JP5459570B2 - 半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子機器の製造方法 - Google Patents
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以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の機能を有するものには同一もしくは関連の符号を付し、その繰り返しの説明を省略する。
図2(C)の最終工程図に示すように、本実施の形態の有機薄膜トランジスタは、第1基材(基板、TFT基板、デバイス基板)S1と、この第1基材S1上に一定の距離離間して配置されたソース電極13s、ドレイン電極13dと、ソース電極13sおよびドレイン電極13d間に露出する第1基材S1上に配置された有機半導体膜15と、この有機半導体膜15上にゲート絶縁膜17を介して配置されたゲート電極19とを有する。ソース電極13sおよびドレイン電極13dと、有機半導体膜15とは接しており、ソース電極13sおよびドレイン電極13d間の有機半導体膜(正確には、有機半導体膜15と第1基材S1との界面)15がチャネルとなる。
次いで、図1および図2を参照しながら、本実施の形態の有機薄膜トランジスタの製造方法について説明するとともにその構成をより明確にする。
図1(A)に示すように、第2基材(剥離基板)S2上に、導電性膜を形成し、一定の距離離間した形状にパターニングすることによりソース、ドレイン電極13(13s、13d)を形成する。図1(A)においては、便宜上、図中左側の電極をソース電極13sと、図中右側の電極をドレイン電極13dとしているが、逆でもよい。また、トランジスタの駆動状態に応じてソース電極とドレイン電極が変わってもよい。
次いで、図2(A)に示す、ソース電極13sおよびドレイン電極13d間に露出した第1基材S1上に、有機半導体膜15を形成する(図2(B))。有機半導体膜15として例えばオリゴチオフェン化合物を用い、当該化合物溶液を第1基板S1上にスピンコート法を用いて塗布し、乾燥、焼成(結晶化)することにより膜を形成した後、所望の形状にパターニングする。この際、有機半導体膜15は、ソース電極13sおよびドレイン電極13dと接するよう形成される。ここで、ソース電極13sおよびドレイン電極13dは、少なくともその一部が第1基材S1中に埋め込まれているため、突出部が少なく、有機半導体膜15の平坦性も向上している。
次いで、図2(C)に示すように、有機半導体膜15上にゲート絶縁膜17を形成する。例えば、ゲート絶縁膜の材料液(機能性材料、前駆体、液体材料)を有機半導体膜15上にスピンコート法を用いて塗布する。次いで、例えば、エネルギー線を照射し、材料液を硬化させる。ゲート絶縁膜の材料液としては、例えば、紫外線硬化樹脂液を用いることができる。この場合、エネルギー線として、紫外線(UV)を用いて硬化させる。また、熱硬化樹脂液を用いてもよい。この場合、ヒータや炉などを用いて熱処理を施し硬化させる。また、ランプやレーザを用いてもよい。なお、ゲート絶縁膜の材料液としては、上記樹脂に限られず、絶縁性の材料を適宜用いることができる。また、スパッタリング法やCVD法を用いてゲート絶縁膜を形成してもよい。ここでも、ソース電極13sおよびドレイン電極13dは、少なくともその一部が第1基材S1中に埋め込まれているため、ゲート絶縁膜17の平坦性が向上する。
実施の形態1においては、ソース電極13sおよびドレイン電極13dを、その一部が第1基材S1から突出した状態で用いたが、これらの突出部を除去し、さらに平坦性を向上させてもよい。
図4(C)の最終工程図に示すように、本実施の形態においては、第1基材S1中にソース電極13sおよびドレイン電極13dが埋め込まれ、第1基材S1、ソース電極13sおよびドレイン電極13dの表面がほぼ同一面となっている以外は、実施の形態1と同様の構成である。この場合も、ソース電極13sおよびドレイン電極13dの上部に形成される有機半導体膜15、ゲート絶縁膜17およびゲート電極19の表面の平坦性が向上し、トランジスタ特性が向上する。
次いで、図4を参照しながら、本実施の形態の有機薄膜トランジスタの製造方法について説明するとともにその構成をより明確にする。
実施の形態1および2においては、「ソース電極、ドレイン電極の埋め込み工程」において、埋め込みながら転写する方法を用いたが、溶液プロセスを用いてソース電極13sおよびドレイン電極13dを第1基材S1中に埋め込んでもよい。
本実施の形態の有機薄膜トランジスタの構造は、実施の形態2の場合と同様である(図4(C)参照)。よって、第1基材S1中にソース電極13sおよびドレイン電極13dが埋め込まれ、第1基材S1、ソース電極13sおよびドレイン電極13dの表面がほぼ同一面となっている以外は、実施の形態1と同様の構成である。
(有機薄膜トランジスタの製造方法)
次いで、図5を参照しながら、本実施の形態の有機薄膜トランジスタの製造方法について説明するとともにその構成をより明確にする。
また、研磨法を用いてソース電極13sおよびドレイン電極13dを第1基材S1中に埋め込んでもよい。
