JP5457785B2 - Euv光露光用フラーレン誘導体含有レジスト組成物並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 - Google Patents
Euv光露光用フラーレン誘導体含有レジスト組成物並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5457785B2 JP5457785B2 JP2009238842A JP2009238842A JP5457785B2 JP 5457785 B2 JP5457785 B2 JP 5457785B2 JP 2009238842 A JP2009238842 A JP 2009238842A JP 2009238842 A JP2009238842 A JP 2009238842A JP 5457785 B2 JP5457785 B2 JP 5457785B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resist composition
- resist
- general formula
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 167
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 123
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 111
- -1 nitrogen-containing organic compound Chemical class 0.000 claims description 110
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 31
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 30
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 30
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 24
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 11
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 9
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000003510 tertiary aliphatic amines Chemical class 0.000 claims description 6
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium group Chemical group [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 73
- 239000010408 film Substances 0.000 description 68
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 38
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 34
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 33
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 22
- 238000011161 development Methods 0.000 description 21
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 21
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 20
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 18
- 102100033806 Alpha-protein kinase 3 Human genes 0.000 description 17
- 101710082399 Alpha-protein kinase 3 Proteins 0.000 description 17
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 16
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 15
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 14
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 12
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 description 11
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N Melanin Chemical compound O=C1C(=O)C(C2=CNC3=C(C(C(=O)C4=C32)=O)C)=C2C4=CNC2=C1C XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 10
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 10
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 9
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 8
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 125000005931 tert-butyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(OC(*)=O)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 6
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 6
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 5
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 4
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N tert-butoxycarbonyl anhydride Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC(=O)OC(C)(C)C DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005526 G1 to G0 transition Effects 0.000 description 3
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 125000005078 alkoxycarbonylalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 3
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 3
- 150000004292 cyclic ethers Chemical group 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 3
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N glycoluril Chemical compound N1C(=O)NC2NC(=O)NC21 VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 3
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPJDJVGBDHCAD-UHFFFAOYSA-N 1,3-diazinan-2-one Chemical compound OC1=NCCCN1 NQPJDJVGBDHCAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYFJBMBVXWNYLT-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-6-methoxynaphthalene Chemical compound C1=C(Br)C=CC2=CC(OC)=CC=C21 AYFJBMBVXWNYLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,4-n,4-n,6-n,6-n-hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound COCN(COC)C1=NC(N(COC)COC)=NC(N(COC)COC)=N1 BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-WFGJKAKNSA-N Dimethyl sulfoxide Chemical compound [2H]C([2H])([2H])S(=O)C([2H])([2H])[2H] IAZDPXIOMUYVGZ-WFGJKAKNSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100017029 Hordeum vulgare HINA gene Proteins 0.000 description 2
- PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N Pentylbenzene Chemical compound CCCCCC1=CC=CC=C1 PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 2
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N caprylic alcohol Natural products CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 125000000490 cinnamyl group Chemical group C(C=CC1=CC=CC=C1)* 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USLKCMBGQFYUFI-UHFFFAOYSA-N dichloromethane;tribromoborane Chemical compound ClCCl.BrB(Br)Br USLKCMBGQFYUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 2
- YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N imidazolidin-2-one Chemical compound O=C1NCCN1 YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004895 liquid chromatography mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005188 oxoalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001828 phenalenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 2
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- 125000001412 tetrahydropyranyl group Chemical group 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- LJHFIVQEAFAURQ-ZPUQHVIOSA-N (NE)-N-[(2E)-2-hydroxyiminoethylidene]hydroxylamine Chemical compound O\N=C\C=N\O LJHFIVQEAFAURQ-ZPUQHVIOSA-N 0.000 description 1
- VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000005206 1,2-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLVACWCCJCZITJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxane-2,3-diol Chemical compound OC1OCCOC1O YLVACWCCJCZITJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-non-5-ene Chemical compound C1CCN=C2CCCN21 SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical group C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CINLQQQCBJCXQQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(hydroxymethyl)bicyclo[2.2.1]heptan-5-ol Chemical compound C1C(O)C2C(CO)C(CO)C1C2 CINLQQQCBJCXQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOCCO XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl acetate Chemical compound CC(O)COC(C)=O PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKOZWMQUOWYZAB-UHFFFAOYSA-N 2-methyladamantan-2-ol Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(C)(O)C2C3 JKOZWMQUOWYZAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GZFGOTFRPZRKDS-UHFFFAOYSA-N 4-bromophenol Chemical compound OC1=CC=C(Br)C=C1 GZFGOTFRPZRKDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002373 5 membered heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- NOJYODYRROSGIM-UHFFFAOYSA-N 5-(hydroxymethyl)bicyclo[2.2.1]heptane-2,3-diol Chemical compound C1C2C(CO)CC1C(O)C2O NOJYODYRROSGIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004070 6 membered heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001436679 Adama Species 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- AXPZDYVDTMMLNB-UHFFFAOYSA-N Benzyl ethyl ether Chemical compound CCOCC1=CC=CC=C1 AXPZDYVDTMMLNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXXVNOUPSYRSAM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)C1=CC=CC(I)=C1C(C)(C)C.OS(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(=O)=O Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(I)=C1C(C)(C)C.OS(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(=O)=O JXXVNOUPSYRSAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical compound C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexylamine Chemical compound C1CCCCC1NC1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical class COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N Heptylamine Chemical compound CCCCCCCN WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N [1-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1(CO)CCCCC1 ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004054 acenaphthylenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRLHGXGMYJNYCR-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-hydroxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)COC(C)CO XRLHGXGMYJNYCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N acetoguanamine Chemical compound CC1=NC(N)=NC(N)=N1 NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001539 acetonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005036 alkoxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005355 arylox oalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002908 as-indacenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC3=CC=CC3=C12)* 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003828 azulenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N butoxybenzene Chemical compound CCCCOC1=CC=CC=C1 YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000004744 butyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- HJRJDOWDYGURNY-UHFFFAOYSA-N copper(1+) methylsulfanylmethane Chemical compound [Cu+].CSC HJRJDOWDYGURNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- FSDSKERRNURGGO-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3,5-triol Chemical compound OC1CC(O)CC(O)C1 FSDSKERRNURGGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000004210 cyclohexylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 125000004186 cyclopropylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N dioctylamine Chemical compound CCCCCCCCNCCCCCCCC LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHRLOJCOIKOQGL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)OC WHRLOJCOIKOQGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 description 1
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005928 isopropyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(OC(*)=O)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001786 isothiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- YVWPDYFVVMNWDT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OC YVWPDYFVVMNWDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- ZQJAONQEOXOVNR-UHFFFAOYSA-N n,n-di(nonyl)nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN(CCCCCCCCC)CCCCCCCCC ZQJAONQEOXOVNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COFKFSSWMQHKMD-UHFFFAOYSA-N n,n-didecyldecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCN(CCCCCCCCCC)CCCCCCCCCC COFKFSSWMQHKMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N n,n-diheptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCN(CCCCCCC)CCCCCCC CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)CCCCCC DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N n,n-dipentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(CCCCC)CCCCC OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N n-heptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCNCCCCCCC NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N n-hexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCNCCCCCC PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N n-pentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCNCCCCC JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N nitro(phenyl)methanesulfonic acid Chemical class OS(=O)(=O)C([N+]([O-])=O)C1=CC=CC=C1 IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 125000003261 o-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005936 piperidyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000004742 propyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005412 pyrazyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005495 pyridazyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000005619 secondary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000003718 tetrahydrofuranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002813 thiocarbonyl group Chemical group *C(*)=S 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 125000005425 toluyl group Chemical group 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWZDQOUHBYYPJD-UHFFFAOYSA-N tridodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN(CCCCCCCCCCCC)CCCCCCCCCCCC SWZDQOUHBYYPJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000025 triisopropylsilyl group Chemical group C(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)* 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
ブルパターニング技術についても量産化検討が行われている。また、短波長な高エネルギー線を用いる技術として、EB(電子線)や、EUV(極紫外線:13.5nm)光を露光源として用いるリソグラフィー技術が研究されている。EB露光ではスループットの低さが問題になる虞があるのに対して、EUV光を用いた場合は、ArFの波長と比較して1/10以下となり、極微細パターン形成方法の技術として注目を浴びている。
また、LWRとは、ライン左右のエッジのLERにより生じるライン幅のゆらぎのことを指し、LERとLWRは統計的に強い相関関係があると言われており、LERと同様、LWRの低減も強く求められている。
従来、このような化学増幅型レジスト組成物の基盤成分としては、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、メタクリル樹脂などのポリマーが用いられている。また、これらポリマーの水酸基の一部を酸解離性基に置換することによって、ポジ型レジスト組成物へ適用している。
スパターンにおけるライン幅のばらつき等の原因となるため、詳細なパターン形成時にはLERの低減化が課題となる。特に線幅32nm以下の微細パターンを形成可能なEUVリソグラフィーにおいては、3nm以下のLERが求められ、LWRは更に低い数値が求められている。
分子単位で溶解するため、レジスト組成物の基盤成分としてポリマーを用いた場合、目標とするLERやLWRを達成するのは極めて困難である。したがってこのような問題に対して、分子サイズがポリマーサイズより小さい基盤成分として、分子性材料を用いるレジスト組成物が提案されている(非特許文献1)。
アウトガスとは、露光時にレジスト組成物が分解して発生するガスのことを指す。EUVレジストにおいては、高真空下でのEUV露光を行うため、アウトガスの低減が強く求められている。
即ち、本発明の要旨は、下記(1)〜(9)に存する。
子又は任意の基と結合しており、C6〜C10が各々独立に、下記一般式(2)で表わされ
る基と結合しているとともに、該部分構造を1箇所又は2箇所有している。また、上記一
般式(1)中、C1〜C10は、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表わす。)
(2)フラーレン誘導体(A)が一般式(2)のRのうち少なくとも1つは酸不安定基を含む部分構造を有し、かつレジスト組成物がポジ型レジスト材料であることを特徴とする上記(1)に記載のレジスト組成物。
(3)レジスト組成物が更に、架橋剤成分(E)を含むネガ型レジスト材料であることを特徴とする上記(1)に記載のレジスト組成物。
(4)酸発生剤(B)がオニウム塩系酸発生剤であることを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載のレジスト組成物。
(5)オニウム塩系酸発生剤が一般式(3)で表されるスルホニウム塩系酸発生剤又は一般式(4)で表されるヨードニウム塩系酸発生剤あることを特徴とする上記(4)に記載のレジスト組成物。
R5は直鎖、分岐または環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表す)
(6)含窒素有機化合物(C)が第3級脂肪族アミンであることを特徴とする上記(1)〜(5)のいずれかに記載のレジスト組成物。
(7)架橋剤成分(E)がメラミン系架橋剤であることを特徴とする、上記(3)〜(6)のいずれかに記載のレジスト組成物。
(8)一般式(2)中の酸不安定基(R)が第3級アルキルオキシカルボニル基であることを特徴とする、上記(1)〜(7)のいずれか1項に記載のレジスト組成物。
(9)上記(1)〜(8)のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布しレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を加熱処理する工程、選択的にEUV露光する工程、必要に応じて加熱する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
本発明のレジスト組成物は、EUV光照射により発生した酸の作用により、アルカリ現像液溶解性が変化するフラーレン誘導体(A)、EUV露光により酸を発生する酸発生剤(B)並びに含窒素有機化合物(C)及び有機溶媒(D)を含有する。フラーレン誘導体(A)は、酸の作用によりアルカリ現像液溶解性が増大するものであってもよく、また低減するものであってもよい。本発明のレジスト組成物は、フラーレン誘導体(A)が前者の場合はポジ型レジスト組成物となり、後者の場合はネガ型レジスト組成物となる。本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。
ネガ型レジスト組成物は、レジストパターン形成時にEUV露光により酸が発生すると、当該酸が作用してフラーレン誘導体(A)と架橋剤成分(E)との間で架橋が起こり、レジスト組成物がEUV露光部においてアルカリ現像液可溶性から不溶性へと変化し、アルカリ現像が可能となる。
[フラーレン誘導体の構造]
本発明で用いられるフラーレン誘導体(A)は、特定の部分構造を有するフラーレン誘導体である。ここで、「フラーレン」とは、閉殻構造を有する炭素クラスターであり、フラーレンの炭素数は、通常60〜130の偶数である。
フラーレンの具体例としては、C60、C70、C76、C78、C82、C84、C90、C94、C96及びこれらよりも多くの炭素を有する高次の炭素クラスター等が挙げられる。なお、本明細書では、炭素数i(ここでiは任意の自然数を表す。)のフラーレン骨格を適宜、一般式「Ci」で表す。
また、「フラーレン誘導体」とは、フラーレン骨格を有する化合物又は組成物の総称である。即ち、フラーレン誘導体には、フラーレン骨格上に置換基を有したものの他、フラーレン骨格の内部に金属や化合物等を内包するもの及び他の金属原子や化合物と錯体を形成したもの等も含まれる。
C6〜C10は各々独立に、下記一般式(2)で表わされる基と結合している。なお、以下
の説明において、C1に結合する水素原子及び置換基を総称して、適宜「R10」という。
また、下記一般式(2)で表される基を、適宜「R20」という。
以下、まずC1と結合している基(即ち、R10)について、詳細に説明する。
一般式(1)中、C1は水素原子又は任意の置換基(即ち、R10)と結合している。前記
の置換基は、本発明のフラーレン誘導体成分として優れた物性を大幅に損ねるものでなければ、その種類に制限は無い。
R10がハロゲン原子である場合、その具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。なかでも、製造の容易さから塩素原子及び臭素原子が好
ましい。
R10が有機基である場合、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、sec−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、tert−アミル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基等の直鎖又は分岐状の鎖状アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基;アリル基、クロチル基、シンナミル基等のアルケニル基;ベンジル基、p−メトキシベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基;フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、トルイル基等のアリール基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基等のアリーロキシ基;モノメチルアミノ基、ジメチルアミノ基、モノジエチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の置換アミノ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;アリーロキシカルボニル基;チエニル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、フリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基等の5員複素環基;ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピペリジル基、ピペラジル基、モルホリル基等の6員複素環基;チオホルミル基、チオアセチル基、チオベンゾイル基等のチオカルボニル基;トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、モノメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジエチルシリル基、モノエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジイソプロピルシリル基、モノイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、モノフェニルシリル基等の置換シリル基等が挙げられる。
また、R10が上記のハロゲン原子、有機基以外の置換基である場合、その具体例としては、水酸基(ヒドロキシ基)、アミノ基、メルカプト基、カルボキシル基、シアノ基、シリル基、ニトロ基等が挙げられる。
中でも、R10としては、合成の容易さ及び耐酸化性の観点からアルキル基がより好ましく、EUVアウトガス低減の観点から安定性の高いメチル基が特に好ましい。
上記、OR基(Rは水素原子又は酸不安定基)が結合している炭素数6〜18の芳香族性を有する炭化水素基(Ar)の具体的な例としては、フェニル基、ビニルフェニル基、ジビニルフェニル基、トリビニルフェニル基等のビニルフェニル基;ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、as−インダセニル基、s−インダセニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、フェナレニ
ル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオラセニル基、アセフェナンチレニル基、アセアンチレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、テトラセニル基等の環状炭化水素基が挙げられる。
上記、炭素数6〜18の芳香族性を有する1価の炭化水素基がフラーレンと結合する位置は限定されず任意であるが、例えばナフタレン骨格の場合、原料調達の観点や合成の容易さからβ−位で結合していることが好ましい。他の骨格に関しては、上記観点で好ましい結合位置を各々決めることができる。
現像液溶解性やEUV光が照射された際のプロトン源の増大という観点では、OR基(Rは水素原子又は酸不安定基)の数は2個もしくは3個が好ましい。
