JP5448921B2 - ヒューズ装置 - Google Patents
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Description
、焼成によって上部セラミック構造体と一体的に形成された発熱抵抗体用パターンとを含んでいることにより、電流ヒューズ機能および発熱抵抗体付き温度ヒューズ機能を一体的に有するとともに、小型化を図ることができる。
図1および図2を参照して、本発明の第1の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。ヒューズ装置は、セラミック構造体1と、電流ヒューズ素子用パターン2と、温度ヒューズ素子3と、発熱抵抗体用パターン4と、フラックス部材5とを含んでいる。図1において、フラックス部材5は、温度ヒューズ素子3の実装構造を示すことを目的として、省略されている。電流ヒューズ素子用パターン2、温度ヒューズ素子3および発熱抵抗体用パターン4は、セラミック構造体1に設けられている。フラックス部材5は、セラミック構造体1の上面に設けられている。図1において、ヒューズ装置は、仮想のxyz空間におけるxy平面に実装されている。本実施形態におけるヒューズ装置は、表面実装型の装置である。図1において、上方向とは、仮想のz軸の正方向のことをいう。
域111に設けられているとともに、焼成によって下層11と一体的に形成されている。“電流ヒューズ素子用パターン”とは、定格電流以上の電流が流れた場合に、ジュール熱によって溶断されるパターンのことをいう。電流ヒューズ素子用パターン2は、メタライズパターンである。図1において、貫通孔121に対応する領域111とは、二点鎖線によって囲まれた領域のことであり、中空部14に露出されている領域のことである。
いて発生されるジュール熱の損失に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。
図7および図8を参照して、本発明の第2の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。本実施形態におけるヒューズ装置において、第1の実施形態におけるヒューズ装置と異なる構成は、セラミック構造体1の下層11の構造である。その他の構成は、第1の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。図7において、フラックス部材5は、温度ヒューズ素子3の実装構造を示すことを目的として、省略されている。
本発明の第3の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。本実施形態のヒューズ装置において、第1および第2の実施形態におけるヒューズ装置と異なる構成について、例示的に、図2に示された第1の実施形態におけるヒューズ装置と対比するように図9を参照して説明する。本実施形態におけるセラミック構造体1は、予め焼成によって形成された下層11、介在層12および上層13が、接合部材91および92によって接合されている。電流ヒューズ素子用パターン2は、焼成によって下層11と一体的に形成されている。発熱抵抗体用パターン4は、焼成によって上層13と一体的に形成されている。
図10および図11を参照して、本発明の第4の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。ヒューズ装置は、セラミック構造体6と、電流ヒューズ素子7と、温度ヒューズ素子3と、発熱抵抗体用パターン4と、フラックス部材5とを含んでいる。図10において、フラックス部材5は、温度ヒューズ素子3の実装構造を示すことを目的として、省略されている。図10において、ヒューズ装置は、仮想のxyz空間におけるxy平面に実装されている。本実施形態におけるヒューズ装置は、表面実装型の装置である。図10において、上方向とは、仮想のz軸の正方向のことをいう。
2 電流ヒューズ素子用パターン
3 温度ヒューズ素子
4 発熱抵抗体用パターン
5 フラックス部材
Claims (5)
- 下層、介在層および上層を含んでおり、前記介在層が、前記下層の上に設けられているとともに、上下方向に設けられた貫通孔を有しており、前記上層が、前記介在層の上に設けられており、前記貫通孔が、前記下層および前記上層によって塞がれているセラミック構造体と、
前記下層の上面における前記貫通孔に対応する領域に設けられているとともに、焼成によって前記下層と一体的に形成された電流ヒューズ素子用パターンと、
前記上層の上面に設けられた温度ヒューズ素子と、
前記上層の下面または前記上層の内部における前記貫通孔に対応する領域に設けられているとともに、焼成によって前記上層と一体的に形成された発熱抵抗体用パターンと、
を備えたヒューズ装置。 - 前記下層、介在層および上層が、焼成によって一体的に形成されていることを特徴とするヒューズ装置。
- 前記セラミック構造体が、前記下層の内部に設けられているとともに前記電流ヒューズ素子用パターンの直下に位置している伝熱抑制手段を有していることを特徴とする請求項1記載のヒューズ装置。
- 下部セラミック構造体と、
前記下部セラミック構造体との間に中空部を挟むように、前記下部セラミック構造体に接合された上部セラミック構造体と、
前記中空部に設けられた電流ヒューズ素子と、
前記上部セラミック構造体の上面に設けられた温度ヒューズ素子と、
前記上部セラミック構造体の下面に設けられているとともに、焼成によって前記上部セラミック構造体と一体的に形成された発熱抵抗体用パターンと、
を備えたヒューズ装置。 - 前記下部セラミック構造体が、前記電流ヒューズ素子の直下に位置している伝熱抑制手段を有していることを特徴とする請求項4記載のヒューズ装置。
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JP2010039798A JP5448921B2 (ja) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | ヒューズ装置 |
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