fabrication associe | |
EP4066274A1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince en sic monocristallin sur un substrat support en sic cristallin | |
EP4128328A1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince en sic monocristallin sur un substrat support en sic | |
WO2024009046A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice ou piézoélectrique | |
WO2023084164A1 (fr) | Procede de preparation d'une couche mince en materiau ferroelectrique | |
WO2022195225A1 (fr) | Procédé de transfert d'une couche d'une hétérostructure | |
WO2021191303A1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure piezoelectrique pour dispositif radiofrequence et servant pour le transfert d'une couche piezoelectrique, et procede de transfert d'une telle couche piezoelectrique | |
EP4066275A1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince en sic monocristallin sur un substrat support en sic | |
FR2842646A1 (fr) | Procede d'augmentation de l'aire d'une couche utile de materiau reportee sur un support | |
WO2019186265A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un substrat pour filtre radiofréquence | |
TW202420401A (zh) | 用於製作半導體或壓電結構之方法 | |
WO2024052615A1 (fr) | Procede de traitement d'une plaquette de carbure de silicium polycristallin | |
EP3252805B1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif de manipulation et procede de collage reversible utilisant un tel dispositif | |
FR2842649A1 (fr) | Procede d'augmentation de l'aire d'une couche utile de materiau reportee sur un support | |
WO2024068840A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un substrat donneur pour être utilisé dans un procédé de transfert de couche mince piézoélectrique | |
EP4128381A1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure piezoelectrique pour dispositif radiofrequence et pouvant servir pour le transfert d'une couche piezoelectrique, et procede de transfert d'une telle couche piezoelectrique | |
WO2024134078A1 (fr) | Procédé de fabrication de deux substrats dits pseudo-substrats donneurs comprenant chacun au moins deux pavés sur un substrat support | |
FR3079662A1 (fr) | Substrat pour applications radiofrequences et procede de fabrication associe | |
FR3111232A1 (fr) | Substrat temporaire demontable compatible avec de tres hautes temperatures et procede de transfert d’une couche utile a partir dudit substrat | |
FR2938373A1 (fr) | Integration d'une couche de diamant polycristallin, notamment dans une structure sod |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20240112 |