なお、OR基(Rは水素原子又は酸不安定基)が芳香族性を有する炭化水素基に結合する位置は限定されず任意であり、複数のOR基がある場合はその相対的な位置関係も、制限されず任意であるが、例えばナフトール基の場合、原料調達の観点からamphi(アンフィ)の位置、即ちβ位(2位)でフラーレンと結合し、6位の位置に水酸基が結合していることが好ましい。
本発明に用いられるフラーレン誘導体(A)では、式(1)のC6〜C10は、各々独立に、一般式(2)で表される基(即ち、R20)と結合している。なお、R20は互いに同じ構造の基であってもよく、異なる構造の基であってもよいが、合成が容易である点から、R20は全て同じ構造の基であることが好ましい。
・フラーレン骨格上に本発明の5重付加部分構造を1つ有する、一般式Ci(R20)5(R10)で表される5重付加フラーレン誘導体。
・フラーレン骨格上に本発明の3重付加部分構造を1つ、本発明の5重付加部分構造を1つ有する、一般式Ci(R20)8(R10)2で表される8重付加フラーレン誘導体。
(R10)2で表される10重付加フラーレン誘導体。
これらの中でも、本発明のフラーレン誘導体(A)としては、製造が容易であり、単一化合物が製造できるため、分布の幅を狭められる観点からはフラーレン骨格上に本発明の5重付加部分構造を1つ有する、一般式Ci(R20)5(R10)で表される5重付加フラーレン誘導体が好ましく、また、 シリコン基板との密着性やEUV露光時のプロトン源増
大、アルカリ現像液への溶解性の観点からはCi(R20)10(R10)2で表される10重付加フラーレン誘導体が好ましい。なお、上記5重付加体、8重付加体及び10重付加体の
構造は中村らによって明らかにされている。
次に、一般式(2)中のArに結合しているOR基のうち、Rが酸不安定基である場合について詳細に説明する。フラーレン誘導体成分(A)が、ポジ型レジスト組成物に用いられる場合、一般式(2)中のRのうち少なくとも1つは酸不安定基であることが好ましい。
酸不安定基の具体例としては、第3級(tert−)アルキル基、第3級アルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルコキシアルキル基、環状エーテル基等があげられる。
X1は、その構造中にヘテロ原子を含んでいてもよい。すなわち、X1は、水素原子の一部又は全部がヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、またX1の炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよい。ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、フッ素原子、臭素原子等が挙げられる。
X1が直鎖状アルキル基の場合、炭素数1〜5であることが好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基等が挙げられ、原料調達の観点からメチル基、エチル基が好ましい。
X1が環状アルキル基の場合、炭素数3〜20であることが好ましく、具体的にはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、アダマンチル基等があげられ、この中でも特にアダマンチル基が好ましい。
酸不安定基がアルコキシアルキル基の場合、下記一般式(6)で表わされる基が好ましい。
一般式(5)中のX2としては、一般式(4)中のX1と同様のものが挙げられる。中でも、分岐状アルキル基、環状アルキル基が好ましい。
これら、酸不安定基のうち、第3級アルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基が好ましく、特に第3級アルキルオキシカルボニル基が好ましい。また、これら酸不安定基は、単独に一種類を用いてもよく、また複数の種類を用いてもよい。複数の種類を用いる場合は、その種類と数、それぞれの酸不安定基の比率等任意である。
通常、EUV光を用いる場合のレジスト膜厚は、通常10nm以上、200nm以下、好ましくは20nm以上、100nm以下、最も好ましくは30nm以上、80nm以下である。また同様に、所望のパターンの最小加工寸法に応じても調整可能である。
酸発生剤(B)としては特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト組成物用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩等のオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、グリオキシム系酸発生剤、ジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤、スルホン酸エステル誘導体等が挙げられる。これらの中でも、オニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤が好ましく、またオニウム塩系酸発生剤が特に好ましく、スルホニウム塩系及びヨードニウム塩系の酸発生剤が最も好ましい。
たは環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表す)
一般式(3)中のR2〜R4は、炭素数1〜20の有機基を表わし、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基や、アリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示している。これらの水素原子の一部または全部がアルコキシ基等によって置換されていてもよい。また、R2とR3とは環を形成していてもよく、環を形成する場合は炭素数1〜10のアルキレン基を示す。また、R2からR4は互いに同一であっても異なっていてもよい。
メチルナフチル基、エチルナフチル基、ジメチルナフル基、ジエチルナフチル基等のアルキルナフチル基;メトキシナフチル基、エトキシナフチル、ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等のアルコキシナフチル基;ベンジル基、フェニルエチル基、フェネチル基等のアラルキル基、2−フェニル−2−オキソエチル基、2−(1−ナフチル)−2−オキソエチル基、2−(2−ナフチル)−2−オキソエチル基等の2−アリール−2−オキソアルキル基等が挙げられる。
一般式(3)中のR5は直鎖、分岐または環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基
を表す。直鎖又は分岐状のアルキル基としては、通常炭素数1〜12であることが好ましく、また炭素数1〜8であることが更に好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。また、環状のアルキル基としては、炭素数4〜12であることが好ましく、また炭素数5〜10であることが更に好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
オニウム塩系酸発生剤のうち、ヨードニウム塩系酸発生剤の具体例としては、下記一般式(4)の構造を有する化合物が挙げられる。
または環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表す)
酸発生剤(B)としては、上述の酸発生剤の1種を単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上組み合わせる場合は、その種類と比率は任意である。
本発明のレジスト組成物における酸発生剤(B)の含有量は、フラーレン誘導体(A)100重量部に対して1〜50重量部が好ましく、3〜40重量部が更に好ましく、5〜38重量部が最も好ましい。上記範囲とすることで、EUV露光によるパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
[含窒素有機化合物(C)]
本発明のレジスト組成物は、ポジ型及びネガ型のいずれの場合においても、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等を向上させるために、含窒素有機化合物(C)を含有する。この含窒素有機化合物(C)はこれまでに報告されている任意のものを使用すれば良いが、環状アミン、脂肪族アミンが好ましい。特に、第2級脂肪族アミン、第3級脂肪族アミンが好ましく、第3級脂肪族アミンが最も好ましい。ここで脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、炭素数は1〜15が好ましい。
これらの中でも、炭素数5〜10の第3級脂肪族アミンが好ましく、特に炭素数8のトリ‐n‐オクチルアミンが好ましい。
本発明のレジスト組成物における含窒素有機化合物(C)の含有量は、フラーレン誘導体(A)100重量部に対して0.01〜20重量部が好ましく、0.1〜10重量部が更に好ましく、1〜5重量部が最も好ましい。
本発明のレジスト組成物は、ポジ型及びネガ型のいずれの場合においても、有機溶媒(D)を含有する。この有機溶媒(D)は使用する各成分を溶解させ、均一な溶液になればよく、従来の化学増幅型レジスト組成物の有機溶媒としてこれまでに報告されている任意のものを使用することができる。
EAと略記する)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(以下、PGMEと略記する)、乳酸エチル(以下、ELと略記する)が好ましく、EUV露光時のアウトガス低減の観点ではPGMEが最も好ましく、塗布性の観点ではPGMEAが最も好ましい。
有機溶媒(D)としては、これらの有機溶媒の1種類を単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上組み合わせる場合は、その種類と比率は任意である。
本発明のレジスト組成物は、ネガ型レジスト組成物として用いる場合には、架橋剤成分(E)を含有することが好ましい。この架橋剤成分(E)は特に限定されず、従来の化学増幅型ネガレジスト組成物に用いられている架橋剤の中から任意のものを使用することができる。
これらのうち、アミノ基含有化合物としてメラミンを用いたものをメラミン系架橋剤、尿素、エチレン尿素、プロピレン尿素等を用いたものを尿素系架橋剤、グリコールウリルを用いたものをグリコールウリル系架橋剤という。これらのうち、メラミン系架橋剤が特に好ましい。
本発明のレジスト組成物における 架橋剤成分(E)の含有量は、フラーレン誘導体(A)100重量部に対して通常1〜50重量部が好ましく、3〜40重量部が更に好ましく、5〜30重量部が最も好ましい。上記範囲とすることで、フラーレン誘導体成分(A)との架橋反応が十分進行し、良好なレジストパターンが形成される上、レジスト組成物の保存安定性が良好であり、EUV感度の経時的劣化が抑制される。
本発明のレジスト組成物においては、その優れた特性を著しく損なわない限り、前述の必
須成分に加えて、1種類又は2種類以上の界面活性剤等の第三成分を含有していてもよい。
本発明のレジスト組成物の作製方法は特に制限はないが、通常フラーレン誘導体(A)、酸発生剤(B)、含窒素有機化合物(C)及び有機溶媒(D)を、またネガ型レジスト組成物の場合は更に架橋剤成分(E)を所定の装置で攪拌しながら混合・溶解させる方法、超音波を照射する方法等により調製することができる。
[EUVレジストパターン形成方法]
本発明のEUVレジストパターン形成方法は、上記本発明のレジスト組成物を用いて、基板上に塗布しレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を加熱処理する工程、選択的にEUV露光する工程、必要に応じて加熱する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。
本発明のレジスト組成物を、基板上に、スプレー法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法などの任意の塗布方法を用いてレジスト膜を形成することができるが、均一な薄膜が形成できる観点でスピンコート法が好ましい。
レジスト膜厚が、薄すぎるとレジストパターンの寸法が所望の寸法から大きく変動する傾向があり、厚すぎると解像度が不良となる傾向がある。
上記の本発明のレジスト組成物により形成した膜は、加熱することによりレジスト膜に残留している有機溶媒を除去する。加熱温度は、通常70〜250℃で、好ましくは90〜150℃の範囲で、10〜300秒間、好ましくは30〜150秒間、更に好ましくは
60〜100秒間加熱する。加熱時間が長すぎると製造時の生産性が低下する傾向にあり、短すぎると熱が十分に伝わらず、加熱効果にばらつきが生じるおそれがある。
レジスト膜の露光は、EUV露光源を用いて所望のマスクパターンを介して行われる。露光に用いられるEUV露光源としては、LPPと呼ばれる、レーザー光をスズやその化合物、キセノンなどのターゲットに照射して発生したプラズマからEUV光を取り出るEUV露光源、DPPと呼ばれる、タングステンやシリコンカーバイドなどからなる電極の近傍に、スズやその化合物、キセノンを存在させて、高電圧放電により生したプラズマからEUV光を取り出すEUV露光源、レーザー光をターゲットに照射し、かつ放電させて生じたプラズマからEUV光を取り出すEUV露光源、または放射光光源からEUV光を取り出るEUV露光源などが用いられる。
