JP5459412B2 - 半導体基板中の抵抗を利用するレベルシフト回路 - Google Patents
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Description
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- 半導体基板中の第1の抵抗と、第1のレベルシフト入力信号を入力する入力端子に接続された第1のスイッチング素子と、第1のレベルシフト出力信号を出力するための第1のレベルシフト出力端子とが直列に接続された第1の直列回路と、
半導体基板中の第2の抵抗と、第2のレベルシフト入力信号を入力する入力端子に接続された第2のスイッチング素子と、第2のレベルシフト出力信号を出力するための第2のレベルシフト出力端子とが直列に接続された第2の直列回路とを備えたレベルシフト回路であって、
前記第1の直列回路及び前記第2の直列回路に接続され、前記第1の直列回路及び前記第2の直列回路からそれぞれ出力される前記第1のレベルシフト出力信号及び前記第2のレベルシフト信号を入力して、前記第1のレベルシフト出力信号及び前記第2のレベルシフト信号の立ち上がり電位を所定の閾値と比較し、閾値を超えた場合に一定期間のパルス出力である第1の出力信号及び第2の出力信号を出力する立ち上がり検出回路と、
前記第1の抵抗と並列に接続された第3のスイッチング素子であって、前記第3のスイッチング素子のソース端子は、電源電位に接続され、前記第3のスイッチング素子のドレイン端子は、前記第1のレベルシフト出力端子に接続され、前記第3のスイッチング素子のゲート端子は、前記立ち上がり検出回路に接続されている、第3のスイッチング素子と、
前記第2の抵抗と並列に接続された第4のスイッチング素子であって、前記第4のスイッチング素子のソース端子は、電源電位に接続され、前記第4のスイッチング素子のドレイン端子は、前記第2のレベルシフト出力端子に接続され、前記第4のスイッチング素子のゲート端子は、前記立ち上がり検出回路に接続されている、第4のスイッチング素子とを備え、
前記立ち上がり検出回路からの前記第1の出力信号により、前記第3のスイッチング素子がオン状態となり、前記立ち上がり検出回路からの前記第2の出力信号により、前記第4のスイッチング素子がオン状態となることを特徴とするレベルシフト回路。 - 前記第1の抵抗及び前記第2の抵抗は、前記半導体基板中の寄生抵抗であることを特徴とする請求項1に記載のレベルシフト回路。
- 前記立ち上がり検出回路は、前記第1の出力信号及び前記第2の出力信号のいずれかが出力されると第3の出力信号を出力する論理回路を有し、
前記第1のレベルシフト入力信号と前記第2のレベルシフト入力信号の入力タイミングにデッドタイムを設け、前記立ち上がり検出回路の出力パルス幅を前記デッドタイム以下とし、前記第3の出力信号が出力されると前記第3のスイッチング素子及び前記第4のスイッチング素子をオン状態にすることを特徴とする請求項1又は2に記載のレベルシフト回路。 - 前記第1のレベルシフト出力信号及び前記第2のレベルシフト出力信号を入力し、前記第1のレベルシフト出力信号及び前記第2のレベルシフト出力信号が共にLレベルになる場合に、高インピーダンスの信号を出力するラッチ誤動作保護回路と、
前記ラッチ誤動作保護回路からの出力を入力し、前記ラッチ誤動作保護回路からの出力がLまたはHであればその値を記憶して出力し、前記ラッチ誤動作保護回路からの出力が高インピーダンスであると、入力が高インピーダンスになる直前に記憶した値を保持して前記記憶した値を前記記憶した値の反転信号とともに出力するラッチ回路とをさらに備え、
前記ラッチ回路の一方の出力端子が第1のフィードバック抵抗を介して前記第1のレベルシフト出力端子に接続され、且つ他方の出力端子が第2のフィードバック抵抗を介して前記第2のレベルシフト出力端子に接続されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のレベルシフト回路。 - 前記第1の抵抗と並列に接続された第1のフィードバック用トランジスタと前記第2の抵抗と並列に接続された第2のフィードバック用トランジスタとをさらに有し、前記第1のフィードバック用トランジスタのゲートが前記第2のレベルシフト出力端子に接続され、前記第2のフィードバック用トランジスタのゲートが前記第1のレベルシフト出力端子に接続されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のレベルシフト回路。
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