本実施の形態の有機薄膜トランジスタの構造は、実施の形態2の場合と略同様である(図4(C)参照)。
次いで、図6を参照しながら、本実施の形態の有機薄膜トランジスタの製造方法について説明するとともにその構成をより明確にする。
本実施の形態においては、上記有機薄膜トランジスタを適用可能な電気泳動装置について説明する。
図7〜図9は、本実施の形態の電気泳動装置(電気光学装置、表示装置、電子機器)の構成例を示す回路図、平面図および断面図である。なお、図10は、本実施の形態の効果を説明するための比較例を示す断面図である。
第2画素電極PE2とドレイン電極(第1画素電極PE1)13dとは、接続部(コンタクト、ビア)P1を介して接続されている。コンタクトホール(孔、開口、ビアホール)C1は、ドレイン電極(第1画素電極PE1)13dを貫通し第1基材S1まで達している。よって、ドレイン電極(第1画素電極PE1)13dと接続部P1とは、その側壁を介して電気的に接続される。
上記電気泳動カプセル30aは、電気泳動粒子を含有する分散液をカプセル本体(殻体)内に封入して構成されている。電気泳動粒子は、例えば、黒色又は白色の粒子であり、荷電を有し、電界が作用することにより、液相分散媒中を電気泳動する。
実施の形態5においては、第2画素電極PE2を有機薄膜トランジスタTの上部に配置したが、第2画素電極PE2を第1基材S1の裏面(第2面、トランジスタ形成面と逆側の面)に設けてもよい。図11は、本実施の形態の電気泳動装置の製造方法を示す工程断面図である。
上記電気泳動装置は、各種電子機器に組み込むことができる。
例えば、上記電気泳動装置を電子ペーパーに適用することができる。図12は、電子機器の一例である電子ペーパーを示す斜視図である。
Claims (9)
- 少なくともその一部が第1基材中に埋め込まれ、一定の距離離間して配置された第1および第2電極を形成する第1工程と、
前記第1基材上の前記第1および第2電極の間に有機半導体膜を形成する第2工程と、
前記有機半導体膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する第3工程と、
を有し、
前記第1工程は、
第2基材上に第1および第2電極を形成する工程と、
前記第1基材と前記第2基材の前記第1および第2電極の形成面とを対向させ、前記第1基材と前記第2基板とを押圧する工程と、
前記第2基材を剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1基材は、液晶ポリマーを有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記押圧は、加熱状態で行われることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 少なくともその一部が第1基材中に埋め込まれ、一定の距離離間して配置された第1および第2電極を形成する第1工程と、
前記第1基材上の前記第1および第2電極の間に有機半導体膜を形成する第2工程と、
前記有機半導体膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する第3工程と、
を有し、
前記第1工程は、
第2基材上に第1および第2電極を形成する工程と、
前記第1および第2電極上を含む前記第2基材上に前記第1基材を構成する膜を形成する工程と、
前記膜を第1および第2電極が露出するまで研磨する工程と、
を有し、
前記研磨する工程は、前記第1電極から前記第2電極への方向に対し、一定方向の研磨であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記膜は、パラキシリレンを有することを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1工程において、前記第1および第2電極の膜厚の1/2以上が前記基材中に埋め込まれていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1工程において、前記第1および第2電極の膜厚は、1μm以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 有機薄膜トランジスタと、前記有機薄膜トランジスタとビアホールを介して接続された画素電極とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記有機トランジスタを形成する工程と、
前記ビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に導電性膜を形成し、さらに、前記画素電極を形成する工程と、を有し、
前記有機トランジスタの形成工程として、請求項1乃至7のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1乃至7のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法又は請求項8記載の電気光学装置の製造方法を有することを特徴とする電子機器の製造方法。
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