これらのEUV光源からEUV光を取り出すには反射型または透過型のフィルターが使用される。
現像後に得られるレジストパターンの寸法は露光量により変動するので、露光量は所望の寸法となるように調整するのが好ましく、例えば、所望の寸法に対してプラスマイナス10%以内にする露光量が好ましく、プラスマイナス5%以内にする露光量が特に好ましい。
選択的EUV露光後の膜に対して、露光により発生した酸をレジスト膜中に効果的に拡散させるために加熱する。加熱温度は、通常70〜200℃で、好ましくは80〜150℃の範囲で、10〜300秒間、好ましくは30〜150秒間、更に好ましくは60〜100秒間加熱する。加熱時間が長すぎると製造時の生産性が低下する傾向にあ
り、短すぎると熱が十分に伝わらず、加熱効果にばらつきが生じるおそれがある。
上記工程を施した膜に対して、アルカリ現像液を用いて現像処理することにより、レジストパターンを形成することができる。
アルカリ現像液としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の水溶液が挙げられ、通常0.1〜10重量%、好ましくは1〜5重量%、更に好ましくは2〜3重量%の水溶液を用い、10〜180秒間、好ましくは20〜120秒間、浸漬法、パドル法、スプレー法等の常法により現像する。
現像液中には、本発明のレジストパターン形成方法の優れた特性を著しく損なわない限り、界面活性剤などの任意の成分が含有されていてもかまわない。
臭化銅(I)ジメチルスルフィド錯体(9.72g、47.3mmol)のテトラヒドロフラン(THF)懸濁液(84mL)を5℃まで冷却した後、2−ブロモ−6−メトキシナフタレンから合成したグリニャール試薬の6−OCH3−C10H6MgBr/THF溶液(1mol/L;51mL)を加え、25℃まで昇温した。そこにC60(3.0g、4.17mmol)のオルトジクロロベンゼン(ODCB)溶液(135mL)を加え、2時間攪拌した。ここに、ヨウ化メチル(MeI)(3mL、48mmol)を加えさらに8時間攪拌した。反応液を濾過し、THFを除去した後、トルエンで希釈し、シリカを充填剤(固定相)としたカラムクロマトグラフィー(展開液:トルエン及び酢酸エチル)による分離精製を行った。
溶出した溶液を濃縮し、メタノール(500mL)で晶析を行い、50℃で真空乾燥を行うことで、C60{β−(6−OCH3−C10H6)}5(−CH3)をオレンジ色固体(6.87g、4.52mmol、収率108.5%)の生成物として得た。生成物の中には溶媒のODCBが11重量%残留しれていた。
トグラフィー(HPLC)にて測定した。なお、1H−NMRはDMSO−d6を溶媒とし、400MHzにて測定し、HPLCは、0.5mg/mLのメタノール溶液を調製し、以下の条件で測定した。
カラム種類:Inertsil ODS−3V
カラムサイズ:150mm×4.6mmφ
溶離液:トルエン/メタノール=2/8
検出器:UV290nm
HPLC測定の結果、保持時間6.42minに、94.6(Area%)のピークが観測された。
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
9.85ppm(s,OH,1H),9.84ppm(s,OH,1H),9.81ppm(s,OH,1H),9.76ppm(s,OH,1H),9.70ppm(s,OH,1H),8.2〜8.4ppm(m,Np,4H),7.8〜8.0ppm(m,Np,8H),7.6〜7.7ppm(m,Np,4H),7.54ppm(d,Np,1H),7.24〜7.35ppm(m,Np,2H),7.0〜7.2ppm(m,Np,9H),6.90ppm(m,Np,2H),1.62ppm(s,C60Me,3H)
以上の結果から、得られた生成物が目的化合物C60{β−(6−OH−C10H6)}5(−CH3)であることが確認された。以下、この化合物を(A−1)と記載する。
臭化銅(I)ジメチルスルフィド錯体(17.28g、84.1mmol)のTHF懸濁液(88mL)を5℃まで冷却した後、2−ブロモ−6−メトキシナフタレンから合成したグリニャール試薬の6−OCH3−C10H6MgBr/THF溶液(1mol/L;90mL)を加え、25℃まで昇温した。そこに、脱水ピリジン(68mL)を加えさらに20分攪拌した。次に、C60(2.0g、2.78mmol)のODCB溶液(80mL)を加え、25℃で1時間攪拌し、40℃で24時間攪拌した。ここに、MeI(15mL、240mmol)を加え、さらに12時間攪拌した。反応液を濾過し、THFを除去した後、トルエンで希釈し、シリカを固定相とするカラムクロマトグラフィー(展開液:トルエン及び酢酸エチル)による分離精製を行なった。溶出液を濃縮し、メタノール(800mL)で晶析を行ない、50℃で真空乾燥を行なうことで、C60(β−6−OCH3−C10H6)10(−CH3)2を黄色固体(7.06g;109.6%)の生成物として得
た。
した。室温下で10時間攪拌したあと、イオン交換水(100mL)で反応を停止させ、酢酸エチル(200mL)を加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濾過を行った。溶液を濃縮し、ヘキサン(300mL)で晶析を行い、50℃で真空乾燥を5時間行うことで、目的化合物であるC60(β−6−OH−C10H6)10(−CH3)2を黄色固体(1.70g、0.78mmol、収率90.5%、C60からの一貫収率99.2%)の生成物として得た。
た。
HPLC測定の結果、保持時間1.96minに29.4(Area%)、3.40minに36.1(Area%)、4.03minに34.5(Area%)の3つのピークが観測された。 これら3つのピークは液体クロマトグラフィー−質量分析(LC−M
S)測定を行った結果いずれもm/zが2179.6であり、上記化合物の異性体混合物であることが確認された。
また、1H−NMRの測定結果は、以下の通りであった。
9.50〜9.80ppm(brs,OH,10H),8.6〜6.5ppm(m,Np,60H),1.80ppm(s,C60Me2,6H)
以上の結果から、得られた生成物が目的化合物C60(β−6−OH−C10H6)10(−
CH3)2の位置異性体混合物であることが確認された。以下、この化合物を(A−2)と記載する。
OtBu−C10H6)}3(−CH3)の製造]
フラーレン誘導体(A−1)であるC60{β−(6−OH−C10H6)}5(−CH3)
(1.50g,1.03mmol)のTHF(75mL)溶液に、トリエチルアミン(0.75mL)を添加し、氷冷した。そこに、二炭酸ジ−tert−ブチル(0.68g,3.09mmol)及び4−ジメチルアミノピリジン(225mg,1.86mmol)を加え、氷冷条件下で15分、室温で2時間攪拌した。10重量%塩酸(80mL)で反応を停止させ、クロロホルム(100mL)を加え、分液漏斗にて抽出した。
合成例1と同様にして、得られた生成物を1H−NMRで測定した。その結果、水酸基
とt−ブトキシカルボニル基(以下BOC基と記す)の積分比からA−1の水酸基数5個のうち、平均3個のBOC基が導入されたことが確認された。よって、保護化率は60%であった。
OtBu−C10H6)}6(−CH3)2の製造]
フラーレン誘導体(A−2)であるC60(β−6−OH−C10H6)10(−CH3)2(
1.50g,0.69mmol)のTHF(75mL)溶液に、トリエチルアミン(1.25mL)を添加し、氷冷した。そこに、二炭酸ジ−tert−ブチル(0.90g,4.09mmol)及び4−ジメチルアミノピリジン(375mg,3.10mmol)を加え、氷冷条件下で15分、室温で3時間攪拌した。10重量%塩酸(100mL)で反応を停止させ、クロロホルム(150mL)を加え、分液漏斗にて抽出した。
合成例3と同様にして、得られた生成物を1H−NMRで測定した。その結果、水酸基
とt−ブトキシカルボニル基(以下BOC基と記す)の積分比からA−3の10個の水酸基のうち、平均6個のBOC基が導入されたことが確認された。よって、保護化率は60%であった。
臭化銅(I)ジメチルスルフィド錯体(17.28g、84.1mmol)のTHF懸濁液(88mL)を5℃まで冷却した後、4−ブロモフェノールの水酸基をテトラヒドロピラニル基(以下、THPと記す)で保護して合成したグリニャール試薬の4−OTHP−C6H4MgBr/THF溶液(1mol/L;90mL)を加え、25℃まで昇温した。そこに、脱水ピリジン(68mL)を加えさらに20分攪拌した。次に、C60(2.0g、2.78mmol)のODCB溶液(80mL)を加え、25℃で1時間攪拌し、40℃で24時間攪拌した。ここに、MeI(15mL、240mmol)を加え、さらに12時間攪拌した。反応液を濾過し、THFを除去した後、トルエンで希釈し、アルミナを固定相とするカラムクロマトグラフィー(展開液:トルエン)による分離・精製を行なった。溶出液を濃縮し、メタノール(800mL)で晶析を行ない、50℃で真空乾燥を行なうことで、C60(4−OTHP−C6H4)10(−CH3)2を黄色固体(5.02g;収率71.6%)の生成物として得た。
HPLCの溶離液の比をトルエン/メタノール=5/95に変更し、用いるカラムをYMC−Pack ODS−AMとしたこと以外は、合成例1と同様にして、得られた生成物をHPLC及び1H−NMR(400MHz)にて測定した。
また、1H−NMRの測定結果は、以下の通りであった。
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
9.20〜7.80ppm(brs,OH,10H),7.80〜6.0ppm(m,P
h,40H),1.82ppm(s,C60Me2,6H)
以上の結果から、得られた生成物が目的化合物C60(4−OH−C6H4)10(−CH3
)2の位置異性体混合物であることが確認された。以下、この化合物を(A−5)と記載
する。
フラーレン誘導体(A−5)であるC60(4−OH−C6H4)10(−CH3)2(0.70g,0.42mmol)のTHF(20mL)溶液に、炭酸カリウム(3.50g)を
添加し、攪拌した。そこにブロモ酢酸−tert−ブチル(0.29g,1.49mmo
l)を加え、60℃で5.5時間攪拌した。10重量%塩酸(50mL)で反応を停止させ、酢酸エチル(100mL)を加え、分液漏斗にて抽出した。
H4)4.7(−CH3)2を0.65g得た。
合成例3と同様にして、得られた生成物を1H−NMRで測定した。その結果、水酸基
とt−ブトキシカルボニルメチレン基(以下BOCM基と記す)の積分比からA−5の水酸基数10個のうち、平均4.7個にBOCM基が導入されたことが確認された。よって、保護化率は47%であった。
フラーレン誘導体(A−5)であるC60(4−OH−C6H4)10(−CH3)2(0.70g,0.42mmol)のテトラヒドロフラン(20mL)溶液に、炭酸カリウム(3.50g)を添加し、攪拌した。そこに、ブロモ酢酸−tert−ブチル(0.39g,2.00mmol)を加え、60℃で5.5時間攪拌した。10重量%塩酸(50mL)で反応を停止させ、酢酸エチル(100mL)を加え、分液漏斗にて抽出した。
合成例3と同様にして、得られた生成物を1H−NMRで測定した。その結果、水酸基
とt−ブトキシカルボニルメチレン基(BOCM基)の積分比からA−5の水酸基数10個のうち、平均6.4個にBOCM基が導入されたことが確認された。よって、保護化率
は64%であった。
フラーレン誘導体(A−5)であるC60(4−OH−C6H4)10(−CH3)2(1.10g,0.65mmol)のTHF(44mL)溶液に、炭酸カリウム(5.50g)を添加し、攪拌した。そこに、ブロモ酢酸−tert−ブチル(0.56g,2.90mmol)を加え、60℃で5.5時間攪拌した。10重量%塩酸(100mL)で反応を停止させ、酢酸エチル(200mL)を加え、分液漏斗にて抽出した。
合成例3と同様にして、得られた生成物を1H−NMRで測定した。その結果、水酸基
とt−ブトキシカルボニルメチレン基(BOCM基)の積分比からA−5の水酸基数10個のうち、平均5個にBOCM基が導入されたことが確認された。よって、保護化率は50%であった。
[実施例1]
以下の実施例において、酸発生剤(B)は全てみどり化学(株)製のものを用いた。商品名と構造の対応をまとめて表1に示す。
上記フラーレン誘導体(A−1)、該(A−1)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のトリフェニルスルホニウム塩ノナフレート(以下、TPS−109と記す(商品名))を20重量部、含窒素有機化合物(C)として、トリオクチルアミン(以下TOAと記す)を2重量部、架橋剤成分(E)としてヘキサメトキシメチルメラミンを10重量部混合した組成物を、溶剤PGMEに対して、前記(A−1)が2.5wt%となるように溶かしてネガ型レジスト組成物を作製し、直前にヘキサメチルジシラザンによる表面処理を行ってある8インチシリコンウエハ上に1cc滴下し、スピンコーター&デベロッパー装置としてマーク8(東京エレクトロン社製)を用いて、6000rpmにてスピンコートした。
クトロン社製)を使用し、110℃×90秒の露光後ベークを行い、冷却した後、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド(以下、TMAHと記す)0.13N水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。次に日立ハイテク社製測長SEM S8840に、現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、100nm−hpのネガ型パターンが形成できていることが確認された。
次に放射光施設(Super−ALIS:NTT厚木研究センター)のビームラインSBL−2からの放射光を、2.5度の斜入射ミラー及びZrフィルター、45度Mo/Si多層膜(周期長7.5nm)ミラーを介して、EUV光(波長13.5nm近傍)を選択的に照射することができる真空チャンバに、このレジスト薄膜付ウエハをセットし、真空排気(実効排気速度150L/秒)を行った。この時の真空チャンバの到達真空度は5.8×10-8Pa以下であった。EUV光を0.44mW/cm2の強度で、面積2cm2の領域に10分間照射した。この時レジスト薄膜からのアウトガスによる真空チャンバの最大圧力上昇は1.4×10-8Paであった。
[実施例2]
評価及びアウトガス測定)
上記フラーレン誘導体(A―3)、該(A―3)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のTPS−109(商品名)を20重量部、含窒素有機化合物(C)として、TOAを2重量部混合した組成物を、溶剤PGMEに対して、(A−3)が2.5wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製し、直前にヘキサメチルジシラザンによる表面処理を行ってある8インチシリコンウエハ上に1cc滴下し、スピンコーター&デベロッパー装置としてマーク8(東京エレクトロン社製)を用いて、6000rpmにてスピンコートした。
露光済みのウエハを取り出し、スピンコーター&デベロッパー装置マーク8(東京エレク
トロン社製)を使用し、110℃×90秒の露光後ベークを行い、冷却した後、TMAH
0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。次に日立ハイテク社製測長SEM S8840に、現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、100nm−hpのポジ型パターンが形成できていることが確認された。
次に放射光施設(Super−ALIS:NTT厚木研究センター)のビームラインSBL−2からの放射光を、2.5度の斜入射ミラー及びZrフィルター、45度Mo/Si多層膜(周期長7.5nm)ミラーを介して、EUV光(波長13.5nm近傍)を選択的に照射することができる真空チャンバに、このレジスト薄膜付ウエハをセットし、真空排気(実効排気速度150L/秒)を行った。この時の真空チャンバの到達真空度は2.2×10-8Pa以下であった。EUV光を0.39mW/cm2の強度で、面積1cm2の領域に10分間照射した。この時レジスト薄膜からのアウトガスによる真空チャンバの最大圧力上昇は1.1×10-6Paであった。
[実施例3]
上記フラーレン誘導体(A―4)、該(A―4)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のTPS−109(商品名)を30重量部、含窒素有機化合物(C)として、TOAを3重量部混合した組成物を、溶剤PGMEに対して、(A−4)が1.95wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。次に、小フィールドEUV露光装置(SFET:(株)半導体先端テクノロジーズ所有)にインライン接続してあるスピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に12インチシリコンウエハをセットし、ヘキサメチルジシラザンによる表面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物を3cc滴下し、2000rpmにてスピンコートした。
光学系およびSi/Zrフィルターを介してEUV光(波長13.5nm)を選択的に露光可能な光源として使用する前記小フィールドEUV露光装置(SFET)にインライン中でセットし、微細パターンの露光を行った。露光量は80mJ/cm2であった。
却した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。次に日立ハイテク社製測長SEM S9380IIに、現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、60nm−hpのポジ型パターンが形成されていることが確認された。ただし、ポジ型パターンにおけるライン部が、スペース部に対して、幅の太い形状をしていた。
[実施例4]
上記フラーレン誘導体(A―6)、該(A―6)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のビス−tert-ブチルフェニルヨードニウム塩ノナフレート(以
下、BBI−109(商品名)と記す)を30重量部、含窒素有機化合物(C)として、TOAを3重量部混合した組成物を、溶剤PGMEに対して、(A−6)が1.95wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物を3cc滴下し、1300rpmにてスピンコートした。
次にインラインにて露光された上記ウエハを、スピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に送り、110℃×90秒の露光後ベークを行い、冷却した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。次に日立ハイテク社製測長SEM S9380IIに、現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、45nm−hpのポジ型パターン(ライン線幅:48.6nm)が形成されていることが確認された。このラインパターンのラインウイズラフネス(LWR)は6.8nm(3σ値)であった。
[実施例5]
上記フラーレン誘導体(A―7)、該(A―7)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のBBI−109(商品名)を30重量部、含窒素有機化合物(C)としてTOAを3重量部混合した組成物を、溶剤PGMEに対して(A−7)が1.95wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物を3cc滴下し、1300rpmにてスピンコートした。
次にインラインにて露光された上記ウエハを、スピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に送り、110℃×90秒の露光後ベークを行い、冷却
した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。次に日立ハイテク社製測長SEM S9380IIに、現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、60nm−hpのポジ型パターン(ライン線幅:76.1nm)が形成されていることが確認された。このラインパターンのラインウイズラフネス(LWR)は10.2nm(3σ値)であった。
[実施例6]
上記フラーレン誘導体(A―8)、該(A―8)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のBBI−109(商品名)を37重量部、含窒素有機化合物(C)としてTOAを3重量部、及び界面活性剤としてDIC製のR−30を0.5重量部混合した組成物を、溶剤PGMEAに対して(A−8)が2.2wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物を3cc滴下し、1300rpmにてスピンコートした。
あった。
次にインラインにて露光された上記ウエハを、スピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に送り、110℃×90秒の露光後ベークを行い、冷
却した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。次に日立ハイテク社製測長SEM S9380IIに、現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、露光量9mJ/cm2で45n
m−hpの、9.5mJ/cm2で45nm−hpの、10mJ/cm2で35nm−hpの、10.5mJ/cm2で32nm−hpのポジ型パターンが、それぞれ形成されてい
ることが確認された。また露光量9mJ/cm2で形成された45nm−hpのポジ型パ
ターンのラインウイズラフネス(LWR)は7.8nm(3σ値)であった。ただし、ポジ型パターンにおけるライン部が、やや丸みをおび、膜厚が減少しているのが確認された。[実施例7]
酸発生剤変更)
上記フラーレン誘導体(A―8)、該(A―8)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のビスフェニルヨードニウム塩ノナフレート(商品名、以下DPI−109と記す)を31重量部、含窒素有機化合物(C)としてTOAを3重量部、及び界面活性剤としてDIC製R−30を0.5重量部混合した組成物を、溶剤PGMEAに対して(A−8)が2.2wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
次に、小フィールドEUV露光装置(SFET:(株)半導体先端テクノロジーズ所有)にインライン接続してあるスピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に12インチシリコンウエハをセットし、ヘキサメチルジシラザンによる表
面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物を3cc滴下し、1300rpmにてスピンコートした。
った。
次にインラインにて露光された上記ウエハを、スピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に送り、110℃×90秒の露光後ベークを行い、冷
却した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた
次に日立ハイテク社製測長SEM S9380IIに、現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、露光量2.7mJ/cm2で45nm−h
p及び40nm−hpのポジ型パターンがそれぞれ形成されていることが確認された。ただし、ポジ型パターンにおけるライン部が、やや丸みを帯び、膜厚が減少しているのが確認された。
[実施例8]
上記フラーレン誘導体(A−8)、該(A−8)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のMPI−109(商品名)を32.5重量部、含窒素有機化合物(C)としてTOAを3重量部、及び界面活性剤としてDIC製R−30を0.5重量部混合した組成物を、溶剤PGMEAに対して(A−8)が2.2wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
次に、小フィールドEUV露光装置(SFET:(株)半導体先端テクノロジーズ所有)にインライン接続してあるスピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に12インチシリコンウエハをセットし、ヘキサメチルジシラザンによる表
面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物を3cc滴下し、1300rpmにてスピンコートした。
次にインラインにて露光された上記ウエハを、スピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に送り、110℃×90秒の露光後ベークを行い、冷
却した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。
次に日立ハイテク社製測長SEM S9380IIに、現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、露光量4.5mJ/cm2で45nm−h
pのポジ型パターンが形成されていることが確認された。ただし、ポジ型パターンにおけるライン部が、やや丸みを帯び、膜厚が減少していることが確認された。
[実施例9]
上記フラーレン誘導体(A−8)、該(A−8)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のTPS−109(商品名)を30重量部、含窒素有機化合物(C)としてTOAを3重量部、及び界面活性剤としてDIC製R−30を0.5重量部混合した組成物を、溶剤PGMEAに対して(A−8)が2.2wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
次に、小フィールドEUV露光装置(SFET:(株)半導体先端テクノロジーズ所有)にインライン接続してあるスピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に12インチシリコンウエハをセットし、ヘキサメチルジシラザンによる表
面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物を3cc滴下し、1300rpmにてスピンコートした。
次にインラインにて露光された上記ウエハを、スピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に送り、110℃×90秒の露光後ベークを行い、冷
却した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。
次に日立ハイテク社製測長SEM S9380IIに、現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、露光量27mJ/cm2で45nm−hp
のポジ型パターンが形成されていることが確認された。ただし、ポジ型パターンにおけるライン部が、丸みを帯び、膜厚が減少していることが確認された。
[実施例10]
上記フラーレン誘導体(A−8)、該(A−8)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のMDS−109(商品名)を31.5重量部、含窒素有機化合物(C)としてTOAを3重量部、及び界面活性剤としてDIC製R−30を0.5重量部混合した組成物を、溶剤PGMEAに対して(A−8)が2.2wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
次に、小フィールドEUV露光装置(SFET:(株)半導体先端テクノロジーズ所有)にインライン接続してあるスピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に12インチシリコンウエハをセットし、ヘキサメチルジシラザンによる表
面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組
成物を3cc滴下し、1300rpmにてスピンコートした。
却した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。
の、露光量40mJ/cm2で40nm−hpの、露光量42mJ/cm2で35nm−hpのポジ型パターンがそれぞれ形成されていることが確認された。ただし、ポジ型パターンにおけるライン部が、やや丸みを帯び、膜厚が減少していることが確認された。
[実施例11]
上記フラーレン誘導体(A−8)、該(A−8)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のBDS−109(商品名)を33重量部、含窒素有機化合物(C)としてTOAを3重量部、及び界面活性剤としてDIC製R−30を0.5重量部混合した組成物を、溶剤PGMEAに対して(A−8)が2.2wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
次に、小フィールドEUV露光装置(SFET:(株)半導体先端テクノロジーズ所有)にインライン接続してあるスピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に12インチシリコンウエハをセットし、ヘキサメチルジシラザンによる表
面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物を3cc滴下し、1300rpmにてスピンコートした。
却した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。
次に日立ハイテク社製測長SEM S9380IIに、現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、露光量37mJ/cm2で45nm−hp
の、露光量40mJ/cm2で40nm−hpの、露光量43mJ/cm2で35nm−h
pのポジ型パターンがそれぞれ形成されていることが確認された。また露光量37mJ/cm2で形成された。
また45nm−hpの、露光量40mJ/cm2で形成されたポジ型パターンのライン
ウイズラフネス(LWR)は7.7nm(3σ)であった。ただし、ポジ型パターンにおけるライン部が、やや丸みを帯び、膜厚が減少していることが確認された。
[実施例12]
上記フラーレン誘導体(A−8)、該(A−8)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のNAI−106(商品名)を22.8重量部、含窒素有機化合物(C)としてTOAを3重量部、及び界面活性剤としてDIC製R−30を0.5重量部混合した組成物を、溶剤PGMEAに対して(A−8)が2.2wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
次に、小フィールドEUV露光装置(SFET:(株)半導体先端テクノロジーズ所有)にインライン接続してあるスピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に12インチシリコンウエハをセットし、ヘキサメチルジシラザンによる表
面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物を3cc滴下し、1300rpmにてスピンコートした。
った。
次にインラインにて露光された上記ウエハを、スピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に送り、110℃×90秒の露光後ベークを行い、冷
却した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。
次に日立ハイテク社製測長SEM S9380IIに、現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、露光量120mJ/cm2で45nm−h
p及び40nm−hpの、露光量116mJ/cm2で35nm−hp及び32nm−h
pの、ポジ型パターンがそれぞれ分離・解像されていることが確認されたが、一部のパターンが基板から剥がれている状態であった。また露光量120mJ/cm2で形成された45nm−hp及び40nm−hpのポジ型パターンのラインウイズラフネス(LWR)はそれぞれ7.8nm及び7.7nm(3σ)であった。
[実施例13]
上記フラーレン誘導体(A―8)、該(A―8)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のBBI−109(商品名)を30重量部、含窒素有機化合物(C)としてTOAを3重量部、及び界面活性剤としてDIC製R−30を0.5重量部混合した組成物を、溶剤PGMEAに対して(A−8)が2.2wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
次に、小フィールドEUV露光装置(SFET:(株)半導体先端テクノロジーズ所有)にインライン接続してあるスピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に12インチシリコンウエハをセットし、ヘキサメチルジシラザンによる表
面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物を3cc滴下し、2000rpmにてスピンコートした。
次にインラインにて露光された上記ウエハを、スピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に送り、110℃×90秒の露光後ベークを行い、冷
却した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた
hp及び40nm−hpのポジ型パターンがそれぞれ形成されていることが確認された。それぞれのライン線幅は、45nm−hpで48.2nm、40nm−hpで44.4nmであり、ラインウイズラフネス(LWR)はそれぞれ6.6nm及び7.1nm(3σ)であった。
また露光量12.5mJ/cm2で35nm−hp、32nm−hp、30nm−hp、及び28nm−hpのポジ型パターンがそれぞれ分離・解像されていることが確認されたが、一部のパターンが基板から剥がれている状態であった。
[実施例14]
上記フラーレン誘導体(A−8)、該(A−8)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のBBI−109(商品名)を30重量部、含窒素有機化合物(C)としてTOAを3重量部、及び界面活性剤としてDIC製R−30を0.5重量部混合した組成物を、溶剤PGMEAに対して(A−8)が2.2wt%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、別途調整した有機膜組成液を5cc滴下し、1450rpmにてスピンコートし、190℃×90秒のベーク処理を行った後、冷却して厚さ20nmの有機膜を形成した。
次いで、この有機膜上に前記のレジスト組成物を3cc滴下し2000rpmにてスピンコートした。
った。
却した後、TMAH0.26N(2.38wt%)水溶液を用いて現像した。現像時間は30秒であった。続いて30秒間超純水でリンスした後、100℃で30秒間ベークして乾燥させた。
hpの、露光量13mJ/cm2で40nm−hpの、また露光量13.5mJ/cm2で35nm−hp及び32nm−hpのポジ型パターンがそれぞれ形成されていることが確認された。それぞれのライン線幅は、45nm−hpで46.5nm、40nm−hpで40.7nm、35nm−hpで35.3nm、及び32nm−hpで35.5nmであり、ラインウイズラフネス(LWR)はそれぞれ45nm−hp:5.7nm、40nm−hp:6.7nm、35nm:9.8nm及び32nm:9.6nm(いずれも3σ)であった。
また露光量13.5mJ/cm2で30nm−hp、28nm−hp、及び26nm−
hpのポジ型パターンがそれぞれ分離・解像されていることが確認されたが、一部のパターンで下部の裾引きと見られるラインパターン間のつながりが見られた。
これらの結果をまとめて表2−1,表2−2に示す。
上記フラーレン誘導体(A−1)、該(A−1)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のTPS−109(商品名)を30重量部、及び架橋剤成分(E)としてヘキサメトキシメチルメラミン15重量部混合した本発明のネガ型レジスト組成物前駆体(以下R−5と記す)、及び、本発明の(A)成分に相当しない成分を用いたネガ型レジスト組成物として、前記(A−1)をノボラック樹脂(分子量1000)に変更したネガ型レジスト組成物前駆体(以下R−1と記す)を調整し、これらを所定の比率で混合の上、溶剤PGMEに対して合計2.03重量%となるように溶かしてネガ型レジスト組成物を作製した。
R−2・・・R−1/R−5=90/10
R−3・・・R−1/R−5=75/25
R−4・・・R−1/R−5=50/50
2インチシリコンウエハをセットし、ヘキサメチルジシラザンによる表面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物をそれぞれ3cc滴下し1000rpmにてスピンコートした。
これらのウエハをDPP光源(エナジージェティック社製)から発した光をSi/Zrフィルター、45度Mo/Si多層膜(周期長7.5nm)ミラーを介して、EUV光(波長13.5nm近傍)を選択的に照射することができる真空チャンバにセットし、真空排気(排気速度500L/秒)を行った。この時の真空チャンバの到達真空度は1.4×10-6Pa以下であった。EUV光を0.0235mW/cm2の強度で、面積1.428
cm2の領域に積算露光量30mJ/cm2となるように照射した。この時、R−1レジスト薄膜からのアウトガスによる真空チャンバの最大圧力上昇は3×10-8Paであった。
この結果から、本発明のレジスト組成物R−5の含有割合、即ちフラーレン誘導体(A−1)の含有量が増加すると、アウトガスが減少することが判る。
上記フラーレン誘導体(A−3)、該(A−3)100重量部に対して酸発生剤(B)としてみどり化学製のTPS−109(商品名)を30重量部を混合した本発明のポジ型レジスト組成物前駆体(以下R−10と記す)、及び、本発明の(A)成分に相当しない成分を用いたポジ型レジスト組成物として、前記(A−3)をポリヒドロキシスチレン(平均分子量15000)の水酸基の30%をt−ブトキシカルボニル基(BOC基)によって保護したBOC30%保護体に変更したポジ型レジスト組成物前駆体(以下R−6と
記す)を調製し、これらを所定の比率で混合の上、溶剤PGMEに対して合計1.95重
量%となるように溶かしてポジ型レジスト組成物を作製した。
R−6とR−10の混合比率は以下の通りである。
R−8・・・R−6/R−10=75/25
R−9・・・R−6/R−10=50/50
次に、スピンコーター&デベロッパー装置(アクト12、東京エレクトロン社製)に1
2インチシリコンウエハをセットし、ヘキサメチルジシラザンによる表面処理を行ない、この表面処理済みの12インチシリコンウエハ上に、上記のレジスト組成物をそれぞれ3cc滴下し1000rpmにてスピンコートした。
これらのウエハをDPP光源(エナジージェティック社製)から発した光をSi/Zrフィルター、45度Mo/Si多層膜(周期長7.5nm)ミラーを介して、EUV光(波長13.5nm近傍)を選択的に照射することができる真空チャンバにセットし、真空排気(排気速度500L/秒)を行った。この時の真空チャンバの到達真空度は0.9×10-6Pa以下であった。EUV光を0.031mW/cm2の強度で、面積1.428c
m2の領域に積算露光量30mJ/cm2となるように照射した。この時、R−6レジスト薄膜からのアウトガスによる真空チャンバの最大圧力上昇は6.0×10-7Paであった。
この結果から、本発明のレジスト組成物R−10の含有割合、即ちフラーレン誘導体(A−3)の含有量が増加すると、アウトガスが減少することが判った。
(結果の評価)
レジスト組成物中にフラーレン誘導体を存在させることで、従来のレジスト組成物に比較してアウトガスの発生を著しく低減することができる。また、EUV露光を用いたパターンの形成が可能であった。
Claims (9)
- 下記一般式(1)で表されるフラーレン誘導体(A)、露光により酸を発生する酸発生剤(B)、含窒素有機化合物(C)及び有機溶媒(D)を含有することを特徴とするEUV(極紫外線)光露光用レジスト組成物。
- フラーレン誘導体(A)が一般式(2)のRのうち少なくとも1つは酸不安定基を含む部分構造を有し、かつレジスト組成物がポジ型レジスト材料であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト組成物。
- レジスト組成物が更に、架橋剤成分(E)を含むネガ型レジスト材料であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト組成物。
- 酸発生剤(B)がオニウム塩系酸発生剤であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のレジスト組成物。
- 含窒素有機化合物(C)が第3級脂肪族アミンであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のレジスト組成物。
- 架橋剤成分(E)がメラミン系架橋剤であることを特徴とする請求項3〜6のいずれか1項に記載のレジスト組成物。
- 一般式(2)中の酸不安定基(R)が第3級アルキルオキシカルボニル基で有ることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のレジスト組成物。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のレジスト組成物を基板上に塗布しレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を加熱処理する工程、選択的にEUV露光する工程、必要に応じて加熱する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009238842A JP5457785B2 (ja) | 2009-06-24 | 2009-10-16 | Euv光露光用フラーレン誘導体含有レジスト組成物並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009150141 | 2009-06-24 | ||
JP2009150141 | 2009-06-24 | ||
JP2009238842A JP5457785B2 (ja) | 2009-06-24 | 2009-10-16 | Euv光露光用フラーレン誘導体含有レジスト組成物並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011028201A JP2011028201A (ja) | 2011-02-10 |
JP5457785B2 true JP5457785B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=43636979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009238842A Active JP5457785B2 (ja) | 2009-06-24 | 2009-10-16 | Euv光露光用フラーレン誘導体含有レジスト組成物並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5457785B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130108302A (ko) * | 2010-09-16 | 2013-10-02 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 화학증폭형 레지스트 조성물, 및 레지스트 막 |
JP5714357B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2015-05-07 | 三菱商事株式会社 | 光酸発生剤が連結したフラーレン誘導体を含有するレジスト組成物並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP5678747B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2015-03-04 | 三菱商事株式会社 | Euv光露光用レジスト組成物並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP5895602B2 (ja) * | 2012-03-01 | 2016-03-30 | 三菱商事株式会社 | 架橋性フラーレン組成物 |
JP5987544B2 (ja) * | 2012-08-08 | 2016-09-07 | 三菱商事株式会社 | 酸解離型重合性フラーレン誘導体及びその製造方法 |
JP5935651B2 (ja) * | 2012-10-18 | 2016-06-15 | 三菱商事株式会社 | 極紫外線光及び電子ビーム露光用レジスト組成物、並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP6024409B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2016-11-16 | 三菱商事株式会社 | フラーレン誘導体、並びに極紫外線光又は電子ビーム露光用レジスト組成物 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4824959B2 (ja) * | 2004-07-20 | 2011-11-30 | 中村 栄一 | フラーレン誘導体 |
JP4434985B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-03-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP2008033102A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP5194626B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2013-05-08 | 三菱化学株式会社 | フラーレン誘導体並びにその溶液、製造方法及び膜 |
JP5332302B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2013-11-06 | 三菱商事株式会社 | フラーレン誘導体並びにその溶液及びその膜 |
JP5658434B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2015-01-28 | 三菱商事株式会社 | フラーレン誘導体並びにその溶液及びその膜 |
JP5530084B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2014-06-25 | 三菱商事株式会社 | フラーレン誘導体並びにその溶液、及びその膜 |
-
2009
- 2009-10-16 JP JP2009238842A patent/JP5457785B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011028201A (ja) | 2011-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI672289B (zh) | 聚合性單體、聚合物、光阻材料及圖案形成方法 | |
KR102014600B1 (ko) | 술포늄염, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
JP5457785B2 (ja) | Euv光露光用フラーレン誘導体含有レジスト組成物並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 | |
KR100997004B1 (ko) | 열산 발생제 및 이것을 포함하는 레지스트 하층막 재료, 및이 레지스트 하층막 재료를 이용한 패턴 형성 방법 | |
US8349533B2 (en) | Resist lower-layer composition containing thermal acid generator, resist lower layer film-formed substrate, and patterning process | |
TWI790417B (zh) | 光阻組成物及圖案形成方法 | |
KR20160113022A (ko) | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 산 발생제 및 화합물 | |
TW201921109A (zh) | 光阻材料及圖案形成方法 | |
TWI534531B (zh) | 光阻組成物,光阻圖型之形成方法,高分子化合物 | |
JP2013145384A (ja) | 感放射線性組成物及びそれに用いられる低分子量化合物の製造方法 | |
TW201944174A (zh) | 光阻材料及圖案形成方法 | |
WO2010004979A1 (ja) | レジスト処理方法 | |
JP5250309B2 (ja) | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP6044283B2 (ja) | フラーレンc60誘導体、並びに極紫外線光又は電子ビーム露光用レジスト組成物 | |
CN107324978B (zh) | 联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂、正性光刻胶组合物和负性光刻胶组合物 | |
JP5714357B2 (ja) | 光酸発生剤が連結したフラーレン誘導体を含有するレジスト組成物並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 | |
TWI764525B (zh) | 阻劑材料及圖案形成方法 | |
JP5678747B2 (ja) | Euv光露光用レジスト組成物並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JP2006163066A (ja) | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP5935651B2 (ja) | 極紫外線光及び電子ビーム露光用レジスト組成物、並びにこれを用いたレジストパターン形成方法 | |
WO2019111665A1 (ja) | レジストパターン形成方法及びレジスト膜形成用組成物 | |
KR101172763B1 (ko) | 공중합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 | |
JP5262631B2 (ja) | 感放射線性組成物 | |
JP6024409B2 (ja) | フラーレン誘導体、並びに極紫外線光又は電子ビーム露光用レジスト組成物 | |
KR20240143570A (ko) | 유기염, 이를 포함한 레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120704 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20121128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5457785 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |